繼日前傳出的消息之後，據路透社當地時間8月1日報導稱，四位知情人士透露，美國正考慮限制向中國存儲晶片製造商出口美國的晶片製造設備。
至於限制的對象，其中就包括長江存儲（YMTC），美國希望藉此來限制中國的半導體產業發展，並保護美國的相關企業。
報導引用不願透露姓名消息人士的說法指出，如果美國政府確定採取該項計劃，還可能損害韓國存儲大廠三星電子和SK 海力士兩家公司的利益。
因為三星在中國擁有兩家大型的NAND Flash工廠，而SK 海力士之前也完成收購英特爾旗下在中國的NAND Flash製造業務。
因此，一旦美國的限制計劃獲得批准，則限制范圍將擴大到包括禁止將美國晶片製造設備運往在中國境內的NAND Flash工廠。
報導指出，出口管制相關專家表示，該項計劃將是美國首次通過出口管制來針對中國生產沒有專門軍事用途的存儲晶片。
另外，因為當前美國的存儲芯的企業僅剩下西部數據與美光科技(Micron) 兩家公司，雖然這兩家存儲晶片廠商合計約占全球NAND Flash市場的份額超過25%，但是西部數據在美國本土沒有NAND Flash產能，美光在美國本土也只有部分產能，所以限制計劃也代表了更廣泛的美國國家安全意義。
另外兩名消息人士則表示，根據正在研擬的計劃，美國將禁止向中國出口用於製造128 層堆疊以上NAND Flash快閃記憶體晶片設備，而目前生產該類晶片設備的美國大廠，就包括應用材料( Applied Materials)和泛林集團(LAM Research) 等廠商。
對此，消息來源指出，目前針對相關計劃正在討論階段，還沒有任何的法案起草程序。
美國商務部也不願評論相關新聞消息，僅指出美國政府的重點是削弱中國製造先進半導體的能力，以應對美國的重大國家安全風險。
至於，泛林集團、SK 海力士和美光也拒絕就美國政策發表評論。三星、應用材料、長存、以及西部數據則還沒有對相關消息做出回應。
報導強調，成立於2016 年的長存是NAND Flash快閃記憶體製造領域的後起之秀。資料也顯示，長存早已成功量產128層NAND Flash，並正在積極的研發232層NAND Flash，有傳聞稱最快可能今年年底量產。
美國政府在2021年6月的一份報告中所指出，包括美光和西部數據正面臨長存產品的低價競爭壓力，代表著長存的擴張和低價產品對美光和西部數據構成直接威脅。報告強調長存描述為中國NAND Flash快閃記憶體晶片製造龍頭，而且獲得了約240 億美元的政府補貼。
另外，美國商務部還指出，長存當前已經在接受美國商務部調查，原因是懷疑該公司向中國為出售記憶體產品是否違反了美國出口管制規定。
根據市場咨詢與調查機構Yole Intelligence 的資料顯示，長存約占全球NAND Flash快閃記憶體產量的5%，較一年前幾乎翻倍成長。
另外，西部數據約占13%，美光科技占比約11%。因此，未來一但美國禁止出口生產128 層堆疊以上NAND Flash快閃記憶體晶片的生產設備給長存，長存可能將因此而受困，未來很難有再向前發展的道路。
Yole 資料還進一步顯示，2022年中國NAND Flash快閃記憶體晶片的產量（含三星、SK海力士等在大陸產量），將從2019 年占全球產能不到14%，成長到2022 年的23% 以上，而同期美國的產量則從2.3%，下降至1.6%。
而且，美國公司NAND Flash快閃記憶體晶片絕大部分的生產都是在海外完成的。
來源：快科技
