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Rambus發布DDR5伺服器PMIC:支持數據中心高性能記憶體模塊

Rambus宣布,推出新款DDR5 RDIMM伺服器內存專用PMIC電源管理晶片。Rambus表示,憑借這一新的伺服器PMIC系列產品,為內存模塊製造商提供了完整的DDR5 RDIMM內存接口晶片組,支持廣泛的數據中心用例。 圖:DDR5 RDIMM上的Rambus伺服器PMIC Rambus營運長Sean Fan表示,生成式AI等高級數據中心工作負載需要最高帶寬和容量的伺服器RDIMM,以滿足不斷增長的數據管道不斷增長的內存需求。隨著新一代伺服器PMIC系列的加入,Rambus利用新的晶片技術擴展了旗下的產品組合,為客戶提供了支持多代DDR5伺服器平台的綜合內存接口晶片組。 PMIC是DDR5內存架構中的關鍵組件,可實現更多內存通道、更高容量的模塊和更大的帶寬。這次伺服器PMIC系列共有三款晶片,分別為PMIC5000(符合JEDEC高電流規范)、PMIC5010(符合JEDEC低電流規范)和PMIC5020(符合JEDEC極端電流規范)。 主要特性包括: 提供業界領先的DDR5伺服器 PMIC,為AI和其他高級工作負載所需的最高性能和容量內存模塊提供。 全新PMIC系列支持多代基於DDR5的高性能伺服器。 為DDR5伺服器內存模塊提供完整的內存接口晶片組,包括RCD、PMIC、SPD集線器和溫度傳感器IC。 Rambus表示,PMIC5000、PMIC5010和PMIC5020三款伺服器PMIC系列晶片已經上市。 ...

AmpereOne-3處理器明年到來:256核心,3nm工藝製造,支持PCIe 6.0和DDR5

據The Next Platform報導,Ampere執行長Jeff Wittich透露,正准備在今年晚些時候推出新一代AmpereOne-2處理器,將採用升級的「A2」核心,支持12條內存通道。Ampere相信,隨著內存控制器數量的增加,內存帶寬將提高50%,從而實現性能的進一步提升。 根據Ampere公布的路線圖,Ampere正在開發下一代AmpereOne-3處理器,計劃在2025年發布,共擁有256個核心。Ampere認為Chiplets設計將是未來整體戰略的重要組成部分,打算在AmpereOne-3上採用優化後的「A2+」核心,處理器內有兩個或四個小晶片,每個擁有128個或64個核心,類似於亞馬遜去年發布的Graviton4。 Jeff Wittich表示,Ampere在計算方面的發展非常快,AmpereOne-3的設計還包含許多其他雲功能,包括性能管理,以充分利用所有這些核心。在每個晶片版本中,Ampere會對處理器的內核進行改進,加入許多東西,可以看到更高的性能、更高的效率、更多的功能,比如安全功能的增強,這些都發生在微架構級別。此外,Ampere還做了很多工作,以確保用戶在所有AmpereOne晶片上獲得出色的性能一致性。 據了解,AmpereOne-3處理器採用台積電3nm工藝製造,進一步提升DDR5內存的通道數,而且還可能支持PCIe 6.0標准,這對於人工智慧(AI)推理工作負載會有較大的幫助。Ampere希望通過新款晶片,可以與行業頂尖競爭者展開競爭。 ...

Rambus發布GDDR7控制器IP:面向AI 2.0的記憶體解決方案

今年3月,JEDEC固態技術協會正式發布了JES239 Graphics Double Data Rate 7即GDDR7的標准,可提供兩倍於GDDR6的帶寬,達到了192 GB/s,以滿足未來圖形、遊戲、計算、網絡和人工智慧(AI)應用對高內存帶寬不斷增長的需求。其實早在去年7月,三星就已完成了業界首款GDDR7晶片的開發工作,每個數據I/O接口的速率達到了32Gbps。 近日Rambus宣布,推出GDDR7控制器IP,這是面向AI 2.0的內存解決方案,具有行業領先的接口和安全數字IP產品組合,而且已經上市了。Rambus稱,新款GDDR7控制器IP將在下一波AI推理浪潮中提供伺服器和客戶端所需的突破性內存吞吐量,提供了功能齊全、帶寬效率高的解決方案。 Rambus GDDR7控制器主要特點包括: 支持所有GDDR7鏈路功能,包括PAM3和NRZ信令。 支持各種GDDR7設備尺寸和速率。 針對各種流量場景的高效率和低延遲進行了優化。 靈活的AXI接口支持。 支持低功耗(自刷新、休眠自刷新、動態調頻等)。 可靠性、可用性和可維護性 (RAS) 功能,比如端到端數據路徑奇偶校驗、存儲寄存器的奇偶校驗保護等。 全面的內存測試支持。 提供對第三方PHY的集成支持。 使用最新的GDDR7 VIP和內存供應商內存型號進行驗證。 與現有GDDR6使用的NRZ/PAM2或GDDT6X的PAM4信號編碼機制不同,GDDR7採用的是PAM3信號編碼機制。NRZ/PAM2每周期提供1位的數據傳輸,PAM4每周期提供2位的數據傳輸,而PAM3每兩個周期的數據傳輸為3位。 Rambus表示,新款GDDR7控制器IP適用於尖端AI加速器、圖形和高性能計算(HPC)應用,支持40 Gbps操作,為GDDR7存儲設備提供160 GB/s的吞吐量,比業界最高的吞吐量GDDR6控制器提高了67%,完全滿足新一代 GDDR內存的部署。 ...

新款三星一體機Pro韓國上市:LPDDR5X記憶體,基礎版定價165萬韓元

在本月上旬,三星宣布將在22日推出2024款一體機Pro,而在今天,這款一體機如約出現在三星韓國官網上,有Ultra 5 125H/Ultra 7 155H兩個版本。其中Ultra 5版本配備16GB內存和512GB SSD,而Ultra 7版本則可選16GB或32GB內存,硬碟容量統一為512GB。售價方面,Ultra 5版售價165萬韓元(約合人民幣8662.5元),Ultra 7版的兩個規格則分別為188萬韓元和211萬韓元(約合人民幣9870元和11077.5元)。 該款一體機採用超薄設計,底座厚度僅6.5mm,主體部分使用金屬框架設計。螢幕部分採用一塊27英寸的防眩光屏,整體長度68.6cm,比上代產品寬約13%,螢幕解析度為3840×2160,16:10比例。機內內置AKG的四揚聲器組合,包括2個5W的低音單元和2個2W的高音單元,支持杜比全景聲。螢幕上方有一顆5000萬像素的高清攝像頭,以及雙陣列數字麥克風。 三星一體機Pro搭載Ultra 5 125H/Ultra 7 155H處理器,共14核心18線程/16核心22線程,最高睿頻達4.5/4.8GHz,集成銳炬顯卡,擁有7/8個Xe核心;內存採用板載LPDDR5X內存,配備1TB PCIe 4.0 SSD,並預留多一個M.2插槽,方便用戶擴展硬碟。網絡上,該款一體機支持Wi-Fi 6E無線網絡以及藍牙 5.3。 接口方面,該款一體機包含兩個雷電4接口、一個USB 3.2接口、一個USB 2.0接口、一個HDMI接口、一個RJ45網口和音頻接口。另外,三星也為這台一體機配備了多終端互聯功能:與Galaxy系列手機配對後,可以直接訪問手機文件,並用電腦配套的滑鼠鍵盤控制,也可以與Galaxy Tab S系列平板連接,作為平板的擴展屏使用。 ...

JEDEC更新DDR5記憶體標准:引入PRAC方案,速率提升至8800Mbps

JEDEC固態技術協會在2020年,首次公布了DDR5SDRAM標准,提升重點在於提高內存密度以及頻率上。其最高速率達到了6400 Mbps,單條LRDIMM最大容量為2TB,最大UDIMM容量為128GB。 近日,JEDEC固態技術協會宣布推出最新的JESD79-5C DDR5 SDRAM標准,旨在提高可靠性和安全性,並進一步增強了性能,適用於高性能伺服器到人工智慧(AI)和機器學習(ML)等新興技術在內的各種應用領域。官方稱,目前新標準的資料已經可以從官網上下載。 在JESD79-5C DDR5 SDRAM標准里,JEDEC固態技術協會引入了一種創新的解決方案來提高DRAM數據完整性,稱為PRAC,將根據字行粒度精確計算DRAM 激活次數。當啟用了PRAC的DRAM檢測到激活次數過多時,會提醒系統暫停流量並指定時間採取緩解措施。通過DRAM和系統之間的密切協調,為解決數據完整性挑戰提供了基本准確和可預測的方法。 JESD79-5C DDR5 SDRAM標準的主要功能特性,包括: 將標准時序參數定義從6800 Mbps擴展到8800 Mbps 將DRAM內核時序和Tx / Rx AC時序擴展至8800 Mbps,之前版本最高僅支持6400 Mbps時序參數和最高7200 Mbps內核時序的部分片段 引入自刷新退出時鍾同步(Self-Refresh Exit Clock Sync),以優化I/O訓練 納入雙晶片封裝(DDP)時序 棄用部分陣列自刷新(PASR),以解決安全問題 JEDEC董事會主席MianQuddus表示,很高興JC-42委員會為推進DDR5SDRAM標准所做的努力,JESD79-5C突破性的新功能旨在支持行業對各種應用中安全性、可靠性和性能的不斷發展的需求。 ...

業界最快 三星推出10.7Gbps LPDDR5X記憶體:實現32GB單封裝容量

快科技4月17日消息,三星開發出其首款支持高達10.7Gbps速率的LPDDR5X DRAM 內存,堪稱“業界最快”。 三星表示,這款10.7Gbps LPDDR5X內存基於12nm級工藝技術,相較上代產品性能提高25%以上,容量提高30%以上。 同時該內存將移動DRAM的單封裝容量擴充至32GB,滿足端側AI應用對高性能大容量內存的需求。 值得一提的是,LPDDR5X採用了專門的節能技術,可根據工作負載頻率調整和優化供電模式,以及擴展低功耗模式頻段從而延長低能耗工作時長。 這些改進使能效比上一代產品提高了25%,從而延長了移動設備的電池壽命,並通過降低伺服器處理數據時的能耗,最大限度地降低了總體擁有成本(TCO)。 經過與移動應用處理器(AP)和移動設備供應商的驗證之後,10.7Gbps LPDDR5X將於今年下半年開始量產。 來源:快科技

三星推出速率達10.7Gbps的LPDDR5X:專為人工智慧應用優化

三星宣布,已開發出其首款速率達10.7Gbps的LPDDR5X DRAM。三星表示,新款LPDDR5X是未來端側人工智慧(AI)的理想解決方案,預計將在PC、加速器、伺服器和汽車領域中得到更廣泛的應用,將鞏固其在低功耗DRAM市場的技術卓越地位。 三星電子內存業務內存產品規劃執行副總裁YongCheol Bae表示:「隨著對低功耗、高性能內存需求的增加,LPDDR DRAM的應用領域有望從主要的移動領域擴展到PC、加速器、伺服器和汽車等其他領域,傳統上說,它們需要更高性能和可靠性,三星將通過與客戶的密切合作,不斷創新,為即將到來的設備端人工智慧時代提供更優的產品。」 速率10.7Gbps的LPDDR5X採用了12nm級別的工藝技術,實現了三星現有LPDDR中最小的晶片尺寸。相比於上一代產品,這次的新款LPDDR5X在性能上提高了25%以上,容量也提升了30%以上,同時還將移動DRAM的單封裝容量擴展到了32GB,成為端側人工智慧時代里高性能、大容量和低功耗內存的理想解決方案。 三星還採用了專門的節能技術,可根據工作負載頻率調整和優化供電模式,以及擴展低功耗模式頻段從而延長低能耗工作時長。這些改進使得速率10.7Gbps的LPDDR5X在能效上有了進一步的提升,相比上一代產品提高了25%,延長了移動設備的電池續航時間,並降低了處理伺服器處理數據的能耗,最大限度地降低了總體擁有成本(TCO)。 在與設備供應商完成驗證後,三星計劃在今年下半年開始量產速率10.7Gbps的LPDDR5X。 ...

曝英偉達計劃四季度推出RTX 5090 採用GDDR7、核心數增加50%

快科技4月14日消息,據媒體報導,英偉達計劃在今年第四季度推出RTX 5090及RTX 5080顯卡。 此將有助於英偉達合作夥伴擴大出貨量,尤其是隨著越來越多的玩家向高端升級,這些GPU的推出還將有助於提高GPU的平均售價。 報導表示,RTX 5090價格可能超過2500美元(約合18093元人民幣)。 根據曝光的信息,代號GB202的RTX 5090 CUDA內核數量將增加50%,達到24576個,比RTX 2080內核數量高出8倍以上。 RTX 5090還將首次採用新一代GDDR7顯存,相比目前RTX 4090的GDDR6X提升了52%。 RTX 5090最大的升級之一就是時鍾頻率預計將提高15%提升至2.9GHz,在遊戲場景下可輕松超過3GHz。 此外在光線追蹤方面,英偉達RTX 5090的性能目標是提高2.5倍,計算能力將提高2倍,功耗可能高達520W。 英偉達RTX 4090 來源:快科技

瀾起科技率先試產DDR5 CKD晶片:面向客戶端記憶體模組,支持7200 MT/s速率

瀾起科技宣布,在業界率先試產DDR5第一子代時鍾驅動器晶片(簡稱CKD),已開始批量供貨給內存廠商。瀾起科技表示,該款CKD晶片應用於新一代客戶端內存,旨在提高內存數據訪問的速度及穩定性,以匹配日益提升的CPU運行速度及性能。 此前時鍾驅動功能一直集成於寄存時鍾驅動器(RCD)晶片上,在伺服器RDIMM或LRDIMM模組上使用,不過並沒有部署到PC端。瀾起科技先後推出了多代時鍾驅動器晶片,其中第一子代晶片在2021年發布支持數據速率為4800 MT/s,隨後又在2022年和2023年成功發布了DDR5第二子代(5600 MT/s)、第三子代(6400 MT/s)RCD晶片,到了今年1月,RCD晶片來到了第四子代,支持數據速率為7200 MT/s的DDR5。 對於客戶端DDR5內存模組來說,當數據速率達到6400MT/s及以上時,CKD晶片也成為了必不可少的器件。其主要應用於DDR5客戶端內存模組CUDIMM、CSODIMM和CAMM,用來緩沖客戶端中央處理器和DRAM之間的時鍾信號,提升高速時鍾信號的完整性和可靠性。 這次試產的DDR5第一子代時鍾驅動器晶片符合JEDEC DDR5CKD01標准,支持的數據速率高達7200MT/s。晶片支持雙邊帶總線地址訪問及I²C、I3C接口。通過配置寄存器,該晶片可改變其輸出信號特性以匹配不同DIMM的網絡拓撲,還可通過禁用未使用的輸出信號以降低功耗。 ...

上限不止6800MHz 英睿達DDR5 Pro記憶體超頻版評測:溫度僅有36℃

一、前言:英睿達推出DDR5 Pro內存超頻版 主流高性價 短短兩年,DDR5已經迅速普及,並且經過不斷打磨和優化,一改初期頻率低、延遲高的窘境,各方面表現都完全可以滿足從高端到主流用戶的不同需求。 如今的DDR5內存,頻率達到8000MHz左右的一大把,還可以輕松超頻到8600MHz甚至更高。 但是對於主流用戶而言,過高的頻率意義並不大,性能和價格的提升並不成正比,更實惠的還是6000MHz的常規頻率,再加上一定的超頻空間,瞬間就可以性價比爆棚。 美光作為御三家存儲企業之一,旗下子品牌英睿達帶來的這款DDR5 Pro內存超頻版,就是專為有一定追求的主流用戶設計,默認頻率6000MHz,也保留了一定的可玩空間。 在測試之前,我們先來看下這款英睿達DDR5 Pro內存超頻版的規格: 作為超頻版,在朴實無華的散熱馬甲之下,它的默認頻率為5600MT/,可以輕松一鍵超頻到6000MT/的高頻率,同時還有36-38-38-80的超低時序,比起同樣頻率、時序CL48的內存,延遲要低了25%。 夠高的頻率加更低的時序,可以帶來更強的性能,日常使用時的讀寫操作也會更為迅速。 在兼容性上,這款英睿達DDR5 Pro內存超頻版同時支持Intel XMP 3.0和AMD EXPO兩大平台超頻技術,保證在不同平台上都可以發揮出最大潛力。 接下來,我們就來看看英睿達DDR5 Pro內存超頻版的表現如何。 來源:快科技

華擎推出Z790/B760I Lightning WiFi:支持DDR5-8600+記憶體的ITX主板

華擎宣布,推出新款Mini-ITX規格主板,分別為Z790I Lightning WIFI和B760I Lightning WIFI,均屬於幻影Phantom Gaming(PG)系列產品線。新產品延續了該系列的美學設計,帶有獨特的黑色配色方案,散熱馬甲上會有其品牌標識,不過沒有配備RGB燈效。 Z790I Lightning WIFI和B760I Lightning WIFI採用14+1+1相供電和伺服器級低損耗8層PCB設計,配備復合VRM散熱模塊,其中前者採用了持久耐用的20K黑色電容器;支持英特爾第12/13/14代酷睿系列處理器;提供了兩條DDR5內存插槽,支持最高DDR5-8600+(OC)規格,支持Intel XMP 3.0技術,最大容量96GB,可支持單條容量為24/48GB的內存;配有一條PCIe 5.0 x16插槽;兩者都提供了兩條PCIe 4.0 M.2插槽(Hyper M.2),均為x4通道,支持M.2 2280規格;另外還有三個SATA III接口;並配有M.2 2230插槽,帶有支持Wi-Fi 6E和藍牙5.3的無線網卡。 在後置I/O方面,Z790I Lightning WIFI和B760I Lightning...

華擎發布Z790I & B760I Lightning WiFi主板 釋放超頻潛能 支持DDR5-8600 締造4項世界超頻紀錄

2024年4月3日 — 全球主板、顯卡、迷你主機及電競顯示器領導廠商華擎科技(ASRock Inc.)發表全新Z790I Lightning WiFi、B760I Lightning WiFi mini-ITX主板,搭載14+1+1相強勁供電規格與優化內存線路設計,完整發揮Intel® Core? 14代K系列處理器強大效能,領先支持DDR5 8600+ MHz超頻內存,為電競玩家與迷你主機愛好者帶來極致超頻性能的mini-ITX主板新選擇。Z790I Lightning WiFi搭配Intel® Core? i9-14900KS創下4項超頻世界紀錄,而B760I Lightning WiFi主板更在CES 2024消費性電子展獲得Tom’s Hardware頒予最佳主板的殊榮,凸顯出其出色硬體設計與超頻潛力。 Z790I Lightning WiFi及B760I Lightning...

72通道狂飆40GHz 全球首個GDDR7顯存測試系統登場

GDDR7顯存標准規范已經公布,NVIDIA、AMD下一代顯卡都有望引入,各方面的准備工作都在基金推進。 快科技3月28日消息,作為JEDEC組織成員,測量儀器廠商Introspect Technology宣布已出貨全球首個商用的GDDR7顯存測試系統“M5512”。 這套系統包含72個高性能針腳,每一個都可以在PAM3模式下達到40Gbps(或者說40GHz)的超高速率,都支持雙向讀寫操作,都具備全套模擬特性。 該系統還集成了設備供電,可以精確控制供電,以及高度靈活的Pinetree環境,可用來測試GDDR7顯存控制器、PHY物理層。 總的來說,這套系統可以全方位測試、檢驗GDDR7顯存的各方面表現。 來源:快科技

三星已准備好GDDR7晶片,速率28/32Gbps產品頁面已上線

本月初,JEDEC固態存儲協會正式發布了JES239 Graphics Double Data Rate 7,即GDDR7的標准。隨後在英偉達GTC 2024上,三星和SK海力士都展示了自己的GDDR7晶片,這是為接下來基於Blackwell架構的Geforce RTX 50系列顯卡所准備的,未來也會用於人工智慧、高性能計算和汽車等應用。 有網友發現,目前速率為28Gbps(頻率3500MHz)和32Gbps(頻率4000MHz)的GDDR7產品頁面已經在三星官網上線,對應的晶片型號分別為K4VAF325ZC-SC28和K4VAF325ZC-SC32,均為16Gb(2GB)的模塊。信息顯示,兩款晶片都已向客戶提供了樣品,意味著很快會進入批量生產階段。 與現有GDDR6使用的NRZ/PAM2或GDDT6X的PAM4信號編碼機制不同,GDDR7採用的是PAM3信號編碼機制。NRZ/PAM2每周期提供1位的數據傳輸,PAM4每周期提供2位的數據傳輸,而PAM3每兩個周期的數據傳輸為3位。 其實早在去年7月,三星就宣布完成了業界首款GDDR7晶片的開發工作,每個數據I/O接口的速率達到了32Gbps。三星承諾能效方面GDDR7相比GDDR6會有20%的提升,為此引入了幾項新的技術,比如具有高導熱性的環氧模塑化合物(EMC),讓GDDR7封裝的熱阻降低了70%,以確保有源組件不會過熱,在高速運轉時仍有穩定表現。 ...

美光展示256GB DDR5-8800 MCRDIMM記憶體:功耗為20W

快科技3月25日消息,據媒體報導,美光展示了單條256GB的DDR5-8800內存,屬於MCRDIMM模塊。 據悉,美光近期展示了其創新的單條256GB DDR5-8800內存,這款內存以非標准高度設計,同時為了滿足1U伺服器的需求,美光還推出了標准高度款。 非標准高度款內存採用了32Gb DDR5晶片,每面密集排列了40塊晶片,雙面合計達到80塊,充分展現了其高集成度的設計特點。 而標准高度款雖然同樣使用了32Gb DDR5晶片,但採用了2層堆疊封裝的方式,以適應更為緊湊的空間。 然而,這種設計可能會使得在有限空間內運行時,溫度稍高於非標准高度款,盡管兩款內存的高度不同,但它們的功耗均控制在大約20W,展現了出色的能效表現。 值得一提的是,美光此次展示的內存採用了MCRDIMM技術,這是由英特爾、SK海力士及瑞薩共同合作開發的。MCRDIMM,即多路合並陣列雙列直插內存模組,其初始規格為DDR5-8000,為高性能計算提供了強大的支持。 據去年英特爾的展示,當Granite Rapids處理器與DDR5-8800的MCRDIMM內存模塊搭配使用時,雙路系統的內存帶寬將高達驚人的1.5 TB/。 而Granite Rapids支持12通道內存子系統,每個通道可接入兩個內存模塊,若採用DDR5-8800的MCRDIMM內存模塊,其內存容量可達到3TB(12個插槽)或6TB(24個插槽),極大地提升了系統的數據處理能力,這一創新為高性能計算領域的發展注入了新的活力,期待未來能為我們帶來更多驚喜。 來源:快科技

電壓僅1.1V 英睿達DDR5 Pro記憶體超頻版圖賞

快科技3月23日消息,英睿達推出了DDR5 Pro內存,現在已經來到我們評測室,下面為大家帶來圖賞。 英睿達DDR5 Pro內存配備了黑色的散熱模塊,沒有RGB燈效。 與一般的Classic系列不同的是,Pro系列內存支持官方超頻技術,支持Intel XMP 3.0和AMD EXPO,為用戶帶來更強的性能。 我們手上的是DDR5-6000 32GB(16GB x2)套裝,在保持6000MT/高頻率的同時,時序優化至CL36-38-38,相比標准版的CL48-48-48有了顯著的提升。 為了實現更好的超頻效果,這款內存的電壓也由標準的1.1V提升至1.35V。這不僅保證了內存在高頻運行時的穩定性,也為其提供了更大的超頻潛力。 官方表示,Pro內存超頻版在降低延遲的同時,還能在1080p和1440p解析度下提升多款內存密集型遊戲的運行幀率。 來源:快科技

三星計劃推出Mach-1:輕量級AI晶片,搭配LPDDR記憶體

三星電子DS部門負責人慶桂顯(Kye Hyun Kyung)在第55屆股東大會上宣布,將於2025年初推出人工智慧(AI)晶片Mach-1,正式進軍AI晶片市場。三星希望,能夠在快速增長的人工智慧硬體領域與其他公司進行競爭,比如英偉達。 據SeDaily報導,Mach-1屬於ASIC設計,被定為為輕量級人工智慧晶片,搭配LPDDR內存產品。其擁有一項突破性的功能,與現有的設計相比,能顯著降低了推理應用的內存帶寬需求,僅為原來的八分之一,降低了87.5%。三星認為,這一創新設計將使Mach-1在效率和成本效益方面具有競爭優勢。 隨著市場對人工智慧設備和服務的需求不斷增加,讓三星堅定了進軍人工智慧晶片市場的決心。不過有三星這樣想法的企業並不在少數,預計未來幾年人工智慧晶片市場的競爭會加劇,同時也進一步推動了行業的創新。雖然英偉達目前在該領域占據了主導地位,但三星有著完善的半導體供應體系,而且具備先進的半導體製造技術,某種程度上很可能使其成為一個強大的競爭者。 據了解,Mach-1目前已進行了基於FPGA的技術驗證,正處於最終的SoC物理設計階段,其中包括了放置,路由和其他布局的優化,預計將於今年底完成製造過程。 ...

SK海力士展示新一代GDDR7顯存:傳輸速度40Gbps,可提供160GB/s帶寬

前天我們報導了三星展示新一代GDDR7顯存,而作為內存巨頭的SK海力士也隨後展出了自家的GDDR7顯存。SK海力士的GDDR7顯存容量涵蓋16-24Gb,傳輸速度可達40Gbps,比三星所展出的GDDR7顯存快8Gbps,並且可以提供160GB/s的顯存帶寬。 而根據以上信息,不難算出未來SK海力士GDDR7的顯存規格: 除了上述信息外,SK海力士並沒有披露更詳細的信息,像運行電壓、功耗、顯存熱阻等信息都未知,只是籠統地介紹了GDDR7的一些標准特性。不過這次展示出來的顯存傳輸速度比早些時候披露的35.4Gbps快上不少,甚至比三星最快的37Gbps GDDR7顯存還要快3Gpbs,這很有可能會打擊三星在新顯卡供應鏈上的地位。 除了GDDR7顯存以外,SK海力士還展出了服務於移動端的LPDDR5T內存和DDR5 MCR DIMM伺服器內存,後者單條容量可達64GB,傳輸速度8800Mbps,運行電壓為1.1V。 ...

RTX 5090要首發 性能要翻倍 三星展示GDDR7顯存

快科技3月20日消息,三星在GTC上展示了專為下一代遊戲GPU設計的GDDR7內存。 首次推出的GDDR7內存模塊密度為16GB,每個模塊容量為2GB。其速度預設為32 Gbps(PAM3),但也可以降至28 Gbps,以提高產量和初始階段的整體性能和成本效益。 據三星表示,GDDR7內存的能效將提高20%,同時工作電壓僅為1.1V,低於標準的1.2V。通過採用更新的封裝材料和優化的電路設計,使得在高速運行時的發熱量降低,GDDR7的熱阻比GDDR6降低了70%。 據爆料顯示,RTX 50系列的旗艦卡,預計將命名為RTX 5090,將首次採用新一代的GDDR7顯存。根據爆料顯示,新卡的性能預計將提升近一倍。 此外,即便搭配256-bit位寬,在37GHz的高頻率下,GDDR7仍能提供1.18TB/的帶寬,超過384-bit 24GHz的GDDR6。這將為遊戲GPU的性能提升提供有力支持。 來源:快科技

三星展示新一代GDDR7顯存,將被用於未來的RTX 50系顯卡

JEDEC在本月月初制定了GDDR7顯存的具體標准,在正在舉行的GTC 2024上NVIDIA只帶來了數據中心的產品,並沒有展示為遊戲而准備的Blackwell架構,但三星帶來了為新一代顯卡所准備的GDDR7顯存。 目前來看NVIDIA下一代RTX 50系顯卡極大機率會採用GDDR7顯存,而三星則會成為新顯存的重要供應商之一,hardwareluxx在GTC會場上拍到了三星所展示的GDDR7顯存。GDDR7顯存的頻率將從28~32Gbps起跳,未來計劃會有速度更快的37Gbps版本,但從目前泄露的RTX 50系顯卡信息來看,新顯卡可能無法充分發揮GDDR7的速度,因為顯卡的顯存頻率被設置在28Gbps。 三星現場所展示的GDDR7顯存速度是32Gbps,和目前最快的GDDR6X相比帶寬提升了33%,而GDDR7的額定電壓是1.1V,這點與GDDR6是一樣的,而GDDR6X則需要1.35V,這意味著更高的能耗比,此外三星表示新的顯存熱阻降低了70%,這能降低運行時所產生的熱量,散熱會比GDDR6X更容易。 雖然關於下一代GeForce顯卡的傳聞有許多,但發布時間還是不確定的,NVIDIA可能會在今年某個時間發布RTX 50系列顯卡,屆時我們才能看到新一代GDDR7顯存具體的表現。 ...

首發899元 阿斯加特新款DDR5 6800記憶體套條上架:海力士顆粒

快科技3月19日消息,阿斯加特DDR5 6800女武神·瓦爾基里聯名款套條已上市,首發899元。 設計上,新款內存條為了與微星MPOWER主板搭配,其採用MPOWER聯盟外觀設計,全家桶式搭配。 同時,它採用海力士A-Die顆粒,時序32-45-45-108,DDR5 DRAM為每128位數據設置8位的ECC存儲空間,使得On-die ECC具有強大的RAS功能,可以保護存儲器陣列免受單個數位錯誤的影響。 此外,新款內存條支持XMP3.0技術,無需反復調試、測試內存參數,一鍵超頻,運行速度更上一層樓的同時保證系統穩定運行。XMP3.0技術帶來更快捷方便的超頻,運行速度更上一層樓。 其他方面,其配備2mm厚度散熱片,支持RGB燈效,8個獨立燈光控制區域,兼容各大主板原廠調節軟體。 來源:快科技

Crucial推出單根12GB的DDR5記憶體,讓消費者有更多選擇

現在的DDR5內存基本上都是16GB起步的,雖然確實存在8GB單條的DDR5,但說真的16GB內存放現在只能說是勉強夠用,但隨著Intel和AMD啟用了對非二進位內存的支持,單根24GB和48GB的DDR5已經能在市場上買得到,還有最近還有一個新的選擇,就是單條12GB的內存。 美光旗下的Crucial已經在英國亞馬遜上市了單根12GB的DDR5 SO-DIMM筆記本內存,內存頻率是5600MT/s,向下兼容5200和4800MT/s,會根據平台所支持的頻率自適應。 說真的16GB*2的組合可能對大部分人來說容量有點過剩了,而8GB*2又不太夠用,現在12GB*2的出現正好填充這一市場空白,估計OEM廠商很快也會跟上。 Crucial該款DDR5-5600 12GB內存單條售價是44.99英鎊,12GB*2套裝售價則是87.99英鎊,根據頁面顯示,發貨時間是3月31日,目前Crucial的官網上暫時沒看到這款內存的信息,不過估計很快就會放出來。 ...

JEDEC將於2024Q3完成LPDDR6標准制定:為低功耗設備帶來更高效的性能表現

JEDEC固態存儲協會在2019年正式發布了JESD209-5標准Low Power Double Data Rate 5即LPDDR5的標准,6400MT/s的速率相比最初的LPDDR4翻了一倍,大幅提高了新一代便攜電子設備的性能,同時還專門為汽車等業務設計了新的功能。 據ETnews報導,JEDEC預計在2024年第三季度最終確定下一代LPDDR6標準的規格,將為低功耗設備帶來更高、更快和更高效的性能。 LPDDR6將取代現有的LPDDR5,過去幾年裡,三星和美光還帶來了LPDDR5x,而SK海力士也提供了LPDDR5T,速率提升已至9.6 Gbps,這些低功耗DRAM也成為了智慧型手機和各種輕薄設備的理想選擇。去年末,JEDEC推出了CAMM2標准,提供了新的內存模塊設計,其中搭載LPDDR5(x)的LPCAMM2內存模塊為小型化設備帶來了更大容量的可升級選項,估計LPDDR6也會支持同樣的設計。 目前外界對LPDDR6的規格知之甚少,除了提高數據傳輸速率外,不知道還會有哪方面的改進。按照現在業界的發展趨勢,對人工智慧(AI)方面的優化是必不可少的。一旦標准確定,相信三星、SK海力士和美光等DRAM製造商就會馬上跟進,全面參與到LPDDR6新產品的開發和生產中。此前有報導稱,高通今年的第四代驍龍8平台將支持LPDDR6,以進一步提升定製Oryon內核的性能。 不過以業界過往的情況來看,不太可能今年底看到設備採用LPDDR6,預計要等到2025年底或2026年初。 ...

RTX 5090痛失512位顯存 GDDR7足矣

快科技3月10日消息,NVIDIA有望在今年底或明年初發布下一代RTX 50系列顯卡,大機率首發配備新一代GDDR7顯存,但是顯存位寬和之前的說法不太一樣。 早先有傳聞稱,RTX 50系列可能會回歸消失多年的最多512位顯存,大大提升帶寬。 但是根據曝料專家@kopite7kimi的最新說法,GB20x系列核心的顯存配置和現有AD10x的基本沒什麼區別。 Ada Lovelace架構家族的核心有五種AD102、AD103、AD104、AD106、AD107,位寬分別為384、256、192、128、128-bit。 其中,AD104、AD106相比上代GA104、GA106,位寬都縮水降低了一個檔次。 Blackwell架構家族的核心據說也是五種,分別叫GB202、GB203、GB205、GB206、GB207。 如此說來,它們的位寬配置應該還是384、256、192、128、128-bit。 GDDR7顯存的等效頻率起步就有32GHz,相比於GDDR6X 24GHz提高了三分之一,搭配384-bit位寬就能提供1.5TB/的帶寬,相當富裕了,自然不再需要成本高得多、需要大量電晶體的512-bit。 ,美光稱2025年內就會量產3GB,只是不知道是否來得及配給RTX 5090,如果來得及就能做到36GB! GB202、GB203、GB205三個中高端核心都有望搭配GDDR7,低端的GB206、GB207幾乎肯定不會上。 來源:快科技

GDDR7容量停滯不前只有2GB 未來首創3GB

快科技3月8日消息,近日,JEDEC組織正式公布了GDDR7顯存技術規范,各方面指標都有顯著進步,但沒想到在容量密度上停滯不前,只能期待未來了。 GDDR7升級為四通道傳輸架構,每針腳帶寬增至32-48Gbps,相當於GDDR6/6X的整整2-3倍,256-bit位寬下的帶寬最高可達1.5TB/,還支持片上ECC,而電壓從1.35V降低至1.2V,進一步節省功耗。 此外,信號調制從PAM-4降低到PAM-3,減輕負擔,封裝方式改為266 FBGA。 第一批GDDR7顯存的單顆容量將會只有2GB(16Gb),和如今的GDDR6/6X完全一致,因此首發搭載的NVIDIA RTX 50系列、AMD RX 8000系列,仍然需要相當多的顯存才能達成超大容量。 還好,JEDEC也規劃了更高的容量密度,未來陸續會有3GB、4GB、6GB,甚至是8GB,其中3GB這種反常規容量是首次出現。 但何時量產,就要看三星、美光、SK海力士等巨頭的進度,以及NVIDIA、AMD的採納意願。 值得一提的是,GDDR6時代也曾經設計過1.5GB單顆容量,但從未量產。 GDDR5/6/7通道架構圖 GDDR7片上ECC流程示意圖 GDDR7針腳定義示意圖 來源:快科技

十銓推出T-FORCE XTREEM ARGB幻鏡DDR5記憶體:2mm厚鋁合金散熱片

快科技3月7日消息,十銓旗下電競品牌T-FORCE推出了T-FORCE XTREEM ARGB幻鏡DDR5台式機內存,支持多種燈效控制項。 據介紹,新產品可以讓電競玩家暢享遊戲快感的同時,更以流動輕柔的燈效締造極光沉浸式氛圍,透過與眾不同的風格,滿足消費者對強悍性能與極致美學的追求。 T-FORCE XTREEM ARGB幻鏡DDR5台式機內存在外形設計和性能表現上都做了全面的升級,採用了2mm厚度的鍛造鋁合金黑色霧感散熱片,同時搭載了兩件式導光柱,散發出柔和細致的極光流動魅力,並支持多種燈效控制軟體。 此外,T-FORCE XTREEM ARGB幻鏡DDR5台式機內存擁有獨家IC分級驗證技術,採用了10層專業抗擾的優化PCB板,並強化了PMIC電源管理晶片的散熱設計,支持On-die ECC糾錯機制。 首批提供了7600MHz(CL36)、8000MHz(CL38)及8200MHz的產品, 包括了32GB(16GB x2)和48GB(24GB x2)套裝,搭載的是SK海力士的顆粒,工作電壓為1.4V,支持Intel XMP 3.0技術,帶有終身質保,在非人為損壞下皆提供免費更換的服務。 來源:快科技

十銓推出T-FORCE XTREEM ARGB幻鏡DDR5記憶體:2mm黑合金散熱片+雙導光柱

十銓科技(Team Group)宣布,旗下電競品牌T-FORCE以尖端的研發技術,推出T-FORCE XTREEM ARGB 幻鏡 DDR5台式機內存,帶來了千變萬化沉浸式極光魅力。十銓科技表示,新產品可以讓電競玩家暢享遊戲快感的同時,更以流動輕柔的燈效締造極光沉浸式氛圍,透過與眾不同的風格,滿足消費者對強悍性能與極致美學的追求。 T-FORCE XTREEM ARGB 幻鏡 DDR5台式機內存在外形設計和性能表現上都做了全面的升級,採用了2mm厚度的鍛造鋁合金黑色霧感散熱片,擁有玄武岩般的堅硬耐用及黑沙灘柔細質感,通過完美的金屬工藝展現出極致美學,同時搭載了兩件式導光柱,散發出柔和細致的極光流動魅力,並支持多種燈效控制軟體。 T-FORCE XTREEM ARGB 幻鏡 DDR5台式機內存擁有獨家IC分級驗證技術,採用了10層專業抗擾的優化PCB板,並強化了PMIC電源管理晶片的散熱設計,支持On-die ECC糾錯機制。首批提供了7600MHz(CL36)、8000MHz(CL38)及8200MHz的產品, 包括了32GB(16GB x2)和48GB(24GB x2)套裝,搭載的是SK海力士的顆粒,工作電壓為1.4V,支持Intel XMP 3.0技術,帶有終身質保,在非人為損壞下皆提供免費更換的服務。 十銓科技表示,新產品將於3月底率先在北美亞馬遜和新蛋平台開賣。 ...

JEDEC發布GDDR7標准:可提供兩倍於GDDR6的帶寬,達192GB/s

近日,JEDEC固態存儲協會正式發布了JES239 Graphics Double Data Rate 7即GDDR7的標准,可提供兩倍於GDDR6的帶寬,達到了192 GB/s,以滿足未來圖形、遊戲、計算、網絡和人工智慧應用對高內存帶寬不斷增長的需求。 JES239 GDDR7是首款使用脈沖幅度調制(PAM)接口進行高頻操作的JEDEC標准DRAM,採用了PAM3信號編碼機制。相比NRZ/PAM2每周期提供1位的數據傳輸和PAM4每周期提供2位的數據傳輸,PAM3每兩個周期的數據傳輸提升至3位,能效得到較為顯著的提升。 此外,JES239 GDDR7還擁有以下高級功能特性: 具備支持眼圖掩蔽和誤差計數器的核心獨立LFSR(線性反饋移位寄存器)訓練模式,可提高訓練准確性,同時減少訓練時間。 獨立通道數量翻倍,從GDDR6的2個增加至4個。 支持16 Gbit至32 Gbit的存儲容量以及雙通道模式,可使系統容量翻倍。 通過整合最新的數據完整性功能來滿足市場對RAS(可靠性,可用性,可服務性)的需求,包括帶實時報告的晶片上ECC (ODECC)、數據中毒、錯誤檢查和清理以及帶命令阻塞的命令地址奇偶校驗(CAPARBLK)。 JEDEC董事會主席Mian Quddus表示:「JESD239 GDDR7標志著高速存儲器設計的重大進步。隨著向PAM3信號的轉變,存儲器行業有了一條擴展GDDR設備性能的新途徑,有效推動圖形和各種高性能應用的持續發展。」 包括美光、三星、海力士在內的多家存儲廠商都對JEDEC發布的JES239 GDDR7標准表示支持,並積極推動GDDR7顯存的發展計劃。其中,早在去年7月,三星就宣布已完成了業界首款GDDR7晶片的開發工作,每個數據I/O接口的速率達到了32Gbps,並承諾GDDR7在能效方面相比GDDR6會有20%的提升。首款16Gb GDDR7晶片在位寬為384位的情況下,提供了高達1.536 TB/s的帶寬,遠遠超過了目前GeForce RTX 4090的1.008 TB/s。 ...

RTX 5090要首發 性能要翻倍 GDDR7顯存標准公布:英偉達AMD加入

快科技3月6日消息,今天JEDEC正式宣布GDDR7為下一代顯存標准,AMD和NVIDIA均已加入。 目前,三星和美光都已制定了下一代GDDR7內存模塊的開發計劃。三星的目標是達到32Gbps的速度,而美光的目標也是24Gb+32 Gbps的晶片。美光在其最新的路線圖中也公布了到2026年達到36 Gbps和24 Gb+的內存模塊。 從公布標准看,JESD239 GDDR7的帶寬是GDDR6的兩倍(獨立通道數量增加一倍,增加至4個),每個器件可達192 GB/,支持16 Gbit至32 Gbit密度,包括支持雙通道模式,使系統容量翻倍。 JEDEC表示:"JESD239 GDDR7標志著高速內存設計的重大進步。隨著向PAM3信號的轉變,存儲器行業有了一條新的途徑來擴展GDDR器件的性能,並推動圖形和各種高性能應用的不斷發展,其不僅注重帶寬,而且通過整合最新的數據完整性功能滿足 RAS 市場需求的GDDR"。 從目前的情況看,RTX 50系列旗艦卡——大機率叫做RTX 5090——將會首發新一代顯存GDDR7,從爆料看,新卡的性能提升很暴力,比上一代性能提高近一倍。 按照之前三星GDDR7曝光的情況,37GHz的高頻率下,GDDR7即便搭配256-bit位寬也能提供1.18TB/的帶寬,超過384-bit 24GHz GDDR6。 如果搭配384-bit位寬,32GHz GDDR7的帶寬就將有幾乎1.8TB/,相比於RTX 4090領先足足80%,並且差不多是RX 7900 XTX的兩倍。 從目前情況看,AMD對於RTX 5090等英偉達旗艦卡,幾乎不會有直接的還手能力。 來源:快科技

849元 美光英睿達DDR5 Pro超頻記憶體上架:最高6000MT/s

快科技2月28日消息,美光英睿達DDR5 Pro內存超頻版目前已經上架,首發849元。 據介紹,新款內存的速度高達6000MT/,採用鋁制散熱器,折紙工藝設計,造型時尚炫酷。 同時,官方對時序進行了調優超頻:標准Pro系列DDR5-6000內存的時序為CL48-48-48,而超頻版本為CL36-38-38 (-80),內存電壓也由1.1V提升至1.35V。 此外,其嚴選美光原廠顆粒,在組件級採用顆粒上ECC(ODECC)設計,即使面對未來下一代計算機的嚴格要求也能夠保持穩定和可靠。 美光表示,Pro內存超頻版比原版降低了25%延遲,並宣稱其可在1080p和1440p解析度下提升《賽博朋克2077》《彩虹六號:圍攻》等內存密集型遊戲的運行幀率。 來源:快科技

讀速高達14500MB/s 美光推出英睿達Pro系列Gen5固態硬碟、DDR5超頻記憶體

快科技2月21日消息,今天,美光宣布推出兩款全新Crucial英睿達Pro系列產品,包括Crucial 英睿達DDR5 Pro內存:超頻版和Crucial英睿達T705 Gen5固態硬碟。 T705固態硬碟採用了美光232層TLC NAND,可充分釋放Gen5性能潛力,順序讀取和寫入速度分別高達14500MB/和12700MB/(1550K/1800K IOPS隨機讀取和寫入速度)。 如此高的速度,可輕松應對遊戲、視頻編輯、3D渲染和繁重工作負載的AI應用程式處理。 該硬碟容量為4TB,有散熱器和無散熱器兩個版本,可向下兼容Gen3和Gen4主板,兼容最新Intel Core第13代、第14代CPU和 AMD Ryzen 7000 CPU。 Crucial英睿達DDR5 Pro內存:超頻版目前提供有16GB版本,速度高達6000MT/,時序為36-38-38-80。 同時這些DDR5超頻DRAM模塊可兼容新的DDR5 Intel和AMD CPU,所有模塊均支持Intel XMP 3.0和AMD EXPO,讓用戶無需考慮兼容性問題。 美光表示,藉助DDR5 Pro內存:超頻版和 T705 固態硬碟,發燒友、遊戲玩家和專業人士能夠以更快的速度、帶寬和性能,充分發揮 AI-PC 的實力,處理、渲染和存儲大量 AI 生成的內容。 此外,本年稍晚些時候還將推出24GB版本的超頻內存,限量版2TB白色散熱器版本T705固態硬碟也將在3月12日推出。 來源:快科技

阿斯加特DDR5 5600MHz 16GB 筆記本記憶體269元限時促銷 近期好價

阿斯加特DDR5 5600MHz 16GB 筆記本內存269元限時促銷 近期好價 快科技2月16日消息,阿斯加特16GB DDR5 5600 筆記本內存條已加入京東3C數碼年貨節促銷活動,原價319元,限時促銷價僅為269元。 阿斯加特16GB DDR5 5600MHz筆記本內存採用的是美光顆粒,工作電壓僅有1.1V,頻率5600MHz,時序46-46-46-90,提供終身質保。 這款內存支持On-die ECC自動修正數據,可以有效地防止因內存數據出錯而造成系統崩潰等問題。另外,它還在電路板中加入了PMIC電源芯框架,從而保證低功耗的同時也能更省電。 此款內存還有4800MHz版本,當前價格為249元,吸引力看上去不如5600MHz 16GB。 來源:快科技

每GB不到5毛錢 8GB DDR3 1600記憶體48元到手

雖說內存已經步入了DDR5時代,但是市面上DDR3內存的需求仍然,畢竟使用E3-V2/V3處理器的還大有人在。 現在金百達DDR3 1600 8GB內存正在京東平台進行促銷活動,僅需48元就能到手,比原價便宜了11元。也就是說只需要付出不到100元,就能升級到16GB內存,讓老電腦煥發新春。 金百達DDR3 1600 8GB內存工作電壓為1.5V,頻率1600MHz,CL值為11,提供終身質保。 來源:快科技

799元 七彩虹推出戰斧·赤焰白系列48GB記憶體套裝:DDR5-6600

快科技2月1日消息,七彩虹推出了戰斧·赤焰白系列DDR5-6600 48GB(24GBx2)套裝,售價為799元。 新款戰斧優化了外觀,設計語言稜角分明,更具視覺沖擊力。紅與白、黑與紅兩種方案配色。 戰斧·赤焰系列內存不但有最新的DDR5產品,也有成熟的DDR4型號,完全覆蓋了玩家現階段選購內存類型的選擇。 戰斧·赤焰系列DDR5內存整體尺寸為139.2x38.2x7.7 mm,此次單條24GB款式為赤焰白配色,頻率為6600MHz,時序為CL34,採用的是SK海力士M-Die顆粒,支持Intel XMP 3.0技術。 此外,這款內存具有工業級On-die ECC糾錯功能智慧管控運行狀態,全新PMIC電源管理模塊實現內存電壓自主管理,內存運行更智能,更穩定。 來源:快科技

24GB*2僅799元 七彩虹發布新版戰斧·赤焰DDR5記憶體:頻率6600MHz

快科技2月1日消息,今天,七彩虹在電商平台上架了戰斧·赤焰DDR5內存的6600MHz頻率新版本,24GB雙條定價799元。 據介紹,新款戰斧對外觀進行了優化,設計語言稜角分明,更具視覺沖擊力,共擁有紅白和黑紅兩種配色方案。 該內存條尺寸為長139.2mm、高38.2mm、寬7.7mm,產品CL值為C34. 該內存條還支持英特爾XMP 3.0自動超頻功能,一鍵即可釋放強悍性能。 搭載了海力士原廠顆粒,均經過多重測試篩選,嚴格把控每一道工序,保證內存穩定使用。 此外新款戰斧支持工業級On-die ECC糾錯功能,可智慧管控內存運行狀態;搭載的全新PMIC電源管理模塊實現內存電壓自助管理,使得內存運行更智能更穩定。 此外還有16GB*2套條版本可選,價格為749元。 來源:快科技

七彩虹帶來戰斧·赤焰白系列48GB記憶體套裝:DDR5-6600,CL34,售價799元

作為七彩虹旗下面向主流級用戶的內存產品,戰斧系列內存憑借穩定、耐用、高性價比的特點,在競爭激烈的內存市場上占有了一席之地。隨著內存技術的不斷更新,去年七彩虹也下定決心讓戰斧系列內存以新的面貌出現在用戶面前,推出了「戰斧·赤焰」系列,採用了全新的外觀,其中DDR5產品提供了赤焰白和赤焰黑配色,並提升了頻率。 近日,七彩虹帶來了戰斧·赤焰白系列DDR5-6600 48GB(24GB x2)套裝。目前新產品已登陸電商平台,顯示價格為799元,廠商提供終身質保,京東地址:點此前往>>> 在外觀設計上,戰斧·赤焰系列有了不小的改變,相比過去穩重、內斂的設計,新款產品更具有張力,融入了熱門戰斧顯卡的紅色異性三角的元素,像利爪般刻印在了內存條上。稜角分明的設計語言,加上精鍛工藝的全新馬甲,使得產品更具有視覺沖擊力。戰斧·赤焰系列內存不但有最新的DDR5產品,也有成熟的DDR4型號,完全覆蓋了玩家現階段選購內存類型的選擇。 戰斧·赤焰系列DDR5內存整體尺寸為139.2 x 38.2 x 7.7 mm,此次單條24GB款式為赤焰白配色,頻率為6600MHz,時序為CL34,採用的是SK海力士M-Die顆粒,支持Intel XMP 3.0技術。 ...

會是15代酷睿嗎 Intel Bartlett Lake首曝:不換接口、繼續DDR4

快科技1月31日消息,就在我們等待Intel將在今年內推出的兩大新工藝新架構處理器之時,突然冒出來一個“Bartlett Lake”的名字,定位非常特殊。 Intel 2020年推出了首次採用大小核混合架構的Alder Lake 12代酷睿,然後就是升級版的Raptor Lake 13代酷睿、馬甲版的Raptor Lake Refresh 14代酷睿,接口都是LGA1700。 其實,14代酷睿本來應該是Meteor Lake,按計劃要更換為LGA1851接口、拋棄DDR4內存,但無奈性能不足,只能用於輕薄筆記本,並起了個全新的名字酷睿Ultra,沒有登陸桌面。 Arrow Lake將重新登陸桌面,接口切換到LGA1851,內存也僅支持DDR5,命名肯定會是二代酷睿Ultra。 可能是考慮到還有很多老平台用戶,Intel又打造了Bartlett Lake,將會與Arrow Lake並行存在,定位主流和低端平台,繼續採用LGA1700接口和DDR4/5內存,方便12/13代酷睿用戶升級換代。 目前還不清楚Bartlett Lake處理器的具體型號、規格,猜測還是基於Rocket Lake的升級版。 只是,名字該怎麼叫呢?15代酷睿? 來源:快科技

微星發布Z790MPOWER主板:支持DDR5-8000+,將於近期上市

微星宣布,推出Z790MPOWER主板。時隔近7年後,宣告經典超頻系列主板即將回歸。 新產品是專為極限內存超頻量身定製,採用了雙DIMM插槽設計,確保了清晰且無干擾的DDR5內存信號,更輕松地突破內存超頻的極限。主板本身採用了6層伺服器級PCB板,並在其中額外增加了2oz加厚銅箔,有助於優化內存信號,並幫助主板能持續高速穩定的運行。獨有的EZ Dashboard配件整合了電源、重啟、清除CMOS按鈕和調試的LED指示燈,也使得主板在超頻測試環節更加便捷。 微星明確了1SPC的設計理念,旨在最大限度地減少信號損耗,優化內存頻率和整體性能。在追求極致內存超頻的過程中,微星與諸多內存廠家合作,推出MPOWER聯盟,使得用戶能有更多專屬內存條可供選擇。 MPOWER內存不只通過了QVL認證,還針對1SPC設計,並在內存晶片開發、PCB布局改進以及專用BIOS功能上做出進一步優化。微星的目標是更輕松地達到 8000MHz+的內存頻率,為追求系統頂級性能的鐵桿發燒友提供無縫解決方案,未來還會有更多的成員和功能,接下來將繼續擴大陣容。 微星表示,Z790MPOWER主板將於近期上市。 ...

光威龍武系列48GB記憶體套裝開售:DDR5-7200,CL36,售價1399元

近日,光威(Gloway)帶來了龍武系列DDR5-7200 48GB(24GB x2)內存套裝。目前新產品已登陸電商平台,並開始銷售了,顯示價格為1399元,廠商提供終身質保。 光威 龍武DDR5-7200 48GB(24GB x2),京東地址:點此前往>>> 光威的龍武DDR5系列為深空灰配色的炫酷散熱馬甲,擁有前衛的外形設計,線條非常簡潔,也沒有配備RGB燈效。其頻率為7200MHz,工作電壓為1.35V,時序為CL36-46-46-115,採用了SK海力士的M-die顆粒和加厚的PCB板,加強優化信號的傳輸路徑和弱化電磁干擾,帶有全新的PMIC電源管理晶片,具有高速度和低延遲的特點,支持Intel XMP 3.0一鍵超頻功能,為玩家提供更加優質的穩定超頻,讓用戶對性能的體驗更上一層樓。 去年華碩、華擎、微星和技嘉等主板廠商先後宣布,旗下英特爾600/700系列主板已支持單條容量為24GB和48GB的DDR5內存。這意味著內存容量將改變過往以2次冪遞增的歷史,配備4個DIMM的主板最大內存容量將從128GB提高至192GB,而2個DIMM的主板最大內存容量則從64GB提高至96GB。數個月後,AMD也提供了新的AGESA微碼,同樣提供了對單條容量為24GB和48GB的DDR5內存的支持。 ...

愛國者新款DDR4/DDR5記憶體上市:單條容量最高32GB、頻率達6000MHz

快科技1月28日消息,愛國者DDR4/DDR5內存產品目前已經上市,包括承影系列電競馬甲內存條,筆記本電腦普通內存條與台式機電腦普通內存條。 據了解,新款內存條採用對稱式斑馬凹槽和加高鏤空設計,充分利用CPU對流散熱風洞技術,有效增加散熱面積,數據傳輸更穩定。 同時提供了黑色和白色兩種配色可選,為玩家帶來了更多裝機搭配選擇。DDR4承影系列電競內存支持Intel XMP 2.0技術,最高頻率達3600MHz,時序低至CL14,單條容量最高32GB。 DDR5承影系列電競內存支持Intel XMP 3.0和AMD EXPO技術,最高頻率達6000MHz,採用了SK海力士M-die超頻顆粒,相比DDR4還新增了電源管理晶片及數據糾錯機制,有效保障數據完整性。 DDR4和DDR5台式機/筆記本內存是符合JEDEC標准設計規范的產品,最高頻率達3200MHz,單條容量最高32GB,應用場景覆蓋筆記本電腦、一體機電腦、台式機電腦、ITX小機箱電腦等。 來源:快科技