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長江存儲在2022年快閃記憶體峰會（FMS）上，發布了基於晶棧3.0（Xtacking 3.0）架構的第四代3D TLC NAND快閃記憶體晶片，名為X3-9070，隨後大量應用於各大品牌的SSD上。之後長江存儲又擴大了新架構的應用范圍，推出了128層3D TLC NAND快閃記憶體和232層3D QLC NAND快閃記憶體產品，這些晶片更便宜、更容易製造。 據TomsHardware報導，已經有文件顯示，長江存儲正在准備下一代晶棧4.0（Xtacking 4.0）架構，至少會用於兩款產品，分別是名為X4-9070的232層3D TLC NAND快閃記憶體，以及名為X4-9060的128層3D TLC NAND快閃記憶體。 暫時還不清楚新架構會有什麼不同，一般情況下，長江存儲每發布一個新架構，就會提高數據傳輸速度和存儲密度。不過晶棧4.0架構是以某種方式解決現有晶棧3.0架構技術上的局限性，包括增加平面的數量以提高並行性，優化位線/字線以改善延遲。此外，也不排除長江存儲利用新架構進一步提高產能。 晶棧架構已經歷了1.0到3.0的疊代發展，並基於相關技術提供了SATA III、PCIe 3.0和PCIe 4.0 SSD，還帶來了用於移動通信和其他嵌入式應用的eMMC和UFS等存儲產品。同時長江存儲在三維異構集成領域也積累了豐富的經驗，技術研發上逐漸趕上業界巨頭。 ...

長江存儲在2022年快閃記憶體峰會（FMS）上，正式發布了基於晶棧3.0（Xtacking 3.0）架構的第四代3D TLC NAND快閃記憶體晶片，名為X3-9070。相比上一代產品，X3-9070擁有更高的存儲密度、更快的I/O速度。 據Tech Insights報導，長江存儲的X3-9070已經量產了，除了用於致態TiPlus7100系列SSD，還被用在海康威視的CC700 2TB SSD上，這是首個進入零售市場的200+層3D NAND快閃記憶體解決方案，領先於三星、美光、SK海力士等廠商。 據長江存儲介紹，X3-9070的I/O傳輸速率達到了2400 MT/s，符合ONFI 5.0規范，相比上一代產品提高了50%的性能；得益於晶棧3.0架構，X3-9070成為了長江存儲有史以來存儲密度最高的快閃記憶體顆粒，能夠在更小的單顆晶片中實現1Tb（128GB）的存儲容量；採用6-plane設計，相比一般的4-plane性能提升50%以上，同時功耗降低25%，能效比提高了，成本也更低了。 作為存儲大廠，今年美光、SK海力士和三星先後推出了200+層的3D NAND快閃記憶體解決方案。其中最早的是美光，在5月就宣布推出業界首款232層的3D TLCNAND快閃記憶體，稱准備在2022年末開始生產，其採用了CuA架構，使用NAND的字符串堆疊技術，初始容量為1Tb（128GB）。到了8月，SK海力士宣布已成功研發全球首款業界最高層數的238層NAND快閃記憶體，並已經向合作夥伴發送238層512Gb TLC 4D NAND快閃記憶體的樣品。三星在上個月宣布，已開始批量生產採用第8代V-NAND技術的產品，為1Tb（128GB）TLC 3DNAND快閃記憶體晶片，達到了236層。 ...

長江存儲在2022年快閃記憶體峰會（FMS）上，正式發布了基於晶棧3.0（Xtacking 3.0）架構的第四代3D TLC快閃記憶體晶片，名為X3-9070。相比上一代產品，X3-9070擁有更高的存儲密度、更快的I/O速度。據稱，其堆疊層數已突破200層。 據長江存儲介紹，X3-9070的I/O傳輸速率達到了2400 MT/s，符合ONFI 5.0規范，相比上一代產品提高了50%的性能；得益於晶棧3.0架構，X3-9070成為了長江存儲有史以來存儲密度最高的快閃記憶體顆粒，能夠在更小的單顆晶片中實現1Tb（128GB）的存儲容量；採用6-plane設計，相比一般的4-plane性能提升50%以上，同時功耗降低25%，能效比提高了，成本也更低了。 長江存儲執行副總裁陳軼表示： 「X3-9070快閃記憶體顆粒是長江存儲近年來在三維快閃記憶體領域的匠心之作，它擁有出色的性能表現和極高的存儲密度，能夠快速高效地應用於主流商用場景之中。面對蓬勃發展的5G、雲計算、物聯網、自動駕駛、人工智慧等新技術帶來的全新需求和挑戰，長江存儲將始終以晶棧®為基點，不斷開發更多高品質快閃記憶體產品，協同上下游存儲合作夥伴，用晶棧®為存儲產業賦能，踐行『成為存儲技術的領先者，全球半導體產業的核心價值貢獻者』的使命和責任。」 目前晶棧架構已經歷了1.0到3.0的疊代發展，並基於相關技術打造了多款產品，提供了SATA III、PCIe 3.0和PCIe 4.0 SSD，並帶來了用於移動通信和其他嵌入式應用的eMMC和UFS等存儲產品。同時長江存儲在三維異構集成領域也積累了豐富的經驗，研發上逐漸趕上業界巨頭。 ...

如今人們對移動數據的需求量越來越大，如果數據量較小，對數據傳輸要求不高，可能使用一個U盤就可以了，甚至使用網盤就解決問題了。不過如果是做視頻的創作人群，或者專業攝影師，需要存放大量的照片和視頻素材，而且經常要和同事、朋友交換數據，那麼使用速度快、容量大的移動存儲設備就很有必要了，可以說是必備的生產力工具。 一般來說有兩種選擇，一種是普通的移動硬碟，另外一種是移動固態硬碟。前者大多搭載的是2.5英寸HDD，體積較大，同時也較重，傳輸速度有限，已難以滿足需要大量數據交換的用戶需求了。後者是近年來比較熱門的選擇，相比普通的移動硬碟，體積小了許多，大多採用USB 3.0接口，而且可以完全利用其帶寬。不過隨著對數據要求的提高，USB 3.0接口的帶寬已不能完全滿足部分人群的需要了。恰好小編手上有一塊致鈦PC005 Active 1TB SSD，萌生了自己組裝一塊USB 3.2 Gen2x2接口的移動固態硬碟的念頭。相比更新的USB4或雷電3/4接口的移動存儲設備，花費也低許多。 USB接口作為目前電腦上使用最為廣泛的即插即用接口，自1996年發布USB 1.0以後，經過不斷的發展，現在已來到了USB4，良好的兼容性使其長盛不衰。在實際生活里，目前最主流的仍然屬於USB 3.x，但卻是最讓人頭疼的一個版本，先後出現了出現了USB 3.1 Gen 1、USB 3.1 Gen 2、USB 3.2 Gen 1、USB 3.2 Gen 2和最新的USB 3.2 Gen...

長江存儲宣布128層堆疊的3D NAND快閃記憶體研發成功，有X2-6070這款擁有目前業界已知最大單位面積存儲密度、最高I/O傳輸速度以及最高單顆NAND存儲晶片容量的3D QLC，以及128層堆疊的3D TLC X2-9060。在2018年的快閃記憶體峰會上，長江存儲正式推出了Xtacking架構3D快閃記憶體，當時還是32層堆疊，僅用三年時間就變成了128層堆疊，效率相當高。 近日，Tech Insights對Asgard（阿斯加特）最新的AN4 1TB SSD（基於PCIe 4.0標準）進行了拆解和分析，這款產品是長江存儲128層堆疊3D NAND快閃記憶體的首次商業應用。 長江存儲的128層堆疊產品採用的Xtacking架構已經全面升級至2.0，可進一步釋放3D快閃記憶體的潛能，其基於電荷俘獲型（Charge-Trap）存儲技術，可在1.2V Vccq電壓下實現1.6Gbps的數據傳輸速率。目前長江存儲的Xtacking 2.0架構用於製造128層堆疊的512Gb TLC晶片，以及128層QLC 3D NAND晶片。 拆解的AN4 1TB SSD採用了長江存儲128層堆疊的512Gb TLC晶片，尺寸為60.42平方毫米，位密度增加到8.48 Gb/平方毫米，相比Xtacking 1.0架構的晶片（256Gb）提高了92%。長江存儲Xtacking混合鍵合技術使用了兩片晶圓來集成3D NAND器件，因此可以找到兩個die，一個用於NAND陣列晶片，另一個用於CMOS外圍晶片。其單元結構是由兩個層板組成，通過層板接口緩沖層連接，與鎧俠的112層堆疊的BiCS 3D NAND快閃記憶體在結構上的工藝相同。 與三星（V-NAND）、美光（CTF CuA）和SK海力士（4D...