半導體製造工藝日趨復雜，為了製造出高精度的半導體元器件，需要提高套刻的精度，因而曝光前要測量的對准測量點也越來越多。
如果在半導體光刻機中對數量眾多的測量點進行對准測量的話，測量本身會非常耗時，進而就會降低半導體光刻機的生產效率。
為此，半導體製造領域引進了晶圓測量機，將半導體光刻機的對准測量功能分離出來，以此來確保生產的高精度和效率。
2月21日消息，今天佳能宣布推出半導體製造用晶圓測量機“MS-001”，該產品可以對晶片進行高精度的對准測量。
該產品可以在晶片運送至半導體光刻設備之前統一完成大部分的對准測量，減輕在半導體光刻設備中進行對准測量操作的工作量。
佳能表示，“MS-001”所搭載的調准用示波器安裝有區域傳感器，可以進行多像素測量，降低測量時的噪音。
增加的對准標記（示意）
另外，“MS-001”還可以對多個種類的對准標記進行測量。通過採用新開發的調准用示波器光源，新產品可提供的波長范圍比在半導體光刻設備中測量時大1.5倍，能夠以用戶所需的任意波長進行對准測量。因此，相較於在半導體光刻設備中所進行的測量，“MS-001”所能實現的對准測量精度要更高。
光刻機要對電路圖進行多次重復曝光。其定位精度是非常準確的。如果不能對已經曝光的下層部分進行准確定位的話，整個電路的質量會降低，進而導致生產良品率的降低。如果用高爾夫來比喻其精度的話，它就相當於從東京到夏威夷的距離實現“一桿入洞”。
來源：快科技
