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一、前言：長江存儲打造的高可靠性、超低溫度的OEM SSD產品 有一句來形容長江存儲SSD特別合適——真金不怕火煉！ 2021年曾短暫的興起過硬碟挖礦風潮中，大量用戶使用SSD挖一種名叫CHIA的虛擬貨幣，這種行為能在40天內摧毀一個寫入壽命300TBW的SSD。 長江存儲就是礦工們最愛的SSD品牌，因為大量的致鈦PC005 Active 512GB SSD在寫入400TBW甚至500TBW之後，依然擁有相當高的健康度，遠超其320TBW的既定寫入壽命。 長江存儲原廠3D NAND快閃記憶體的品質可見一斑！ 除了超強的可靠性之外，基於晶棧Xtacking 3.0架構的NAND也是業內首款I/O速度達到2400MT/的快閃記憶體顆粒。 當前很多PCIe 4.0 SSD其快閃記憶體I/O接口速度大都為1600MT/，想要跑到7000MB/以上的讀寫速度需要配備8通道主控，這也是高端PCIe 4.0 SSD高溫的最重要原因。 搭配了長江存儲I/O速度2400MT/快閃記憶體的SSD，只需要搭配4通道主控晶片，就能輕易跑到7400MB/。 對於主控而言，通道數越多，高負載下功耗越高，因此搭載長江存儲新一代晶棧Xtacking 3.0架構NAND快閃記憶體的SSD產品，可以在極低的溫度和功耗下達成旗艦級性能。 最近我們拿到了機械革命極光Pro筆記本，搭載了長江存儲PC411 1TB PCIe 4.0 SSD，下面我們來看它的磁碟性能表現。 這是蛟龍16S的內部構造，雙風扇五熱管的散熱系統，中間是兩條DDR5 4800MHz 8GB內存，網卡用的是Intel AX201 Wi-Fi 6。 右側有兩個M.2 2280接口，上邊那個插著長江存儲PC411 1TB SSD，沒有安裝散熱片。 長江存儲PC411...

一、前言：搭載長江存儲PC411 512GB SSD的機械革命蛟龍16S 不久前我們測試過某品牌的筆記本，其搭載的PCIe 4.0 SSD在高負載運行時溫度輕松突破70度，導致性能下降了20%左右。 對於筆記本而言，由於無法像桌上型電腦那樣給SSD安裝厚重的散熱裝甲，在搭載高性能PCIe 4.0 SSD時，很容易出現溫度失控的情況。 不過最近我們拿到的機械革命蛟龍16S筆記本有點打破常規，它搭載了長江存儲PC411 512 GB PCIe 4.0 SSD，沒有安裝任何散熱片，溫度卻比很多配備了散熱片的PCIe 4.0 SSD更低。 主流PCIe 4.0 SSD的快閃記憶體I/O接口速度大都為1600MT/，需要八通道主控才能實現7GB/以上的讀寫速度。 對於主控而言，通道數越多，高負載下功耗越高，溫度自然也就越高。 長江存儲PC411系列搭載了基於晶棧Xtacking® 3.0架構的NAND快閃記憶體，I/O速度高達2400MT/，相比市面上同類產品速度提升50%以上，只需要四通道就能跑滿PCIe 4.0 x4的極限帶寬。 正因為如此，這款SSD功耗極低，無需散熱片就能穩定運行，非常適合筆記本。 下面我們把筆記本拆開看看： 這是蛟龍16S的內部構造，雙風扇四熱管的散熱系統，中間是兩條DDR5 5600MHz 8GB內存，網卡用的是AW-XB591NF，也就是MediaTek MT7922。 左側有兩個M.2 2280接口，上邊插的就是長江存儲PC411 512GB...

SLC、MLC、TLC、QLC……NAND快閃記憶體一路發展下來，存儲密度越來越高，而壽命和可靠性不斷下滑，比如作為最關鍵的衡量指標，P/E(編程/擦寫循環)次數就越來越少。 根據維基百科的資料顯示，SLC快閃記憶體的P/E可以達到5000-10000次之多，MLC一般在1000-10000次范圍，TLC目前最高就只能做到3000次，QLC的話一般不超過1000次。 不過，長江存儲憑借獨特、優秀的Xtacking晶棧架構設計，走出了屬於自己的特色道路，快閃記憶體壽命可靠性大大提升。 比如長江存儲新一代的QLC 3D NAND快閃記憶體，內部代號“X3-6070”，就有著極為優秀的素質，可滿足企業級、消費級、嵌入式全場景的應用需求。 根據官方介紹，長江存儲X3-6070 QLC快閃記憶體的IO接口傳輸速度達到了2400MT/，相比上代的1600MT/提升了足足50％，同時讀取、寫入速度都有著接近100％的提升。 更不可思議的是可靠性和壽命，它的P/E居然能做到驚人的4000次，是普通QLC快閃記憶體的4倍！ 據長江存儲的工作人員透露，他們的QLC快閃記憶體之所以能做到這一點，一方面來自獨特的Xtacking晶棧架構，另一方面也是工藝和技術日漸成熟的結果。 當然，不是所有的QLC都能達到這麼高的水平，一要看具體品質和良品率，而要看用在什麼領域，比如企業級SSD上使用的肯定壽命更長一些。 比如說去年9月份發布的致態Ti600，，面向消費級市場，其性能可媲美高端的PCIe 4.0 SSD。 它的具體P/E次數沒有公開。考慮到這類產品的寫入放大一般在3-5倍，再加上固件算法設置等因素，倒推致態Ti600 SSD的P/E大概在2000次左右，是普通QLC的兩倍左右，相當可靠了。 同時，致態Ti600 1TB版本的最大寫入量多達400TBW，按照五年保質期計算，平均每天可以寫入219GB，完全能夠滿足消費級用戶的使用。 值得一提的是，在OEM領域，長江存儲的下一代PC41Q SSD也將引入QLC，可用於筆記本、台式機、一體機等設備。 它支持PCIe 4.0 x4、NVMe 1.4，讀寫帶寬5.5GB/，動態功耗低於4W，PS4待機功耗低於2mW。 可靠性和數據保持能力方面也足以媲美TLC快閃記憶體，比如說平均故障間隔時間達200萬小時，可以在30℃環境下穩定保存數據1年之久。 可以說，QLC快閃記憶體已經到了真正可以普及的新階段，尤其是長江存儲的QLC，完全可以讓普通消費者乃至企業級客戶都放心長期使用，無論性能還是壽命都無需任何顧慮。 來源：快科技

快科技3月28日消息，在中國快閃記憶體市場峰會上，長江存儲展示了他們的QLC快閃記憶體PE壽命，表現非常不錯。 據悉，採用第三代Xtacking技術的X3-6070 QLC快閃記憶體達到了4000次P/E的擦寫壽命，是上代產品的4倍！ 要知道，常規的MLC快閃記憶體也只能做到3000次左右。 據長江存儲的工作人員透露，他們的QLC快閃記憶體之所以能做到4000次P/E，一方面來自獨特的Xtacking精湛架構，另一方面也是工藝和技術日漸成熟的結果。 當然，不是所有的QLC都有這麼高的水平，要看品質和良率。 在OEM領域，長江存儲的下一代PC41Q將引入QLC，可用於筆記本、台式機、一體機等。 它支持PCIe 4.0 x4、NVMe 1.4，讀寫帶寬5.5GB/，動態功耗低於4W，PS4待機功耗低於2mW，並擁有媲美TLC的高可靠性和數據保持能力，平均故障間隔時間達200萬小時，可以在30℃環境下穩定保存數據1年之久。 來源：快科技

快科技3月22日消息，近日的中國快閃記憶體市場峰會上，長江存儲展示了一系列產品和技術解決方案。雖然因為種種原因，太多東西不能說，但依然有驚喜。 比如新一代QLC 3D NAND快閃記憶體，內部代號“X3-6070”，就有著極為優秀的素質，可滿足企業級、消費級、嵌入式全場景的應用需求。 它的IO接口速度達到了2400MT/，相比上代的1600MT/提升了足足50％，同時讀取、寫入速度都有著接近100％的提升。 更不可思議的是可靠性和壽命，P/E編程擦寫循環居然能做到驚人的4000次，是上代產品的4倍！ 要知道，常規的MLC快閃記憶體也只能做到3000次左右的P/E，TLC快閃記憶體初期僅為100-150次，成熟後不過1000次左右，企業級增強版也只有3000次。 據長江存儲的工作人員透露，他們的QLC快閃記憶體之所以能做到4000次P/E，一方面來自獨特的Xtackig精湛架構，另一方面也是工藝和技術日漸成熟的結果。 當然，不是所有的QLC都有這麼高的水平，僅限企業級產品，而且要看良品率，消費級最高可以做到2000次左右。 具體到實際產品中，情況也會有所不同，要看產品定位和設計，要結合寫入放大因素，比如長江存儲自有品牌的首款QLC產品，，估計只有600次左右。 在OEM領域，長江存儲的下一代PC41Q將引入QLC，可用於筆記本、台式機、一體機等。 它支持PCIe 4.0 x4、NVMe 1.4，讀寫帶寬5.5GB/，動態功耗低於4W，PS4待機功耗低於2mW，並擁有媲美TLC的高可靠性和數據保持能力，平均故障間隔時間達200萬小時，可以在30℃環境下穩定保存數據1年之久。 除了QLC快閃記憶體外，長江存儲還展示了企業級SSD和嵌入式UFS/eMMC等產品。 來源：快科技

快科技3月20日消息，據媒體報導稱，華為正在積極研發一種前沿的“磁電”存儲技術，該技術有望徹底改變數據存儲行業的格局。 據悉，這種新型“磁電磁碟”（MED）技術不僅在速度上遠超現有的SSD等存儲設備，更在能效和容量上實現了前所未有的突破。 在能耗方面，新型“磁電”存儲每PB耗電僅為71W，相比傳統的磁性硬碟驅動器（HDD）節能高達90%，這無疑為數據中心和大型企業節省了大量的能源成本。 在性能方面，華為預計每機架的MED性能將達到驚人的8GB/，這一速度比檔案磁帶裝置的最高性能提升了2.5倍。這將極大地提升數據中心的數據遷移速度，使其在處理大規模數據時更加高效。 此外，新型“磁電”存儲技術還在容量上實現了突破。第一代MED設備預計每個“磁碟”可提供約24TB的容量，使得一個機架系統能夠積累超過10PB的數據。 而令人驚訝的是，在提供如此巨大容量的同時，該系統的功耗僅為2千瓦。該解決方案將於2025年推出。 來源：快科技

快科技3月19日消息，調研機構TrendForce給出的報告顯示，隨著SSD等存儲持續漲價，這也讓不少頭部廠商開始來擴大產能。 在NAND Flash漲價將持續至第二季的預期下，部分供應商為了減少虧損、降低成本，並寄望於今年重回獲利。今年三月起鎧俠、西部數據率先將產能利用率恢復至近九成，其餘業者均未明顯增加投產規模。 據悉，本次擴大投產主要集中112層及部分2D產品，有望在今年實現獲利，並進一步帶動2024年NAND Flash產業供應位元年增率達10.9%。 TrendForce預計，NAND Flash合約價漲幅自第二季起，將收斂至10~15%，至第三季會再降至0~5%。 在這之前，經歷一年多的供過於求之後，三星電子的 NAND 快閃記憶體售價一度持平成本，因此其計劃與大客戶進行談判，將價格拉回到合理水平上。 現在的情況是，NAND的臨時交易價格一直在上漲，部分品類價格已高於2022年1月水平，市場仍然彌漫著減產帶來的不安情緒。 來源：快科技

快科技2月2日系消息，長江存儲發布了新款消費級固態硬碟產品——致態TiPlus 7100。 這款固態硬碟採用長江存儲最新一代TLC快閃記憶體，可實現高達7000 MB/的順序讀取速度。 其擁有512GB、1TB、2TB、4TB四種容量設計，現在4TB版已經來到我們評測室。 致態TiPlus 7100固態硬碟採用晶棧Xtacking 3.0架構快閃記憶體，高達2400MT/的快閃記憶體接口帶寬，對比上一代速度提高了50%。 在無緩設計，四通道方案下，給予硬碟最高7000MB/和6000MB/的連續讀寫速度，實現了近乎PCIe4.0的飽和性能。 TiPlus7100採用M.2 2280規格，單面PCB設計，有利於一體機、超薄本、遊戲本、PS5等小空間設備安裝擴容，靈活的兼容性全方位支持Gen4及大部分Gen3系統。 來源：快科技

一、前言：長江存儲推出首款第四代三維晶片架構的SSD 突破“不可能三角” 從長江存儲推出晶棧Xtacking 3.0架構的新一代NAND快閃記憶體之後，無論是廠商還是消費者，對其性能表現的風評都是贊不絕口。 長江存儲原廠的致態系列，也成為市場上點名率極高的SSD產品，TiPro 7000、TiPlus 7100、TiPlus 5000等等，都是大量DIY玩家裝機的首選，受歡迎程度可見一斑。 快科技要評測的這款新品SSD——長江存儲PC411，它是一款採用了長江存儲第四代3D NAND晶片晶棧Xtacking 3.0架構的消費級（PC OEM）產品。 長江存儲推出這款新品，主要是為了解決高性能、低功耗、高性價比的“不可能三角”，為PC OME客戶和消費者提供更多、更好的選擇。 長江存儲晶棧Xtacking架構的原理就是在兩片獨立的晶圓上，分別加工外圍電路和存儲單元，然後在晶片封裝階段將兩者合二為一，更高效率的同時也實現了更高的密度、更快的速度。 得益於晶棧Xtacking 3.0，NAND快閃記憶體可以輕松實現高達2400MT/的速率，比如以往需要8通道才能達到PCIe 4.0 x4上限（8000MT/），如今只需要4通道就可以實現總線飽和（Saturate the Bus）。 當然，還有一些控制指令也會占用總線帶寬，所以用戶看到的數據傳輸的速度是7000MB/左右。 同時，PC411去掉“多餘的”DRAM並將NAND通道數減半，最大挖掘出潛力的同時，從而實現降低了25%的功耗。 有了這些技術的加持，長江存儲PC411 SSD可以達到理論7000MB/的最大順序讀取速度、6000MB/的最大寫入速度，輕松吃滿PCIe 4.0 x4帶寬。 來源：快科技

快科技12月8日消息，今天，長江存儲旗下致態正式發布了Ti600 4TB大容量版本的SSD，目前已在京東和天貓官方旗艦店開售，價格為1299元。 致態Ti600 4TB容量版本採用了基於長江存儲晶棧Xtacking 3.0架構的QLC原廠顆粒，支持PCIe4.0、NVMe2.0協議，順序讀速達到了7000MB/，順序寫入速度為6000MB/。 而且在晶棧Xtacking 3.0架構的加持下，單顆晶片的接口速度就達到了2400MT/。 同時致態Ti600 4TB容量版本還採用了2280規格、單面PCB設計，能夠兼容Gen4及大部分Gen3系統，滿足各類筆記本、台式機、PS5等設備的加裝與擴容需求。 同時致態Ti600還採用了HBM機制以及SLC Cache智能緩存，加速商務辦公、個人娛樂、3A遊戲等場景。 同時還支持致態Smart Tool管理軟體，可實時掌握固態硬碟工作狀態、健康情況、溫度表現等，還可輕松進行固件升級。 在耐用性上，致態Ti600 4TB版本耐用等級達到了1600TBW，平均無故障連續運行時間為150萬小時，還提供5年質保。 來源：快科技

快科技12月8日消息，長江致態發布了4TB SSD，不過是兩個版本，一個是QLC顆粒，而另外一個是TLC顆粒。 先說最便宜的Ti600，讀取寫入速度跟TiPlus 7100保持一致（4TB版本），不過耐用等級只有1600TBW，對應的價格也更便宜，1299元（QLC顆粒）。 TiPlus 7100 4TB採用長江存儲原廠 TLC 顆粒，支持PCIe 4.0，順序讀取速度 7000 MB/，順序寫入速度6000 MB/，隨機讀取速度900k IOPS，隨機寫入速度800k IOPS，耐用等級2400TBW。 再來說下，很顯然TiPlus 7100 4TB是來搶三星990 Pro的市場，而同版本下，兩者的參數相差不是很多主要集中在讀寫速度上。 在PCIe4.0的性能上，三星990 Pro 4TB無疑更強勁，其讀寫速度分別是7450MB/和6900MB/，隨機性能則是1600K和1550K IOPS。 雖然TiPlus 7100 4TB在上述參數上落後，但畢竟便宜了700元，所以整體上來說，也是主打性價比，而兩者總寫入字節數（TBW）都是2400。 所以不想出現0E問題的話，還有性價比的話，大家都知道怎麼選了？ 來源：快科技

快科技12月8日消息，今天，長江存儲致態正式發布了Ti600和TiPlus7100的4TB容量版本，售價分別為1299元和1799元。 其中Ti600 4TB版本採用了長江存儲原廠QLC顆粒，採用了晶棧Xtacking 3.0架構，單顆晶片接口速度可達2400MT/； 支持PCIe 4.0，順序讀取速度為7000MB/，順序寫入速度為6000MB/，隨機讀取速度900k IOPS，隨機寫入速度800k IOPS，耐用等級1600TBW；還能夠兼容Gen4及大部分Gen3系統。 TiPlus7100 4TB版本則採用了長江存儲原廠TLC顆粒，同樣採用了晶棧Xtacking 3.0架構，支持PCIe Gen4*4 NVMe1.4和NVMe2.0接口。 順序讀取速度為7000 MB/，順序寫入速度6000 MB/，隨機讀取速度900k IOPS，隨機寫入速度800k IOPS，耐用等級為2400TBW。 不過在實測中，致態TiPlus7100 4TB的順序讀取速度突破了7000MB/，達到了7434MB/，寫入速度也達到了6512MB/。 在高負載讀寫狀態下，最高溫度也只有44度，超越了此前大部分PCIe 4.0 SSD的60多度。 來源：快科技

快科技11月20日消息，雷神推出了TR5000 PCIe 4.0 SSD，1TB容量首發價349元。 據了解，新款SSD採用長江存儲顆粒，搭載特納飛12nm主控TC2200，採用單面PCB設計，適合筆記本等對散熱要求較高的設備。 性能方面，該SSD順序讀取速度可達4800MB/，順序寫入速度可達4500MB/，表面配備含銅片石墨烯復合導熱墊。 此外，這款硬碟兼容Windows與Mac OS系統，並且提供5年質保。 來源：快科技

快科技11月18日消息，據媒體報導，盡管受到美國嚴格封鎖，但長江存儲並未輕言放棄，正在開發下一代晶棧Xtacing 4.0架構的新型快閃記憶體，並已經基本就緒。 長江存儲現有的晶棧Xtacking 3.0有三種版本，其中X3-9060是128層的TLC，X3-9070是232層的TLC，X3-6070是128層的QLC。 下一代的晶棧Xtacking 4.0，首批有兩個版本，其中X4-9060是128層的TLC，X4-9070是232層的TLC，後續是否還有QLC暫不清楚。 它們仍將使用串堆疊(string stacking)設計，也就是首先製造64層、116層的快閃記憶體晶圓，然後兩個鍵合合在一起，形成128層、232層，這樣使用的相關工具、技術就不會違反美國的出口限制。 當然，128層、232層只是實際可用的層數，還有多少隱藏/屏蔽的層數就不得而知了。 晶棧Xtacking 3.0架構的128層、232層TLC快閃記憶體實際上分別有141層、253層，但有13層、21層沒有啟用，這也是行業慣例，為的是提高良品率。 目前尚不清楚晶棧Xtacing 4.0有哪些具體的提升，不知道是否能像之前每一代那樣，繼續提升傳輸速度、容量密度。 相信這一次，更多地會在架構和技術細節上優化完善，比如提升並行能力、優化位線(bitline)和字線(wordline)、改進延遲等等。 來源：快科技

長江存儲在2022年快閃記憶體峰會（FMS）上，發布了基於晶棧3.0（Xtacking 3.0）架構的第四代3D TLC NAND快閃記憶體晶片，名為X3-9070，隨後大量應用於各大品牌的SSD上。之後長江存儲又擴大了新架構的應用范圍，推出了128層3D TLC NAND快閃記憶體和232層3D QLC NAND快閃記憶體產品，這些晶片更便宜、更容易製造。 據TomsHardware報導，已經有文件顯示，長江存儲正在准備下一代晶棧4.0（Xtacking 4.0）架構，至少會用於兩款產品，分別是名為X4-9070的232層3D TLC NAND快閃記憶體，以及名為X4-9060的128層3D TLC NAND快閃記憶體。 暫時還不清楚新架構會有什麼不同，一般情況下，長江存儲每發布一個新架構，就會提高數據傳輸速度和存儲密度。不過晶棧4.0架構是以某種方式解決現有晶棧3.0架構技術上的局限性，包括增加平面的數量以提高並行性，優化位線/字線以改善延遲。此外，也不排除長江存儲利用新架構進一步提高產能。 晶棧架構已經歷了1.0到3.0的疊代發展，並基於相關技術提供了SATA III、PCIe 3.0和PCIe 4.0 SSD，還帶來了用於移動通信和其他嵌入式應用的eMMC和UFS等存儲產品。同時長江存儲在三維異構集成領域也積累了豐富的經驗，技術研發上逐漸趕上業界巨頭。 ...

長江存儲早已低調推出，基於其創新的晶棧Xtacking 3.0架構，TiPlus7100、Ti600等產品都已經用上，只是因為某些原因，技術細節一直未公開。 權威半導體機構TechInsights最近專門研究了長江存儲的232層快閃記憶體，發現它確實達到了世界頂級水平。 研究顯示，長江存儲1Tb TLC晶片的存儲密度已達15.47Gb每平方毫米，1Tb QLC更是高達19.8Gb每平方毫米，在兩種快閃記憶體類型中都無出其右者。 兩種快閃記憶體均基於晶棧3.0架構，數據傳輸率均為2400MT/，可以搭配PCIe 4.0、PCIe 5.0主控，打造旗艦級SSD。 不同之處在於，QLC用的是4-plane結構，可以理解為4顆晶片並排放在一起，總長度12.88毫米、寬度4.02毫米，重點優化與縮小核心面積。 TLC用的則是6-plane結構，並排放置6顆晶片，追求性能最大化。 TechInsights對於長江存儲的成就予以了高度評價，尤其是在美國封鎖之下，無法獲取最新尖端技術和工具，仍然達成了世界最高存儲密度，是非常了不起的，進一步凸顯了其晶棧架構的優越性。 來源：快科技

快科技10月16日消息，SSD等存儲要漲價了，所以你要提前准備采購了嗎？ 據TrendForce集邦咨詢集邦咨詢研究顯示，由於供應商嚴格控制產出，NAND Flash第四季合約價全面起漲，漲幅約8~13%。 8~13%的漲價幅度超出此前預期。TrendForce在9月11日的報告中預計，四季度NAND Flash均價有望持平或小幅上漲，環比漲幅約0~5%。 展望2024年，除非原廠仍能維持減產策略，且伺服器領域對Enterprise SSD需求回溫，否則在缺乏需求作為支撐的前提下，NAND Flash要延續漲勢將有難度。 此輪漲價的主要原因，繼三星減產幅度擴大至50%後，其他NAND Flash晶圓原廠也維持節制的投片策略，部分製程與產能在減產時間達半年後，構成結構性的供應緊張，均有利原廠在價格上上掌握主導優勢，目前市場幾乎已無低價貨源可采購。 與供給側大刀闊斧減產不同，NAND Flash需求端依然沒有恢復元氣。當下的新增訂單大多基於漲價預期，即NAND快閃記憶體客戶選擇提前囤貨。 來源：快科技

快科技10月13日消息，長江存儲PC411是首款採用其第四代三維快閃記憶體晶片的消費級固態硬碟。 現在這款新品已經來到了我們評測室，下面為大家帶來圖賞。 官方介紹稱，其突破了固態硬碟高性能、低功耗以及高性價比的“不可能三角”。 得益於長江存儲第四代三維快閃記憶體晶片高達2400MT/的I/O速率，PC411能以4通道方案設計達到PCIe Gen4x4接口上限，實現總線飽和（Saturate the Bus）。可實現7000MB/的最大順序讀取速度和6500MB/的最大寫入速度。 相較於傳統8通道方案產品，PC411減少了一半通道數量，顯著降低25%的功耗並減少發熱。 來源：快科技

據韓國總統辦公室通報，美國商務部已經同意向三星電子和SK海力士位於中國的晶圓廠提供“無限期豁免”，即美國供應商無需任何許可，就可向三星和SK還來在中國的晶圓廠供應半導體設備。 韓國總統經濟首席秘書崔尚木（Choi Sang-mok）表示：“韓國半導體企業在中國運營和投資的不確定性已大大緩解；他們將能夠冷靜地尋求長期的全球經營戰略。” 崔尚木表示，美國已經將這一決定通知了三星和SK海力士，這表明該決定已經立即生效。 據悉，針對三星電子和SK海力士在華工廠的“無限期豁免”將通過更新 Validated End-User（VEU）清單來取得。只要被納入這份清單，就無需另外取得單獨許可，代表美國出口管制的適用性實際上是被永久暫停。 對此，三星電子在一份聲明中回應稱：“通過與相關政府的密切協調，三星電子在中國的半導體生產線運營的不確定性已經大大消除。公司將繼續密切與所有相關政府保持密切合作，為全球半導體產業維護穩定的供應鏈。” SK海力士則在聲明中表示：“我們歡迎美國政府延長出口管製法規豁免的決定。我們相信這一決定將有助於全球半導體供應鏈的穩定。” 2022年10月7日，美國出台了新的對華半導體出口管制政策，限制了位於中國大陸的晶圓製造廠商獲取先進邏輯製程晶片、128層NAND快閃記憶體晶片、18nm半間距或更小的DRAM內存晶片所需的製造設備的能力，除非獲得美國商務部的許可。 這其中就包括了三星、SK海力士等外資企業在中國大陸的晶圓廠。 雖然在數日之後的，三星電子、SK海力士、台積電均獲得了美國商務部的1年豁免期的許可，他們可以在之後1年內無需辦理任何額外的手續即可獲得美國半導體設備的供應，這也使得他們位於中國大陸的工廠的生產都將暫時不會受到禁令的影響。但是，隨著這1年豁免時間即將到期，是否還能順利延長豁免許可，則成為了他們未來在華發展的首要的問題。 目前主流的NAND Flash晶片正在邁向了128層以上的更高的堆疊層數，主流的DRAM晶片也在進入10納米級。而三星和SK海力士在中國都有著龐大的NAND FlashH和DRAM產能，如果無法獲得美系先進的半導體設備，那麼不僅現有的產線運營將受影響，未來也將無法繼續進行技術升級和擴大產能，這勢必將會影響到他們在華工廠的正常運營，以及未來的產能布局和市場競爭力。 隨著此番三星和SK海力士在華工廠成功獲得“無限期豁免”，這也意味著未來三星、SK海力士在華工廠將可以繼續升級和擴產，原有的不確定性被大大消除。 有相關業內人士表示，此舉勢必會讓三星和SK海力士加大產能，而為了重新搶奪市場，雙方可能會進一步在中國市場開打價格戰。 資料顯示，三星在中國大陸的西安、蘇州擁有存儲晶片工廠。其中，西安工廠是三星在華最大投資項目，主要製造3D NAND快閃記憶體晶片。截至目前，西安廠兩期項目總投資已高達270億美元。 數據顯示，三星西安工廠月產能將達到26.5萬張12英寸晶圓，占三星全球NAND快閃記憶體晶片總產量的42%。 2022年，三星半導體西安工廠產值將突破1000億元人民幣。 SK海力士目前在中國大陸無錫、大連（從英特爾手中收購而來）擁有晶圓廠。截止至2020年，SK海力士已累計在中國投資超過200億美元，在無錫擁有4000多名員工，並於2019年完成第二工廠C2F的建設。 隨著C2F項目的持續推進，無錫工廠將承擔SK海力士DRAM晶片全球生產總量近一半的份額。此外，在2021年SK海力士還將其位於韓國青州的8英寸晶圓代工廠M8遷至了無錫，預計2022年全部投產後將月產11.5萬片8吋晶圓，高於原來韓國M8工廠的10萬片月產能。 研調機構TrendForce數據顯示，截至今年6月底，三星與SK海力士一起占據了全球近70%的DRAM和50%的NAND Flash市場。 另有數據顯示，目前三星在中國的NAND Flash工廠，投片量占該公司 NAND Flash總產能的 42.3%，全球產能占比也高達 15.3%。 SK海力士也同樣擁有約50%的DRAM產能和20%的NAND Flash產能在中國大陸。 同樣，對於韓國來說，中國也是其最大的晶片出口國。數據顯示，韓國晶片廠商將大約 60% 的晶片出口到了中國大陸，並且韓國晶片製造商在中國工廠的產能也遠高於其他國家和地區的晶片製造商。 總體而言，包括三星和SK海力士等韓國晶片製造商對中國市場的依賴程度要遠大於其他國家和地區。這也促使韓國政府一直在積極與美國政府進行斡旋，三星和SK海力士過去一年來也一直在積極的對美國政府進行游說，最終成功獲得了“無限期豁免”。 需要指出的是，目前三星正斥資170億美元在美國德克薩斯州泰勒市建設4nm製程的新晶圓廠，計劃在2023年完成，並在2024年年底開始大規模生產。 目前尚不清楚三星是否有在申請美國的晶片法案補貼，如果三星有申請的話，那麼其在中國大陸的晶圓廠的擴產有可能將會受到一定的影響。畢竟獲得美國晶片法案補貼的企業將被限制擴大在華先進位程的產能。 PS：美國可不是“好心”放過韓國和中國NAND、DRAM產業，還不是因為我們的長江存儲崛起了…… 來源：快科技

快科技10月6日消息，對於三星來說，其要通過自己在存儲行業的優勢，讓其走出降價趨勢。 作為世界上最大的NAND快閃記憶體製造商，三星占據了約31%的市場份額，其一舉一動直接影響著市場行情走向。 研究機構最近的一份報告顯示，三星從9月起已擴大NAND快閃記憶體的減產幅度至50%，主要集中在128層以下工藝的產品上。 預計其他製造商也會跟進這一做法，在今年第四季度進一步減少NAND快閃記憶體的產量，目的是要加速去庫存，同時穩定NAND快閃記憶體的價格，預計會帶來0-5%的漲幅。 這也是DRAM晶片和NAND快閃記憶體製造商過去常見的做法，人為限制產能輸出，從而遏制價格下跌，彌補虧損缺口。美光和SK海力士在更早之前就已經這麼做了，只是三星一向奉行“逆周期”的戰略，最後迫不得已才選擇減產。 在這之前有消息稱，美國可能讓韓國晶片製造商無限期豁免於美國的半導體相關出口管制措施，這將讓三星電子和SK海力士能夠把晶片製造設備運往中國，有行業人士表示，此舉可能讓中國存儲廠商陷入價格戰。 來源：快科技

一、前言：長江存儲首款QLC SSD產品 僅僅5年前，一塊128GB容量的固態硬碟都賣到了500塊錢，而今2TB容量卻只要400多塊錢，千元以下的4TB型號也不在少數。 讓玩家實現SSD自由的最大功臣，相信不用我說大家也知道是誰！ 繼致態旗艦TiPro系列、主流TiPlus系列之後，長江存儲現在又推出了高性價比Ti系列SSD，定位高性價比入門級，貼近年輕用戶群體。 我們快科技收到的是長江存儲致態Ti600 2TB，這也是長江存儲致態首款採用QLC顆粒的SSD產品，但其性能可以媲美高端PCIe 4.0 SSD。 致態Ti600系列SSD採用了長江存儲最新一代NAND快閃記憶體顆粒，基於晶棧®Xtacking® 3.0架構， 再配合優秀主控解決方案，可以達到7000MB/的讀取速度和6000MB/的寫入速度，而實測數據比這還要更高一些。 支持HMB緩沖技術，可以直接將系統內存作為動態緩存使用，不再需要單獨的DRAM緩存。 在可靠性方面，致態Ti600系列有500GB/1TB/2TB三個容量的型號，寫入壽命則分別是200TBW、400TBW、800TBW，未來還會有4TB型號 另外，Ti600系列還提供了5年質保。 來源：快科技

快科技4月11日消息，北京憶恆創源(Memblaze)正式發布了全新的企業級SSD PBlaze6 6541系列，搭載來自長江存儲的最新NAND快閃記憶體。 這也是繼去年的PBlaze6 6531系列之後，憶恆創源又一款基於長江存儲快閃記憶體的企業級SSD，採用全新一代晶棧Xtacking快閃記憶體顆粒，具備高性能、低延時、高可靠性的特點。 PBlaze6 6541系列企業級SSD採用PCIe 4.0 x4系統接口、NVMe 1.4協議，搭配憶恆創源自研的多核計算、動態平滑、IO路徑優化、快閃記憶體通道QoS保障等技術深度優化，可提供高達1100K IOPS 4K隨機讀取性能、420K IOPS 4K隨機寫入性能、6.8GB/順序讀取速度、5.7GB/順序寫入性能，同時延遲進一步降低至68/10μs。 高性能的同時，典型功耗僅為12W。 值得一提的是，PBlaze6 654系列基於憶恆創源自主統一架構平台MUFP開發，具備出色的跨平台固件算法、性能橫向擴展能力，完美繼承固件可靠性並加以優化，可以在55℃使用環境下做到200萬小時的平均故障間隔時間，UBER小於1E-17。 安全方面，提供全路徑數據保護、AES-256 數據自加密、增強掉電保護、安全啟動、安全擦除等等，並支持在線固件升級、設備自檢、持久化事件日誌、帶外管理等功能。 針對不同業務應用場景，PBlaze6 6541系列分為D6541、D6547兩個子系列，均為2.5英寸、U.2接口。 D6541子系列適合讀密集型業務應用場景，5年寫入壽命，每天1次全盤寫入，容量可選1.92TB、3.84TB、7.68TB。 D6547子系列適用於讀寫混合型業務應用場景，5年寫入壽命，每天3次全盤寫入，容量可選1.6TB、3.2TB、6.4TB。 憶恆創源PBlaze6 6541系列企業級SSD現已接受預訂，價格未公開。 北京憶恆創源科技股份有限公司（Memblaze）是技術領先的企業級SSD產品和快閃記憶體技術解決方案供應商，2011年成立，始終堅持自主研發和創新，擁有超過200件快閃記憶體技術專利申請。 PBlaze系列企業級SSD在資料庫、虛擬化、雲計算、大數據、人工智慧等領域廣泛應用，為騰訊、京東、美團、中國電信等多家企業提供穩定可靠的高速快閃記憶體存儲解決方案，銷量在中國品牌企業級SSD中處於領先地位。 來源：快科技

SSD等存儲晶片的降價還在繼續，這個行業想要翻轉，一時半會有點難，畢竟頭部的廠商日子很難過。 據韓國媒體報導稱，三星電子DS部門和SK海力士今年第一季度的赤字（支出大於收入的差額）均將超過4萬億韓元（約合人民幣208.8億元）。 由於全球半導體市場經濟持續低迷，需求不振與庫存過剩無法避免，因此業績大幅下降已成定局。 在這之前，路透社就報導稱，三星電子第一季度利潤預計將暴跌92%至14年來的最低水平，原因是晶片過剩情況惡化，以及數據中心和計算機製造商等買家在全球經濟放緩的情況下放緩采購。 報導中提到，三星晶片部門可能報告季度虧損超過3萬億韓元，特別存儲晶片營收更是跌倒谷底。 TrendForce之前報告稱，廣泛用於智慧型手機、PC和伺服器的DRAM記憶體晶片價格在本季度暴跌約20%，而用於數據存儲的NAND快閃記憶體晶片價格下跌約10%至15%。 據韓國媒體消息稱，全球存儲晶片龍頭企業三星電子傳出考慮減產，以應對低迷的市況。市場預期，三星減產將有助記憶體市況加速落底好轉。 2023年第一季度鎧俠、美光產線持續低負載，西部數據、SK海力士、三星等將跟進減產，有機會緩解目前供給過剩的情況，NAND Flash 均價跌幅也收斂至 10%-15%。 來源：快科技

市調機構Gartner近日發布的報告展示了全球以及中國前25名半導體廠商的排名情況，其中三星、Intel和高通依然位列前三。 數據顯示，2022年全球半導體收入達到5991億美元，僅同比微幅增長0.2%，排名前25半導體廠商總收入同比增長1.9%，“其它”公司總收入則下降5.1%。 從廠商排名上看，Samsung（三星）、Intel（英特爾）、Qualcomm（高通）、SK Hynix（SK海力士）和Micron（美光）占據了前五的位置。 從收入漲跌幅來看，ADI去年營收同比增長46%，在全球TOP25半導體廠商中營收增長幅度最大；漲幅排名第二的是AMD，年增45%，AMD則受益於嵌入式，數據中心和遊戲業務的增長。跌幅最大的公司是聯詠（-23%），其次是英特爾（-20%）。 TOP25廠商中主營業務是存儲的廠商2022年收入均減少，SK海力士（-10%）、美光（-6%）、西部數據（-17%），三星受存儲業務拖累營收也減少13%。 2022年中國企業半導體收入達到458億美元，比上年減少0.5%。全球市場份額從2021年的7.7%降至7.6%。由此可見，中國半導體企業在2022年受到市場影響較大，且近半數的企業營收在2022年出現下降。 從廠商排名來看，OMNIVISION（豪威科技）、Nexperia（安世半導體）、Yangtze Memory Technologies（長江存儲）、UniSoC Technologies（紫光展銳）和GigaDevice Semiconductor（兆易創新）排名前五。 值得注意的是，HiSilicon（海思）從去年第五的位置跌到了第六，營收也同比減少18%。 來源：快科技

西部數據、鎧俠聯合宣布了下一代3D NAND快閃記憶體的一些技術細節，這次堆疊到了218層。 新快閃記憶體包含四個平面(plane)，應用了先進的晶圓鍵合(wafer bonding)、橫向收縮(lateral shrink)技術，並在橫向收縮、縱向收縮方面取得平衡，存儲密度比上代提升超過50％，達到了1Tb(128GB)。 值得一提的是，西數、鎧俠開發了新的CBA技術，也就是將CMOS直接鍵合在陣列之上(CMOS directly Bonded to Array)，每個CMOS晶圓、單元陣列晶圓都使用最適合的技術工藝獨立製造，再鍵合到一起，從而大大提升存儲密度、I/O速度。 是的沒錯，妥妥的長江存儲晶棧Xtacing 3.0技術的既視感。 根據官方數據，新快閃記憶體的NAND I/O接口傳輸速度達到3.2Gbps，比上代提升多達60％，同時在寫入性能、讀取延遲方面改善了20％，整體性能、可用性再上新台階。 再加上工藝、架構方面的革新，成本方面也進一步優化。 快閃記憶體類型方面，TLC、QLC都可以。 不過，西數、鎧俠並未透露218層新快閃記憶體何時商用，會首先用在哪些產品上。 事實上，長江存儲去年發布的晶棧3.0快閃記憶體就已經做到了232層，還有2400MT/ I/O速度，並應用於致態TiPlus7100 SSD系列，但因為你懂的原因沒有公開宣傳。 去年7月份，美光第一家公開了232層快閃記憶體，但受市場需求疲軟影響，官方稱暫時不會商用。 隨後，SK海力士宣布了238層堆疊，三星一般認為做到了236層。 現在看來，NAND快閃記憶體這一輪的競爭，西數、鎧俠不但速度最慢，反而還是最落後的了。 長江存儲232層快閃記憶體 美光232層快閃記憶體 來源：快科技

一、最小的迷你主機 性能水桶無短板 在筆記本電腦大獲好評之後，小米又一款PC產品誕生，這次是迷你主機，巴掌大小，重量僅437g，是目前最小的主流性能桌面主機。 與傳統主機的傻大黑粗相比，小米迷你主機體積不到0.5L，僅為台式機的1/15，桌面占用空間極低，但是性能一點都不弱，不僅有著12核16線程的12代酷睿i5處理器、16GB記憶體，還有用上了PCIe 4.0 SSD硬碟。 玩家都知道，電腦的性能體驗就像一個水桶，只有每個環節都不存在短板，才能確保整體體驗不掉隊。 這一次，讓小米迷你主機擁有桌面級磁碟性能的關鍵，就是它用上了PCIe 4.0硬碟，來源於長江存儲的PC300系列。 二、小米迷你主機揭秘：長江存儲PCIe 4.0硬碟加持 PC300系列是長江存儲專為OEM打造的高性能SSD硬碟，有M.2 2280、M.2 2242等多種規格，容量256GB到2TB不等，可以滿足筆記本、IoT / 嵌入式設備以及伺服器的需求。 以小米迷你主機使用的512GB為例，其順序讀寫最高3.9GB/、2.7GB/，隨機讀寫最高320K IOPS、440K IOPS，空閒功耗只有50mW，平均無故障時間間隔200萬小時，而且512GB就有300TBW的數據壽命，這比很多廠商的1TB版壽命都要高。 PC300的快閃記憶體性能及可靠性都是同級別產品的頂流，這跟它的技術有關，其快閃記憶體來源於長江存儲自研的晶棧Xtacking 2.0技術，原理跟其他廠商的不同，在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，然後進行鍵合。 這種架構的好處是可以在邏輯工藝上有著更多的自主選擇性，從而讓快閃記憶體獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能，同時還提高了產品的生產速度，生產周期可以縮短20%。 具體到PC300上，這次使用的是Xtacking 2.0生產的第三代快閃記憶體，1顆快閃記憶體的容量就能達到512GB，1TB也只需要2顆快閃記憶體就行，大幅減少了空間占用。 來源：快科技

本月初，長江存儲TiPlus7100 2TB SSD推出，售價1199元，這引起了不少網友的關注。 TiPlus7100升級晶棧Xtacking 3.0架構快閃記憶體，高達2400MT/的快閃記憶體接口帶寬，對比上一代速度提高了50%；在無緩設計，四通道方案下，給予硬碟最高7000MB/和6000MB/的連續讀寫速度，實現了近乎PCIe4.0的飽和性能。 其採用M.2 2280規格，單面PCB設計，有利於一體機、超薄本、遊戲本、PS5等小空間設備安裝擴容，靈活的兼容性全方位支持Gen4及大部分Gen3系統，滿足玩家用戶更多的使用環境需求。 據1818黃金眼報導稱，前段時間，小朱買了一張固態硬碟（長江存儲TiPlus7100 2TB），收到貨後，他發現導電觸片上有插拔的痕跡，懷疑硬碟不是新的。硬碟可以查詢使用時長、讀寫次數等，但小朱沒有查，他說自己對電子產品比較了解，覺得還是插拔痕跡更有參考意義。 對此，官方表示，這是正常的，因為出廠前要進行測試，不少網友看完之後也是吐槽，笑死，配件出廠後肯定要挨個測試，測試就要拆上電腦，難免就會有劃痕。 來源：快科技

SSD真的是越來越便宜了，從之前一些機構的預測來看，可能未來SSD的下降空間至少還有20%。 現在有網友在社交平台分享，自己入手的新SSD，2TB版本不到790塊（有網友買到的更低758），關鍵還是長江存儲最新的232層單顆1T顆粒。 按照長江儲存公布細節看，已量產232層3D TLC顆粒，屬於第四代3D TLC顆粒，顆粒型號是X3-9070。 新顆粒採用新的Xtacking 3.0 晶棧架構打造，存儲單元晶圓的背面源連接（BSSC），與Xtacking 2.0（最多128層）相比，它帶來了更簡單的工藝和更低的成本，它引入了矽化鎳（NiSi），而不是矽化鎢（WSi），以提高CMOS晶圓的器件性能和I/O速度。 新顆粒屬於第四代產品，單芯密度更高，單顆晶片中實現1Tb（128GB）的存儲容量；而且性能更強，I/O傳輸速率達到了2400 MT/，符合ONFI 5.0規范，相比上一代產品提高了50%性能。另外，功耗更低，能效比更高。最終，新顆粒的單G成本更低。 來源：快科技

一、前言：快閃記憶體速度業界領先 無需高發熱的8通道 當固態硬碟從PCIe 3.0進化到PCIe 4.0的時候，除了讀寫速度得到大幅度提升之外，最大的變化應該就是主控的溫度暴增。 大部分PCIe 3.0 SSD不需要散熱片就能正常運行，但是大部分PCIe 4.0 SSD都離不開厚重的散熱片。 其實，溫度提升的主要原因是PCIe 3.0 SSD幾乎都是4通道，而PCIe 4.0 SSD 想要將讀寫速度翻倍，最簡單的辦法就是直接使用8通道。 這種粗暴的方式同時也讓主控的功耗暴增，溫度自然也就高了。有些採用了16通道的企業級SSD，甚至需要用風扇來伺候散熱。 其實還有一種更簡單、更有效的方法可以提升SSD的讀寫速度，那就是提升快閃記憶體的I/O速度！ 現在輪到長江存儲致態TiPlus7100 2TB出場了。 主流PCIe 4.0 SSD其快閃記憶體I/O接口速度大都為1200~1333MT/，高端產品則是1600MT/。 長江存儲最新一代NAND快閃記憶體顆粒，基於晶棧®Xtacking® 3.0架構，I/O速度高達2400MT/，相比市面上同類產品速度提升50%以上。這也是為什麼致態TiPlus7100採用四通道，讀寫速度就能夠達到7000MB/的原因。 可以想像，將來基於長江存儲NAND快閃記憶體的PCIe 5.0 SSD，只需要配合一款普通的八通道，就能跑滿14000MB/，可謂相當的超前。 致態TiPlus7100系列有512GB/1TB/2TB三個容量的型號，寫入壽命則分別是300TBW、600TBW、1200TBW。 我們快科技拿到的是2TB型號，此次除了常規測試之外，我們還加入了遊戲加載速度測試，來看看2400MT/的快閃記憶體能帶來怎樣的體驗。 來源：快科技

FMS 2022快閃記憶體峰會上，長江存儲公布了基於晶棧Xtacking 3.0架構的新一代3D TLC快閃記憶體，編號“X3-9070”。 事實上，長江存儲10月底發布的，就首發採用了這種快閃記憶體。 X3-9070快閃記憶體具備高性能、高品質、高密度的優點，單顆晶片接口速度2400MT/，符合ONFI 5.0標準，比上代提升50％，同時實現了512Gb(64GB)的單Die容量，存儲密度已經達成史上最高，達到世界頂級水平。 新快閃記憶體還採用了創新的6-plane設計，對比傳統的4-plane，系統性能最高可提升50％，功耗可降低25％。 長江存儲晶棧Xtacking架構的原理是在兩片獨立的晶圓上，分別加工外圍電路和存儲單元，然後在晶片封裝階段將兩者合二為一。 這種設計省時省力，可以實現更高的密度、更快的速度，而且讀寫單元、存儲單元可以採用不同的製程工藝，新一步提升性能、降低功耗。 按照長江存儲的說法，晶棧架構可將產品開發時間縮短至少3個月，並將生產周期縮短20％。 來源：快科技

美光方面已經表示，2550 SSD採用232層NAND技術，是全球首款使用超過200層NAND的消費級固態硬碟（client SSD）。 跟上一代SSD速度相比，美光官方給出的數據是，傳輸文件的速度提高了112%，加載主流遊戲的速度提高了57%、創建應用的速度提高78%。 此外，新的固態盤連續讀取性能每秒達5GB字節、連續寫入性能每秒達4GB字節，總體來說就是，比上代SSD快了1.3-1.4倍，同時新產品的主動空閒功耗低於150毫瓦，主動功耗低於5.5瓦。 其實在這之前，長江存儲也已經行動了，X3-9070量產，除了用於致態TiPlus7100系列SSD，還被用在海康威視的CC700 2TB SSD上，這是首個進入零售市場的200+層3D NAND快閃記憶體解決方案，領先於三星、美光、SK海力士等廠商。 此外，SK海力士也研發全球首款業界最高層數的238層NAND快閃記憶體，並已經向合作夥伴發送238層512Gb TLC 4D NAND快閃記憶體的樣品。 三星在上個月宣布，已開始批量生產採用第8代V-NAND技術的產品，為1Tb（128GB）TLC 3D NAND快閃記憶體晶片，達到了236層。 來源：快科技

長江存儲在2022年快閃記憶體峰會（FMS）上，正式發布了基於晶棧3.0（Xtacking 3.0）架構的第四代3D TLC NAND快閃記憶體晶片，名為X3-9070。相比上一代產品，X3-9070擁有更高的存儲密度、更快的I/O速度。 據Tech Insights報導，長江存儲的X3-9070已經量產了，除了用於致態TiPlus7100系列SSD，還被用在海康威視的CC700 2TB SSD上，這是首個進入零售市場的200+層3D NAND快閃記憶體解決方案，領先於三星、美光、SK海力士等廠商。 據長江存儲介紹，X3-9070的I/O傳輸速率達到了2400 MT/，符合ONFI 5.0規范，相比上一代產品提高了50%的性能；得益於晶棧3.0架構，X3-9070成為了長江存儲有史以來存儲密度最高的快閃記憶體顆粒，能夠在更小的單顆晶片中實現1Tb（128GB）的存儲容量；採用6-plane設計，相比一般的4-plane性能提升50%以上，同時功耗降低25%，能效比提高了，成本也更低了。 作為存儲大廠，今年美光、SK海力士和三星先後推出了200+層的3D NAND快閃記憶體解決方案。其中最早的是美光，在5月就宣布推出業界首款232層的3D TLC NAND快閃記憶體，稱准備在2022年末開始生產，其採用了CuA架構，使用NAND的字符串堆疊技術，初始容量為1Tb（128GB）。 到了8月，SK海力士宣布已成功研發全球首款業界最高層數的238層NAND快閃記憶體，並已經向合作夥伴發送238層512Gb TLC 4D NAND快閃記憶體的樣品。 三星在上個月宣布，已開始批量生產採用第8代V-NAND技術的產品，為1Tb（128GB）TLC 3D NAND快閃記憶體晶片，達到了236層。 來源：快科技

長江存儲在2022年快閃記憶體峰會（FMS）上，正式發布了基於晶棧3.0（Xtacking 3.0）架構的第四代3D TLC NAND快閃記憶體晶片，名為X3-9070。相比上一代產品，X3-9070擁有更高的存儲密度、更快的I/O速度。 據Tech Insights報導，長江存儲的X3-9070已經量產了，除了用於致態TiPlus7100系列SSD，還被用在海康威視的CC700 2TB SSD上，這是首個進入零售市場的200+層3D NAND快閃記憶體解決方案，領先於三星、美光、SK海力士等廠商。 據長江存儲介紹，X3-9070的I/O傳輸速率達到了2400 MT/s，符合ONFI 5.0規范，相比上一代產品提高了50%的性能；得益於晶棧3.0架構，X3-9070成為了長江存儲有史以來存儲密度最高的快閃記憶體顆粒，能夠在更小的單顆晶片中實現1Tb（128GB）的存儲容量；採用6-plane設計，相比一般的4-plane性能提升50%以上，同時功耗降低25%，能效比提高了，成本也更低了。 作為存儲大廠，今年美光、SK海力士和三星先後推出了200+層的3D NAND快閃記憶體解決方案。其中最早的是美光，在5月就宣布推出業界首款232層的3D TLCNAND快閃記憶體，稱准備在2022年末開始生產，其採用了CuA架構，使用NAND的字符串堆疊技術，初始容量為1Tb（128GB）。到了8月，SK海力士宣布已成功研發全球首款業界最高層數的238層NAND快閃記憶體，並已經向合作夥伴發送238層512Gb TLC 4D NAND快閃記憶體的樣品。三星在上個月宣布，已開始批量生產採用第8代V-NAND技術的產品，為1Tb（128GB）TLC 3DNAND快閃記憶體晶片，達到了236層。 ...

11月29日，長江存儲新致態TiPlus7100 SSD固件升級：從ZTA22001更新到 ZTA22002。 新版本固件進行了兼容性優化，解決部分Gen4平台異常掉電導致的機率性不識別固態硬碟問題。 本次固件升級可直接在致態TiPlus7100 Smart Tool內完成，致態ZHITAI Smart Tool是一款顯示磁碟信息、升級固件（Update Firmware）程序的軟體。它可以讀取電腦中致態磁碟的磁碟信息、SMART信息、Device信息和系統信息。 登錄長江存儲官方網站，點擊頭部菜單欄「支持中心」選擇「技術支持」即可下載最新致態TiPlus7100 Smart Tool。 TiPlus7100是致態推出了旗下全新一代PCIe4.0固態硬碟，擁有512GB、1TB、2TB三種容量可選。 新品升級的晶棧Xtacking 3.0架構快閃記憶體，高達2400MT/的快閃記憶體接口帶寬，對比上一代速度提高了50%；在無緩設計，四通道方案下，給予硬碟最高7000MB/和6000MB/的連續讀寫速度，實現了近乎PCIe4.0的飽和性能。 TiPlus7100採用原廠TLC快閃記憶體顆粒擁有嚴苛的測試，專注的品質做工，為硬碟提供了持久壽命，2TB版本更是達到了1200TBW，同時150萬小時MTBF的可靠保障以及五年質保。 來源：快科技

一、前言：面向OEM市場的長江存儲PCIe 4.0 SSD 我們經常會在一些筆記本中看到型號為YMTC PC210的SSD，其實它就是長江存儲為商用市場(OEM)開發的產品。 近日，長江存儲又推出了新一代商用固態硬碟—PC300系列，這是一款入門級的PCIe 4.0 SSD。 我們快科技在第一時間拿到了這款產品，來看看它的表現到底如何。 初次看到PC300，給人的感覺就是它可以做成M.2 2242甚至更短的形態，事實上，也的確如此。 除了常見的M.2 2280之外，PC 300還有M.2 2242的版本，可以滿足更多超便攜筆記本、IoT / 嵌入式設備以及伺服器的需求。 PC300系列有512GB/1TB/2TB三個容量的型號。 256GB型號順序讀寫最高3.7GB/、2.0GB/，隨機讀寫最高200K IOPS、400K IOPS； 512GB型號順序讀寫最高3.9GB/、2.7GB/，隨機讀寫最高320K IOPS、440K IOPS； 1TB型號順序讀寫最高為3.9GB/、2.8GB/，隨機讀寫最高380K IOPS、450K IOPS。 寫入壽命則分別是300TBW、600TBW、1200TBW。 快閃記憶體當然是用的自家基於晶棧®Xtacking®2.0技術打造的第三代NAND顆粒。因此，單個容量做到了512GB，1TB僅需2顆就行了。 主控用的是慧榮SM2267XT，採用DRAM-Less設計，通過HMB緩沖技術，直接將系統記憶體作為動態緩存使用，不再需要單獨的DRAM緩存。 省去了DRAM緩存之後，也有利於進一步降低 PC300的物料成本。 可能有同學會質疑，沒有外置DRAM緩存，在性能方面會不會造成一些瓶頸？對此我們會在後面最做高負載寫入測試進行驗證。 來源：快科技

2021年底，長江存儲原廠SSD品牌更名為致態，此後陸續發布了旗艦級的(以及)、，表現都可圈可點。 今天，長江存儲又帶來了全新的TiPlus7100系列，致力於PCIe 4.0 SSD的普及。 TiPlus7100系列依然採用長江存儲自研自產的Xtacking 3.0晶棧架構，TLC NAND晶片，具備高性能、高品質、高密度的優點，單顆晶片接口速度2400MT/，容量可選512GB、1TB、2TB。 標準的M.2 2280形態規格，支持PCIe 4.0 x4、NVMe 1.4，單面設計，沒有獨立緩存，但支持HMB(主機記憶體緩沖)，通過配置SLC智能緩沖保證性能。 具體來說，最高持續讀寫速度可達7GB/、6GB/，4K隨機讀寫速度則有90萬IOPS、70萬IOPS。 512GB版本性能稍低一些，持續寫入3.6GB/，隨機讀寫80萬IOPS、60萬IOPS。 可靠性方面，平均故障間隔時間均為150萬小時，寫入壽命300TBW、600TBW、1200TBW，五年質保，相當於每天0.33次全盤寫入，也就是每天分別可以寫入大約170GB、340GB、670GB。 TiPlus7100系列搭載發熱閾值、電源管理兩大系統，可動態調整發熱溫度和功耗控制，有效降低發熱，日常使用無需散熱片，對筆記本更加友好，也兼容索尼PS5。 長江存儲TiPlus7100系列現已上架預售，512GB 369元、1TB 649元，2TB稍後跟進。 順帶一提，長江存儲致態系列是JDG電競戰隊的官方置頂SSD品牌。 來源：快科技

10月17日，光威(Gloway)宣布推出新款PCIe 4.0 SSD Ultimate系列，首次採用長江存儲128層堆疊3D TLC NAND快閃記憶體晶片。 新品是標準的M.2 2280形態，基於長江存儲第三代快閃記憶體X2-9060，Xtacking 2.0技術架構，性能強勁，品質可靠，素質過硬，具備更高的IO傳輸速度。更高的密度，在各項測試中表現卓越，大容量1TB、2TB。 主控是英韌IG5236，支持PCIe 4.0 x4通道、NVMe 1.4協議，順序讀寫速度分別高達7GB/、6.8GB/。 同時壽命達700TBW、1400TBW，質保五年，每天0.38次全盤寫入。 散熱馬甲採用獨特的階梯式通風管，與元器件緊密貼合，搭配39W/mK的高導熱係數矽脂，散熱面積8平方厘米，有效降低工作溫度30℃。 光威Ultimate SSD現已上架，1TB 869元，2TB 1769元。 來源：快科技

長江存儲在2022年快閃記憶體峰會（FMS）上，正式發布了基於晶棧3.0（Xtacking 3.0）架構的第四代3D TLC快閃記憶體晶片，名為X3-9070。相比上一代產品，X3-9070擁有更高的存儲密度、更快的I/O速度。據稱，其堆疊層數已突破200層。 據長江存儲介紹，X3-9070的I/O傳輸速率達到了2400 MT/s，符合ONFI 5.0規范，相比上一代產品提高了50%的性能；得益於晶棧3.0架構，X3-9070成為了長江存儲有史以來存儲密度最高的快閃記憶體顆粒，能夠在更小的單顆晶片中實現1Tb（128GB）的存儲容量；採用6-plane設計，相比一般的4-plane性能提升50%以上，同時功耗降低25%，能效比提高了，成本也更低了。 長江存儲執行副總裁陳軼表示： 「X3-9070快閃記憶體顆粒是長江存儲近年來在三維快閃記憶體領域的匠心之作，它擁有出色的性能表現和極高的存儲密度，能夠快速高效地應用於主流商用場景之中。面對蓬勃發展的5G、雲計算、物聯網、自動駕駛、人工智慧等新技術帶來的全新需求和挑戰，長江存儲將始終以晶棧®為基點，不斷開發更多高品質快閃記憶體產品，協同上下游存儲合作夥伴，用晶棧®為存儲產業賦能，踐行『成為存儲技術的領先者，全球半導體產業的核心價值貢獻者』的使命和責任。」 目前晶棧架構已經歷了1.0到3.0的疊代發展，並基於相關技術打造了多款產品，提供了SATA III、PCIe 3.0和PCIe 4.0 SSD，並帶來了用於移動通信和其他嵌入式應用的eMMC和UFS等存儲產品。同時長江存儲在三維異構集成領域也積累了豐富的經驗，研發上逐漸趕上業界巨頭。 ...

正舉行的2022快閃記憶體峰會（FMS）上，長江存儲正式發布了基於晶棧（Xtacking）3.0技術的第四代TLC三維快閃記憶體X3-9070。 長江存儲介紹，相比上一代產品，X3-9070可實現2400MT/的I/O傳輸速率，符合ONFI5.0規范，實現了50%的性能提升。 同時，X3-9070也是長江存儲歷史上密度最高的是快閃記憶體顆粒，能夠在更小的單晶片中實現1Tb容量（128GB）。 最後X3-9070採用創新6-plane設計，相比傳統4-plane，性能提升50%以上，同時功耗降低25%，能效比顯著提升，可降低用戶的總擁有成本。 外界認為，X3-9070晶片應該已經出樣，還需一段時間投入量產。 那麼它的堆疊層數是多少呢？ 多方報導披露，長江存儲這次的第四代3D TLC突破了200+層數，達到232層。我們知道，堆疊層數已經成為存儲大廠比拼技術實力的核心指標，就在上月底，美光剛剛宣布全球首款232層3D快閃記憶體量產。 雖然在堆疊層數上長江存儲已經比肩一線巨頭，可我們也需要正視差距，以美光為例，其單晶片容量能做到2Tb（256GB），且製程工藝更先進還已經量產。SK海力士在本次峰會上，也拿出了堆疊度更高的238層“4D TLC”快閃記憶體。 來源：快科技

繼日前傳出的消息之後，據路透社當地時間8月1日報導稱，四位知情人士透露，美國正考慮限制向中國存儲晶片製造商出口美國的晶片製造設備。 至於限制的對象，其中就包括長江存儲（YMTC），美國希望藉此來限制中國的半導體產業發展，並保護美國的相關企業。 報導引用不願透露姓名消息人士的說法指出，如果美國政府確定採取該項計劃，還可能損害韓國存儲大廠三星電子和SK 海力士兩家公司的利益。 因為三星在中國擁有兩家大型的NAND Flash工廠，而SK 海力士之前也完成收購英特爾旗下在中國的NAND Flash製造業務。 因此，一旦美國的限制計劃獲得批准，則限制范圍將擴大到包括禁止將美國晶片製造設備運往在中國境內的NAND Flash工廠。 報導指出，出口管制相關專家表示，該項計劃將是美國首次通過出口管制來針對中國生產沒有專門軍事用途的存儲晶片。 另外，因為當前美國的存儲芯的企業僅剩下西部數據與美光科技(Micron) 兩家公司，雖然這兩家存儲晶片廠商合計約占全球NAND Flash市場的份額超過25%，但是西部數據在美國本土沒有NAND Flash產能，美光在美國本土也只有部分產能，所以限制計劃也代表了更廣泛的美國國家安全意義。 另外兩名消息人士則表示，根據正在研擬的計劃，美國將禁止向中國出口用於製造128 層堆疊以上NAND Flash快閃記憶體晶片設備，而目前生產該類晶片設備的美國大廠，就包括應用材料( Applied Materials)和泛林集團(LAM Research) 等廠商。 對此，消息來源指出，目前針對相關計劃正在討論階段，還沒有任何的法案起草程序。 美國商務部也不願評論相關新聞消息，僅指出美國政府的重點是削弱中國製造先進半導體的能力，以應對美國的重大國家安全風險。 至於，泛林集團、SK 海力士和美光也拒絕就美國政策發表評論。三星、應用材料、長存、以及西部數據則還沒有對相關消息做出回應。 報導強調，成立於2016 年的長存是NAND Flash快閃記憶體製造領域的後起之秀。資料也顯示，長存早已成功量產128層NAND Flash，並正在積極的研發232層NAND Flash，有傳聞稱最快可能今年年底量產。 美國政府在2021年6月的一份報告中所指出，包括美光和西部數據正面臨長存產品的低價競爭壓力，代表著長存的擴張和低價產品對美光和西部數據構成直接威脅。報告強調長存描述為中國NAND Flash快閃記憶體晶片製造龍頭，而且獲得了約240 億美元的政府補貼。 另外，美國商務部還指出，長存當前已經在接受美國商務部調查，原因是懷疑該公司向中國為出售記憶體產品是否違反了美國出口管制規定。 根據市場咨詢與調查機構Yole Intelligence 的資料顯示，長存約占全球NAND...