Tag: 快閃記憶體

存儲空間容易告急的不只是手機，還有電腦！！！ 相較於手機，電腦的使用壽命通常更為長久。尤其對於個人使用的電腦，只要對性能要求不強，PC能夠可靠穩定使用8-10年，甚至是更久。 不過，隨著使用時間的增長，加之一些不良的使用習慣，C盤存儲空間不足的問題常常出現。而對於那些存儲了大量影視資源的用戶來說，整個硬碟不夠用也並非罕見。 那麼，面對這樣的問題，我們該如何應對呢？接下來我們從兩個維度談存儲空間告急：系統盤(一般指C盤)與數據盤(其餘驅動器)。 系統盤 系統盤，也就是我們常說的C盤(驅動器)，Windows作業系統一般會安裝於C盤，因此會占用C盤一定的存儲空間，至於占用存儲空間大小與Windows系統版本息息相關，不同的版本占用空間不同，越新的版本占用空間越大。 在安裝軟體的過程中，很多用戶會按照默認設置將它們安裝在C盤，這是導致C盤空間告急的最主要原因，這時可選擇將需求頻率低的軟體安裝至其它驅動器，或者定期卸載長時間不用的軟體（PS：有些軟體會在後台“偷偷幫你”安裝一些無用軟體，可以定期進行檢查）。 其次，隨著使用時間的積累，系統更新文件、臨時文件、系統還原點、緩存文件、日誌文件、備份文件、瀏覽器緩存、微信聊天記錄等等，都會占用大量存儲空間。 尤其是微信、企業微信的聊天記錄，小編查詢了自己電腦的情況，僅2年左右的時間，企業微信個人數據就已經積攢到了近100GB，微信也是有近20GB，所以如果你的電腦C盤只有512GB或更小，那顯然是不夠用的。 這時可將企微、微信數據存儲位置移動到其它驅動器，或者選擇導出到其他存儲設備or網盤。至於一眾系統文件，可選擇使用第三方軟體進行清理，至於軟體是什麼就不提了，懂的都懂。 最後還有一個知識點，很多用戶習慣性將文件存於系統桌面，其實桌面也是占用C盤空間，所以如果有大型文件，可以存儲在其他驅動器。 數據盤 想要提升硬碟容量，最直接的方式就是換一塊更大的硬碟。這時可能出現兩種情況：一種是數據盤與C盤共為一塊硬碟/固態硬碟，另一種則是數據盤是單獨的一塊硬碟/固態硬碟，由此提升的方式也就略有不同。 這時需要檢測電腦是否有額外安裝硬碟的空間，如果是桌上型電腦一般都支持安裝多塊硬碟，但如果是筆記本電腦，建議大家咨詢官方客服，或者拆下筆記本電腦D面進行確認。 如果沒有額外的安裝空間，像現在很多輕薄本產品為了追求極致輕薄，僅有1個固態硬碟位，這種時候如果要升級固態硬碟容量，只能通過遷移作業系統的方式進行實現，這種方式可以保留Windows系統激活狀態，可以享受正品功能。 不過缺點也是比較明顯，就是操作有較高門檻，建議大家找官方客戶，或是電腦維修網點解決。 第二種辦法就是轉移數據，大致有網盤、硬碟盒與NAS幾種解決方案。 先來說說網盤。現在有很多人選擇將數據儲存在網盤，諸如百度網盤、夸克網盤、阿里網盤、迅雷網盤、UC網盤等，但缺點也是比較明顯——花錢，雖然網盤能夠提供以TB為單位的存儲空間，但每年幾百元的會員費用確實讓很多人望而卻步。 另外，還有一些朋友擔心網盤的隱私安全問題，這點確實有點多餘了(其實本地也並非多安全)。 第二種辦法硬碟盒。硬碟盒屬於外設，大家可以根據需求購買不同規格的硬碟盒，常見為單硬碟硬碟盒，即只能放置1塊硬碟，另外還有雙硬碟盒、5硬碟盒等，即可以同時存儲2塊與5塊硬碟。 硬碟盒並沒有太大的技術含量，一般可支持單塊16TB的硬碟，而且有的硬碟盒還支持組建Raid陣列，讓數據存儲更安全。 這里給大家一個小提示，硬碟盒也有傳輸速度，請優先選擇速度可達10Gbps的產品，有的硬碟盒只有5Gbps。 最後一種就是NAS，這種建議大家直接購買成熟成套產品(價格小貴)，不要自己DIY。NAS的優勢很明顯，不僅可以備份電腦數據，還能備份手機數據，照片、視頻都是即時備份。 小結： 小編作為一名數據存儲“愛好者”，有著非常多的數據存儲需求，所以希望能夠通過自己的經驗給大家一些參考： 1）Raid 1陣列硬碟盒，實際容量3TB，用來存儲生活、旅遊的一些圖像、視頻等； 2）遊戲數據硬碟，16TB，企業級硬碟，用於存儲遊戲安裝包等； 3）電影數據硬碟，14TB，企業級硬碟，存儲經典系列電影，一般為藍光單片50GB那種；還有一些就不羅列了。 另外，由於個人認為1）提到的圖像視頻很重要，所以在百度網盤也備份了一套，所以可以確保二者之間必有一個安全。像很多家長用照片、視頻記錄了孩子的成長過程，不妨也試試這樣的辦法。 最後，給大家幾個忠告： 萬不要將重要數據存儲在U盤中； 更不要將重要數據存儲在存儲卡中； 避免將重要數據存儲在移動硬碟中。 來源：快科技

快科技4月23日消息，鎧俠宣布出樣最新一代UFS 4.0快閃記憶體晶片，新產品提供256GB、512GB和1TB容量規格。 據介紹，新快閃記憶體晶片提升了5G網絡的利用率，從而加快了設備的下載速度，同時使延遲大幅降低，讓用戶的使用體驗得到明顯增強。 同時，更小的封裝尺寸有助於節省電路板空間，提升電路板的利用率，讓電路設計更加靈活從容。 新快閃記憶體晶片採用了鎧俠的BiCS Flash 3D快閃記憶體和主控晶片，集成了MIPI M-PHY 5.0和UniPro 2.0，支持每通道23.2 Gbps或者每個設備46.4 Gbps的理論接口速度，並向後兼容UFS 3.1。 與上一代UFS 4.0產品相比，新快閃記憶體晶片的順序寫入速度提升15%，隨機寫入速度提升了50%，隨機讀取速度提升30%，順序讀取速度不變，依舊維持在4640MB/。 另外，新產品採用JEDEC標準的9mm x 13mm封裝，比上一代11mm x 13mm的封裝小18%，其中256GB和512GB的快閃記憶體封裝厚度為0.8mm，1TB的封裝厚度為0.9mm。 鎧俠官方還表示，256GB和512GB容量的產品於本月開始出樣發貨，而1TB的產品則需要等到6月後才能發貨，樣品規格可能會與最終量產版本有不同。 來源：快科技

三星今天宣布正式開始量產第九代V-NAND快閃記憶體，首批開始量產的是容量為1Tb的TLC快閃記憶體，新一代快閃記憶體的量產會進一步增強三星在快閃記憶體市場的競爭力，鞏固其領導地位。 三星電子內存業務部快閃記憶體產品與技術負責人SungHoi Hur表示：「我們非常高興推出業界首款第九代V-NAND產品，它將為未來應用帶來顯著飛躍。為了滿足不斷演進的NAND快閃記憶體解決方案需求，我們在下一代產品的單元架構和操作方案上進行了突破。通過最新的V-NAND，三星將持續引領高性能、高密度固態硬碟市場潮流，以滿足即將到來的人工智慧時代的需求。」 與上一代V-NAND相比，第九代V-NAND的單位面積存儲密度提高了約50%，這得益於行業內最小的細胞尺寸和最薄的模具層。為了提升產品質量和可靠性，三星採用了新的創新技術，諸如避免單元干擾和延長單元壽命，同時取消備用通道孔則大幅減少了存儲單元的平面面積。 此外，三星在新一代快閃記憶體上應用了通道孔刻蝕技術，該技術通過堆疊模具層來創建電子通路，並在雙棧結構中實現行業最高單元層數的同時鑽孔，從而最大化製造效率。隨著單元層數增加，穿透更高層數單元的能力變得至關重要，這要求更為精密的刻蝕技術。 第九代V-NAND採用了新一代Toggle 5.1快閃記憶體接口，讓數據傳速速度提升33%，高達3.2Gbps。新的接口可為最新的PCIe 5.0 SSD提供足夠的性能帶寬保障。與上一代產品相比，第九代V-NAND在低功耗設計方面也有改進，其功耗降低了10%，可使SSD變得更為節能。 三星已於本月啟動1Tb TLC第九代V-NAND的大規模生產，隨後將於今年下半年推出QLC的型號。 ...

快科技4月17日消息，美光公司近日宣布，已成功實現232層QLC NAND快閃記憶體的量產，並已向特定關鍵SSD客戶發貨。這款革命性的快閃記憶體產品不僅面向消費級客戶端，同時還將為企業級存儲客戶和OEM廠商提供強大支持，其中就包括Micron 2500 NVMe SSD。 美光強調，這款四層單元的NAND快閃記憶體新品代表了行業的一大突破，其層數和密度均達到前所未有的水平。這種新型快閃記憶體不僅能實現比傳統NAND快閃記憶體更高的存儲密度和設計靈活性，還能有效縮短訪問時間，為各類應用提供更為流暢的體驗。 美光的232層QLC NAND快閃記憶體憑借一系列卓越特性，為移動、客戶端、汽車、邊緣計算及數據中心等多樣化存儲需求提供了無與倫比的性能。這款快閃記憶體產品不僅擁有全球最高的位密度，相比上一代176層QLC NAND快閃記憶體，其密度提升了高達30%。 在結構上，這款新品也展現出了顯著優勢，其緊湊程度比競爭對手的最新產品高出28%。此外，美光的232層QLC NAND快閃記憶體還具備業界領先的I/O接口速度，高達2400 MT/，較上一代產品提升了50%。 在性能表現方面，這款新型快閃記憶體同樣令人矚目。其讀取性能相比上一代176層QLC NAND快閃記憶體提升了24%，而寫入性能更是提升了31%。這一系列的提升使得美光的232層QLC NAND快閃記憶體成為了市場上的佼佼者。 值得一提的是，知名存儲解決方案和定製企業級SSD設備製造商Pure Storage的總經理Bill Cerreta對美光的這款新品給予了高度評價。他表示，美光的232層QLC NAND快閃記憶體是Pure Storage大容量DirectFlash模塊的核心組成部分，其卓越性能將助力Pure Storage在2028年之前實現數據中心全面取代機械硬碟的宏偉目標。 來源：快科技

快科技4月16日消息，三星計劃在本月晚些時候開始量產第九代V-NAND快閃記憶體，可用的堆疊層數達290層，相比現在的236層只增加不到23％。 這一代新快閃記憶體將採用新的堆疊架構，底部是CMOS層加邏輯電路，上邊是145層快閃記憶體陣列，再上邊又是145層快閃記憶體陣列。 這種方法雖然更復雜，但是良品率可以得到很好的保障，而且可以輕松進一步拓展。 按照三星的規劃，2025年下半年將量產第十代V-NAND，進一步堆疊到430層。 更遙遠的未來，三星可能會在2030年左右做到1000層。 中國長江存儲可能會在今年下半年量產300層，SK海力士計劃明年初量產321層， 來源：快科技

快科技4月7日消息，鎧俠首席技術官Hidefumi Miyajima近日披露，鎧俠計劃在2031年批量生產超過1000層堆疊的3D NAND快閃記憶體。 鎧俠現有的最新快閃記憶體技術是2023年3月推出的第八代BiCS，堆疊了218層，接口速度3200MT/。 至於使用什麼樣的新技術、新工藝才能達到1000多層，鎧俠沒有明說。 目前堆疊層數最多的快閃記憶體技術來自SK海力士，達到了321層，不過要到2025年上半年才能量產。 有趣的是，三星方面此前聲稱，計劃在2030年實現1000層快閃記憶體(SSD容量也規劃到了1000TB)，不知道和鎧俠誰能最先做到。 三星的V-NAND已經推進到第九代，將在明年初量產，基於雙堆棧架構，可達成業界最高堆疊層數，預計超過300層，再往後的第十代則會達到430層左右。 來源：快科技

快科技4月4日消息，集邦咨詢的最新報告顯示，2024年第一季度全球NAND快閃記憶體和SSD固態硬碟市場都出現了大幅價格上揚，最高幅度接近30％，而在接下來的第二季度，漲價還會繼續。 第一季度，整個NAND快閃記憶體市場估計漲價約23-28％，其中3D快閃記憶體晶圓、消費級SSD、企業級SSD的漲幅保持驚人一致，全都是23-28％，eMMC/USF的漲幅略高一些達到了25-30％。 第二季度，預計快閃記憶體市場將整體繼續上漲13-18％。 其中，企業級SSD延續“強勁”勢頭，預計再漲20-25％，消費級SSD、eMMC/UFS則都會漲10-15％。 報告指出，消費級SSD市場目前仍處於淡季，買方備貨策略保守，部分PC OEM廠商甚至下調了訂單。 UFS方面，東南亞、印度智慧型手機市場近期需求明顯增長，尤其是中國品牌提前加大訂單，已建立安全的庫存水平。 來源：快科技

快科技3月20日消息，三星在GTC上展示了專為下一代遊戲GPU設計的GDDR7內存。 首次推出的GDDR7內存模塊密度為16GB，每個模塊容量為2GB。其速度預設為32 Gbps（PAM3），但也可以降至28 Gbps，以提高產量和初始階段的整體性能和成本效益。 據三星表示，GDDR7內存的能效將提高20%，同時工作電壓僅為1.1V，低於標準的1.2V。通過採用更新的封裝材料和優化的電路設計，使得在高速運行時的發熱量降低，GDDR7的熱阻比GDDR6降低了70%。 據爆料顯示，RTX 50系列的旗艦卡，預計將命名為RTX 5090，將首次採用新一代的GDDR7顯存。根據爆料顯示，新卡的性能預計將提升近一倍。 此外，即便搭配256-bit位寬，在37GHz的高頻率下，GDDR7仍能提供1.18TB/的帶寬，超過384-bit 24GHz的GDDR6。這將為遊戲GPU的性能提升提供有力支持。 來源：快科技

快科技3月12日消息，NAND快閃記憶體市場結束了一個低迷周期，已經觸底反彈，價格大幅回升，，全球行業收入114.9億美元，環比大漲24.5％，SSD產品自然也不再便宜。 按理說，從快閃記憶體到SSD廠商都應該樂不可支，但也有廠商沒有得意忘形，而是保持了“人間清醒”。 群聯電子CEO潘健成就指出，如果快閃記憶體價格過高，市場需求就會再次崩潰，這一切的背後都是有清晰邏輯的。 他強調，從高性能計算到SSD硬碟，都離不開快閃記憶體，即便漲價，很多時候人們也只能接受，但如果價格高到一定程度，人們就會寧願不買，也不會花冤枉錢。 潘健成建議，快閃記憶體廠商應該停止減產，開始根據市場需求適當增產，以充分滿足需求，而不是故意限制供應來抬高價格。 有行業分析師認為，2024年將是SSD價格大幅上揚的年份。 至於快閃記憶體廠商們會不會聽從主控廠商這樣的諫言，你覺得可能嗎？ 來源：快科技

快科技3月7日消息，根據集邦咨詢的統計，2023年第四季度全球NAND快閃記憶體市場總營收達114.9億美元，環比大漲24.5％。 其中的一個關鍵原因，就是前幾年庫存居高不下之時，各大廠商紛紛大規模減產，終於把庫存拉了下來，快閃記憶體市場開始走俏，SSD的價格也開始不再那麼實惠。 當季，NAND快閃記憶體的合約價格平均飆升大漲約25％，其中三星的平均售價漲了12％，西部數據也漲了10％。 作為行業龍頭，三星的伺服器、筆記本、手機快閃記憶體業務全線看漲，已經供不應求，一個季度就入帳42億美元，環比暴漲44.8％，並占據整個市場的多達36.6％，收獲了5.2個百分點的份額。 SK海力士(包括Solidigm)也收入了24.8億美元，環比大增33.1％，份額上漲至21.6％。 西部數據、鎧俠分別小幅增加7.0％、8.0％，目前份額分別為14.5％、12.6％。 美光則是五大巨頭中唯一倒退的，因為減量供應，出貨量少了超過10％，導致收入微跌1.1％，份額已不足10％。 其他中小型廠商日子也不錯，合計收入大漲了32.3％。 集邦咨詢預計，2024年第一季度的NAND快閃記憶體行業收入還會再漲大約20％。 (表中的million都應該是billion) 來源：快科技

快科技2月28日消息，美光宣布開始送樣增強版通用快閃記憶體（UFS） 4.0 移動解決方案，該方案具有突破性專有固件功能並採用業界領先的緊湊型UFS封裝 (9 x 13mm) 。 新款內存基於先進的232層3D NAND技術， 美光UFS 4.0解決方案可實現高達1TB容量，其卓越性能和端到端技術創新將助力旗艦智慧型手機實現更快的響應速度和更靈敏的使用體驗。 據悉，美光UFS 4.0的順序讀取速度和順序寫入速度分別高達4300MBps和4000MBps，較前代產品相比性能提升一倍，為數據密集型應用提供了更出色的使用體驗。 憑借高速性能，用戶能更快地啟動常用的生產力、創意和新興AI應用。生成式AI應用中的大語言模型加載速度可提高40%，為用戶與AI數字助手的對話提供更流暢的使用體驗。 美光表示，自去年6月推出11mmx13mm封裝規格的UFS 4.0解決方案後，美光進一步縮小UFS 4.0的外形規格以實現更緊湊的9mm x 13mm託管型NAND封裝。尺寸更小巧的UFS 4.0為下一代折疊及超薄智慧型手機設計帶來了更多可能性，製造商可利用節省出來的空間放置更大容量的電池。 此外，新版UFS 4.0解決方案可將能效提升 25%，使用戶在運行 AI、AR、遊戲和多媒體等耗電量高的應用時獲得更長的續航時間。 來源：快科技

快科技2月20日消息，今日，華為舉行數據存儲新春新品發布會，不僅發布全新數據湖解決方案，華為還針對商業市場與分銷市場發布了全快閃記憶體存儲新品。 據介紹，面向遊戲加速、影視編輯、戶外作業等場景，華為發布eKitStor Xtreme系列高性能M.2快閃記憶體條，讀取速度達7400MB/。 華為eKitStor XtremeM.2快閃記憶體條提供512GB、1TB、2TB、4TB四種規格，官方宣稱“顆粒優品率達99.999%”。 同時，擁有3大算法加持，讓性能提升15%、壽命提升10%、可靠性提升30%。 除了高性能M.2快閃記憶體條，華為今天還發布了專注於非結構化數據的業界首款A-A架構入門級全閃NAS存儲OceanStor Dorado 2100、全新升級的SAN存儲OceanStor Dorado 2000、支持SAN&NAS一體化的OceanStor Dorado 3000。 面向大容量全閃需求和備份場景，華為也推出了容量密度達1.5PB/2U的OceanStor 5310容量型全快閃記憶體。 來源：快科技

快科技2月8日消息，金士頓推除了新款DTSE9G3快閃記憶體檔，售價54.9元起。 外觀方面，這款快閃記憶體檔採用簡約時尚的無蓋式設計，配合堅固耐用的金屬外殼，防震抗摔，便攜易用並能妥善保護寶貴數據。 據了解，該U盤採用USB 3.2 Gen 1接口，讀取速度可達220MB/，寫入速度可達100MB/，同時它也可兼容USB3.0和USB 2.0接口。 此外，DTSE9G3系列可選64/128/256/512GB四個存儲容量版本，充分滿足日常生活和工作需要。 官方表示，金士頓快閃記憶體檔精心挑選優質原料，並在生產環節進行嚴苛測試，且享有五年質量保證服務以及免費技術咨詢服務。 來源：快科技

快科技2月2日消息，日前，繼自研SLC NAND Flash系列產品規模化量產後，江波龍首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash正式發布。 該產品採用BGA132封裝，支持Toggle DDR模式，數據訪問帶寬可達400MB/，將有望應用於eMMC、SSD等產品上。 江波龍表示，近年來在存儲晶片自主研發投入了大量的精力和資源，公司引進了一批具備超過20年存儲晶片設計經驗的高端人才。 據介紹，該團隊不僅精通快閃記憶體晶片設計技術，還對於流片工藝製程、產品生產過程有深入了解，對4xnm、2xnm、1xnm等Flash工藝節點的產品實現擁有豐富經驗。 在產品測試方面，江波龍自研NANDFlash產品通過內嵌片上DFT電路，配合自主開發的測試平台，實現高效生產測試。 目前，江波龍已具備SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、NOR Flash產品的設計能力，並將通過完善的工程及品控能力逐步拓展更豐富的Flash產品系列。 值得一提的是，江波龍除了在NAND Flash晶片領域持續發力，還在DRAM晶片方面進行深入研究。 據江波龍介紹，2023年就已推出復合式存儲nMCP，將自研SLC NAND Flash和通過自研測試平台驗證的LPDDR4x進行合並封裝，實現高頻低耗、寬溫運行的優異特性，可充分滿足5G網絡模塊存儲需求。 江波龍表示，未來將繼續大力投入存儲晶片的自主研發，深入挖掘NAND Flash、DRAM存儲晶片的應用潛力。 來源：快科技

快科技2月1日消息，鎧俠宣布了全球首款面向車載應用的UFS 4.0嵌入式高速快閃記憶體，已開始提供樣品。 鎧俠(前東芝存儲)首創了UFS快閃記憶體技術，而最新的UFS 4.0採用JEDEC標准小型封裝，集成了自家的BiCS 3D快閃記憶體和控制器，容量可選128GB、256GB、512GB。 性能則有顯著提升，其中順序讀取速度提升100％、順序寫入速度提升40％。 鎧俠UFS 4.0採用了MIPI M-PHY 5.0、UniPro2.0技術，每通道理論帶寬高達23.2Gbps，每個設備雙通道可做到46.4Gbps。 新品還支持高速鏈路啟動序列(HS-LSS)，設備和主機之間的傳輸鏈路啟動(M-PHY和UniPro初始化序列)速度超過了傳統UFS HS-G1 Rate A 1248Mbps，縮短大約70％。 其他方面，支持寬溫度范圍，符合AEC(7)-Q100 Grade2要求，針對復雜車載應用增強了可靠性，並支持多項高級特性和功能，以滿足車載應用的嚴苛需求，包括數據刷新和擴展診斷。 來源：快科技

快科技2月1日消息，鎧俠推出業界首款車載UFS 4.0嵌入式快閃記憶體，並已經開始向業界提供樣品。 據了解，新款內存提供了128GB、256GB和512GB三款不同容量的產品，支持寬溫度范圍，符合AEC-Q100 Grade2要求，並針對復雜的車載應用環境增強了可靠性。 鎧俠表示，新產品採用了小型封裝，提供快速的嵌入式存儲傳輸速度，適用於多種新一代車載應用，諸如車載遠程信息處理系統、信息娛樂系統以及ADAS系統。 鎧俠稱，新款內存順序讀取速度提升約100%，順序寫入速度也提升約40%，提升幅度明顯。由於性能的提升，相關應用能夠更好地利用5G連接的優勢，帶來更快的系統啟動速度和更優質的用戶體驗。 這次發布的新型UFS 4.0設備將BiCS FLASH 3D快閃記憶體和控制器集成在JEDEC標准封裝中，其中UFS 4.0採用MIPI M-PHY 5.0和UniPro2.0技術，支持每條通道高達23.2Gbps或每個設備高達46.4Gbps的理論接口速度，同樣能夠兼容UFS 3.1。 此外，新產品支持高速鏈路啟動序列（HS-LSS）功能，設備和主機之間的傳輸鏈路啟動（M-PHY和UniPro初始化序列）能夠以快於傳統UFS的HS-G1 Rate A（1248Mbps）執行。與傳統方法相比，預計這將使鏈路啟動時間縮短約70%。 來源：快科技

快科技2月1日消息，據江波龍官方公眾號介紹，繼自研SLC NAND Flash系列產品實現規模化量產後，首顆自研32Gb2D MLC NAND Flash也於近日問世。 該產品採用BGA132封裝，支持Toggle DDR模式，數據訪問帶寬可達400MB/，將有望應用於eMMC、SSD等產品上，比如自家的雷克沙SSD。 據介紹，江波龍近年來在存儲晶片的自主研發投入了大量的精力和資源，引進了一批具備超過20年存儲晶片設計經驗的高端人才。 不僅精通快閃記憶體晶片的設計技術，並且對於流片工藝製程、產品生產過程有著深入了解，對於4xnm、2xnm、1xnm等Flash工藝節點的產品實現擁有豐富的經驗。 存儲晶片設計的每個階段都有其獨特的挑戰和重要性，從邏輯功能、模擬電路設計、仿真驗證、物理設計等，都需要經過精心策劃和嚴格實施，才能確保最終產品的實現。 目前，江波龍已具備SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、NOR Flash產品的設計能力，並將通過完善的工程及品控能力逐步拓展更豐富的Flash產品系列。 來源：快科技

說到超頻，你會想到CPU處理器，會想到GPU顯卡，但是你知道嗎？SSD固態硬碟也能超頻！只要有自己時鍾頻率的晶片，理論上都能超。 油管博主Gabriel Ferraz就展示了他是如何對一塊SSD進行超頻的。 試驗對象是不知名的RZX Pro 240GB SATA SSD——不用新的NVMe SSD是因為它們已經跑在最高狀態，這塊SATA SSD則不一樣。 它的主控是慧榮SM2259XT2，單個ARC 32位核心，最高頻率550MHz，但這里只有425MHz。 快閃記憶體是鎧俠的96層BiCS4 TLC，單顆容量32GB，標稱頻率本來是400MHz，但實際只跑在193.75MHz。 也許是為了控制功耗，也許是為了延長壽命，這塊SSD的主控、快閃記憶體都在降頻運行，這就有了超頻空間。 當然，超頻SSD並不容易，Gabriel使用了量產工具、JMS578 SATA-USB橋接控制器和一系列工具，以及高超的技巧、反復的嘗試。 最終，主控恢復滿血500MHz，超頻幅度17.6％，快閃記憶體同樣滿血400MHz，超頻幅度106％。 效果如何呢？看看測試： CDM順序讀寫速度、讀取延遲幾乎沒變，寫入延遲略有降低，隨機讀寫速度大幅增加，QD4隊列深度下分別有大約27％、10％，Q1T1下也分別有16％、11％。 3DMark、PCMark 10存儲測試成績分別提升了多達21％、11％。 但是來到實際場景中，應用、遊戲加載速度一點也沒有變快。 文件拷貝速度變快了，尤其是大量小文件，這和隨機測試性能加快是相符合的。 代價也不小，壓力測試溫度達到了45℃，提高了5℃，而原本的40℃正是廠商設定的最高允許溫度——這下知道為啥限速了。 功耗也全面增加，最大、平均、待機分別上升了73％、63％、32％。 如此一來，實際能效反而降低了幾乎42％，屬實得不嘗試。 這還不算完，就在各種測試完畢，准備檢修折騰的時候，它，掛了。。。 來源：快科技

快科技1月18日消息，經歷兩年多的“低迷”，存儲產品的價格又要上揚了。最新行業消息稱，由於關鍵快閃記憶體晶片緊缺，SSD的價格將在本季度大幅上漲，尤其是大容量產品。 對於單面設計的M.2 2280 SSD，都需要四顆快閃記憶體封裝晶片，2TB、4TB這種越來越普及的容量就得用到關鍵的4-die、8-die封裝。 但是，偏偏這些封裝的晶片最近突然陷入緊缺，SSD廠商拿不到足夠的貨源，自然會反應在價格上。 這種緊缺情況的影響，可能要兩三個月才能完全顯現出來，但是不少2TB、4TB SSD已經開始漲價了。 至於缺貨原因，一方面是上游快閃記憶體廠商持續大規模減產，同時也在放緩升級製程工藝的節奏，而後者是增大快閃記憶體容量的關鍵。 另一方面，不少下游廠商開始加大快閃記憶體采購力度，集邦咨詢預計3D快閃記憶體的合約價會在今年一季度上漲約15-20％。 其中，消費級SSD正在加速普及PCIe 4.0，預計漲價幅度15-20％，企業級快閃記憶體、eMMC/UFS更是會上漲18-23％。 來源：快科技

快科技12月25日消息，這兩年無疑是購買內存、固態硬碟的好時候，這要“感謝”DRAM內存顆粒、NAND快閃記憶體顆粒市場行情的一貫低迷。當然，這種局面不可能一直持續。 一般認為，半導體行業的繁榮和衰退有3-4年的交替周期，有人稱之為“矽周期”。 越來越多的行業人士認為，2023年就是衰退周期的底部，2024年將會出現好轉，換言之就是要漲價，尤其是存儲行業最為明顯。 眼下，DRAM內存、NAND快閃記憶體的價格都迎來了兩年多來的首次上漲，似乎在印證這一觀點。 從存儲企業和設備企業簽約的11月DRAM內存大宗交易價格來看，作為市場風向標的8GB DDR4單價為1.65美元左右，環比上漲11％。 這是2021年6月以來，該產品的價格首次上漲。 NAND產品中，同樣代表市場行情的256Gb TLC，第四季度單價為1.85美元左右，相比三季度上漲12％。 這也是該產品2021年第三季度以來首次上漲。 從2022年下半年開始，三星、SK海力士、美光等存儲大廠紛紛大幅減產，以期降低庫存水平，控制市場價格下跌的趨勢，如今看來終於有了“成效”，漲價的意願非常強烈。 某PC廠商的采購負責人透露：“如果對方說‘價太低不能供貨’，我們就只能接受一定的漲價。” 來源：快科技

快科技12月25日消息，據媒體報導，存儲晶片漲價的趨勢或將進一步蔓延，NOR快閃記憶體將啟動存儲晶片新一輪漲價潮，預計明年1月起先漲5%，二季度漲幅或將擴大至10%。 摩根史坦利的最新報告指出，今年和去年，NOR快閃記憶體都處於供過於求的狀態，但隨著PC、智慧型手機、伺服器需求持續上升，NOR快閃記憶體市場需求也將增長。 再加上兆易創新、華邦電子、旺宏等NOR快閃記憶體供應商去年底啟動減產後，市場庫存量逐步下降，目前的庫存已降至僅2周左右。 因此，NOR快閃記憶體在明年迎來連續漲價也就不足為奇，大摩表示，2024年全球NOR快閃記憶體市場將從供過於求轉向供不應求，迎來“量價齊升”的局面。 NOR快閃記憶體（也稱為NOR型快閃記憶體）是一種快閃記憶體類型，常用於嵌入式系統和存儲設備中，用於存儲程序代碼、固件、作業系統以及其他數據。 與NAND 快閃記憶體相比，NOR快閃記憶體具有較低的存儲密度和較高的成本，但具有較快的讀取速度、較低的讀取延遲和較好的隨機訪問性能。 來源：快科技

手機容量告急，怎麼辦？筆記本電腦硬碟不夠用，怎麼辦？高質量的創作內容和大型軟體、遊戲帶來的存儲壓力日益增加，手機中的照片、視頻占據了大量空間，筆記本電腦中的影音娛樂遊戲也占據了大量空間。如何不更換手頭設備就能提升存儲空間呢？ 手機擴容一個簡單高效的方法就是合理利用Type-C接口，例如一款Type-C接口的快閃記憶體檔可以將手機中的不常用的照片、視頻轉移至此，從而釋放手機的內部空間；筆記本電腦擴容也可以利用Type-C接口或者傳統的USB接口（Type-A），通過快閃記憶體檔進行擴容，不僅簡單方便，還兼具極佳的便攜性。金士頓作為存儲行業領袖，推出了一系列快閃記憶體檔產品，究竟哪幾款可以匹配這部分用戶的需求呢？我們一起來看看。 容量大速度快 快閃記憶體檔中的戰鬥機 快閃記憶體檔在大眾的印象中僅僅是便攜性很高，容量和速度都是短板。然而，金士頓DTMAX系列快閃記憶體檔顛覆了大眾的認知，不僅保留了快閃記憶體檔的便攜特性，而且速度快、容量大，性能不輸固態硬碟，是當前外置存儲的理想選擇，堪稱快閃記憶體檔中的戰鬥機。 金士頓DTMAX快閃記憶體檔採用最新的USB 3.2 Gen 2標准，可以提供高達1000MB/的讀取速度和900MB/的寫入速度（速度可能會因為主機硬體、軟體和使用情況而異），擁有256GB-1TB多種大容量選擇。而當前主流USB快閃記憶體檔的容量在64-256GB居多，速度也只有200MB/。擁有移動硬碟的大容量，比肩固態硬碟的速度，還保留了快閃記憶體檔的便攜性，不僅適用智慧型手機擴容，也適合平板電腦、筆記本電腦或者桌上型電腦擴容，並且金士頓還有Type-A接口的DTMAXA高速快閃記憶體檔供用戶選擇。 便利雙接口 數據遷移更簡單 金士頓DTDUO3CG3快閃記憶體檔是一款Type-C和Type-A集一身的雙接口快閃記憶體檔，雙接口在實際生活中十分方便。例如，旅行過程中智慧型手機拍攝了大量照片、視頻，手機空間不足可以轉存儲在快閃記憶體檔中，回到家中想要將這些數據在筆記本、台式機或者NAS上進行備份，就會十分方便；再或者，工作中桌上型電腦存儲的數據轉移到智慧型手機，智慧型手機中的存儲數據轉移到筆記本電腦等，跨平台數據遷移因為雙接口快閃記憶體檔變得更為簡單。 金士頓DTDUO3CG3快閃記憶體檔的尺寸只有29.94mm x 16.60mm x 8.44mm，雖然嬌小但是依然為Type-C接口設計了轉蓋保護帽，避免因為意外造成接口損壞。在容量上提供了64GB、128GB和256GB三種供用戶選擇。接口支持USB 3.2 Gen1速度，理論上可實現200MB/的讀取速度。 經濟實惠 Type-C滑蓋小鋼炮 如果身邊的數碼設備，包括桌上型電腦、筆記本電腦等都有Type-C接口，那麼金士頓DT80M快閃記憶體檔就是經濟實惠之選。 金士頓DT80M快閃記憶體檔的尺寸比傳統快閃記憶體檔略小，只有54.18mm x 21.81mm x 11.6mm，並採用便捷的滑蓋設計，畢竟Type-C接口相比Type-A接口更小巧，保護好接口可以大大延長使用周期。在容量方面提供了64GB、128GB和256GB三種規格，速度同樣支持USB 3.2 Gen1速度，理論上可實現200MB/的讀取速度。在金士頓Type-C接口的快閃記憶體檔中，這一款的性價比略高一籌。 堅固金屬盤 數據備份更多保障 金士頓DTKN快閃記憶體檔是一款全金屬快閃記憶體檔，因為金屬材質先天的硬度、韌性、防劃抗摔，可以進一步確保快閃記憶體檔內的數據安全。 金士頓DTKN快閃記憶體檔的尺寸十分嬌小，只有39mm x 12.6mm x 4.9mm，重量輕至4g，也因為全金屬材質所以無需接口保護蓋也能從容應對日常磕碰。在容量方面提供了32GB、64GB、128GB和256GB四種規格，速度同樣支持USB...

快科技12月6日消息，金士頓推出了一款2024龍年限量版快閃記憶體檔，128GB容量售價為148元。 設計上，這款U盤採用萌龍造型，頂部為金色的金屬U盤，下方萌龍寬厚的臉龐，呆萌的眼睛，袖珍的龍角，踏著祥雲而來。 龍尾則設計了一個圓孔，方便連接鑰匙環與外出攜帶，橡膠材質的龍身不僅手感Q彈、親膚防滑，還具備一定的抗震性。 而這種分體結構設計，可以在意外跌落、受到擠壓時保護快閃記憶體檔及數據的安全。 此外，金士頓2024年的甲辰龍年限量版快閃記憶體檔採用USB 3.2 Gen 1數據接口，讀取速度最高可以達到200MB/，128GB的存儲容量，擁有五年質保。 來源：快科技

快科技11月23日消息，華為宣布，推出業界首款面向中小企業的全快閃記憶體NAS存儲——OceanStor Dorado 2100。 據悉，OceanStor Dorado 2100是業界唯一的入門級雙活NAS存儲設備，配置極致性價比的SSD盤和NAS軟體，支持多種NAS協議，可為中小企業提供文件共享、網盤、文件存儲和檢索等服務。 據華為介紹，OceanStor Dorado 2100相比傳統NAS有以下幾個優勢： 速度更快 中小企業在日常辦公和流程運作中產生的視頻、圖片、錄音、辦公文檔等，占據了總數據量的80%以上。 在使用HDD盤的情況下，打開一個4-5層目錄下的GB級大文件甚至需要幾十秒到幾分鍾的情況，而目錄更深、文件更大的場景下會更糟糕。 華為表示，在HDD技術創新受限，SSD快速創新的大背景下，使用SSD替換HDD成為最簡單又最快速見效的方式。 OceanStor Dorado 2100採用端到端全快閃記憶體設計，可配置獨創的數據布局算法，可以檢測全局數據冷熱，提前預取數據到內存，實現穩定的毫秒級時延，性能相比友商混合快閃記憶體提升20倍。 其次是安全性 作為業界唯一使用NAS Active-Active架構的入門級全快閃記憶體存儲，OceanStor Dorado 2100採用SSD可靠性、架構可靠性、系統可靠性和方案可靠性的4層可靠性設計，端到端全冗餘設計，免網關雙活方案，保證99.9999%的可靠性，即年平均故障時間達到秒級。 同時支持業界最高密度的15秒高密度無損快照，實時數據保護，數據防丟失防病毒防勒索。 最後，文件可以一次寫入，多次讀取，並且可以根據需要在初始狀態、鎖定狀態、追加狀態和過期狀態之間按照需要轉換，滿足法規級和企業級的WORM要求，防止重要數據被篡改，為客戶帶來法規級的合規性。 OceanStor Dorado 2100與高端存儲一樣，支持多租戶間隔離和共享，無需額外軟體即可實現邏輯隔離、網絡隔離、業務隔離等，滿足中小企業資源共享和隔離訴求。當前多租戶的共享和隔離，已通過法國ANSSI認證，在為中小企業帶來便利的同時，也帶來了更高的安全性。 最後是上手難度低、運維簡單 據介紹，OceanStor Dorado 2100通過雲端提前規劃配置，手機DME IQ 掃碼與設備連接，本地配置導入的方式30分鍾即可完成開局。 在設備部署上線過程中，無需學習專業文檔、無需復雜網絡規劃、無需使用專業工具，大大降低交付難度，提高交付效率。 相比於交付周期需要2天甚至更長的手工或者使用普通工具，OceanStor Dorado 2100的交付時間減少90%，人力成本節省50%。 此外，在後續的管理和運維過程中，可以使用DME IQ 智能運維平台對運維數據進行匯總和分析。 通過深度學習，利用萬億級的訓練數據，使能AI診斷和智能定界，精準定位故障。同時，APP可以秒級檢測告警，快速響應故障，快速恢復故障，TCO降30%。 來源：快科技

快科技11月22日消息，華為官方發文稱，今年與伊利深化合作，基於現網OceanStor Dorado V3，部署新一代OceanStor Dorado V6全快閃記憶體存儲。 在原先基礎上，華為基於華為新一代全快閃記憶體存儲OceanStor Dorado V6，擴容1300T可用容量。 OceanStor Dorado V6控制器、硬碟框和作業系統的全自研設計，提供業內領先的FlashLink快閃記憶體檔控結合算法。 在不影響業務系統性能的情況下，OceanStor Dorado V6能充分發揮固態硬碟的優勢，保證毫秒級穩定，低時延減少I/O等待時間，消除高峰期部分業務卡頓問題，保障核心應用7*24穩定在線。 同時，基於RAID 2.0和RAID TP技術，在保障得盤率的情況下提高存儲系統可靠性，可做到三盤故障業務無損。 在數據安全方面，關鍵數據支持連續數據保護，並支持後續防勒索病毒能力演進，中毒/誤刪除數據可恢復，核心數據不被篡改。 來源：快科技

快科技11月18日消息，據媒體報導，盡管受到美國嚴格封鎖，但長江存儲並未輕言放棄，正在開發下一代晶棧Xtacing 4.0架構的新型快閃記憶體，並已經基本就緒。 長江存儲現有的晶棧Xtacking 3.0有三種版本，其中X3-9060是128層的TLC，X3-9070是232層的TLC，X3-6070是128層的QLC。 下一代的晶棧Xtacking 4.0，首批有兩個版本，其中X4-9060是128層的TLC，X4-9070是232層的TLC，後續是否還有QLC暫不清楚。 它們仍將使用串堆疊(string stacking)設計，也就是首先製造64層、116層的快閃記憶體晶圓，然後兩個鍵合合在一起，形成128層、232層，這樣使用的相關工具、技術就不會違反美國的出口限制。 當然，128層、232層只是實際可用的層數，還有多少隱藏/屏蔽的層數就不得而知了。 晶棧Xtacking 3.0架構的128層、232層TLC快閃記憶體實際上分別有141層、253層，但有13層、21層沒有啟用，這也是行業慣例，為的是提高良品率。 目前尚不清楚晶棧Xtacing 4.0有哪些具體的提升，不知道是否能像之前每一代那樣，繼續提升傳輸速度、容量密度。 相信這一次，更多地會在架構和技術細節上優化完善，比如提升並行能力、優化位線(bitline)和字線(wordline)、改進延遲等等。 來源：快科技

快科技11月17日消息，日前在華為全聯接大會2023巴黎站上，華為正式發布OceanStor Pacific 9920和OceanStor Dorado 2100兩款全快閃記憶體新品，堅定推進全場景快閃記憶體化。 其中，OceanStor Pacific 9920作為業界最大容量密度的全快閃記憶體分布式存儲產品，單盤支持30.72TB，2U空間可提供768TB容量。 其單節點帶寬可達到20GB/，IOPS 高達80萬。採用高效數據縮減算法，每TB功耗低至1.04W。 OceanStor Dorado 2100全快閃記憶體存儲是業界首款面向中小企業客戶推出的具備A-A架構的NAS存儲，具備極簡易用、安全可靠、全能高效三大特點。 OceanStor Dorado 2100可掃碼開局，實現掌上遠程運維，交付時間減少90%，TCO降低30%。 另外，作為業界唯一的NAS存儲Active-Active架構，通過四層可靠性保障，可實現99.9999%的可靠性，提供7x24小時的業務連續性保障。 同時，通過端到端全快閃記憶體設計與創新數據布局算法，相比業界混合快閃記憶體產品性能提升20倍。 華為董事、ICT產品與解決方案總裁楊超斌表示，無處不在的數據服務需要更高性能、更可靠、更綠色節能的數據存儲。 相較於機械硬碟，快閃記憶體存儲的帶寬是其28倍，但功耗降低了約33%，快閃記憶體存儲在性能、可靠、功耗上的優勢已獲得企業廣泛認可。 延伸閱讀： 在機架式伺服器當中，常見的機櫃尺寸標識為“U”，它代表一個單元高度（Unit Height）。每個“U”表示一個標準的19英寸（48.26厘米）寬度和1.75英寸（4.45厘米）高度的空間。 1U等於一個標準的機架高度單元，其高度為4.45厘米(1.75英寸)。2U等於2個標準的機架高度單元，其高度為8.89厘米(3.5英寸)。 來源：快科技

據多位半導體產業人士透露，三星將在今年第四季度將NAND快閃記憶體晶片的報價提高10-20％，明年第一和第二季度分別還要漲20％。 按照這個速度下去，預計一年之後，三星快閃記憶體要比現在貴70％以上！ 三星的目的也很明顯，經歷了去年的大低迷之後，希望能夠在明年上半年逆轉整個快閃記憶體市場。 此前，市場需求極度疲軟之下，三星、SK海力士、美光、鎧俠集體被迫大規模減產，三星也在今年4月宣布將首次減產快閃記憶體，之後又延長了減產計劃。 第三季度，三星淨利潤回升至5.5萬億韓元，半導體業務虧損減少了14.9％，減產策略初見成效。 這就是三星當下的策略：一方面持續減產，並不斷擴大規模，控制市場的供給量；另一方面持續提高價格，刺激客戶采購，提升自身利潤率。 數據顯示，2023年第二季度NAND快閃記憶體市場上，三星以31.1％的份額遙遙領先，第二名的鎧俠還不到20％，而在DRAM內存市場上，三星也擁有40％的份額，都有著絕對的話語權。 來源：快科技

長江存儲早已低調推出，基於其創新的晶棧Xtacking 3.0架構，TiPlus7100、Ti600等產品都已經用上，只是因為某些原因，技術細節一直未公開。 權威半導體機構TechInsights最近專門研究了長江存儲的232層快閃記憶體，發現它確實達到了世界頂級水平。 研究顯示，長江存儲1Tb TLC晶片的存儲密度已達15.47Gb每平方毫米，1Tb QLC更是高達19.8Gb每平方毫米，在兩種快閃記憶體類型中都無出其右者。 兩種快閃記憶體均基於晶棧3.0架構，數據傳輸率均為2400MT/，可以搭配PCIe 4.0、PCIe 5.0主控，打造旗艦級SSD。 不同之處在於，QLC用的是4-plane結構，可以理解為4顆晶片並排放在一起，總長度12.88毫米、寬度4.02毫米，重點優化與縮小核心面積。 TLC用的則是6-plane結構，並排放置6顆晶片，追求性能最大化。 TechInsights對於長江存儲的成就予以了高度評價，尤其是在美國封鎖之下，無法獲取最新尖端技術和工具，仍然達成了世界最高存儲密度，是非常了不起的，進一步凸顯了其晶棧架構的優越性。 來源：快科技

據《日經新聞》報導，美國西部數據（Western Digital）與日本鎧俠（Kioxia）的存儲晶片業務合並談判已經中止。 在全球經濟形勢下滑與NAND Flash快閃記憶體市場需求疲軟及價格持續下跌的背景之下，西部數據和鎧俠均出現了持續的虧損。 在最新的季財報中，兩家公司虧損額合計高達達14億美元。為了有更多的資金來維持運營，並提升競爭力，西部數據計劃將NAND Flash快閃記憶體部門拆分出來，與鎧俠進行合並。 根據之前曝光的信息顯示，兩家公司在談判時傾向於由鎧俠的團隊來主導合並後新公司的經營，不過西部數據的高管也將發揮相對的重要輔助作用。預計合並後的新公司將採用雙重董事會制度，兩家快閃記憶體晶片製造商的高層都將是成員。新公司總部將設在日本，並預計未來會在美國納斯克以及日本東京證券交易所上市。需要指出的是，西部數據的硬碟業務將保持獨立，不在交易之列。 貝恩資本目前持有鎧俠約56.24%股分，東芝持股比例約40.64%。根據傳聞鎧俠和西部數據的交易條款，雙方合並後，鎧俠出資新公司43%、西部數據出資37%，剩下20%股權由東芝等目前股東持有。不過之後又有消息稱，西部數據將持控股公司持股約50.5%，鎧俠持股約49.5%。 根據市場研究及調查機構TrendForce的數據顯示，2023年第二季全球NAND Flash市場鎧俠的市占率僅次於韓國三星排名第二，市占率為19.6%。西部數據則排名第四，市占率為14.7%。 一旦兩家企業順利合並，則市占率將達到34.3%，這將一舉超過三星的31.1%，成為全球第一大NAND Flash廠商。 如此，不論是在營收或市場價格發語權上都能舉足輕重，也能提升目前低迷的營運狀況。 此前兩家公司的目標是在十月底前達成合並協議，但是由於鎧俠間接大股東SK海力士的反對，最終導致了該合並案的失敗。 10月26日，韓國存儲晶片大廠SK海力士在2023財年第三季度財務會議上首次正式對外表示，反對鎧俠與西部數據的合並案。 SK海力士財務長表示：“這筆交易低估了其在鎧俠的股份價值，鑒於對公司在鎧俠投資的整體價值影響，我們目前不同意這筆交易。” 據了解，2017年9月，鎧俠的前身東芝半導體因母公司東芝集團負債達1.1萬億日元的情況下，被迫拆分出售。之後由私募基金機構貝恩資本牽頭，聯合SK海力士、豪雅（HOYA）、蘋果、戴爾、金士頓、希捷等科技公司，配合日本政府等買下部分東芝半導體股權，之後再改名為鎧俠至今。 目前SK海力士通過貝恩資本間接持有鎧俠約34%的股份（價值約4000億日元，約合26.7億美元），因此鎧俠和西部數據想要順利合並，就必須獲得SK海力士這個大股東同意。 由於SK海力士的明確反對，西部數據於當地時間周四（10月26日）正式通知鎧俠，兩家公的合並案因未能獲得鎧俠的間接股東SK海力士的同意，因此西部數據與鎧俠的合並談判終止。 由於西部數據與鎧俠的合並失敗，也使得西部數據當地時間周四的股價暴跌11%。 分析人士稱，SK海力士是鎧俠的主要投資者，但同時也是這兩家公司的競爭對手，如果西部數據與鎧俠成功合並，那麼將會對SK海力士帶來更大的競爭壓力，因此SK海力士不支持這項交易案。 日經的報導也指出，西部數據與鎧俠自2021年以來就一直針對合並一事談判，但雙方常常因估值差異等問題而陷入談判僵局。 Benchmark Company分析師Mark Miller就指出，雙方的合並有機會降低成本壓力，成為市場上更具競爭力的對手。“但這同時也是一項非常復雜的協議，也不確定中國是否會批准這項協議”。 來源：快科技

快科技10月25日消息，知名半導體行業觀察機構TechInsights稱，在一款消費電子產品中發現了世界上最先進的3D NAND存儲晶片，它來自中國頂級的3D NAND製造商長江存儲。 據悉，TechInsights在2023年7月推出的致態SSD中發現了由長江存儲製造的232層QLC 3D NAND晶片，這種新的QLC晶片具有19.8 Gb/mm2的商用NAND產品中最高的比特密度。 本次的發現，超越了同樣在開發232層QLC 3D NAND晶片的美光和英特爾(Solidigm)。 長江存儲232L QLC晶片 致態Ti600 1TB固態硬碟 TechInsights表示，盡管受到制裁後困難重重——包括該公司受限於向蘋果供應基於中國生產的iPhone零部件，以及被列入美國的實體名單， 但長江存儲仍在靜靜地開發最先進的技術。 近期存儲市場的低迷，以及許多內存製造商專注於節省成本的舉措，可能為長江存儲提供了機遇，使其具有領先的更高比特密度的3D Xtacking NAND。 值得注意的是，三星目前的戰略是專注於V9 3D NAND的TLC和QLC，因此沒有在236層(V8) 3D NAND上開發QLC。 但是，三星在上周舉行的“內存技術日”上，首次公開了面向移動市場的QLC產品——採用176層(V7)技術的512GB UFS 3.1產品。 SK海力士的主要業務是TLC，而不是QLC產品。 越來越多的證據表明，中國正在努力克服貿易限制、建立本土半導體供應鏈的勢頭比預期的要成功。 此前，TechInsights是首批拆解華為Mate 60 Pro的機構，在拆解完之後，TechInsights副主席Dan Hutcheson給出了如下評價： “這確實是一個令人驚嘆的質量水平，是我們始料未及的，它肯定是世界一流的。因此，我們要祝賀中國，能夠製造出這樣的產品。這意味中國擁有非常強大的能力，而且還在繼續發展技術。” 來源：快科技

據媒體體報導，存儲晶片大廠三星在獲得美國政府對其在中國的工廠的“無限期豁免”之後，使得三星在中國的工廠將無需特別許可申請，就可進口美國晶片設備來進行升級或擴產的動作。 報導稱，在取得豁免後，三星高層已決定將其為在中國西安NAND Flash快閃記憶體工廠升級到236層堆疊的技術，並准備開始大規模擴產動作。 △三星 1Tbit Gen 8 V-NAND 晶片 報導引用消息人士的說法指出，三星已開始預定和購買最新的半導體設備以用於接下來的製程轉換動作。 預計，新設備將在2023年底交貨，並在2024年於西安工廠陸續引進可生產三星第8代V-NAND的技術，堆疊層數將達到236層，相比其第7代V-NAND的176層數增長了34%。 這也被業界視為在當前全球NAND Flash快閃記憶體需求疲軟，導致產能下降的應對計劃。 根據公開數據顯示，三星中國半導體有限公司在2012年正是落腳中國西安高新區。 其中，三星半導體西安工廠是該公司唯一的海外內存半導體生產基地，於2014年開始運營，並在2020年增建第二座工廠後，主要以生產128層堆疊NAND Flash快閃記憶體為主，月產能達20萬片12寸晶圓，占三星NAND Flash產總量的40%以上。 資料顯示，三星在中國大陸的西安、蘇州擁有存儲晶片工廠。 其中，西安工廠是三星在華最大投資項目，主要製造3D NAND快閃記憶體晶片。三星中國西安工廠的第一期工程投資108.7億美元，而在2017年開始，三星開始展開第二期工程，兩期工程先後共投資了150億美元。 目前，三星西安工廠月產能將達到26.5萬張12英寸晶圓，占三星全球NAND快閃記憶體晶片總產量的42%。 2022年，三星半導體西安工廠產值將突破1000億元人民幣。 來源：快科技

8月份，SK海力士全球首家宣布了321層堆疊的NAND快閃記憶體，首次突破300層，但是要到2025年上半年才會量產。 一直處於存儲一哥位置的三星坐不住了，因為原本規劃2024年量產的第9代V-NAND快閃記憶體只有280層左右，2025-2026年的第10代則突破到430層以上。 被反超顯然是三星不能忍的。 三星電子存儲業務總裁李榮培(Jung-bae Lee)最新披露，第9代V-NAND進展順利，將在明年初量產，基於雙堆棧架構，達成業界最高堆疊層數。 他沒有披露具體的層數，但此前就有說法稱，會提高到300層以上，能不能超過SK海力士的321層不好說，但至少在近期是新高。 顯然，三星給第9代快閃記憶體加碼了。 來源：快科技

快科技10月17日消息，美光正式推出了7500系列SSD，主要面向數據中心存儲應用，包括了雲伺服器和企業伺服器，是全球目前唯一搭載200+層NAND快閃記憶體的主流數據中心SSD。 據悉，新款SSD改用了232層3D TLC NAND快閃記憶體晶片，具有低於1ms的服務質量（QoS）延遲，延遲時間也會更低，同時順序和隨機讀寫性能更高。 同時，其最大順序讀取速度可達7000 MB/，順序寫入速度可達5900 MB/，最大隨機讀取為1100K IOPS、最大隨機寫入為410K IOPS，表現略高於7450系列SSD。 此外，美光的232層3D TLC NAND快閃記憶體晶片採用了CuA架構，使用NAND的字符串堆疊技術，新技術可以大大減小NAND快閃記憶體的晶片尺寸，有助於降低成本。 不僅如此，美光7500系列SSD還是全球首款量產的六平面TLC NAND快閃記憶體，不但比其他同類TLC NAND快閃記憶體有著更多的平面，而且每個平面都具有獨立的讀取能力。高I/O速度、低讀寫延遲和六平面架構相結合，使其能夠提供一流的數據傳輸速度。 其他方面，美光7500系列SSD符合TCG Opan 2.01規范，得到了SPDM 1.2認證，採用了基於AES-256的硬體數據加密。 來源：快科技

快科技10月17日消息，今天，三星電子內存業務負責人Lee Jung-Bae發表文章，稱三星已生產出基於其第九代V-NAND快閃記憶體產品的運行晶片，希望明年初可以實現量產。同時三星還正在開發行業內領先的11納米級DRAM晶片。 該負責人還表示，對於DRAM三星正在研發3D堆疊結構和新材料；對於NAND快閃記憶體，正在通過增加堆疊層數、同時降低高度來實現半導體行業最小的單元尺寸。 這一計劃也將使三星的進度超過SK海力士，SK海力士曾在不久前宣布計劃在2025年開始量產321層NAND晶片。 預計三星第9代NAND快閃記憶體晶片仍將採用雙堆疊技術，其中包括在兩個獨立過程中創建NAND存儲器，然後將它們組裝在一起。 與老對手三星不同，SK海力士的300層NAND產品採用的是三重堆疊技術，每組分別堆疊120層、110層和91層，最後組合成一個晶片。 相比於三重堆疊，雙堆疊工藝在生產成本和效率上存在著不小的優勢。三星此舉也是為了用成本優勢來超越對手，從而鞏固其市場領先地位。 在去年舉辦的三星技術日上，三星表示將在2030年實現堆疊多達1000層的技術。然而如果不採用三重堆疊工藝，要實現超過400層的堆疊將是一個挑戰。因此業內人士表示三星可能會在第10代430層產品中開始採用三重堆疊技術。 來源：快科技

快科技10月16日消息，根據此前的相關報導，三星和SK海力士獲得美國無限期豁免，不需要特別的許可批准，即可為其在中國的工廠安裝帶有美國技術的製造設備。 對於三星來說這無疑是一個好消息，在取得豁免後三星也確實在採取相應措施。據Business Korea今天的報導，三星電子決定將其西安NAND快閃記憶體工廠升級到236層NAND工藝。 報導顯示，三星已開始采購最新的半導體設備，新設備預計將在2023年底交付，並於2024年在西安工廠陸續引進可生產236層（第8代）NAND的設備。 三星決定升級其西安工廠的原因主要由兩個： 第一個原因是三星想要在目前尚未復蘇的NAND晶片市場繼續保持全球領先地位。從去年年底開始的半導體市場疲軟影響到了三星NAND業務，即便是4月開始採取減產措施後也沒有明顯改變。 因此三星選擇了升級工藝來確保產品的競爭力和價格，畢竟比起第6代NAND技術，第8代新技術的晶圓投入減少了30%左右，更能平衡市場供需。 再加上由於三星的減產措施，其西安工廠的整體開工率也是大幅下降到了20%左右。 另一個原因就是美國的無限期豁免。三星西安工廠是其唯一的海外存儲半導體生產基地，第一工廠投資了108.7億美元（約合795億元人民幣），2017年開始建造的第二工廠，先後投資了150億美元（約合1097億元人民幣）。 目前三星西安工廠已經成為了世界上最大的NAND製造基地，約占了三星NAND總產量的40%。三星那麼多的投資，再加上美國現在又對其進行了豁免，升級生產工藝也就在情理之中了。 來源：快科技

據韓國總統辦公室通報，美國商務部已經同意向三星電子和SK海力士位於中國的晶圓廠提供“無限期豁免”，即美國供應商無需任何許可，就可向三星和SK還來在中國的晶圓廠供應半導體設備。 韓國總統經濟首席秘書崔尚木（Choi Sang-mok）表示：“韓國半導體企業在中國運營和投資的不確定性已大大緩解；他們將能夠冷靜地尋求長期的全球經營戰略。” 崔尚木表示，美國已經將這一決定通知了三星和SK海力士，這表明該決定已經立即生效。 據悉，針對三星電子和SK海力士在華工廠的“無限期豁免”將通過更新 Validated End-User（VEU）清單來取得。只要被納入這份清單，就無需另外取得單獨許可，代表美國出口管制的適用性實際上是被永久暫停。 對此，三星電子在一份聲明中回應稱：“通過與相關政府的密切協調，三星電子在中國的半導體生產線運營的不確定性已經大大消除。公司將繼續密切與所有相關政府保持密切合作，為全球半導體產業維護穩定的供應鏈。” SK海力士則在聲明中表示：“我們歡迎美國政府延長出口管製法規豁免的決定。我們相信這一決定將有助於全球半導體供應鏈的穩定。” 2022年10月7日，美國出台了新的對華半導體出口管制政策，限制了位於中國大陸的晶圓製造廠商獲取先進邏輯製程晶片、128層NAND快閃記憶體晶片、18nm半間距或更小的DRAM內存晶片所需的製造設備的能力，除非獲得美國商務部的許可。 這其中就包括了三星、SK海力士等外資企業在中國大陸的晶圓廠。 雖然在數日之後的，三星電子、SK海力士、台積電均獲得了美國商務部的1年豁免期的許可，他們可以在之後1年內無需辦理任何額外的手續即可獲得美國半導體設備的供應，這也使得他們位於中國大陸的工廠的生產都將暫時不會受到禁令的影響。但是，隨著這1年豁免時間即將到期，是否還能順利延長豁免許可，則成為了他們未來在華發展的首要的問題。 目前主流的NAND Flash晶片正在邁向了128層以上的更高的堆疊層數，主流的DRAM晶片也在進入10納米級。而三星和SK海力士在中國都有著龐大的NAND FlashH和DRAM產能，如果無法獲得美系先進的半導體設備，那麼不僅現有的產線運營將受影響，未來也將無法繼續進行技術升級和擴大產能，這勢必將會影響到他們在華工廠的正常運營，以及未來的產能布局和市場競爭力。 隨著此番三星和SK海力士在華工廠成功獲得“無限期豁免”，這也意味著未來三星、SK海力士在華工廠將可以繼續升級和擴產，原有的不確定性被大大消除。 有相關業內人士表示，此舉勢必會讓三星和SK海力士加大產能，而為了重新搶奪市場，雙方可能會進一步在中國市場開打價格戰。 資料顯示，三星在中國大陸的西安、蘇州擁有存儲晶片工廠。其中，西安工廠是三星在華最大投資項目，主要製造3D NAND快閃記憶體晶片。截至目前，西安廠兩期項目總投資已高達270億美元。 數據顯示，三星西安工廠月產能將達到26.5萬張12英寸晶圓，占三星全球NAND快閃記憶體晶片總產量的42%。 2022年，三星半導體西安工廠產值將突破1000億元人民幣。 SK海力士目前在中國大陸無錫、大連（從英特爾手中收購而來）擁有晶圓廠。截止至2020年，SK海力士已累計在中國投資超過200億美元，在無錫擁有4000多名員工，並於2019年完成第二工廠C2F的建設。 隨著C2F項目的持續推進，無錫工廠將承擔SK海力士DRAM晶片全球生產總量近一半的份額。此外，在2021年SK海力士還將其位於韓國青州的8英寸晶圓代工廠M8遷至了無錫，預計2022年全部投產後將月產11.5萬片8吋晶圓，高於原來韓國M8工廠的10萬片月產能。 研調機構TrendForce數據顯示，截至今年6月底，三星與SK海力士一起占據了全球近70%的DRAM和50%的NAND Flash市場。 另有數據顯示，目前三星在中國的NAND Flash工廠，投片量占該公司 NAND Flash總產能的 42.3%，全球產能占比也高達 15.3%。 SK海力士也同樣擁有約50%的DRAM產能和20%的NAND Flash產能在中國大陸。 同樣，對於韓國來說，中國也是其最大的晶片出口國。數據顯示，韓國晶片廠商將大約 60% 的晶片出口到了中國大陸，並且韓國晶片製造商在中國工廠的產能也遠高於其他國家和地區的晶片製造商。 總體而言，包括三星和SK海力士等韓國晶片製造商對中國市場的依賴程度要遠大於其他國家和地區。這也促使韓國政府一直在積極與美國政府進行斡旋，三星和SK海力士過去一年來也一直在積極的對美國政府進行游說，最終成功獲得了“無限期豁免”。 需要指出的是，目前三星正斥資170億美元在美國德克薩斯州泰勒市建設4nm製程的新晶圓廠，計劃在2023年完成，並在2024年年底開始大規模生產。 目前尚不清楚三星是否有在申請美國的晶片法案補貼，如果三星有申請的話，那麼其在中國大陸的晶圓廠的擴產有可能將會受到一定的影響。畢竟獲得美國晶片法案補貼的企業將被限制擴大在華先進位程的產能。 PS：美國可不是“好心”放過韓國和中國NAND、DRAM產業，還不是因為我們的長江存儲崛起了…… 來源：快科技

鎧俠近日宣布了他們已經開始出樣新的嵌入式快閃記憶體產品。該產品是為消費級應用所打造的，性能表現出色，符合JEDECeMMC5.1標准。鎧俠表示該eMMC快閃記憶體集成了新版本的BiCSFLASH3D快閃記憶體和控制器在單個晶片裡，減少了處理器的負載並提升了易用性。容量方面，這款快閃記憶體會提供64和128GB兩個版本。 鎧俠在新聞稿中表示，雖然市場在持續地轉向UFS快閃記憶體，但eMMC快閃記憶體在很多場景下還是需要用到的，比如說中階的平板、PC、智能電視和其他可攜式手持設備等消費級產品，還有智能網卡這些設備。 在性能方面，鎧俠表示新的eMMC快閃記憶體比上一代產品（具體型號為THGAMSG9T24BAIL（64GB）和THGAMST0T24BAIL（128GB））提升了約2.5倍的順序和隨機寫入性能；在隨機讀取性能上，新產品更是比前代產品提升2.7倍。它的壽命也有所提升，TBW大概是前代產品的3.3倍。不過鎧俠並沒有說明它的具體數值。另外，這款新產品也支持命令隊列和安全防寫這兩個在JEDECeMMCv5.1標准中作為可選項的功能。 目前，鎧俠正在出樣這款新的eMMC快閃記憶體產品，64GB版本的樣品將於本月發貨，而128GB版本的樣品計劃將於10月後發貨。它的大規模生產預計將於2024年春季開始。 ...

如今的SSD，在快閃記憶體介質上早已經是TLC遍地走、QLC越來越多，很多玩家非常懷念當年的MLC，甚至是最初的SLC。 原因無它，MLC、SLC的可靠性非常高。 快科技9月21日消息，Solidigm宣布推出其首款面向數據中心市場的超高速SLC SSD——D7-P5810。 它使用了久經考驗的144層堆疊3D快閃記憶體，但確切地說並不是原生SLC(已經絕跡了)，而是使用TLC全盤模擬SLC，專門面向高耐用性、極致寫入密集型的工作負載，Solidigm稱之為存儲級內存(SCM) SSD。 在隨機寫入場景中，它可以做到每天最高50次全盤寫入，而順序寫入更是可達每天最高65次全盤寫入。 對比美光XTR這樣的同類產品，Solidigm D7-P5810的緩存、高性能計算、數據記錄、日誌等多方面性能可高出2倍，而所需成本降低了超過80％。 應用場景簡介—— 元數據/日誌：將此類對性能敏感的數據放在SLC SSD中，從而加快系統性能，例如在Ceph集群中將SLC SSD用於專用預寫式日誌中。 緩存：SLC SSD可充當寫緩沖器或緩存，消除性能瓶頸，顯著提高應用性能，改善TCO。 分層：首先將數據寫入SLC SSD中，獲得更快的提交速度和後續讀取速度，待數據冷卻後，再將其聚合、壓縮、批量寫入下層的高容量QLC SSD，實現更高的存儲空間效率。 D7-P5810採用15毫米厚度的U.2形態，首發容量800GB，明年上半年將增加1.6TB版本。 它支持PCIe 4.0 x4、NVMe，順序讀寫速度最高6.4GB/、4GB/，4K隨機讀寫速度最高865000 IOPS、495000 IOPS，典型順序讀寫延遲10μs、13μs，典型隨機讀寫延遲53μs、15μs，空閒功耗5W，活動功耗12W。 可靠性方面，5年質保，平均故障間隔時間200萬小時，終身最大寫入量73PBW，無法糾正錯誤率(UBER)小於10^17。 來源：快科技

隨著市場對NAND快閃記憶體的需求持續減弱，三星宣布9月起增加減產幅度至50%，減少的產能主要集中在128層以下產品為主，估計其他廠商在第四季度也會跟進減產，以加速去庫存，所以估計第四季度NAND快閃記憶體價格有望持平或者小幅上漲，漲價幅度在0~5%左右。 根據TrendForce預測，NAND快閃記憶體的價格反彈會早於DRAM，由於NAND快閃記憶體供應商虧損持續擴大，銷售價格已經接近生成成本，所以廠商為了維持營運會選擇擴大減產，讓NAND的價格止跌反彈。實際上NAND快閃記憶體晶圓合約價已在8月反彈，隨著減產的擴大，客戶的備貨力度可能會回升，這會支撐9月NAND快閃記憶體晶圓合約價繼續漲，但想價格上漲持續到2024年就仍得持續減產，而且需要企業級SSD采購訂單大幅回補。 但今年市場對NAND快閃記憶體需求位元不見得會提升，再加上通用型伺服器出貨規模受到AI伺服器排擠，導致今年整個NAND快閃記憶體市場仍然不佳，到第三季度為止NAND均價仍持續下降，廠商虧損也在擴大。 以三星為例，如果他們想在年底前有效降低庫存，依賴客戶加大備貨力度是不太現實的，所以唯有嚴格控制產能才是讓供需回到合理的最佳方法，而大幅減產則有可能讓部分主要使用三星快閃記憶體的產品價格回彈，有望帶動第四季度整體位元出貨量，減少虧損。 ...