Tag: 晶圓廠

全球第三大晶圓廠台灣環球晶圓（GlobalWafers）近日發布公告稱，其與全球第四大晶圓廠德國世創（Siltronic）正在就達成商業合並協議（BGA）進行最終階段的協商，環球晶圓將以每股125歐元的價格公開收購世創流通在外的股份，交易總額達37.5億歐元，約合45億美元。 環球晶圓這次的收購股價相較世創過去90天的股價交易平均值溢價了48%，環球晶圓稱此價格為環球晶圓及世創於過去數月漫長的協商且對股價上漲的預期做出判斷後達成的共識。 此外，環球晶圓還與世創大股東瓦克化學（Wacker Chemie）達成了協議，根據協議瓦克化學承諾將其持有的所有世創股份（約占世創已發行股份總數的30.8%）於公開收購期間全部出售給環球晶圓。 公告稱，環球晶圓與世創預計將於12月第二周在取得世創監事會及環球晶圓董事會核准後進行商業合並協議的簽署，同時該公告表示，本收購案於現階段還無法確保成案，仍需取得相關機構的准許才能確定進行。 根據樂天證券的數據，2019年全球主要晶圓廠的市場份額分別為：日本信越化學（Shinetsu Semiconductor）占比32%，為全球第一大晶圓廠；日本勝高（SUMCO）占比25%，為全球第二大晶圓廠，全球第三大的台灣環球晶圓和第四大的德國世創分別占比17%和13%，那麼本次收購案之後，預計環球晶圓將一躍成為世界第二大晶圓廠，甚至有可能超過日本信越成為世界第一大晶圓廠。 ...

安森美半導體（ON Semiconductor）——大部分DIY愛好者聽到這個公司名應該是從各種板卡的詳細拆解的相關內容里看到它的，很多顯卡上的主控、Mos管就都是用的安森美的元器件。近日，安森美半導體正式宣布，它正考慮出售其位於日本新瀉縣大谷市的新瀉工廠。 該公司已經開始尋找賣方。據該公司稱，出售新瀉工廠是該公司重組計劃的一部分，該計劃旨在優化其製造基礎，並將重點更多地放在高度差異化的供電相關的電子元器件和傳感器產品上。該公司曾於2020年2月宣布，考慮出售其位於比利時的6英寸（150毫米）晶圓廠。 安森美半導體位於日本新瀉縣大谷市的新瀉工廠原本是三洋電機集團的主要半導體工廠，但安森美半導體在2011年收購了三洋電機及其集團公司的半導體業務資產。該工廠是通過汽車質量認證的工廠，並符合IATF 16949（全球質量控制行業標準）的要求。目前，該公司在其新瀉工廠生產BCD，BiCMOS，CMOS和半導體分立器件。 安森美半導體強調不會撤出日本，並擴大了位於日本福島縣會津若松的會津工廠（原富士通半導體）的8英寸晶圓生產線。2018年，該公司將其在富士通的子公司Aizu Fujitsu Semiconductor Manufacturing的股份增加到60％，並將公司名稱更改為ON Semiconductor Aizu。 ...

前段時間《華爾街日報》曾報導說台積電打算在美國建廠，因為川普對他們的施壓越來越大，不過根據台灣《電子時報》的最新消息，台積電現在還沒有類似的計劃。 今年年初以來，美國一直以安全為理由，督促各個半導體廠在美國建廠，以此希望來減少對亞洲晶片製造的依賴，此前也有消息說台積電一直在尋找台灣之外的建廠位置，美國也是其中之一。 但根據最新的消息，台積電表示，他們還沒有計劃建造任何新的晶圓廠，盡管他們沒有排除在美國建廠的可能性，不過董事長在接受《電子時報》采訪時劉德音就表示台積電在美國建廠並不劃算，因為生產成本與台灣的工廠高太多了，如果他們真在美國建廠，那是出於客戶的需求考慮的。 台積電即將迎來新的一輪忙碌，5nm的生產線今年就會啟動，蘋果的A14與海思的麒麟1000就是首批客戶，NVIDIA也把部分安培GPU交給台積電生產，AMD那邊也有兩款新主機的處理器以及各種CPU、GPU用台積電的7nm生產線。 預計明年台積電就會開始3nm工藝的風險試產，而2022年下半年就應該可以大規模量產，而更先進的2nm工藝的初步研發工作也開始了，隨著工藝的升級，新廠房的建設應該是早晚的問題，只不過台積電也有升級舊廠房的可能性。 ...

晶圓代工產業是一個產值500多億美元的大行業，但是這個行業可能並不能讓每個廠商都賺到錢——台積電去年以342億美元的營收占據了全球晶圓代工市場56%的份額，並且以114億美元的淨利潤傲視其他對手。除了台積電，全球其他純晶圓代工廠商的日子並不好過，Globalfoundries格羅方德（以下簡稱GF）盡管是全球第二大晶圓代工廠，但近幾年的日子一直過得緊緊巴巴，7nm先進工藝也沒錢跟了。不僅砍掉先進工藝，GF還在不斷推進瘦身計劃精簡業務，減少虧損，此前GF把新加波的Fab 3e工廠低價賣給了台積電，現在GF又要賣掉美國紐約州的Fab10晶圓廠，這是一座12英寸（300mmm）晶圓廠，出售給安森美的價格只有4.3億美元。 從AMD晶圓製造業務拆分而來的GF公司如今已經是阿聯酋石油土豪基金穆巴達拉投資下屬的ATIC公司的全資子公司，目前在美國、德國、新加坡及中國等等地擁有5個8英寸晶圓、5個12英寸晶圓廠，製程工藝涵蓋350nm到12nm。 雖然GF公司多年來已經成長為全球第二大晶圓代工廠（三星不算純晶圓代工廠），但是GF多年來一直不能盈利，燒錢燒到石油土豪也不願意砸錢跟着玩了，早前傳聞ATIC要出售掉GF公司，傳聞接盤的是三星半導體，不過官方之前已經否認出售GF，GF財務穩定，依然會得到阿布扎比投資激進的鼎力支持。 盡管不會出售，但是GF改革這一步是跑不了，ATIC方面對長期虧損運營已經不能忍了，而要想結束虧損，精簡掉不賺錢的業務是少不了了，所以這一年來GF多次出售晶圓廠了，此前GF宣布將新加坡的Fab 3E晶圓廠作價2.4億美元出售給台積電下屬的世界先進公司，這是一座8英寸晶圓廠，月產能依然有3.5萬片晶圓。 賣掉這個8英寸晶圓廠之後，GF日前又宣布與安森美達成了戰略合作協議，安森美半導體收購格芯位於美國紐約州東菲什基爾的300mm工廠，收購價為4.3億美元，其中1億美元在簽訂最終協議時支付，剩餘的3.3億美元在2022年底前支付。 此後安森美將獲得該工廠的全部運營控制權，該工廠的員工將轉移到安森美。交易的完成須經監管部門批准且滿足其他常規的交割條件。 該協議將使安森美在幾年內增加其在東菲什基爾工廠的300mm產量，也將使格芯將其眾多技術轉移至其他三個300mm規模化核心工廠。根據協議條款的規定，格芯將生產用於半導體的300mm芯片，直至2022年底。安森美首批300mm芯片的生產預計將於2020年啟動。 該協議還包括技術轉讓、發展協議以及技術授權協議，將會提供一個經驗豐富的世界級300mm製造和開發團隊，使安森美的晶圓工藝從200mm轉變為300mm。安森美也將即刻獲得先進的CMOS產能，其中包括45nm 和65nm兩個技術節點。這些工藝將為安森美未來的技術發展奠定基礎。 值得一提的是，GF公司在美國紐約州馬耳他市還有別的12英寸晶圓廠，主要生產14nm及12nm工藝，也是AMD CPU、GPU的主產地，但這部分業務會是GF公司的核心，不會出售的。即便AMD公司今年要進入7nm節點工藝了，但14nm及12nm工藝依然會長期存在，銳龍三代、EPYC二代處理器依然離不開14nm工藝的IO核心。 來源：超能網

在全球晶圓代工市場每年500多億美元的產值中，TSMC台積電一家獨大，占了60%的份額，而且壟斷了高端代工市場，導致其他幾家廠商幾乎都是艱難度日，Globalfoundries（格羅方德，簡稱GF）去年8月份宣佈退出7nm工藝及以下工藝研發、生產，轉而押注RF射頻、FD-SOI等特殊工藝。作為戰略調整的一部分，GF今天宣佈以2.36億美元的價格將新加坡的Fab 3E 8英吋晶圓廠賣給台積電旗下的世界先進公司，這個價格對一座月產能3.5萬片的8英吋晶圓廠來說低的驚人。 GF公司的晶圓廠主要位於德國、美國、新加坡及中國，其中德國德累斯頓的晶圓廠來自於收購的IBM晶圓業務，主要工藝是FD-SOI，美國紐約州的Fab 8晶圓廠主要是14nm及12nm工藝，是AMD銳龍CPU、北極星GPU的主產地，新加坡的工廠主要來自收購的特許半導體，在中國主要投資了成都的12英吋FD-SOI晶圓廠。 說起來這次賣掉的新加坡Fab 3E晶圓廠還差點轉移到中國，2016年的時候GF跟重慶市政府談判投資建廠，他們以新加坡8英吋晶圓廠的二手生產設備及技術為籌碼與重慶市政府合資建廠，第一階段投資主要就是新加坡工廠的40nm及以上工藝，當時也不算多先進了，但GF要求占股51%，最終沒談攏，後來才有了成都政府的12英吋FD-SOI晶圓廠。 由於GF公司的戰略調整，一些自己不擅長的工藝、業務都要調整，新加坡的Fab 3E工廠應該是早就計畫處理的，這次就以2.36億美元的價格收購給了台積電旗下子公司世界先進，後者除了獲得Fab 3E工廠、員工之外，還會獲得MEMS業務的知識產權，交易將在2019年12月31日前完成，在此之前GF會繼續運營Fab 3E工廠。 新加坡Fab 3E工廠雖然是8英吋的，但是月產能依然有3.5萬片晶圓，工廠再加上知識產權作價不到2.4億美元，哪怕8英吋工廠的設備早就過了折舊期，這個收購價也是非常低的，讓人有點搞不懂GF為何如此捨得割肉，這麼低價賣掉只可能是Fab 3E晶圓廠業務不賺錢，還在虧損。 GF公司CEO Tom Caulfield表示這次的交易是他們整合全球製造業的戰略的一部分，未來GF在新加坡的業務重點會放在明顯差異化的技術上，比如RF射頻、嵌入式存儲器及模擬芯片等。未來GF在新加坡的8英吋晶圓業務將整合到一個園區中以便降低運營成本。 對台積電來說，2.36億美元收購一座3.5萬片產能的8英吋晶圓廠也不亞於撿到寶了，此前台積電宣佈擴建8英吋晶圓廠，這是15年來台積電首次增加8英吋產能。在過去兩年中，8英吋晶圓廠大受追捧，因為汽車電子、電源芯片、指紋識別芯片等半導體產品對先進工藝要求不高，但對價格很敏感，而市場上的8英吋晶圓廠早就過了折舊期了，生產成本低，大受芯片廠商追捧，以致於8英吋全球產能都不夠用了，比12英吋還要吃香。 來源：超能網

2018年下半年英特爾忽然出現了14nm產能不足的危機，這件事已經影響了CPU、主板甚至整個PC行業的增長，官方也承認了14nm產能供應短缺，並表示已經增加了額外的15億美元支出擴建產能。12月中旬英特爾宣佈擴建美國俄勒岡州以及以色列、愛爾蘭的晶圓廠產能，未來將大大緩解供應不足的問題，將供應時間縮短60%以上。英特爾這次的產能擴張計畫有對應14nm的，但是並不是應急用的，也有面向未來工藝的，其中俄勒岡州的D1X晶圓廠第三期工程就是其中之一，未來英特爾的7nm EUV處理器會在這里生產。 我們之前報導過，英特爾在全球多個地區有晶圓製造及封測基地，其中美國本土有俄勒岡、亞利桑那、新墨西哥三處，2017年英特爾宣佈投資70億美元升級亞利桑那州的Fab 42晶圓廠，主要針對未來的7nm及更先進的工藝。 在俄勒岡州的D1X晶圓廠中，英特爾2010年以來已經建設了兩期工程，占地面積超過220萬平方英呎，而最近這次宣佈的工廠擴建計畫會再建設一座同樣規模的晶圓廠，面積為110萬平方英呎，這是未來四年英特爾長期建設計畫中的一部分。 目前英特爾官方還沒有公佈具體的信息，投資金額也沒有明確，但是建設現代化12英吋晶圓廠的資金高達數十億美元，而D1X三期工程是用於7nm EUV工藝的，投資規模應該不會低於亞利桑那州的Fab 42晶圓廠擴建計畫。 雖然英特爾現在10nm工藝還沒量產，要到今年底才能首先出貨移動版10nm冰湖處理器，2020年才有可能大規模量產桌面版、服務器版，但是下下代7nm EUV工藝會吸取10nm工藝上的教訓，不會盲目追求高指標，量產進度會比10nm更順利（希望如此），而工廠建設、設備安裝調試需要兩三年的時間，英特爾的7nm EUV工藝量產要到2021-2022年才有可能了。 來源：超能網

隨着NAND閃存及DRAM記憶體不斷降價，2019年存儲芯片市場將迎來一輪熊市。為了應對降價導致的損失，三星、SK Hynix及美光都計畫削減資本支出，不過削減並不意味着他們不再建設芯片工廠了，就在本週三SK Hynix正式開工建設第七座半導體芯片工廠M16，總投資不低於15萬億韓元（約133億美元），雖然還沒確定最終生產DRAM記憶體還是NAND閃存芯片，但是這座晶圓廠將會用上最先進的EUV光刻工藝。 今年10月份SK Hynix才剛剛建成最新的M15晶圓廠，這是2015年全球最大的存儲芯片工廠M14落成時SK Hynix宣佈的46萬億韓元投資計畫中的一部分，M15工廠位於韓國忠清南道的清州市，投資額高達15萬億韓元，主要生產3D NAND閃存，初期將生產現在的72層堆棧3D NAND，不過明年初就會轉向96層堆棧的3D NAND閃存。 M15工廠之後就是現在的M16工廠了，本週三也就是19日正式舉行開工典禮，預計2020年正式建成，總投資額還沒確定，不過也不會低於15萬億韓元，其中基礎設施建設就要3.5萬億韓元，戰地面積30英畝。這座工廠最終會生產DRAM記憶體還是NAND閃存都沒確定，SK Hynix表示這要看落成時的市場需求以及工廠的技術水平來決定。 不過有一點可以肯定的，M16工廠將會用上最先進的EUV光刻工藝——存儲芯片跟邏輯芯片不同，雖然對EUV光刻工藝的需求沒那麼高，不過三星、SK Hynix依然計畫在未來使用EUV工藝生產存儲芯片，而美光對EUV的態度就比較保守，未來兩代的記憶體芯片依然不會用到EUV光刻工藝。 在韓國之外，SK Hynix在中國無錫也有DRAM芯片晶圓廠，目前的一期工程產能在10-12萬片晶圓/月，是全球重要的DRAM芯片基地之一。今年早些時候SK Hynix還宣佈投資86億美元在無錫建設第二座記憶體工廠，預計完成後記憶體產能將達到20萬片晶圓/月。 來源：超能網

隨著NAND快閃記憶體及DRAM記憶體不斷降價，2019年存儲晶片市場將迎來一輪熊市。為了應對降價導致的損失，三星、SK Hynix及美光都計劃削減資本支出，不過削減並不意味著他們不再建設晶片工廠了，就在本周三SK Hynix正式開工建設第七座半導體晶片工廠M16，總投資不低於15萬億韓元（約133億美元），雖然還沒確定最終生產DRAM記憶體還是NAND快閃記憶體晶片，但是這座晶圓廠將會用上最先進的EUV光刻工藝。 今年10月份SK Hynix才剛剛建成最新的M15晶圓廠，這是2015年全球最大的存儲晶片工廠M14落成時SK Hynix宣布的46萬億韓元投資計劃中的一部分，M15工廠位於韓國忠清南道的清州市，投資額高達15萬億韓元，主要生產3D NAND快閃記憶體，初期將生產現在的72層堆棧3D NAND，不過明年初就會轉向96層堆棧的3D NAND快閃記憶體。 M15工廠之後就是現在的M16工廠了，本周三也就是19日正式舉行開工典禮，預計2020年正式建成，總投資額還沒確定，不過也不會低於15萬億韓元，其中基礎設施建設就要3.5萬億韓元，戰地面積30英畝。這座工廠最終會生產DRAM記憶體還是NAND快閃記憶體都沒確定，SK Hynix表示這要看落成時的市場需求以及工廠的技術水平來決定。 不過有一點可以肯定的，M16工廠將會用上最先進的EUV光刻工藝——存儲晶片跟邏輯晶片不同，雖然對EUV光刻工藝的需求沒那麼高，不過三星、SK Hynix依然計劃在未來使用EUV工藝生產存儲晶片，而美光對EUV的態度就比較保守，未來兩代的記憶體晶片依然不會用到EUV光刻工藝。 在韓國之外，SK Hynix在中國無錫也有DRAM晶片晶圓廠，目前的一期工程產能在10-12萬片晶圓/月，是全球重要的DRAM晶片基地之一。今年早些時候SK Hynix還宣布投資86億美元在無錫建設第二座記憶體工廠，預計完成後記憶體產能將達到20萬片晶圓/月。 ...

今年Q3季度英特爾突然曝出了14nm產能危機，這件事不僅影響了英特爾自己的產品路線圖，還導致整個PC業界也受到了負面影響，筆記本、主板甚至存儲市場都不同程度下滑。為瞭解決14nm產能危機，英特爾早前已經宣佈額外增加15億美元的資本支出，提高14nm產能。本週一，英特爾宣佈擴建美國俄勒岡州以及以色列、愛爾蘭的晶圓廠產能，未來將大大緩解供應不足的問題，將供應時間縮短60%以上。 在14nm晶圓廠上，英特爾最初是規劃了三座晶圓廠率先升級14nm工藝，包括美國本土俄勒岡州的D1X晶圓廠、亞利桑那州的Fab 42晶圓廠及愛爾蘭的Fab 24晶圓廠，不過Fab 42晶圓廠升級14nm工藝的計畫前幾年被擱置了，不過去年英特爾宣佈投資70億美元升級Fab 42晶圓廠，但這個是面向未來的7nm工藝的，工廠還在建設期。 英特爾在全球的產能分佈，綠色的是封測工廠，藍色的是晶圓廠 本週一，英特爾宣佈了最新動向，除了Fab 42工廠建設以及新墨西哥州的新一代存儲芯片工廠之外，還提到擴建美國俄勒岡州以及以色列、愛爾蘭的晶圓廠產能，目前正在處於製造場地擴建的早期規劃階段，預計2019年展開更多建設活動。 英特爾表示擴建額外的工廠空間可以幫助英特爾更快速響應市場需求，將供應所需的時間縮短60%。 此外，英特爾還提到在自己生產之外還會有選擇地使用代工廠，言外之意就是證實了之前的外包部分芯片給台積電等代工廠的消息，不過目前依然沒有詳情。 對於這次的官方聲明，聯系前不久英特爾日本總裁所說的「2019年底一定會解決產能不足的問題」的表態，看起來英特爾擴建14nm產能的動作才是剛剛開始，英特爾現在只是擴建工廠而非新建工廠，但也要幾個月時間才能完成基礎設施及設備安裝工作，14nm產能看樣子還要短缺一段時間。來源：超能網

在英特爾的轉型業務中，存儲晶片業務未來會占據更多的比重，盡管目前營收的絕對主力是客戶端及數據中心處理器。英特爾的快閃記憶體業務是跟美光合資的，也就是IMFT公司，不過IMFT現在是美光為主，在第四代3D NAND快閃記憶體及第二代3X XPoint快閃記憶體之後，英特爾將與美光公司和平分手，雙方各自研發、生產自家的快閃記憶體晶片。英特爾公司三年前宣布將中國大連的Fab 68晶圓廠改造為NAND工廠，總投資55億美元，現在二期工廠已經投產了，主要生存96層堆棧的3D NAND快閃記憶體。 在全球NAND快閃記憶體市場上，三星份額達到37%，東芝、西數分別在20%、15%左右，其次是美光、SK Hynix，英特爾是六家廠商中份額最少的，不足10%，這也導致英特爾的NAND快閃記憶體及SSD硬碟主打企業級市場，消費級SSD就是玩玩，影響力遠不如三星、東芝、美光等，根源問題則是英特爾沒有獨立的NAND快閃記憶體產能。 2015年英特爾宣布將在中國大連的Fab 68工廠建設二期工程，主要生產非易失性存儲器，也就是NAND快閃記憶體，項目總投資不超過55億美元。如今經過三年的建設，Fab 68二期工廠正式投產，主要生產96層3D NAND快閃記憶體，這也意味著英特爾未來的3D NAND快閃記憶體產能將會大增。 英特爾公司2006年與大連市政府達成合作協議，2007年起在大連投資25億美元建設12英寸晶圓廠，主要負責處理器封裝測試，2010年大連工廠正式落成。 未來大連Fab 68工廠將成為英特爾最重要的NAND快閃記憶體生產基地，70%的3D NAND快閃記憶體將產自這里，不過在3D XPoint快閃記憶體上，英特爾正在把研發基地移師新墨西哥州奧蘭珠市的工廠，預計會增加100多個工作崗位。 目前英特爾與美光的3D XPoint快閃記憶體主要是在美國猶他州的工廠生產，雙方將繼續通力合作完成第二代3D XPoint技術開發，最終將會在2019年上半年完成並開始推出市場。但之後兩家就會分道揚鑣，各自開發基於3D XPoint技術的第三代產品。 ...

韓國的SK Hynix是全球重要的記憶體、快閃記憶體晶片供應商之一，DRAM記憶體市場份額高達28%，僅次於三星，NAND市場份額占全球10%。在存儲晶片之外，SK Hynix也在尋求擴大半導體業務，本周二該公司宣布與中國無錫實業發展集團成立合資公司，在中國境內建立200mm晶圓廠，主要做模擬IC代工，預計明年完工。 許多人不知道的是，SK Hynix本身也是有晶圓代工業務的，2017年該部門營收2.6億美元，不過只占全球晶圓代工市場的0.4%，完全可以忽略不計，而SK Hynix也一直在尋求擴大晶圓代工業務，只不過韓國本土的晶圓廠已經老化，SK Hynix這次選在中國無錫投資建廠。 根據SK Hynix公布的信息，該公司旗下負責代工業務的SK Hynix System IC（簡稱SHSI）子公司將與中國無錫實業發展集團合作，後者出資3.5億美元與SHSI成立合資公司，占股49.9%，SHSI占股50.1%。 雙方將在無錫建設一座200mm晶圓廠，SK Hynix將把韓國首爾東南部130公里外的清州M8工廠生產線部分設備轉移到中國無錫的工廠，預計2019年完成新工廠建設。 雙方合資的200mm晶圓廠相比滿大街的300mm晶圓廠不算先進，不過SK Hynix的代工重點主要是模擬IC晶片生產，比如傳感器、電源管理晶片等等，並不需要太先進的工藝，200mm晶圓廠也夠了。 另外，SK Hynix雖然把韓國本土的晶圓廠拆除了，但該公司承諾將研發留在韓國，轉移的主要是生產設施，畢竟中國模擬晶片市場空間巨大，本土生產能夠獲得更多優勢。 中國無錫是SK Hynix的投資重點，目前SK Hynix在無錫擁有一座DRAM晶圓廠，月產能高達10萬片晶圓以上，是全球重要的DRAM晶片生產基地之一。去年SK Hynix宣布建設二期DRAM工廠，投資86億美元，目前正在建設中。 ...