Tag: QLC

美光在18年推出了英睿達P1系列SSD，基於美光3D QLC顆粒打造，定位為入門級固態硬碟，採用NVMe 1.3協議，使用M.2插槽，走PCIe 3.0x4通道，長度規格為2280。現在美光發布了該系列的升級版本，直接命名為英睿達P2系列，仍然是QLC顆粒，首發的容量有兩個規格，分別為250GB和500GB的版本。 英睿達P2系列相比英睿達P1系列在順序讀取性能上小有提升，拿500GB的版本來說，500GB版本的英睿達P1可以提供高達1900MB/s的連續讀取速度，而500GB版本的英睿達P2可以提供高達2300MB/s的連續讀取速度。不過需要注意的是，從美光公布的數據來看，250GB版本的英睿達P2在順序寫入性能上要比500GB的還要高，500GB版本的英睿達P2順序寫入性能為940MB/s，而250GB版本的英睿達P2順序寫入性能為1150MB/s。而關於英睿達P2系列的隨機讀取性能，美光這次並未公布。 對於QLC顆粒的固態硬碟來說，其使用壽命應該是用戶最關心的，與英睿達P1一樣，英睿達為P2系列提供5年有限質保。該品牌還為P2系列SSD提供兩個軟體：用於SSD監控和優化的Crucial Storage Executive和用於系統遷移的Acronis True Image。英睿達P2 250GB和500GB SSD在英睿達網站上的售價分別為54.99美元和64.99美元。  ...

之前Intel展示過的660p的繼任者665p在今天正式上市了，這款新的SSD使用Intel原廠的96層3D QLC顆粒，在性能上較原本的660p有一定的提升。 目前從官網信息來看，665p一共有兩種容量版本，1TB和2TB，看起來是把512GB版本給取消了，可能Intel自己也明白512GB的660p用起來是有多麼痛苦。665p的1TB版本擁有每秒2000/1925MB的最高順序讀寫速度，2TB版本的順序寫入速度為2000MB/s，順序讀取與1TB版本一致。兩個版本的隨機寫入性能均為250k IOPS，2TB版本的隨機寫入也有同樣的水平，而1TB版本的隨機寫入要低一些，為160k IOPS。而更重要的是，Intel在665p上提供了更大的SLC Cache，同樣分為動態和靜態兩部分，兩個版本分別擁有12/24GB的靜態SLC緩存，而動態SLC緩存大小則是140/280GB，在SSD空間使用率尚未達到50％之前，它可以保持SLC緩存大小不變。 相對於660p，665p不僅在性能上面進行了強化，因為使用了96層的3D QLC NAND，所以在壽命上也表現得更好，兩個版本分別擁有300/600 TBW的壽命，相對上代的200/400 TBW的數據有50%的提升。 這款665p的上市必然會推動660p的降價，而後者的價格最近一直挺穩定的，再沒到過之前的價格低位，如果價格又降下去了，那可以買它的2TB版本，是主板上第二個M.2插槽比較好的選擇。 Intel的下一步是使用144層堆疊的3D NAND顆粒，而且將會是QLC-Only，會在明年下半年正式出產品。QLC普及是大勢所趨，未來我們只會用上品質越來越差的SSD，這也是沒有辦法的事情。 ...

西部數據在本周宣布他們已經開始出貨首批使用3D QLC的產品了，並且這些首批產品都面向零售渠道，比如說各種存儲卡和USB存儲設備，另外還有外置SSD這種。而且他們將使用高密度的QLC顆粒製造高容量的SSD，甚至可以與傳統HDD相競爭。 這個消息是在西部數據本周的財報會議上面由公司的總裁兼COO宣布的，基於96層3D QLC顆粒的產品在2019年的第三季度開始出貨，用於零售產品和外置SSD，不過他們並沒有指明目前有哪些產品使用了這種QLC顆粒。另外，一般新的顆粒都會首先用在大容量存儲卡和外置SSD上面。 西部數據的堆疊式QLC顆粒是和東芝存儲，也就是現在改名為愷俠的公司一起，在2017年中期合作研發的，當時的堆疊層數還是64層，密度為768Gb，不過這種顆粒並沒有進行量產，而過了一年之後，在2018年中，西部數據推出了新的96層，密度為1.33Tb的3D QLC，容量密度更高，更加有助於降低存儲設備的價格。 而直到目前為止，西部數據的這種密度為1.33Tb的顆粒仍然保持著業界中已經商用化的了最高容量密度記錄，西部數據在這個方面仍然保持領先。西部數據主要用這種顆粒生產大容量的SSD，在某些場景下面已經可以和HDD一較高下，而對於普通消費者來說，暫時只有在大容量存儲卡和外置SSD這些產品上面見到高密度QLC顆粒。 另外，西部數據還表示上個季度中，生產出的96層3D NAND的總數據量已經超過了64層3D NAND了，這說明市場上面普及東芝/閃迪/西數的96層顆粒只是時間問題了。 ...

隨著3D NAND技術及QLC技術的出現，市場上越來越多的SSD使用了這些技術，而且這些SSD的價格也逐漸降低。群聯作為業界重要的SSD控制晶片供應商，在今年的台北電腦展上，展示了基於3D QLC快閃記憶體的一站式SSD方案。 圖片來自Anandtech 根據Anandtech的報導，群聯共有三款參考設計，分別為兩個SATA控制器方案及一個PCIe控制器方案，而NAND快閃記憶體方面採用的是美光和東芝的QLC NAND晶片。不過群聯只展出了兩個SATA方案。其中PS3111-S11T及PS3113-S13T針對入門級SATA方案，而PS5013-E13T控制器針對廉價的PCIe 3.0 x4 NVMe SSD方案設計。SATA方案的E13T及PCIe方案的S13T都是有LDPC-ECC等功能，可延長SSD的耐久性以及提高SSD性能，而這些功能也是目前QLC SSD的關鍵功能。 在性能方面各位就不要有更多的期待了，群聯這幾款參考方案都是針對低端SSD的，而這也是低端SSD的權衡之一，因為低端SSD只使用幾個NAND快閃記憶體晶片，所以其制約了SSD的並行傳輸能力。同時對於SATA接口的SSD，其接口本身就有傳輸速率的制約，所以導致3D QLC快閃記憶體晶片的性能制約反而不會更明顯。對於PCIe接口的SSD來講，群聯PS5013-E13T方案SSD的持續讀取速率最高達到了2100MB/s，而持續寫入性能最高為1700MB/s，相比目前的高端PCIe NVMe SSD性能有些差距。SATA接口的PS3113-S13T方案SSD最高持續讀取性能為550MB/s，最高持續寫入性能為520MB/s。 目前群聯有中PS3111-S11T+N18、PS3113-S13T+BiCS4以及PS5013-E13T+BiCS4 1.33Tb三種組合，但最終會有更多的組合選擇。 這些一站式方案將在今年晚些時候或2020年年初推出實際產品。價格方面目前群聯沒有公布，而是取決於發售時3D NAND的價格以及QLC固態的市場情況而定。 ...

近期採用QLC閃存的SSD逐漸上市了，雖然這些SSD在容量上十分令人滿意，但是在Cache寫滿後的原始速度也是讓人大跌眼鏡。同時由於QLC閃存每個單元存儲4位數據的原理，導致其耐久度相對當前的3D TLC及3D MLC閃存下降很明顯。與此同時，市面上也出現了一種超高耐久度、持續、隨機讀寫性能極為優秀的閃存，就是採用3D Xpoint技術的傲騰記憶體。現在Intel將QLC與傲騰記憶體結合起來，正式發佈了Intel optane H10系列傲騰記憶體。 Intel稱傲騰記憶體H10在低隊列深度下能有比較理想的混合隨機讀寫性能。與傲騰記憶體技術結合能提供可靠大容量的存儲方案。 不過根據介紹，Intel將3D Xpoint技術與QLC結合方式是通過Intel快速存儲技術（RST）來實現的，就是之前利用小容量傲騰記憶體加速機械硬盤的方案，之前超能也做過評測。雖然整個傲騰記憶體H10擁有PCIex4接口，但是其上面分別有傲騰記憶體控製器及QLC閃存控製器，所以兩個控製器分別只占兩個通道。這種方案對日常應用確實有很明顯的提升，所以對於Intel將QLC與傲騰記憶體技術結合還是非常有意義的。 性能方面，Intel聲稱其順序讀/寫達到2400MB/s及1800MB/s，4KB隨機讀/寫為32000IOPS/30000IOPS，而QD2 4KB隨機讀/寫達到了55000IOPS/55000IOPS。 傲騰記憶體H10支持第八代、第九代及更新酷睿處理器平台，之前有新聞Intel已經通過驅動使得採用Coffee Lake核心的奔騰及賽揚處理器支持傲騰記憶體，這也擴展了採用傲騰記憶體產品的適用范圍。 此次Intel公佈了三個型號，其中傲騰記憶體部分的容量有16GB及32GB兩種，而QLC閃存部分容量有256GB、512GB及1TB三種，具體型號如下： 256GB版：16G傲騰記憶體+256GB 3D QLC閃存，耐久度為75TBW。 512GB版：32GB傲騰記憶體+512GB 3D QLC閃存，耐久度為150TBW。 1TB版：32GB傲騰記憶體+1TB 3D QLC閃存，耐久度為300TBW。 不過目前Intel沒有公佈這款產品的價格，此次將QLC閃存與傲騰記憶體相結合，將QLC閃存的大容量與傲騰記憶體的高隨機讀寫性能優勢互補，相信傲騰記憶體H10會成為市場上的一個「真香」產品。 來源：超能網

近期採用QLC快閃記憶體的SSD逐漸上市了，雖然這些SSD在容量上十分令人滿意，但是在Cache寫滿後的原始速度也是讓人大跌眼鏡。同時由於QLC快閃記憶體每個單元存儲4位數據的原理，導致其耐久度相對當前的3D TLC及3D MLC快閃記憶體下降很明顯。與此同時，市面上也出現了一種超高耐久度、持續、隨機讀寫性能極為優秀的快閃記憶體，就是採用3D Xpoint技術的傲騰記憶體。現在Intel將QLC與傲騰記憶體結合起來，正式發布了Intel optane H10系列傲騰記憶體。 Intel稱傲騰記憶體H10在低隊列深度下能有比較理想的混合隨機讀寫性能。與傲騰記憶體技術結合能提供可靠大容量的存儲方案。 不過根據介紹，Intel將3D Xpoint技術與QLC結合方式是通過Intel快速存儲技術（RST）來實現的，就是之前利用小容量傲騰記憶體加速機械硬碟的方案，之前超能也做過評測。雖然整個傲騰記憶體H10擁有PCIex4接口，但是其上面分別有傲騰記憶體控制器及QLC快閃記憶體控制器，所以兩個控制器分別只占兩個通道。這種方案對日常應用確實有很明顯的提升，所以對於Intel將QLC與傲騰記憶體技術結合還是非常有意義的。 性能方面，Intel聲稱其順序讀/寫達到2400MB/s及1800MB/s，4KB隨機讀/寫為32000IOPS/30000IOPS，而QD2 4KB隨機讀/寫達到了55000IOPS/55000IOPS。 傲騰記憶體H10支持第八代、第九代及更新酷睿處理器平台，之前有新聞Intel已經通過驅動使得採用Coffee Lake核心的奔騰及賽揚處理器支持傲騰記憶體，這也擴展了採用傲騰記憶體產品的適用范圍。 此次Intel公布了三個型號，其中傲騰記憶體部分的容量有16GB及32GB兩種，而QLC快閃記憶體部分容量有256GB、512GB及1TB三種，具體型號如下： 256GB版：16G傲騰記憶體+256GB 3D QLC快閃記憶體，耐久度為75TBW。 512GB版：32GB傲騰記憶體+512GB 3D QLC快閃記憶體，耐久度為150TBW。 1TB版：32GB傲騰記憶體+1TB 3D QLC快閃記憶體，耐久度為300TBW。 不過目前Intel沒有公布這款產品的價格，此次將QLC快閃記憶體與傲騰記憶體相結合，將QLC快閃記憶體的大容量與傲騰記憶體的高隨機讀寫性能優勢互補，相信傲騰記憶體H10會成為市場上的一個「真香」產品。 ...

在昨晚的Intel數據中心創新日活動上，Intel除了發佈新一代的Cascade Lake架構至強可擴展處理器，這代產品除了核心數翻倍之外，還支持Optane DC Persistent Memory，所以Intel昨晚除了發佈新處理器之外還發佈了一系列新的存儲產品。 很早之前Intel就說過傲騰系列產品可劃分為兩類，一個是現在已經發佈了的傲騰SSD，另一個則是可插到記憶體接口的傲騰記憶體，注意這傲騰記憶體可不是說現在那個只能拿來做硬盤加速的Optane Memory，而是真正可以拿來當記憶體用的Optane DC Persistent Memory。 Optane DC Persistent Memory的外形和現在的DDR4記憶體差不多，它的性能比DRAM記憶體稍慢，但是容量更大，更重要的是它里面的數據並不會因為斷電而丟失。它有兩種工作方式，一個是Memory Mode，這模式它會模仿成DDR4記憶體，讓系統獲取更多的可用記憶體，每個CPU接口可安裝3TB的傲騰記憶體和1.5TB的DDR4，可獲得4.5TB的總記憶體，DDR4會充當傲騰記憶體的前緩沖區和存儲區，記憶體延時會稍微增加，但是你會獲得更大的記憶體空間。另外傲騰記憶體是非易失性記憶體，重啟和關機時數據不會丟失，Intel表示它可減少40分鍾的數據庫加載時間，它的存在將大幅度減少設備的停機時間。 另一個工作方式是App Direct Mode，此時它就像一個插在記憶體槽上的硬盤，有着類似RAM Disk的性能，但是必須重新設計軟件以讓設備發揮出這套存儲系統的全部性能。 Intel將提供128GB、256GB和512GB的Optane DC Persistent Memory模塊，每個CPU可安裝6個傲騰記憶體，但是至少得安裝一根DDR4，預計在6月份的時候會上市。 雙接口的Optane SSD DC D4800X，和現在的DC P4800X不同的地方在於它有兩個U.2接口，雙接口的作用主要是提高設備的可靠性，當其中一個接口故障時還可以有另一個接口當冗餘數據端口，當然了每個接口都只有PCI-E 3.0 x2的帶寬，這個雙接口的傲騰SSD只有U.2的版本。 Intel DC D5-P4326是此前7.68TB D5-P4320的補充，可提供更大的存儲密度，同樣使用QLC閃存，有15.36TB和30.72TB兩個容量，同樣採用EDSFF E1.L標準，也就是尺子一樣的外形，不過15.36TB有U.2的版本。與P4320相比，P4326除了容量更大之外還有更好的隨機讀取和連續寫入性能，連續讀取性能不變，穩定態隨機寫入速度有所降低，只有11K IOPS，連續讀寫速度為3200/1600 MB/s，隨機讀取有580K IOPS。 來源：超能網

在昨晚的Intel數據中心創新日活動上，Intel除了發布新一代的Cascade Lake架構至強可擴展處理器，這代產品除了核心數翻倍之外，還支持Optane DC Persistent Memory，所以Intel昨晚除了發布新處理器之外還發布了一系列新的存儲產品。 很早之前Intel就說過傲騰系列產品可劃分為兩類，一個是現在已經發布了的傲騰SSD，另一個則是可插到記憶體接口的傲騰記憶體，注意這傲騰記憶體可不是說現在那個只能拿來做硬碟加速的Optane Memory，而是真正可以拿來當記憶體用的Optane DC Persistent Memory。 Optane DC Persistent Memory的外形和現在的DDR4記憶體差不多，它的性能比DRAM記憶體稍慢，但是容量更大，更重要的是它里面的數據並不會因為斷電而丟失。它有兩種工作方式，一個是Memory Mode，這模式它會模仿成DDR4記憶體，讓系統獲取更多的可用記憶體，每個CPU接口可安裝3TB的傲騰記憶體和1.5TB的DDR4，可獲得4.5TB的總記憶體，DDR4會充當傲騰記憶體的前緩沖區和存儲區，記憶體延時會稍微增加，但是你會獲得更大的記憶體空間。另外傲騰記憶體是非易失性記憶體，重啟和關機時數據不會丟失，Intel表示它可減少40分鍾的資料庫加載時間，它的存在將大幅度減少設備的停機時間。 另一個工作方式是App Direct Mode，此時它就像一個插在記憶體槽上的硬碟，有著類似RAM Disk的性能，但是必須重新設計軟體以讓設備發揮出這套存儲系統的全部性能。 Intel將提供128GB、256GB和512GB的Optane DC Persistent Memory模塊，每個CPU可安裝6個傲騰記憶體，但是至少得安裝一根DDR4，預計在6月份的時候會上市。 雙接口的Optane SSD DC D4800X，和現在的DC P4800X不同的地方在於它有兩個U.2接口，雙接口的作用主要是提高設備的可靠性，當其中一個接口故障時還可以有另一個接口當冗餘數據埠，當然了每個接口都只有PCI-E 3.0 x2的帶寬，這個雙接口的傲騰SSD只有U.2的版本。 Intel DC D5-P4326是此前7.68TB D5-P4320的補充，可提供更大的存儲密度，同樣使用QLC快閃記憶體，有15.36TB和30.72TB兩個容量，同樣採用EDSFF E1.L標準，也就是尺子一樣的外形，不過15.36TB有U.2的版本。與P4320相比，P4326除了容量更大之外還有更好的隨機讀取和連續寫入性能，連續讀取性能不變，穩定態隨機寫入速度有所降低，只有11K IOPS，連續讀寫速度為3200/1600 MB/s，隨機讀取有580K IOPS。 ...

自從2015年底宣布3D XPoint存儲晶片之後，英特爾在存儲晶片市場就點出了別家沒有的科技樹，基於3D XPoint的Optane傲騰硬碟成為英特爾的大殺器，在性能、延遲、可靠性等指標上甩開了NAND快閃記憶體。去年英特爾也率先量產了QLC快閃記憶體，成本低、容量大的QLC快閃記憶體很有優勢，但是性能、壽命不如MLC/TLC快閃記憶體。現在英特爾一手傲騰一手QLC快閃記憶體，猜猜他們搞出了什麼東西？那就是用傲騰給QLC加速的Optane Memory H10硬碟，板載16GB/32GB傲騰，並可以搭配256GB、512GB及1TB QLC快閃記憶體。 用傲騰給其他硬碟加速的概念並不新奇了，此前英特爾就一直在推16GB及32GB的傲騰M.2硬碟（官方叫傲騰記憶體），這方面的測試過去已經有太多了，給HDD硬碟提速還是不錯的，不過官方定義中，傲騰M.2不只是HDD專用的，也可以給SATA接口的SSD硬碟加速。 此前由於價格貴及使用麻煩等問題，英特爾傲騰加速記憶體並不討人歡迎，16GB傲騰首發價格是379元，足夠買個120GB的SSD硬碟了，性價比實在不高，不過現在傲騰16GB價格便宜得很，已經可以做到99元甚至更低，有興趣的可以買個玩玩。 之前的加速方案不太受歡迎，英特爾現在Optane Memory H10換了一種方式，直接在QLC硬碟上集成傲騰加速記憶體，Optane Memory H10的主體是QLC快閃記憶體，容量有256GB、512GB、1TB，前者搭配的是16GB傲騰記憶體，兩種大容量的搭配的是32GB傲騰。 英特爾的Optane Memory H10 M.2硬碟適合筆記本電腦，官方表示今年春季會正式發布這款產品，價格、性能現在還是未知的。如果不太貴的話，那麼對筆記本甚至台式機來說都很有意義，可以彌補QLC快閃記憶體在性能、可靠性上的一些不足之處。 ...

自從2015年底宣佈3D XPoint存儲芯片之後，英特爾在存儲芯片市場就點出了別家沒有的科技樹，基於3D XPoint的Optane傲騰硬盤成為英特爾的大殺器，在性能、延遲、可靠性等指標上甩開了NAND閃存。去年英特爾也率先量產了QLC閃存，成本低、容量大的QLC閃存很有優勢，但是性能、壽命不如MLC/TLC閃存。現在英特爾一手傲騰一手QLC閃存，猜猜他們搞出了什麼東西？那就是用傲騰給QLC加速的Optane Memory H10硬盤，板載16GB/32GB傲騰，並可以搭配256GB、512GB及1TB QLC閃存。 用傲騰給其他硬盤加速的概念並不新奇了，此前英特爾就一直在推16GB及32GB的傲騰M.2硬盤（官方叫傲騰記憶體），這方面的測試過去已經有太多了，給HDD硬盤提速還是不錯的，不過官方定義中，傲騰M.2不只是HDD專用的，也可以給SATA接口的SSD硬盤加速。 此前由於價格貴及使用麻煩等問題，英特爾傲騰加速記憶體並不討人歡迎，16GB傲騰首發價格是379元，足夠買個120GB的SSD硬盤了，性價比實在不高，不過現在傲騰16GB價格便宜得很，已經可以做到99元甚至更低，有興趣的可以買個玩玩。 之前的加速方案不太受歡迎，英特爾現在Optane Memory H10換了一種方式，直接在QLC硬盤上集成傲騰加速記憶體，Optane Memory H10的主體是QLC閃存，容量有256GB、512GB、1TB，前者搭配的是16GB傲騰記憶體，兩種大容量的搭配的是32GB傲騰。 英特爾的Optane Memory H10 M.2硬盤適合筆記本電腦，官方表示今年春季會正式發佈這款產品，價格、性能現在還是未知的。如果不太貴的話，那麼對筆記本甚至台式機來說都很有意義，可以彌補QLC閃存在性能、可靠性上的一些不足之處。來源：超能網

三星在本周正式發布了旗下首款QLC SSD 860QVO，容量直接從1TB起步，它的售價比現在使用TLC快閃記憶體的860 EVO更便宜，想必很多人都對這款QLC快閃記憶體的SSD很感興趣，它確實有取代HDD成為倉庫盤的潛力。 anandtech對三星860 QVO 1TB與4TB做了評測，由於原文太長，我們對其進行了精簡。 三星860 QVO 1TB拆開後，PCB很小的一塊，現在很多SSD都是已經是這樣了，但1TB的SSD做成這樣小也是少見，而且2TB的860 QVO也是這PCB，4TB的則是加長的。 從左到右分別是三星64層堆疊3D QLC快閃記憶體，三星MJX主控和三星的1GB LPDDR4緩存，這顆QLC快閃記憶體一顆容量就有1TB，存儲密度相當之高。 PCB背面 三星官方給出的數據是QLC寫入模式860 QVO 1TB的寫入速度只有80MB/s，而2TB和4TB的有160MB/s，從全盤寫入測試來看結果確實和官方給出的差不多，SLC Cache用光之後860 QVO 1TB的寫入速度比7200轉的HDD還慢，當然了你得先把42GB的SLC Cache用光才會這樣。 重載回放測試平均傳輸速度，和860 EVO相比速度幾乎腰斬 重載回放測試平均讀取延時 重載回放測試平均寫入延時 輕載回放測試，空盤時傳輸速度和860 EVO差不多，滿盤時速度差距很明顯 輕載測試讀取延時 輕載測試寫入延時 4K QD1隨機讀取，860 QVO滿盤後隨機讀取性能下降明顯 4K QD1隨機寫入 連續讀取測試，連續的文件讀取速度還行，零碎文件讀取速度不太好，1TB的甚至還不如機械盤 連續寫入速度，由於寫入文件大小超過了860 QVO 1TB的SLC Cache容量，所以它的寫入速度暴跌到比機械盤還低，而4TB的則沒有太大影響。 從860 QVO的性能表現來看，QLC快閃記憶體的SSD和先有的TLC SSD性能相差太遠了，根本無法取代TLC SSD的市場地位，當然從廠家的表態來看這些QLC SSD是拿來取代機械硬碟的，雖然說總體來說肯定比機械盤好，然而1TB的860...

現在已經有數個廠家推出了使用QLC快閃記憶體的SSD，在QLC的應用上三星的動作已經算慢了，今天三星正式發布了自己首款採用QLC快閃記憶體的SSD——三星860 QVO，按三星的說法，這是4bit MLC，4位的多層單元快閃記憶體，沒毛病。 三星860 QVO採用MJX主控和第四代V-NAND技術64層堆疊的3D QLC快閃記憶體，Die Size直接達到了1Tb，容量從1TB起步，上面還有2TB和4TB，接口依然是SATA 6Gbps的，盤體是傳統的2.5英寸7mm，QLC快閃記憶體的原始寫入速度現在不知道怎麼樣，不過在Intelligent TurboWrite的加持下讀寫速度依然可以與現在的TLC盤媲美，860 QVO的連續讀寫速度為550/520 MB/s，隨機讀寫則達到了97,000/89,000 IOPS，1TB的盤型具備42GB的SLC Cache，而2TB和4TB的則最多有78GB。 860 QVO將在今年12月在全球上市，1TB型號的建議零售價為149.99美元，要注意的是質保期只有三年，而現在的860 PRO/EVO則為5年，860 QVO 1TB、2TB、4TB的TBW分別為360TB、720TB和1440TB，同容量的860 EVO則為600TB、1200TB和2400TB，耐用度是下降了不少。 此前歐洲地區的在線商城已經偷跑了860 QVO，1TB、2TB及4TB，起價分別是117.5、225.96、451.93歐元，這是不含稅的，即便算上19%的消費稅，價格也就是140、270及540歐元，這個價格要比現在EVO家族的160、380、850歐元價格便宜。 ...

由於容量更高、成本更低，QLC快閃記憶體今年也正式量產了，三星、東芝、西數、美光、SK Hynix、英特爾六大原廠早已經宣布了96層堆棧的QLC快閃記憶體，核心容量1Tb到1.33Tb，首先用於企業級SSD產品線上，不過英特爾的660P消費級硬碟也上了QLC快閃記憶體。三星今年10月份在Tech Day會議上公布了SSD路線圖，QLC快閃記憶體會增加512Gb核心容量的，消費級的QLC硬碟有SATA接口的860 QVO、NVMe標準的980 QVO，現在860 QVO已經在歐洲在線商城接受預訂了，12月份上市，容量至少有1TB、2TB及4TB，其中4TB含稅售價也不過540歐元，比現有4TB TLC硬碟便宜很多。 在QLC時代，三星的消費級硬碟會改名，之前的EVO、Pro命名會被QVO取代，TPU稱QVO代表的是Quality and Value Optimized SSD，也就是質量、價值優化的SSD，三星看樣子是從命名上就給消費者吃定心丸，強調QLC快閃記憶體質量沒問題，大概是TLC快閃記憶體時代被噴怕了。 具體規格上，860 QVO硬碟使用的是SATA 6Gbps接口，讀取速度550MB/s，寫入速度520MB/s，隨機讀取96000 IOPS，隨機寫入89000 IOPS——只看指標的話，QLC硬碟的連續、隨機性能都不錯，特別是SATA硬碟中，不過官方指標必然是有緩存加成，QLC快閃記憶體跟當初的TLC快閃記憶體硬碟一樣，都面臨著緩存用盡之後性能大降的問題，QLC理論上還更嚴重一些，這些問題還需要主控、快閃記憶體的磨合期。 不過QLC快閃記憶體的好處就是容量更大，而且更便宜，目前歐洲地區在線商城預定的三款是1TB、2TB及4TB，起價分別是117.5、225.96、451.93歐元，這是不含稅的，即便算上19%的消費稅，價格也就是140、270及540歐元，這個價格要比現在EVO家族的160、380、850歐元價格便宜。 從預定頁面提供的信息來看，三星860 QVO硬碟將在12月份上市，具體哪天還沒公布，官方目前還沒有正式發布這款產品。 ...

使用QLC快閃記憶體SSD已經有不少上市了，不過此前的產品都是原廠推的，現在威剛推出了旗下第一款採用3D QLC快閃記憶體的SSD SU630，也算是非原廠SSD廠商中跟進得比較快的一家。 威剛SU630採用3D QLC快閃記憶體，2.5英寸SATA 6Gbps硬碟，定位入門級用來取代HDD的，容量從240GB到960GB，主控和快閃記憶體是哪家的暫時還未知，支持SLC Cache，最大連續度為520/450 MB/s，4K隨機性能為40K/65K IOPS（240GB的只有30K/65K IOPS），要使用QLC快閃記憶體支持LDPC ECC是必然的。 雖然說最大容量只有960GB並沒有充分表現出QLC快閃記憶體的大容量優勢，不過它的定位必然價格會更為親民，雖然說QLC的性能不如之前的TLC，但是用來取代機械硬碟還是戳戳有餘的。 威剛SU630應該會在近段時間內上市，售價暫時不清楚，它的質保期只有兩年，現在大多SSD都是保三年的，240GB的TBW為50TB，480GB的是100TB，960GB的是200TB，這數字也不高，畢竟是QLC快閃記憶體，在這款產品只會了未來應該會有大批QLC SSD扎堆上市。 ...

美光的5210 ION SSD是世界上首款QLC SSD，早在今年5月份就發布了，然而到了近段時間美光才宣布它開始大規模量產並被合作夥伴廣泛使用，在此期間已經有幾款消費級的QLC SSD上市了，包括美光自己的Crucial P1。 美光5210 ION是一款企業級的SATA硬碟，2.5寸7mm的盤型，容量有1.92TB、3.84TB和7.68TB三種，使用美光64層堆疊3D QLC快閃記憶體，各個容量的連續讀取速度均是540MB/s，寫入速度分別為260MB/s、350 MB/s和360MB/s，4K隨機讀寫性能分別為70k/13k、83k/6.5k、90k/4.5k IOPS。 它的主要目標是取代現在伺服器上的萬轉硬碟，與之相比5210 ION的隨機讀取速度提高了175倍，隨機寫入速度提高了30倍，連續傳輸速度提升了兩倍，每TB能效比提升了三倍，更重要的是體積小巧，2.5英寸的盤型可以讓用戶把兩倍數量的5210 ION SSD裝到一個2U機架里面，更節約空間，非常適合密集型工作負載，比如人工智慧、機械學習、深度學習和實時分析、大數據、對象存儲、商業智能、NoSQL資料庫和媒體流等。 美光以TensorFlow負載為例，用5210 ION的時候TFRecord創建，攝取和圖像分類速度是萬轉硬碟的八倍，100,000個圖片2.3TB的數據在硬碟平台上耗時15.17，而美光5210 ION只用了1.87小時就完成了任務。 美光5210 ION目前已經大規模生產，已經向全球的分銷商、經銷商和系統製作商供貨，具體價格沒有說，不過美光表示可以與萬轉硬碟相媲美。 ...

在今天開幕的三星Tech Day會議上，三星不僅宣布了7nm EUV、16Gb GDDR6顯存等新工藝、新產品及新技術，SSD方面也更新了路線圖，未來的重點就是96層堆棧的3D TLC快閃記憶體以及QLC快閃記憶體，其中TLC快閃記憶體陣容擴大，多款新品性能提升，容量最大可達30.72TB，而QLC快閃記憶體無疑是下一步的重點，除了1Tb核心的還會有512Gb核心的，性能更好，功耗更低，消費級的QLC硬碟860 QVO、980 OVO也確定了，不過規格沒公布。 Anandtech網站詳細介紹了三星SSD產品路線圖的變化，首先來看TLC快閃記憶體方面的。 TLC快閃記憶體創新高 目前64層堆棧3D TLC快閃記憶體的970 EVO、PM981將會被新的970 EVO Plus、PM981a取代，容量沒變化，依然是250GB到2TB，主要提升在連續寫入方面，不過PM981a的隨機性能也明顯提升了可以達到970 EVO及970 EVO Plus的水平。 用於數據中心SSD市場的PM983將被PM983a取代，容量翻倍，最高可達16TB，可能只有NF1、U2規格，也沒有使用SLC緩存，這使得寫入速度會比消費級硬碟更低，不過性能依然是有提升的。 PM991將取代NVMe BGA封裝的PM971a硬碟，隨機性能翻倍，連續讀寫速度提升了50%。 企業級SAS產品線中，PM1643將會被PM1643a取代，整體變化不大，主要是隨機寫入性能提升20%，最大容量依然是30.72TB。 最高端的企業級NVMe硬碟升級了新主控及新快閃記憶體，支持PCIe 4.0，因此性能大幅提升，PM1723a目前的速度不過3.5GB/s，新的PM1733硬碟可達8GB/s，最大容量也達到了SAS產品線同級別的30.72TB。此外，PM1733還支持雙口PCIe，為高可靠性用戶帶來了更多的選擇。 QLC快閃記憶體新增512Gb核心顆粒，860 QVO、980 QVO確認 在說具體的QLC產品之前，Anandtch解釋了三星的MLC/TLC/QLC硬碟的命名規則，企業級/OEM產品線中，MLC快閃記憶體用SM開頭，TLC快閃記憶體用PM開頭，QLC快閃記憶體用BM開頭。 在SSD產品中，企業級SAS產品線新增BM1653新品，NVMe產品線新增BM9A3、BM1733產品線，客戶端NVMe新增BM991產品線，不過三星並沒有公布這些QLC硬碟的具體規格。 消費級QLC硬碟中，三星會推出SATA接口的860 QVO、NVMe標準的980 QVO，這些產品在OEM中找不到，因此可以認為是零售市場的新品，不過具體規格還是沒公布，發售計劃也沒有提及。 此外，三星在2019年Q2季度還會推出512Gb核心容量的QLC快閃記憶體，雖然容量比現在的1Tb QLC快閃記憶體小了，但是延遲降低了37%，功耗降低了45%，這還是三星用它跟別家1Tb核心QLC快閃記憶體對比的，如果對比三星自家的1Tb核心QLC快閃記憶體，差距只會更大。 三星第二代Z-SSD 三星面向低延遲SSD市場的Z-SSD系列中還會增加第二代產品SZ1733及SZ1735，容量提升到4最大4TB，明顯比第一代的SZ985的800GB大得多，它支持PCIe 4.0及雙口PCIe，因此連續速度可達12GB/s，不過最重要的隨機性能沒有提及。 三星還提到二代Z-SSD會有MLC版本，但Anandtech又說這些產品還是SLC版本。 ...

英睿達/Crucial發布了一款基於美光3D QLC顆粒的NVMe協議固態硬碟，其命名為P1，定位為入門級固態硬碟，目前容量有2個選項：500GB或1TB，稍後英睿達還會推出2TB容量的P1；P1的性能隨容量的變化而變動，1TB版本的英睿達P1可以提供高達2000MB/s、1700MB/s的連續讀寫速度。P1 500GB的售價為109.99美元（約760元），P1 1TB的售價為219.99美元（約1520元），英睿達為此提供5年的有限質保。 英睿達P1是一款NVMe 1.3協議的固態硬碟，使用M.2插槽，走PCIe 3.0x4通道，長度規格為2280，圖示為幾種使用情景（桌面端主板、筆記本等）。 500GB容量版的英睿達P1連續讀寫性能最高可達1900MB/s、950MB/s，4K隨機讀寫性能為90000 iops、220000 iops；1TB容量版的英睿達P1連續讀寫性能最高可達2000MB/s、1700MB/s，4K隨機讀寫性能為170000 iops、240000 iops；2TB容量版的英睿達P1詳細性能我們尚未可知，僅知道其連續讀寫性能最高可達2000MB/s、1750MB/s。 對於QLC顆粒的固態硬碟來說，其使用壽命應該是用戶最關心的，英睿達在為P1提供5年有限質保的同時，其TBW（最大寫入總數）分別為：500GB容量版100TBW、1TB容量版200TBW、2TB容量版400TBW，與同類型的英特爾660P相似，按其入門級定位來看，應該是夠用了。 英睿達認為P1是一款「可靠、高性能和價格合理」的NVMe協議固態硬碟，受益於美光3D QLC顆粒的使用，P1可以為用戶以比較實惠的價格提供較高的性能和較大的容量，入門級的定位面向對象並非重度用戶和專業人士，而是一般玩家、中輕度用戶；以一般玩家的角度來看，英睿達P1可以作為遊戲儲存檔、倉庫盤使用，可以享受數倍乃至數十倍於機械硬碟的加載速度——前提是可以接受P1的售價。按P1的售價來看，在短時間內，以QLC固態硬碟替代機械硬碟還是不太現實。 ...

作為英特爾/Intel的第一款消費級QLC固態硬碟，660P的官方發布日期其實是在今年的3月份，但直至今日我們才剛剛看到660P上架開售。在之前我們亦發過來自tomshardware的、經過節選的660P評測，可以點這里「Intel QLC M.2 SSD 660p評測：每GB僅1.3元，性能不錯」。目前在淘寶現貨出售的660P容量以512GB為主，699元即可將其收入囊中。 Intel 660P 512GB 英特爾660P作為首款使用64層QLC 3D NAND顆粒的消費級固態硬碟，接口及長度規格為M.2 2280，走PCIe 3.0x4通道、NVMe協議，容量可選項為512GB、1TB和2TB，目前在售的660P以512GB容量為主，699元即可拿下，1TB和2TB的容量版本尚未見到。 660P採用SMI的SM2263主控，搭載256MB NANYA DDR3L記憶體，SLC緩存隨著容量的不同分別對應6、12、24GB，使用英特爾的64層3D QLC NAND顆粒；512GB容量版本英特爾官方給出的連續讀寫數據為1500MB/s、1000MB/s，隨機讀寫數據為90000 IOPS、220000 IOPS。 使用壽命方面，對於512GB的660P，英特爾官方給出的耐用等級（終身寫入）為100TBW，平均無故障使用時間（MTBF）大於等於160萬小時，英特爾會為660P此提供5年保修。 QLC固態硬碟的使命就是取代機械硬碟，將前者作為數據儲存檔使用，但就目前660P的售價看來，短時間內想要達成使命還是不太現實；而以固態硬碟的角度來看，英特爾660P還是一款值得考慮的固態硬碟，容量和價格換算下來每GB只需1.36元，性能表現超越所有SATA接口的固態硬碟，日常娛樂、辦公應用毫無壓力，正規渠道購入的660P還享有英特爾的5年保修，可以說是性價比頗高了。 ...

2018年是QLC快閃記憶體普及的元年，隨著英特爾、美光、三星、東芝、西數及SK Hynix量產QLC快閃記憶體，比TLC快閃記憶體成本更低的QLC快閃記憶體硬碟開始上市，英特爾本月初正式發布了64層堆棧的QLC快閃記憶體硬碟660P系列，512GB版售價只有100美元。QLC快閃記憶體硬碟便宜倒是便宜了，不過廠商背後可就有點難受了，因為現在的QLC快閃記憶體良率不行，英特爾的64層QLC快閃記憶體被曝良率只有48%，也就是要賣一半虧一半，而TLC快閃記憶體良率已達90%以上。 對於QLC快閃記憶體，大家普遍關心的問題其實就兩個，一個是價格，一個就是可靠性，英特爾發布的首款消費級QLC硬碟660P的512GB版只要100美元，1TB版也只要200美元，折合每GB價格才1.3元，是目前最便宜的M.2 SSD，這就是QLC顆粒的最大優勢，通過提升密度來降低成本，畢竟現在首發的QLC快閃記憶體核心容量就達到了1024Gb，是TLC快閃記憶體的2-4倍。 Anandtech網站製作的660P硬碟規格表 可靠性方面，根據Intel官方給出的是0.1DWPD，按照Intel自己的PE計算方式：0.1×365×5=182.5，再考慮寫入放大的因子2~5，那麼最終PE將會在365~912.5之間，也符合之前說QLC顆粒PE次數在1000左右的說法，200TB應該是Intel比較保守的數值。 英特爾的660P硬碟的性能也沒什麼挑剔的，讀寫1800MB/s，隨機讀寫220K IOPS，不算多高，但也不算低，在低價M.2硬碟中紙面性能是說得過去的。 從現在的情況來看，首款上市的消費級QLC硬碟不論性能、可靠性還是售價都比當初三星首發TLC快閃記憶體的硬碟時好很多，至少沒多少明顯的槽點。 不過在廠商這邊，QLC快閃記憶體的問題還沒有解決，Tweaktown表示他們得到的消息稱英特爾64層堆棧的QLC快閃記憶體良率並不好，目前只有48%，不到一半的晶圓核心可以用於製造SSD硬碟，一半多的核心都要廢掉，相比之下64層TLC快閃記憶體的良率可達90%以上。 這也意味著消費者買到的QLC快閃記憶體硬碟雖然比TLC快閃記憶體硬碟更便宜，但在廠商這邊QLC快閃記憶體現在的成本是比TLC快閃記憶體還要高的。 正常情況下隨著時間的推移，快閃記憶體晶片的良率是會逐步解決的，但Tweaktown表示64層堆棧的QLC快閃記憶體這一代可能永遠不會好轉了，因為96層堆棧的QLC快閃記憶體更為重要，所以工程資源會從64層QLC快閃記憶體這邊轉移到更有利可圖的96層堆棧QLC快閃記憶體。 目前QLC快閃記憶體的製造成本比TLC快閃記憶體更高，雖然英特爾推出了QLC快閃記憶體的660P硬碟，但是不代表QLC快閃記憶體已經准備好取代TLC快閃記憶體。 ...

2018年是QLC快閃記憶體的元年，三星、美光、東芝、西數、英特爾今年都會推出QLC快閃記憶體的硬碟，再加上當前早就是主流的TLC快閃記憶體，讓許多人不滿的TLC、QLC快閃記憶體很快會成為市場上的絕對主力，而SLC硬碟幾乎消失了，MLC快閃記憶體硬碟也越來越少。真要非MLC不買的話，可以考慮下美光9100系列NVMe硬碟，容量1.6TB，正宗的16nm MLC快閃記憶體，不過功耗也是挺高的，30W功耗的SSD用過沒？ PCWatach子站報導了日本商家售賣美光9100系列NVMe硬碟的消息，確切地說這是美光9100系列中的9100 Pro，基於2.5寸U.2接口的產品，另外一個系列是9100 Max，是HHHL規格PCIe插槽的。 美光9100 Pro系列SSD硬碟容量涵蓋800GB、1.6TB及3.2TB，現在售賣的是1.6TB型號，它使用的是16nm MLC快閃記憶體，沒錯，它就是前幾年的2D NAND快閃記憶體，不過性能指標還不錯，讀取速度3.0GB/s，寫入速度2.0GB/s，隨機讀取750K IOPS，隨機寫入300K IOPS，性能放到現在也不落伍，至於可靠性也別擔心，1.6TB版9100 Pro硬碟可達4.8PB TBW，這麼高的數據壽命應該是寫不死了。 不過這貨的功耗不低，美光資料上提到待機功耗7W，特定型號可達20W、25W，最高30W，反正別想著用在筆記本上了，功耗比處理器還高，用在台式機中就無所謂了，也不差那30W的功耗，不過要注意的是散熱。 美光9100 Pro 1.6TB硬碟不含稅價格是11.28萬日元，含稅價格是12.1824日元，折合人民幣7579元。 ...

昨天三星才剛宣布量產消費級QLC SSD，今天Intel就正式解禁了第一款QLC SSD 660p的評測。作為機械硬碟潛在替代產品的QLC SSD，Intel 660p容量直接就從512GB起步，按照100美元的建議零售價，折算成人民幣才680元，每GB價格才1.3元，實在是便宜。那麼性能如何，下面我們將通過節選tomshardware的評測來解答一切。 作為首款採用64層 QLC 3D NAND顆粒的消費級SSD產品，採用M.2 2280規格，PCIe 3.0 x4通道，設計容量都比較大，直接就是512GB起步，往上還有1TB、2TB。 全部搭載256MB DDR3記憶體，SLC緩存隨著容量變大分別為：6、12、24GB，連續讀寫速度都是1800MB/s，隨機讀取、寫入都是是220K IOPS。售價方面確實非常親民，512GB賣100美元，1TB賣200美元，2TB版本尚未定價，折合每GB價格才1.3元，是目前最便宜的M.2 SSD，這就是QLC顆粒的最大優勢，通過提升密度來降低成本。 至於大家關心的QLC壽命問題，根據Intel官方給出的是0.1DWPD，按照Intel自己的PE計算方式：0.1×365×5=182.5，再考慮寫入放大的因子2~5，那麼最終PE將會在365~912.5之間，也符合之前說QLC顆粒PE次數在1000左右的說法，200TB應該是Intel比較保守的數值。 圖片及表格來自Anandtech Intel 660p的包裝盒之前一樣，正反面都沒有具體型號標識，這就很神奇了。 採用Silicon Motion SM2263主控，256MB NANYA DDR3L記憶體，兩顆Intel的64層QLC 3D NAND顆粒。整個M.2 SSD採用單面設計，正面有兩個NAND晶片空焊位置，加上了就可以組成2TB容量。 下面先來看看CrystalDiskMark中的成績，Intel 660p 1TB表現不錯，順序讀寫性能符合Intel給出的數據，不過這當然比不過高端SSD速度，4K讀寫表現也非常不錯。 而在50GB的大文件復制測試中，Intel...

今年美光搶先發布了第一個採用QLC快閃記憶體的SSD，隨後Intel跟上了，之前搶著發布TLC SSD的三星這次倒是落後了，不過別擔心，該來的還是會來的，今天凌晨三星宣布他們的QLC SSD已經開始大規模量產，而且會推出首款消費級市場的QLC SSD，之前美光和Intel的QLC SSD都是針對企業級和數據中心市場的，消費級產品還是各種傳聞，並沒有官方消息。 三星的QLC會採用第四代V-NAND技術，也就是64層3D堆疊生產，Die Size直接達到了1Tb，而三星推出的首款消費級QLC SSD的最大容量是4TB，同時也有2TB和1TB的產品，接口依然是SATA的，盤體是傳統的2.5英寸7mm，連續讀寫速度為540/520MB/s，質保期三年，而現在的860 PRO/EVO則為5年。 QLC相比TLC來說由於電位增加了一位，在存儲密度增加的同時對電荷處理的的難度也在增加，控制器也會花更多時間去除了這些電荷信息，不過三星表示使用TurboWrite技術的話可以使QLC SSD的性能維持到和TLC SSD一個水平。 而且大家有沒有發現三星這次拿出的QLC SSD都是大容量的，直接從1TB起步，因為它的Die Size是1Tb，所以即使是4TB容量的產品也就總共32個Die，到了1TB的就剩下8個Die了，如果進一步降低容量減少Die數量的話就很難維持SSD的讀寫速度了，再加上QLC快閃記憶體性能本能就不怎麼樣，所以應該不太可能會見到小容量的QLC SSD。 三星暫時還沒有公布他們QLC SSD的具體命名還有價格和上市時間，可能在本周在加州聖克拉拉舉行的快閃記憶體峰會上會公布進一步信息。 ...

除了SK Hynix之外，英特爾、美光、西數、東芝以及三星等公司都已經宣布量產QLC快閃記憶體了，美光的QLC硬碟已經開始出貨了，主要針對企業級市場，容量可達7.68TB。在消費級市場上，英特爾之前也提到了QLC快閃記憶體硬碟的存在，容量最高可達20TB，不過真正上市的QLC硬碟顯然不會有這麼大容量，英特爾的QLC硬碟是660P系列，M.2 2280規格，PCIe通道，起步容量就達到了512GB，最高2TB，連續、隨機性能也不錯，不輸現在的3D TLC硬碟。 英特爾的QLC快閃記憶體硬碟原來很早就被曝光了，去年12月底台灣大聯大控股公司在一則新聞中就意外曝光660P硬碟的存在，當時這篇新聞的重點是英特爾的760P M.2硬碟，很多人都沒意識到規格表中的660P硬碟使用了64層堆棧的QLC快閃記憶體。 現在660P硬碟的新聞才被人挖墳出來，使用的是M.2 2280規格，容量有512GB、1TB及2TB三種，活動功耗0.1W，待機功耗0.05W，連續讀寫速度分別是1800MB/s、1100MB/s，隨機讀取、寫入分別是150K、150K IOPS，整體性能跟700P系列差不多——對了，700P系列硬碟也是英特爾沒發布的產品，使用的是64層3D TLC快閃記憶體。 如果英特爾這半年來沒有變動SSD規格，那麼在同樣的64層堆棧下，QLC快閃記憶體的性能跟3D TLC快閃記憶體差不多，只有隨機寫入速度差了100MB/s，還有就是功耗更高了一些，不過0.1W與0.05W之間的差距並不大，即便是筆記本上也不會有什麼體驗差異。 早在英特爾、美光宣布QLC快閃記憶體時，他們就提到了3D QLC快閃記憶體的P/E次數，目前能達到1000次，而3D TLC快閃記憶體是3000次，不過很多3D TLC快閃記憶體其實也沒這麼高，1000-1500次的並不少，因此在可靠性上QLC快閃記憶體也不會是很多人想像中的那樣差。 德國Computerbase網站還統計了660P硬碟的價格，512GB、1TB及2TB分別售價113.9、197.75及391.43歐元，算下來每GB價格約為0.2歐元，在PCIe 3.0 x4硬碟中這個價格是最低的，這也是QLC快閃記憶體最大的意義，就是通過更大的容量密度來降低成本。 對QLC快閃記憶體來說，現在還只是開始，英特爾、美光的QLC還是64層堆棧的，而東芝、西數以及三星都會推出90層以上堆棧的3D QLC快閃記憶體，東芝、西數的BiCS 4技術還能提供1.33Tb的業界最高核心容量，理論上成本更低，容量更大。 ...

最近一段時間來美光、英特爾、東芝、西數先後宣布了QLC快閃記憶體出樣以及96層堆棧3D快閃記憶體上市的消息，作為全球第一大NAND供應商的三星在這方面倒是很低調，但是三星的行動一點也不慢，前幾天宣布量產第五代V-NAND快閃記憶體，今年將推出32TB容量的TLC快閃記憶體硬碟，1Tb核心容量的QLC快閃記憶體硬碟今年內也會問世。 三星公司日前在日本東京舉行了「三星SSD論壇2018東京」會議，宣布了該公司在NAND快閃記憶體及SSD上的一些進展，日本PCWatch網站做了詳盡報導，這里我們節選了部分內容報導，主要涉及超大容量32TB硬碟及QLC快閃記憶體的。 首先是三星在NAND快閃記憶體上的一些優勢，2002年首發了1Gb核心的NAND快閃記憶體，2013年首發了128Gb核心的NAND快閃記憶體，現在這是首發了1Tb核心容量的V-NAND快閃記憶體。目前三星的主力是64層堆棧的第四代V-NAND快閃記憶體，前不久三星宣布量產第五代V-NAND快閃記憶體，堆棧層數提升到了90層以上（很多報導中說是96層，不過三星官方說法是90層以上）。 三星將基於最新的3D快閃記憶體推出32TB容量的硬碟，不過這個硬碟看起來像是M.2規格，實際上兩者不太一樣，M.2是22mm寬，80-110mm長，三星用的是NGSFF（NF1）規格，長110mm，寬30.5mm，也就是說比M.2硬碟更寬一些，好處是可以並排放下兩組NAND快閃記憶體，有助於提高SSD容量，32TB硬碟就是這麼來的。 不過它使用的是SAS界面，主打企業級市場，除了容量增大之外，第四代V-NAND快閃記憶體的隨機性能也是前代的2.5倍之多。 三星這個32TB容量的SSD硬碟使用的還是TLC快閃記憶體，三星在QLC快閃記憶體方面也沒有放鬆，已經有1Tb核心容量的QLC快閃記憶體，三星也有32核心堆棧的QLC硬碟了，預計2018年上市。 三星的QLC硬碟是用於企業級市場，目的是取代現在的10K、15K轉HDD硬碟，與他們相比，QLC快閃記憶體硬碟的TCO總成本下降了66%。 除了數據中心、伺服器等市場，三星還會推出客戶端級QLC硬碟，也就是消費級市場也會有QLC快閃記憶體硬碟，三星PPT中提到的是SATA接口，與TLC快閃記憶體的硬碟相比，QLC硬碟一樣可以實現540、520MB/s的讀取、寫入速度，性能上沒差距。 現在除了SK Hynix沒有具體公布他們的96層堆棧快閃記憶體及QLC快閃記憶體進度之外，其他三大陣營的NAND供應商都公布了QLC硬碟的進度了，數據中心市場是QLC硬碟的重點，但目標不是取代TLC硬碟而是取代HDD硬碟，主要是那些關鍵任務所用的10K、15K高性能HDD硬碟。 至於消費級市場，QLC硬碟預計在下半年問世，雖然理論上1Tb核心的QLC快閃記憶體可以輕松做到5TB甚至10TB以上的容量，不過真正上市的話首發容量不會這麼大，畢竟還是要考慮到消費者的承受力，但是照這個趨勢下去，明年有可能普及256-512GB的SSD硬碟了。 ...

上午在西數宣布96層QLC快閃記憶體出樣的新聞中還在猜東芝官方什麼時候發新聞，實際上東芝公司今天也一樣發了96層堆棧BiCS 4技術的QLC快閃記憶體，快閃記憶體技術規格跟西數QLC快閃記憶體是一樣的，也是1.33Tb核心容量，不過雙發的進度、目標不同，東芝預計在9月份才開始出樣給客戶，2019年量產，目前已經開發出了單晶片2.66TB的硬碟原型。 東芝是NAND快閃記憶體的發明人，還是最早開發3D NAND快閃記憶體的，同時也是快閃記憶體晶片公司中第一個討論QLC快閃記憶體的，這點倒是不假，首次公開研發QLC快閃記憶體的廠商就是東芝，三星作為全球最大的NAND廠商在TLC快閃記憶體上先吃了螃蟹，但在QLC快閃記憶體三星倒是很低調，前不久量產的第五代V-NAND快閃記憶體還是TLC類型的，三星只是表態稱後續會有QLC快閃記憶體及1Tb核心容量的快閃記憶體。 東芝的QLC快閃記憶體規格西數的是一樣——准確來說是西數的QLC快閃記憶體跟東芝一樣的，使用的都是東芝的BiCS 4技術，96層堆棧。東芝/西數選擇的BiCS技術路線跟其他家的NAND快閃記憶體都不同，一直以來容量密度都是業界最好水平之一，這次的QLC快閃記憶體核心容量是1.33Tb，比之前美光、英特爾公布的1Tb核心大了33%。 基於1.33Tb核心的QLC快閃記憶體，東芝已經開發出了16核心的單晶片快閃記憶體，一顆快閃記憶體的容量就有2.66TB，大家還記得東芝之前發布的RC100系列硬碟嗎，它使用的就是單晶片封裝，一顆快閃記憶體最大容量才480GB，現在QLC快閃記憶體的幫助下單晶片封裝實現了2.66TB的容量，是之前的5倍多。 在上市進度方面，西數那邊是已經出樣，今年量產，首發於閃迪SSD硬碟中，但東芝這邊要比西數慢一些，今年9月份才開始出樣給SSD硬碟及主控廠商，用於評估及開發，2019年才開始批量生產。不過今年8月份的FMS 2018快閃記憶體峰會上，東芝將會展示首個QLC封裝原型。 ...

今天英特爾被曝正在開發QLC快閃記憶體的SSD硬碟，自從美光/英特爾首發QLC快閃記憶體之後，這兩家推QLC硬碟已經不是新聞了，不過他們的QLC快閃記憶體首發於企業級市場，消費級市場還要等等。西數公司今天發表公告稱該公司的第二代QLC快閃記憶體已經出樣，今年內出貨，使用的是96層堆棧的BiCS 4技術，核心容量1.33Tb，比美光/英特爾的QLC快閃記憶體容量還要高33%，預計首發於閃迪的消費級SSD硬碟中。 今年5月底西數公司就已經宣布出貨96層堆棧的BiCS 4快閃記憶體，當時主要是3D TLC快閃記憶體，但是QLC快閃記憶體才是新一代快閃記憶體的重點，不到兩個月西數的96層堆棧QLC快閃記憶體也開始出樣了，預計今年內正式量產出貨。 西數的BiCS 4快閃記憶體是跟東芝一起研發的，生產工廠位於日本四日市，如今西數的96層QLC快閃記憶體已經出樣，那麼東芝的96層QLC快閃記憶體也快了，預計最近也會宣布出樣、出貨了。 很多玩家都在擔心QLC快閃記憶體的可靠性，一如多年前擔心TLC快閃記憶體不耐操一樣，不過站在廠商的角度來看他們是沒可能放棄QLC快閃記憶體的，因為容量密度的誘惑太大了——西數這次出樣的QLC快閃記憶體核心容量1.33Tb，要比之前美光/英特爾發布的QLC快閃記憶體的1Tb密度還要高33%，號稱是業界最高容量。 1.33Tb的核心容量是什麼概念？目前3D MLC快閃記憶體的主流核心容量還是256Gb，3D TLC也是256Gb核心為主，部分是512Gb，美光/英特爾可以做到768Gb，他們的QLC快閃記憶體可以做到1Tb，但是西數的是1.33Tb，換算一下就是166GB，這還是一顆核心的，一片快閃記憶體中通常是4-8顆核心，而2.5寸SSD硬碟的PCB中至少可以放4片快閃記憶體，這意味著2.5寸SSD硬碟隨便玩玩就能實現3-5TB的容量，如果多堆點核心，10TB的SSD也是小菜一碟。 美光發布的QLC硬碟是7.6TB的，此前英特爾就被曝准備推20TB容量的SSD硬碟，不過厚度就要高一點，達到了15mm。 當然，上來就搞這麼大容量也不現實，倒不是技術做不到，而是要考慮消費者承受的成本，無論如何未來普通人要想用上TB級的低價SSD硬碟，只能等QLC快閃記憶體硬碟了。 與美光/英特爾不同，西數的QLC快閃記憶體硬碟將首發於閃迪旗下的消費級硬碟中，現在就看到時候的價格了。 ...

不管你們怎麼抗拒，QLC快閃記憶體這東西始終要來，就像當年的TLC一樣，美光在就兩個月前發布了首款QLC快閃記憶體的SSD 5210 ION，是一款企業級的產品，而Intel現在和美光還沒分家，所以Intel的QLC SSD也差不多是時候出現了，和美光一樣，Intel首款QLC SSD也是瞄準企業級應用。 AnandTech表示Intel已經在開始使用3D QLC快閃記憶體生產他們的第一款數據中心SSD，會直接使用PCI-E接口，應該會有PCI-E卡的版本和U.2的版本，目前還不知道這款SSD的正確名字，知確定它會是數據中心產品中新D5系列產品的一部分，這也預示著Intel會採用全新的SSD命名方法。 這款產品預計會在8月7日到9日的快閃記憶體峰會上發表更多的信息，Intel副總裁Rob Crooke會在8月8日發表主題演講，其實早些時候Intel就表示過要開發20TB的2.5寸QLC SSD，容量非常大，不過厚度可能達到15mm，而這些3D NAND將會在中國大連的Fab 68工廠生產，該工廠即將完成擴產，產能將增加75%。 預計Intel這款產品會成為市場上第一款採用QLC快閃記憶體的NVMe SSD，而美光之前推出的那款產品是用SATA接口的，目前兩家都沒有推出消費級QLC SSD的意願，其實三星、東芝與西數都已經展示過他們的QLC快閃記憶體很長一段時間了，不過就只有東芝已經確認在生產64層堆疊的3D QLC NAND，三星已經把QLC推到新一代96層堆疊的產品中去了，然而96層堆疊工藝才剛剛投產，目前只生產小型的TLC快閃記憶體，三星今年內明年初都不大可能生產QLC快閃記憶體的SSD。 ...

相比價格穩步上漲的DRAM記憶體晶片，NAND快閃記憶體因為上游廠商的64層3D NAND快閃記憶體產能大增，從年初就開始下跌，240GB容量的TLC硬碟到這個6月份中旬時出現了40美元的史上最低價，好消息則是帶動了市場需求，筆記本上SSD適配率將超過50%。此外，TLC快閃記憶體已經成為現在的主流，下一步則要看QLC快閃記憶體的，主控晶片已經准備就緒。 NAND快閃記憶體價格去年還在上漲，今年初就開始由漲轉跌，主要原因是三星、東芝、美光、SK Hynix等公司的64層3D NAND快閃記憶體產能大漲，而智慧型手機市場又沒有預期中的大漲，市場從之前的供不應求變成了供大於求，SSD硬碟價格也隨之下滑，今年6月中旬240GB容量的TLC SSD硬碟價格下探至40-43美元，創下了史上低價新紀錄，今年以來累計跌幅超過30%。 雖然價格下跌會讓廠商叫苦不迭，不過降價也刺激了市場需求，推動了SSD出貨量上漲。根據集邦科技之前的預測，筆記本上SSD硬碟的適配率今年將超過50%，而且高性能的PCIe硬碟普及率也會大幅增加，PCIe界面的SSD硬碟今年占比也有望挑戰50%大關。 此外，TLC快閃記憶體已經是這兩年來SSD市場上的絕對主力了，低價大容量SSD幾乎無一例外都使用3D TLC快閃記憶體，下一代主力則是96層堆棧的QLC快閃記憶體了，此前東芝/西數、美光/英特爾都宣布了QLC快閃記憶體硬碟，而Marvell、群聯等公司的新一代主控也支持了QLC快閃記憶體，預計今年年底會有消費級QLC快閃記憶體硬碟問世，不過大規模普及可能還要一兩年時間。 ...