三星電子宣布，已完成開發全球首款32Gb(4GB) DDR5記憶體晶片，迄今業界密度最高，可據此打造1TB容量的記憶體條。
就在此前5月份，三星剛剛開始量產16Gb(2GB)容量的DDR5記憶體晶片，頻率高達7200MT/。
最新的32Gb DDR5記憶體晶片，繼續採用12nm級別工藝製造，相比三星1983年推出的4Kb容量的第一款記憶體產品，容量已經增加了50多萬倍！
不過，三星並未披露具體頻率。
此前的128GB DDR5記憶體條，必須使用TSV矽穿孔技術，堆疊多顆晶片才能達成，而現在有了單顆64Gb，就不需要TSV堆疊了，從而將功耗降低大約10％。
只需要8顆這樣的晶片，就能達成單條32GB容量。
更進一步，使用8-Hi 3DS堆疊技術將8顆32Gb晶片整合在一起，然後在一條記憶體上安裝32顆，就能達成單條1TB容量！
有了它，AMD EPYC 9004這樣支持12通道記憶體的伺服器平台上，就可以實現單路系統12TB記憶體。
三星計劃在今年底量產32Gb DDR5記憶體晶片。
來源：快科技
