快科技4月7日消息，鎧俠首席技術官Hidefumi Miyajima近日披露，鎧俠計劃在2031年批量生產超過1000層堆疊的3D NAND快閃記憶體。
鎧俠現有的最新快閃記憶體技術是2023年3月推出的第八代BiCS，堆疊了218層，接口速度3200MT/。
至於使用什麼樣的新技術、新工藝才能達到1000多層，鎧俠沒有明說。
目前堆疊層數最多的快閃記憶體技術來自SK海力士，達到了321層，不過要到2025年上半年才能量產。
有趣的是，三星方面此前聲稱，計劃在2030年實現1000層快閃記憶體(SSD容量也規劃到了1000TB)，不知道和鎧俠誰能最先做到。
三星的V-NAND已經推進到第九代，將在明年初量產，基於雙堆棧架構，可達成業界最高堆疊層數，預計超過300層，再往後的第十代則會達到430層左右。
來源：快科技
