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很多玩家盼DDR5內存已經盼了好久，隨著存儲顆粒的降價，16G的DDR5內存終於從2年前的1000元降到了現在的250元，讓不少玩家喜出望外，但是回頭看看DDR4內存，嚯，16GB的DDR4內存已經跌破140元了！ 其實選DDR4內存還是DDR5內存在遊戲玩家中一直有爭論，如果你的主板已經選好了，那就直接買對應的內存即可，如果還沒有敲定，也先別急。DDR5內存的優勢在於主頻達到了4800MHz起步，和DDR4相比翻了一倍不止，在應對高要求的應用和遊戲時可以應對自如。 另外，DDR5為每128位數據設置8位的ECC存儲空間，使得On-die ECC具有強大的RAS功能，可以保護存儲器陣列免受單個數位錯誤的影響，具有一定的糾錯功能。 不過，DDR5內存的時序普遍要比DDR4高不少，所以最終的性能提升達不到翻番這麼多，所以如果預算不是非常充足的話，建議還是選DDR4，性價比要高得多。 目前DDR4的內存已經卷到非常低的價格，16G內存跌破140元，也就是說組雙通道32G內存不到280元了。當然，這個價位段的內存肯定是2666的主頻，能帶上金屬馬甲已經算得上是高配，畢竟平均8G只要70塊錢，要啥自行車啊。 如果想要高頻率，或是一線大牌，那肯定就得加錢。主頻上了3000之後基本上就得200元起步，像玖合這樣149元拿下3200頻率的真是少之又少，其他要麼挑平台，要麼挑主板，200元入手3200主頻的內存可選真的很少。 說到價格，自然就會說品牌，畢竟內存也是有一線二線之分的，比如金士頓的內存就降價幅度很小，16G的價格仍然在269元，好處就是不挑板，基本上不會有兼容性問題，但是同樣價格就算不上最優選擇了，何況比美商海盜船都要貴出不少。 其實玩家也不用太糾結內存品牌，一方面現在內存的兼容性已經好很多了，一般情況下不會有大范圍的不兼容情況，另一方面內存都有終身質保，要是真的臉黑碰上了壞內存，再換一條就是了，太過糾結反而沒必要。 來源：快科技

三星宣布，推出業界首款及最高容量的12nm級32Gb DDR5 DRAM。這是繼三星今年5月開始量產12nm級16Gb DDR5 DRAM以後，擴大了其12nm級DRAM產品線，在相同封裝尺寸下提供了翻倍的容量。三星稱，此舉鞏固了其在下一代DRAM技術方面的領導地位，標志著大容量存儲器的新篇章。 三星電子DRAM產品與技術執行副總裁SangJoon Hwan表示：「憑借12nm級32Gb DDR5 DRAM，我們獲得了一種新的解決方案，可以實現高達1TB的DRAM模塊，使我們能夠滿足人工智慧（AI）和大數據時代對高容量DRAM日益增長的需求。我們將繼續通過差異化工藝和設計技術開發DRAM解決方案，突破內存技術的界限。」 三星在12nm級別工藝技術上使用了一種新的high-κ材料，有助於提高電池電容。高電容導致數據信號出現明顯的電勢差，更便於准確區分。同時在降低工作電壓和減少噪音方面的努力，也有助於三星提供客戶需要的解決方案。 此前三星的12nm級32Gb DDR5 DRAM還需要使用TSV（Through Silicon Via）工藝，而這次12nm級32Gb DDR5 DRAM可以在不使用TSV技術的情況下生產，兩者同為128GB模塊下，後者的功耗降低了約10%，使其成為數據中心等注重能效的企業的最佳解決方案。 三星表示，12nm級32Gb DDR5 DRAM將會在今年年底開始量產。 ...

雖然先進半導體製造工藝在研發方面越來越困難，成本也越來越高，但仍然在不斷前進，作為行業的龍頭企業，台積電（TSMC）已推進到3nm製程節點。不過並不是每一種晶片都會有相應的擴展效果，比如DRAM，早已遇到縮放困難的問題，研究人員最快在5年後就無法繼續提高密度了。 據TomsHardware報導，專門從事半導體電路設計的Lam Research最近發布了一份關於DRAM產品如何發展的建議，未來可能屬於3D DRAM，將引入堆疊結構。據稱，大概還需要5到8年的時間，才能設計出可製造的3D DRAM設備，從2D DRAM擴展結束到3D DRAM擴展開始之間可能有3年的時間差。 3D DRAM設計中，重點是解決縮放和多層堆疊的難題，另外還有電容器和電晶體縮小，以及單元間連接和通孔陣列，最後還有制定相應的工藝要求。新的DRAM單元設計方式不是簡單地將2D DRAM組件放在一側，然後再將其堆疊在一起，加上工藝上的約束和要求，就是一項說起來容易做起來困難的工作。重新設計的DRAM架構可以層層疊疊，過程與NAND快閃記憶體類似，其中還會應用一些先進的電晶體製造技術，比如GAA設計。 據了解，第一代3D DRAM設計最多隻能利用28層堆疊，隨著架構的改進和額外的分層，DRAM密度可以實現兩個節點的跳躍改進。該技術遇到的另外一個問題是，現階段沒有生產工具可以可靠地製造3D DRAM所需的這些特徵，需要對DRAM的生產工具進行改進甚至重新設計，這是一個必然的過程。 此前有報導，三星和SK海力士都將3DDRAM作為克服DRAM物理極限的一種方式。在三星看來，3D DRAM是半導體行業未來的增長動力，而SK海力士則認為，明年關於3D DRAM的電氣特性細節將被公開，從而決定其發展方向。 ...

根據市場研究機構 TrendForce最新發布的報告顯示，受益於AI伺服器需求攀升，帶動了HBM（高帶寬內存）的出貨增長，加上客戶端DDR5的備貨潮，使得三大DRAM原廠出貨量均有成長。整個DRAM 產業的二季度營收約114.3億美元，環比大漲20.4%，終結了連續三個季度的跌勢。 從具體的廠商表現來看，二季度DRAM市場銷售額及市場份額排名第一的依然是三星。雖然三星的DDR5製程仍落於1Ynm，且占比有限，ASP下跌了約7~9%，但第二季度受益於模組廠備貨，及AI伺服器需求，整體出貨略增長，帶動了第二季度營收環比增長了8.6%至45.3億美元，市場份額為39.6%。 排名第二的是SK海力士（SK hynix）。TrendForce稱，今年二季度SK 海力士出貨量環比大漲35%，且平均銷售單價（ASP）較高的 DDR5、HBM 出貨占比顯著增長，帶動 SK 海力士 ASP 逆勢增長了7~9%，推升 SK 海力士第二季度營收環比增長接近50%（增長幅度位居第一）至34.4 億美元，排名第二，市場份額為30.1%。 美光（Micron）由於在HBM領域發展較晚，但DDR5出貨仍有一定的比重，使得整體ASP大致持平，在出貨量增長的帶動下，二季度營收環比增長15.7%至29.5億美元，市場份額為25.8%。 8月24日消息，根據市場研究機構 TrendForce最新發布的報告顯示，受益於AI伺服器需求攀升，帶動了HBM（高帶寬內存）的出貨增長，加上客戶端 DDR5 的備貨潮，使得三大DRAM原廠出貨量均有成長。整個DRAM 產業的二季度營收約 114.3 億美元，環比大漲20.4%，終結了連續三個季度的跌勢。 從具體的廠商表現來看，二季度DRAM市場銷售額及市場份額排名第一的依然是三星。雖然三星的DDR5製程仍落於1Ynm，且占比有限，ASP下跌了約7~9%，但第二季度受益於模組廠備貨，及AI伺服器需求，整體出貨略增長，帶動了第二季度營收環比增長了8.6%至45.3億美元，市場份額為39.6%。 排名第二的是SK海力士（SK hynix）。TrendForce稱，今年二季度SK 海力士出貨量環比大漲35%，且平均銷售單價（ASP）較高的 DDR5、HBM 出貨占比顯著增長，帶動SK海力士ASP逆勢增長了7~9%，推升...

得益於人工智慧（AI）業務的蓬勃發展，相關伺服器的需求攀升，帶動了HBM的出貨拉升，加上不少廠商在客戶端DDR5的備貨潮，使得三大原廠的出貨量均有增長。根據研究機構TrendForce發布的最新調查報告，2023年第二季度DRAM營收約114.3億美元，環比增長20.4%，結束了連續三個季度下滑的下跌趨勢。 三星繼續位列第一，不過由於DDR5製程仍落於1Ynm，且占比有限，平均銷售單價（ASP）下跌了約7~9%，不過在AI伺服器出貨帶動下，營收環比增長了8.6%，達到了45.3億美元；SK海力士超越美光回到了第二名，在2023年第二季度表現搶眼，不但出貨量環比增長超過35%，且平均銷售單價也有約7~9%的增長，使得營收環比增長了接近50%，達到了34.4億美元；美光由於HBM發展得比較晚，沒能趕上這波人工智慧熱潮，不過仍有不錯的DDR5出貨量，平均銷售價格也得以維持，營收約29.5億美元，環比增長15.7%。 總的來說，前三名里SK海力士的市場份額增長，而三星和美國的市場份額都有不同程度的下降。此外，因各產品的合約價仍持續下行，三大原廠的利潤率仍為負值，其中三星第二季營業利潤率由-24%上升至-9%，SK海力士營業利潤率由-50%大幅收窄至-2%，美光的營業利潤率則從-55.4%縮窄至-36%。 ...

去年9月份，美光宣布未來10年將投資約150億美元，在美國愛達荷州博伊西新建一座內存晶片製造廠。這也是美國20年來本土首個新建內存晶片製造廠，同時也是愛達荷州有史以來最大的私人投資項目。美光預計該項投資將在2030年前，為愛達荷州創造1.7萬個就業機會，其中2000個屬於直接崗位。 據相關媒體報導，美光已要求政府出資，幫助其建造位於愛達荷州博伊西和紐約州克萊市的新工廠。 資金當然是來自《美國晶片法案》的520億美元預算，這意味著美光和英特爾一樣，希望能說服政府，獲得比競爭對手更多的資金份額。此前英特爾CEO帕特-基爾辛格（Pat Gelsinger）就表示，英特爾的重要研發工作都在美國本土完成，而且在此處擁有規模龐大的自有工廠，應該拿到更多補貼才對。 英特爾和美光的做法也引來了爭議，有人認為《美國晶片法案》的資金主要來自於納稅人，在半導體市場疲軟的趨勢下，這些半導體企業以包括擴大產能等各種理由申請大量補助資金，其實是讓別人掏腰包去填補其自身的業績虧損。 2021年10月，美光宣布在未來十年內，計劃在全球范圍內投資超過1500億美元，用於內存製造和研發，包括提高晶圓廠的產能，以滿足內存不斷增長的需求。美光認為，內存和存儲晶片在全球半導體行業中所占的比重正不斷增長，目前約占半導體市場的30%份額。 ...

快科技8月4日消息，跌了一年多的存儲晶片市場正在發生變化，快閃記憶體市場價格已經開始反彈，三星已經漲價15%，現在內存價格也要面臨調整的壓力，白菜價買DDR5內存的日子且行且珍惜。 第四大內存晶片廠商南亞科技日前發布了Q2財報，當季合並營收70.27億元新台幣，營業利潤-31.85億新台幣，稅後淨利潤-7.71億新台幣，每股虧損0.25元。 雖然業績下滑、還在虧損，但是南亞科技總經理李培瑛表示內存價格已經築底，下半年隨著手機、電視等需求改善，內存供需情況有望趨於平衡。 不過最終情況還需要觀察，特別是中美兩大經濟體的復蘇情況。 此前美國調研公司發布的報告顯示，內存供應商目前傾向於價格穩定，下半年PC DDR5內存預計會漲價2-5%，伺服器DDR5內存則會上漲5-10%，已有廠商在7月份就開始調漲3季度內存價格。 來源：快科技

這兩年，DRAM內存、SSD固態硬碟的價格持續走低，有時候甚至便宜得不可思議，讓大量消費者嘗到了甜頭。 集邦咨詢的最新研究報告指出，今年第三季度，DRAM內存晶片的平均價格下跌幅度將從15-20％收窄到0-5％，主要原因包括原廠陸續減產、整體供應量逐漸減少、季節性需求支撐、供應商庫存壓力下降。 不過，DRAM內存晶片整體庫存水平仍然處於高位，今年整體仍將呈現價格走低趨勢，止跌反彈恐怕要等到明年了。 PC內存方面，DDR4在第二季度平均價格下跌15-20％，不過隨著三星、SK海力士、美光三大原廠集中減產，部分OEM廠商趁低價大量拉貨，雖然整體仍然供過於求，但預計第三季度價格跌幅將回落到3-8％。 DDR5第二季度跌了13-18％，但原廠死守價格，加上產能無法完全滿足市場需求，第三季度的價格跌幅將只有0-5％。 筆記本、伺服器、消費級等內存也將是類似的趨勢，包括顯存也是如此。 得益於NVIDIA RTX 40系列的拉動，16Gb GDDR6顯存需求大大提升，加上旺季效應，第三季度形勢看好，但由於買方在第二季度已經大量備貨，庫存足夠，整個市場依然供過於求。 因此，16Gb GDDR6的價格預計在第三季度仍會下跌0-5％，當然大大好於第二季度的10-15％。 來源：快科技

快科技7月17日消息，內存、SSD硬碟是這一兩年來價格讓人驚喜的產品，帶動了大家購買32GB內存或者2TB大容量存儲的熱情，但是進入2023年下半年之後，市場走勢也在變化，價格被認為已經觸底，7月份就會漲價。 美國調研公司發布的報告顯示，內存供應商目前傾向於價格穩定，下半年PC DDR5內存預計會漲價2-5%，伺服器DDR5內存則會上漲5-10%，已有廠商在7月份就開始調漲3季度內存價格。 基於對市場銷售渠道的觀察，供應商對接下來的價格走勢很有信心，在價格談判中也愈發主動、強勢，取消了價格折扣作為談判的前提。 據了解，今年6月份開始的下一季提前交易談判中，只有三星願意談判，但經銷商提議的價格讓步都被拒絕了，態度變化可見一斑。 從多方消息來看，3季度中內存價格就算是綜合下來仍有下跌，跌幅也會大幅收窄，4季度價格上漲幾乎是一致的預期，2024年市場復蘇則是各大存儲晶片廠商看好的。 內存，以及SSD硬碟在內的產品中，大家該買的可以考慮入手了，等等黨下半年就有可能輸了。 來源：快科技

今年年初，美光推出了符合DDR5-5200和DDR5-5600標準的第二代DDR5內存模塊，除了傳統的8GB、16GB和32GB以外，還有24GB和48GB提供給用戶選擇，支持XMP 3.0和EXPO技術，使用1α工藝節點進行批量生產。這也是市場上首批24GB和48GB內存模塊，從側面證明了美光在存儲領域的實力。 據TomsHardware報導，美光希望繼續保持在DRAM市場的領先優勢，已經計劃在2024年上半年量產32Gb DDR5晶片，為打造1TB大容量內存模塊奠定基礎。盡管美光沒有透露新款DRAM晶片的數據傳輸速率，不過考慮到這是第三代DDR5內存模塊，頻率應該會進一步提升。 32Gb DDR5晶片將採用美光去年推出的1β（1-beta）工藝節點生產。這是目前美光在存儲晶片上最先進的半導體工藝，有可能是其最後一個沒有採用極紫外（EUV）光刻技術的製造工藝，此前已經向特定的智慧型手機製造商和晶片組合作夥伴運送了DRAM晶片樣品。 與行業內很多企業不同，美光不打算在短期內全面使用極紫外（EUV）光刻技術來生產存儲晶片，而是繼續使用深紫外（DUV）光刻技術，同時在1β工藝節點上使用了其第二代HKMG技術，美光稱，新工藝節點的能效提高約15%，位密度提高了35%以上。 32Gb DDR5晶片首先會用於數據中心的內存模塊，這是對內存容量需求最為迫切的地方。據了解，美光明年首先會提供128GB的DDR5內存模塊，然後再推出192GB和256GB的產品。512GB和1TBDDR5內存模塊暫時還沒有安排，不過有可能提前向特定客戶提供。 ...

TrendForce發布了新的調查報告，表示因DRAM供應商陸續啟動減產，加上季節性需求的支撐，減輕了供應商的庫存壓力，預計今年第三季度DRAM均價跌幅將收窄，下跌的幅度在5%以內。 PC DRAM方面，三星、SK海力士和美光都集中減產DDR4內存，效果將會在今年第三季度顯現，同時第二季部分OEM廠商以低價策略大量拉貨，加快了原廠去庫存的速度。總體來說，今年第三季度DDR4內存仍處於供過於求的狀態，預計跌幅按季度在3%至8%。原廠更多地想穩住DDR5內存的價格，並沒有完全滿足買方需求，預計環比下跌5%以內，而第三季整體PC DRAM的均價預計環比下跌0%至5%。 Server DRAM方面，買方庫存仍處於高位，而且新平台的轉換速度不如預期。盡管近期投資AI伺服器成為業界熱點，像128GB的高容量DDR5伺服器內存及HBM類產品銷量提升，但對Server DRAM庫存並沒有實質上的削減，預計DDR4及DDR5產品的跌幅分別為3%至8%及0%至5%。整體上，Server DRAM價格走勢持續疲弱，預計第三季度Server DRAM均價的跌幅在0%至5%。 Mobile DRAM方面，盡管傳統旺季有望帶動需求，但對降低庫存的作用依然有限，加上原廠減產及連續數月的下跌讓價格跌至底線，基本沒有繼續下跌的空間，預計第三季度Mobile DRAM均價跌幅在10%到15%之間；Graphics DRAM方面，英偉達GeForce RTX 40系列帶動了需求，疊加旺季效應，買房早已備足存貨，市場總體上供過於求，預計第三季度Graphics DRAM均價跌幅在0%到5%之間；Consumer DRAM方面，市場交易冷清，市場總體上仍供過於求，預計第三季度Consumer DRAM均價跌幅在0%到5%之間。 ...

TrendForce發布了新的調查報告，表示今年第一季度DRAM產業的營收約為96.6億美元，環比下降了21.2%，已連續三個季度衰退。出貨量僅美光出現上升勢頭，在平均銷售價格（ASP）上，三大廠都出現了下跌。 作為業界第一大廠，三星的出貨量和平均銷售價格都出現了下滑，營收約為41.7億美元，環比下降24.7%；美光第一季度越過SK海力士爬升到第二名，營收為27.2億美元，環比下降3.8%，得益於去年年末的訂單，衰退幅度縮減；SK海力士下滑到了第三名，出貨量和平均銷售價格都出現超過15%的跌幅，營收約為23.1億美元，環比下降31.7%。 由於平均銷售價格下跌速度過快，三大廠第一季度的營業利潤率由正轉負，同時DRAM價格持續下行，導致第二季度的營業利潤率仍處於虧損狀態。目前三大廠都啟動了減產，三星、美光和SK海力士第二季度的稼動率分別下滑至77%、74%和82%。 TrendForce認為，目前市場供過於求的情況尚未改善，價格方面依舊持續下跌，不過在原廠陸續啟動減產後，下半年DRAM價格的跌幅將有望逐季收窄。展望今年第二季，雖然出貨量會增加，不過因價格跌幅仍比較大，預期營收成長的幅度會非常有限。 ...

三星宣布，其採用業界最先進12nm級別工藝技術的16Gb DDR5 DRAM已經開始批量生產。三星表示，通過完成最先進的製造技術，再次證明了其在尖端DRAM技術方面的領先地位。 三星電子DRAM產品與技術執行副總裁Jooyoung Lee表示：「利用差異化的工藝技術，三星行業領先的12nm級別DDR5 DRAM具有出色的性能和電源效率。最新的DRAM反映了我們對引領DRAM市場的持續承諾，不僅提供高性能和高容量的產品，滿足了計算市場對大規模數據處理的需求，而且還通過對下一代解決方案的商業化，支持更大的產量。」 與上一代產品相比，三星新的12nm級別DDR5 DRAM的速率達到了7.2 Gbps，功耗降低了23%，同時將晶圓的生產效率提高了20%，出色的電源效率使其成為那些希望減少伺服器和數據中心的能耗及碳足跡的全球IT公司的理想解決方案，支持包括數據中心、人工智慧和下一代計算在內越來越多的應用。 三星在12nm級別工藝技術上使用了一種新的high-κ材料，有助於提高電池電容。高電容導致數據信號出現明顯的電勢差，更便於准確區分。同時在降低工作電壓和減少噪音方面的努力，也有助於三星提供客戶需要的解決方案。 ...

據昨日報導，群聯電子（Phison）CEO潘健成在最近一次會議上表示，NAND快閃記憶體價格進一步下調已經是不可能了，如果市場不盡快恢復，可能會有供應商出現破產。這直接反應了NAND快閃記憶體供應商目前面臨的困境，不過DRAM市場行情也並不景氣。此前TrendForce預測NAND快閃記憶體均價在第二季度跌幅約為5%~10%，近日TrendForce再次發布報告，由於DRAM與NAND快閃記憶體供應商減產幅度不及需求下降速度，部分產品在第二季度均價跌幅或將擴大。 PC DRAM方面，由於DDR4記憶體庫存充足，供應商雖希望降低庫存，但由於市場需求不強，成交量並沒有上升，預計跌幅為15%~20%。DDR5記憶體由於供給關系相較DDR4記憶體更為平衡，預計均價跌幅小於DDR4記憶體。 Server DRAM方面，由於伺服器需求持續下滑，導致DDR4記憶體庫存壓力上升，預計季跌幅擴大至18%~23%，而DDR5記憶體則受PMIC問題影響，供應受限，促使第二季均價跌幅縮小至13%~18%，但是由於DDR5記憶體比重仍相對較低，對價格變動影響有限，預計Server DRAM第二季度均價季跌幅擴大至15%~20%。 Mobile DRAM方面，雖然智慧型手機廠商完成了庫存修正，采購意向相比去年更高，但供應商庫存仍處於高位，因此更意願讓利促銷。目前有采購方將第三季度與第二季度需求合並以增加議價能力，多種因素疊加下，預計第二季度Mobile DRAM均價季跌幅擴大至13%~18%。 NAND快閃記憶體均價下跌的主要原因依然是市場供過於求，Enterprise SSD、UFS跌幅擴大，兩種類型產品約占總NAND快閃記憶體消耗量的50%。 伺服器整機需求持續下滑，不僅影響Server DRAM均價，同樣影響Enterprise SSD價格。第二季度Enterprise SSD庫存壓力增大，預計均價跌幅擴大至10%~15%。不過預計隨著新平台放量，加上持續去庫存化，下半年Enterprise SSD需求有機會出現明顯增長。 UFS表現情況與Mobile DRAM類似，雖然智慧型手機廠商采購意向增強，但采購方將第三季度需求與第二季度合並以增加議價能力，加上供應商對去庫存意願強烈，預計第二季度UFS均價跌幅擴大至10%~15%。 ...

3D NAND可以說是一個相當成功的技術，現在的NAND快閃記憶體基本都是3D NAND，那麼同時存儲晶片的DRAM能不能復制這一技術呢？NEO半導體就真這樣幹了，他們宣布推出3D X-DRAM，他們對這項專利技術雄心勃勃，旨在取代整個2D DRAM市場。 3D X-DRAM是首款基於無電容器浮體單元技術的類3D NAND DRAM單元結構，它可以使用3D NAND的工藝製造，並且只需要一個掩模來定義位線孔並在孔內形成單元結構，這種結構簡化了工藝步驟，提供一種高速、高密度、低成本、高良率的解決方案。 根據NEO半導體估計，3D X-DRAM技術可以生產230層堆疊128Gbit的DRAM晶片，存儲密度是現在DRAM晶片的8倍，而且預計在2030到2035年間就能實現1Tb的容量，也就是說單根雙面的記憶體就能實現2TB的容量，伺服器用記憶體使用32顆晶片就能實現單根4TB的容量，未來AI應用是驅動高性能和大容量存儲器半導體的增長點，3D X-DRAM瞄準的就是這一點。 Network Storage Advisors總裁Jay Kramer表示：「從2D架構發展到3D架構為NAND快閃記憶體帶來了引人注目且極具價值的優勢，因此在整個行業范圍內實現DRAM的類似發展是非常可取的。」目前NEO半導體將尋求把3D X-DRAM專利技術授權給DRAM製造廠商，比如三星、SK海力士和美光等。 ...

來源：78動漫

今年伺服器平台有較大的變動，基於英特爾的Sapphire Rapids和AMD的Genoa構建的伺服器都將大規模量產，兩者都將支持DDR5 Server DRAM。不過近期市場傳出DDR5 Server DRAM遇到PMIC匹配性問題，目前DRAM原廠和PMIC廠商均已著手處理。 TrendForce表示，該事件預計會產生兩種影響：首先僅MPS（芯源系統）供應的PMIC沒有問題，DRAM原廠短期內將提升對MPS的采購比重；其次原廠DDR5 Server DRAM在生產上仍停留在舊製程，短期內供給量多少都會受到此事的影響，預計今年第二季DDR5 Server DRAM價格跌幅將收窄，由原來預估的15%至20%，縮小到13%至18%。 雖然SK海力士已逐步提高1α nm製程記憶體的產量，但許多買方之前只驗證了1Y nm製程的記憶體，目前DDR5 Server DRAM里，三星和SK海力士以1Y nm、美光以1Z nm為主，1α nm和1beta nm預計要到今年下半年才會加大產量。TrendForce預計32GB的DDR5 Server DRAM在4月到5月的價格維持在80美元至90美元之間，略高於第一季度的75美元。這也使得DDR5和DDR4之間的差價拉大，後者跌幅也更大，大概在18%至23%。 以ChatGPT為代表的AI熱潮拉動了相關伺服器的出貨，除了HBM討論熱度上升，也間接提升了DDR5 Server DRAM 128GB的采購量，以升級ChatGPT 4.0架構，從而拉高了大容量DDR5記憶體模組的價格。不過整體而言，因經濟因素和PMIC問題，不少客戶普遍推遲采購新款伺服器平台，對DDR4和DDR5價格的影響會在今年第二及第三季度逐漸顯現。...

此前三星發出了2023年第一季度的「盈利指引」，顯示經營持續惡化，收入同比下跌19%，利潤同比下跌95.8%，這是自2008年金融風暴以來最差的業績表現。其中存儲器部門業績惡化是導致2023年第一季度營收減少的主要原因，為此三星改變了「不減產」的說法，表示「將存儲晶片產量調整至有意義的水平，已有足夠的庫存來應對未來需求」。 三星的減產從本周開始，這是其過去27年來首次宣布減產，一改「逆周期」的做法，不過並沒有說明各類型產品的減產情況。據DigiTimes報導，有業內人士指出，三星的減產主要集中在DDR4上，以更好地去庫存，這最終會影響產品的價格。無論哪種方式，DDR4的庫存恢復到正常水平後，價格將會出現反彈。 有市場研究機構稱，三星在今年第一季度的訂單量下降了30%，與此同時DRAM庫存呈爆炸式增長，超過需求21周。三星目前記憶體的出貨問題是由於其客戶也在去庫存，且競爭對手進一步降價，另外DRAM和NAND快閃記憶體價格大幅度下滑也讓三星十分被動。 三星是最後一個宣布減產的記憶體製造商，由於其規模較大，將對市場價格產生較為明顯的影響，DRAM和NAND快閃記憶體價格預計會更快地趨於平衡。有分析師表示，一旦製造商和渠道經銷商解決了庫存問題，記憶體和SSD價格就會反彈，預計最早會在今年第三季度出現。 ...

過去兩年中，記憶體價格一路下滑，消費者享受到了白菜價的記憶體，但是記憶體廠商的日子不好過，美光日前發布了2023財年Q2季度報告，營收36.93億美元，同比下滑多達52.5%，虧損23.1億美元。 這是2003年Q2季度創下19.4億美元虧損以來的最高紀錄，可以說是20年來最差業績了。 美光CEO Sanjay Mehrotra也表示這主要是受到了記憶體及快閃記憶體價格暴跌影響，存儲晶片行業正在經歷13年來最嚴重的考驗。 雖然財報數據難看，但是發布之後美光公司股價反而大漲7%，因為美光CEO表示最壞的日子過去了，客戶庫存狀況變得越來越好，美光預期產業供需將逐步恢復平衡，美光仍看好長期需求、正審慎投資以維持技術和產品組合競爭力。 同時美光也在進一步縮減投資以降低成本，2023年的資本開支減少到了70億美元，比去年減少40%，2024年還會進一步減少，同時高管降薪、取消2023年獎金發放，裁員比例也從10%提升到15%，一切都在降本增效。 美光CEO還給記憶體市場找到了救命稻草，最近ChatGPT為代表的生成式AI火爆全球，各大科技巨頭紛紛下場研發AI產品，後者不僅需要高性能晶片訓練，同時也需要大量的記憶體及快閃記憶體。 據美光所說，AI伺服器對記憶體容量的需求是常規伺服器的8倍，對快閃記憶體容量的需求是常規伺服器的3倍，隨著全球數據生成、存儲及處理需求的指數級增長，行業供需平衡可能會在2023年下半年逐步實現。 來源：快科技

TrendForce發布了新的調查報告，顯示因美光和SK海力士在內的部分供應商啟動了DRAM減產計劃，2023年第二季度DRAM價格跌幅將收窄至10%到15%，跌幅相比第一季度接近20%要小。不過2023年下半年的需求前景仍然不明朗，DRAM價格下行周期，未有止跌跡象，而且原廠庫存水平仍處於高位，除非有更大規模的減產，後續合約價才有可能反轉。 用於PC的DRAM由於買方連續三個季度大規模減少採購量，庫存周期約在9到13周之間。TrendForce認為8GB的DDR4記憶體模組價格在第二季度的跌幅仍會超過10%，部分OEM廠商基於DRAM價格偏低的因素考慮，有提升采購量的意願，只是庫存壓力仍存在阻力，預計第二季度PC DRAM均價跌幅在10%到15%之間。 Server DRAM方面，受到OEM及雲端服務供應商調整需求影響，購買意願下降。不過供應商因消費市場不確定因素較多，選擇繼續提升伺服器DRAM的比重，一定程度增加了庫存負擔。雖然已及時調整了產量，但估計難以阻止下滑勢頭，預計第二季度Server DRAM均價跌幅在13%到18%之間。 Mobile DRAM方面，盡管智慧型手機庫存水平已回到相對健康的位置，但廠商對於生產仍持保守態度。供應商存在高庫存的情況，即便減產也是供過於求，預計第二季度Mobile DRAM均價跌幅在10%到15%之間。Graphics DRAM方面，買方備貨保守，熱炒的AI話題並為有明顯的刺激作用，預計第二季度Graphics DRAM均價跌幅在10%到15%之間。Consumer DRAM方面，業界普遍保守看待相關需求，原廠以減產應對供過於求，預計第二季度Consumer DRAM均價跌幅在10%到15%之間。 ...

3月28日，TrendForce集邦咨詢發布最新研報，聚焦DRAM產品。 報告稱，盡管美光、SK海力士等已啟動減產，但DRAM難逃下跌態勢，二季度降幅預計在10~15%，環比有所收斂。 同時，機構指出，由於2023下半年需求復蘇狀況仍不明確，DRAM均價下行周期尚不見終止，在目前原廠庫存水位仍高的情況下，除非有更大規模的減產發生，後續合約價才有可能反轉。 分類來看，PC DRAM的買房庫存約9~13周，預測二季度主流的8GB DDR4模組跌幅仍超過一成。 顯存方面，二季度均價預測跌幅10~15%；移動DRAM數據類似。 你感覺當前記憶體便宜嗎？不妨分享看法。 來源：快科技

如今的記憶體市場上，不僅面臨著價格下滑的壓力，同時技術發展也遇到了瓶頸，在20nm節點之後發展速度已經慢下來了，三星在14nm節點就用上了EUV光刻工藝，尋求進一步微縮。 然而EUV光刻成本高昂不說，也沒法徹底改變記憶體晶片的技術難題，三星已經做到了12nm工藝，再往後的記憶體工藝很難說，核心原因還是傳統的2D DRAM記憶體技術快到極限了，就跟CPU邏輯工藝情況類似。 後面怎麼辦？作為記憶體一哥，三星也早就在准備新的技術了，那就是3D DRAM，類似快閃記憶體從2D到3D的轉變一樣，通過3D堆棧來進一步提高記憶體的存儲密度。 在這個新技術上，壟斷了全球75%記憶體產能的三星、SK海力士及美光三家公司都在積極研發，其中三星早在2021年就宣布組建全新的團隊攻關新一代記憶體技術。 SK海力士也有類似的計劃，而且他們計劃在明年公布3D DRAM技術的進展，這個領域目前還沒有哪家公司是絕對的領先，因此搶先公布可以贏得更多機會。 不過3D DRAM記憶體現在還在研發階段，距離真正量產還要很久，至少三四年後才會有產品問世。 來源：快科技

三星和SK海力士是存儲器領域的領導者，位列行業前兩名，傳聞兩家巨頭都在加快3D DRAM商業化進程，以改變存儲器行業的遊戲規則。其實DRAM行業里排名第三的美光，自2019年以來就開始了3D DRAM的研究，獲得的專利數量是三星和SK海力士的兩到三倍。 據Business Korea報導，有行業人士透露，三星和SK海力士的高管在最近的一些官方活動上，都將3DDRAM作為克服DRAM物理極限的一種方式。三星表示，3D DRAM是半導體行業未來的增長動力。SK海力士則認為，大概在明年，關於3D DRAM的電氣特性細節將被公開，從而決定其發展方向。 3D DRAM是一種具有全新結構的存儲晶片，打破了原有的模式。目前DRAM產品開發的重點是通過減小電路線寬來提高密度，但隨著線寬進入10nm范圍，電容器漏電和干擾等物理限制明顯增加，為此業界通過引入high-k材料和極紫外（EUV）設備等新材料和新設備。不過對於各個DRAM製造商而言，想要製造10nm或更先進的小型晶片仍然是一個巨大的挑戰。 與當前的DRAM市場不同，3D DRAM領域暫時沒有絕對的領導者。美光在3D DRAM技術競爭中起步較早，且專利數更多，三星和SK海力士可能會加快3D DRAM商業化進程，盡快地進入大規模生產階段，以便更早地搶占市場。 目前三星和SK海力士能量產的最尖端DRAM採用的大概為12nm的工藝，考慮到越來越接近10nm，在未來的三到四年內，全新結構的DRAM晶片商業化幾乎是一種必然，而不是選擇。 ...

算上顯存的話，DDR DRAM至今已經發展到了第六代，也就是說DDR5記憶體正在逐步成為市場主流，但是它的“老祖宗”--即初代的DDR記憶體的普及卻是險中求勝，只因為當時它有個蹩腳的對手——Rambus DRAM。 從奔騰二到奔騰四初期，電腦用的記憶體為SDRAM，常見有PC100、PC133等頻率，記憶體帶寬達到1064MB/，但已經無法滿足奔騰四4這個CPU的“胃口”，新一代記憶體呼之欲出。為了提升記憶體的帶寬，以及達到獨占市場的目的，Intel與一家叫做Rambus的公司聯合推出了Rambus DRAM記憶體（簡稱為RDRAM）。 和SDRM相比，Rambus DRAM採用了RISC(精簡指令集計算機)理論，依靠更高的時鍾頻率（包括300MHz、350MHz和400MHz）來簡化每個時鍾周期的數據量，其數據通道接口只有16bit（由兩條8bit的數據通道組成），遠低於SDRAM的64bit。 由於Rambus DRAM採用雙速率傳輸結構，同時利用時鍾脈沖的上升與下降沿進行數據傳輸，因此在300MHz下的數據傳輸量可以達到300MHz×16bit×2/8=1.2GB/，400MHz時可達到1.6GB/，雙通道PC800MHz RDRAM的數據傳輸量更是達到了3.2GB/，因此一度被認為是奔騰四的絕配。 同時，不要以為記憶體帶散熱馬甲是近幾年的事，因為Rambus DRAM一出生就是自帶散熱馬甲的，如下圖，而且仔細觀察散熱馬甲還是用鉚釘永久固定在PCB上的，同時記憶體上還貼有發熱的標識。 更有意思的是，這款記憶體的DRAM顆粒既不是早期的TSOP封裝，也不是現在常見的BGA封裝，而且是採用一種系統封裝模式，從下面這張滿是水印的拆截圖可以看到，每顆DRAM的顆粒就像CPU的內核一樣是裸露的晶片，因此才使用這種永久性的散熱馬甲封裝，其發熱量可見一般。 更有意思的是，Rambus DRAM採用了類似串行的數據傳輸方式，從下面的原理來看，數據依次通過RIMM1到RIMM2，因此Rambus DRAM記憶體必須要成對使用，可以說是“返古”了。 不要以為這就完了，因為Rambus DRAM記憶體系統在主板上還不能留有空槽，不然依然無法實現數據傳輸，需要有RSL信號終結器。當然這東西並不是什麼高科技電子元器件，實際上它只是一根金手指數量與RamBus記憶體相同的PCB！ 因此，這種結構的主板，不僅單根記憶體出現問題會導致系統無法通過自檢，如果記憶體在插槽上的安裝的位置不對同樣會無法通過自檢。而且各家主板的定義不同，例如有的主板是1、2槽插記憶體，3、4槽插RSL信號終結器，而有的主板則是交叉安裝。 得到了Intel的“寵愛”，Rambus DRAM不禁飄飄然，售價比SDRAM高了一倍左右，但成本僅比SDRAM高了3%。除此之外，其他的記憶體廠商想要生產Rambus DRAM記憶體，不僅需要打造全新的生產線，還要向Rambus繳納高昂的專利費。 因此生產Rambus DRAM記憶體的廠商僅有三星等少數幾家，不僅市面上記憶體難買，更出現了Intel購買奔騰4 CPU就搭售Rambus DRAM記憶體的窘境。 正所謂“天欲讓其亡，必讓其先狂”，受制於高昂的價格，以及成對使用+終結器的奇葩工作原理導致的高使用成本，Rambus DRAM終究沒有實現普及。 而售價更低的DDR DRAM記憶體受到市場的歡迎，而Intel後來也開始默認使用DDR記憶體，Rambus DRAM在市場掀起短暫的浪花之後終於消失於歷史的長河之中。 來源：快科技

今年1月，SK海力士研發的1αnm（第四代10nm級別）工藝DDR5伺服器DRAM獲得了英特爾認證，兼容全新第四代至強可擴展處理器（代號Sapphire Rapids）。其採用了EUV（極紫外）技術，與DDR4產品相比，功耗最多可減少約20%，性能至少提升70%以上。 據Chosun Media報導，SK的1βnm（第五代10nm級別）工藝DDR5伺服器DRAM啟動了英特爾的兼容性驗證程序，下個月將進入相關的流程，這意味著該款記憶體已進入量產前的最後准備階段，距離正式量產已經不遠了。傳聞新工藝在效能方面會有進一步的提升，同時成本方面也更具有競爭力。 相比於CPU和GPU，盡管DRAM使用的半導體工藝推進的速度要慢得多，但幾乎所有的DRAM製造商都在不斷地縮小製程節點。存儲器不太熱衷於採用新工藝，一定程度上是因為更先進的製程節點對DRAM的性能改善並沒有CPU和GPU那麼明顯。 SK海力士和三星是DRAM製造商里僅有的兩家採用EUV技術的廠商，在1βnm工藝上都引入了EUV技術，目前的DRAM大概能到12nm左右。去年三星就宣布，已開發出1βnm工藝的16Gb DDR5 DRAM，並與AMD完成了兼容性驗證。 ...

據之前報導，2022年第三季度DRAM行業營收為181.9億美元，環比下降28.9%。近日TrendForce發布報告，2022年第四季度DRAM行業營收環比下降超過三成，跌幅超過2022年第三季度。 2022年第四季度DRAM產業營收122.8億美元，環比下降32.5%，跌幅超越第三季度的28.9%，已逼近2008年底金融危機時單季36%的跌幅。營收下降主要是由於DRAM產品平均銷售單價（ASP）的下跌，2022年第三季度，DRAM供應商庫存快速堆積，為搶占第四季度的出貨市占率，各家供應商難免以壓價的方式爭奪訂單。2022年第四季度DDR4記憶體價格環比下降23-28%，DDR5記憶體價格下降30%-35%。 營收方面，三星2022年第四季度DRAM營收為55.4億美元，環比下降25.1%，市場占有率為45.1%，依然牢牢占據市場份額第一的位置，相比第二名有明顯領先；SK海力士2022年第四季度DRAM營收為33.98億美元，環比下降35.2%，市場占有率為27.7%，排名第二；美光DRAM營收為28.29億美元，環比下降41.2%，市場占有率為23%，排名第三。 產能規劃方面，新完工的平澤半導體工廠P3L生產線今年第一季度已開始小規模試產，這是三星DRAM產能擴張的主力；SK海力士在去年第三季度宣布減產，今年第一季度產能利用率為92%，預計第二季度將下滑至82%；美光產能利用率為84%，預計2023全年將保持在相同水平。 ...

ISSCC 2023於2023年2月19日至23日在美國舊金山舉行，業界巨頭AMD也出現在了這次會議中，其主題演講中詳細介紹了如何提高數據中心的能效並設法跟上摩爾定律的，即使半導體工藝節點前進的腳步已經變得緩慢。 據Planet3DNow.de報導，AMD對伺服器處理器和HPC加速器最引人注目的預測是多層堆疊式DRAM。 過去一段時間以來，AMD已經開始製造帶有堆疊HBM的邏輯產品，比如GPU。這些都屬於多晶片模塊（MCM），其中邏輯晶片和HBM堆棧位於矽中介層之上。雖然與獨立的DRAM晶片/模塊相比，這種方法節省了PCB的空間，但在基板上的效率很低，而且中介層本質上是一個矽片，在上面堆疊的晶片之間有微小的布線。 AMD設想不久的將來，高密度伺服器處理器將在邏輯晶片之上堆疊多層DRAM。這種堆疊方法節省了PCB和基板的空間，允許晶片設計師在每個插座上塞進更多的核心和DRAM。 AMD還看到了記憶體計算的更大作用，簡單的計算和數據移動功能可以直接在記憶體中執行，省去了與處理器之間的往返。AMD還談到了封裝光學PHY的可能性，這將簡化網絡基礎設施。 AMD在2021年就表示，未來屬於模塊化設計和匹配協調的封裝。隨著矽通孔（TSV）的增加，未來AMD會專注於更復雜的3D堆疊技術，比如核心堆疊核心，IP堆疊IP，甚至宏塊可以3D堆疊。最終矽通孔的間距會變得非常緊密，以至於模塊拆分、折疊甚至電路拆分都將成為可能，這會徹底改變今天對處理器的認知。 ...

據媒體報導，存儲晶片的需求出現了歷史性的下滑，有記錄以來最大的兩個季度降幅發生在去年年底。 根據TrendForce的最新數據，為手機和計算機提供動力的記憶體DRAM的平均價格在第四季度下降了34.4% ，而前一季度下降了31.4% 。 面向數據中心和企業客戶銷售的主要組件存儲記憶體 ( NAND ) 的表現僅略有好轉，這兩個時期的跌幅均屬於 2006 年以來的最大跌幅。 2022 年下半年，大多數存儲晶片製造商減少產量並推遲增長計劃，以應對全球經濟急劇放緩。 美光科技、SK 海力士和鎧俠控股這三家公司都宣布了控制市場庫存過剩的行動。 迄今為止，世界上最大的記憶體供應商三星電子一直拒絕改變其雄心勃勃的資本支出計劃，該計劃要求今年花費超過300 億美元用於擴大產能。 三星正在押注記憶體產品的長期擴張，這將受到聯網汽車、人工智慧系統和需要存儲的雲服務的日益普及的推動。 該公司在最近的財報會議上預測，今年智慧型手機市場將再次收縮，而ChatGPT和其他人工智慧技術預計將增加需求。 到2022 年，智慧型手機平均 DRAM 內容的增長明顯放緩。智慧型手機公司當年承受的巨大庫存壓力是這一發展的關鍵因素。 各大品牌在打造預計於2022 年發布的設備時，主要堅持當前庫存中的組件可以滿足的硬體要求。 因此，這種策略限制了 DRAM 容量的擴展。如今，在2023 年，由於努力降低庫存，智慧型手機公司正在逐步改善。 此外，Apple 還將提高 DRAM 解決方案的容量和規格，以用於今年推出的下一代 iPhone。 TrendForce 預測，考慮到這些最新變量，2023...

據之前報導，多家DRAM供應商已開始積極減產，市場調研機構TrendForce預計2023年第一季度DRAM均價跌幅為13~18%。近日TrendForce發布報告，預計伺服器DRAM供應量將在2023年超過移動端DRAM，占年度DRAM總產量的37.6%。 由於預計2023年智慧型手機出貨量增長率與平均搭載容量增長率並不樂觀，DRAM供應商自2022年起，將原先分配給移動端DRAM的產能轉移至需求前景相對明朗的伺服器DRAM，試圖減輕移動端DRAM的供需失衡壓力。 智慧型手機運行記憶體平均搭載容量年增長率自2022年開始明顯放緩，主要是因為2022年智慧型手機廠商有比較大的庫存壓力，導致新品多以使用既有庫存規格為主。隨著2023年去庫存效果逐漸顯現，TrendForce預計移動端DRAM平均搭載容量年增長率約為6.7%，高於2022年3.9%的增長率。 受益於AI與HPC（高性能計算）的帶動，伺服器DRAM在年出貨量增長率與平均搭載容量增長率均高於移動端DRAM，預計也是未來幾年DRAM產量比重最高的分類。由於DRAM供應商在去年第三季度下調了伺服器DRAM價格，這對出貨量的上升也是一個利好條件，TrendForce預計2023年伺服器DRAM平均搭載容量年增長率可達12.1%。 伺服器DRAM需求的增長通常也伴隨著企業級固態硬碟出貨量的增加。與伺服器DRAM類似，企業級固態硬碟在NAND快閃記憶體需求中所占比例也逐漸增大，TrendForce預計在2025年企業級固態硬碟有望成為NAND快閃記憶體最大的應用領域。 ...

快閃記憶體及快閃記憶體市場過去一兩年中都飽受跌價之苦，現在更是要史上最慘記錄了——2022年Q4季度是2008年以來價格跌幅最大的，不論記憶體還是快閃記憶體都是。 據市場研究機構TrendForce的最新數據顯示，用於手機和個人電腦的DRAM記憶體的平均價格在去年第四季度暴跌了34.4%，為2008年以來最大跌幅，而上一季度的跌幅為31.4%。 銷售給數據中心和企業客戶的主要產品快閃記憶體NAND也分別跌27.7%、32%，兩個季度的跌幅均創2008年以來最大。 去年下半年開始的PC、手機及伺服器市場需求下滑更加劇了這一趨勢，幾乎所有記憶體、快閃記憶體晶片生產廠商都在虧損，存儲行業的每年產值達到1600億美元，2022年的虧損就有50億美元。 以記憶體市場為例，目前95%的產能掌握在三星、SK海力士及美光三大廠商中，後兩家去年底就開始削減投資，裁減人員，以應對市場降價。 三星不論記憶體還是快閃記憶體都是世界第一位的，份額遙遙領先，而且有手機、顯示器等其他業務支撐，因此實力雄厚，現在的熊市周期也不打算削減產能，甚至計劃逆周期投資。 這些廠商都在等市場反彈，價格不振的日子至少還要持續半年，預計2023年下半年會復蘇。 來源：快科技

近日，筆者寫到了存儲晶片產業正在經歷的寒冬。其中，DRAM產品歷經全球性的市場價格雪崩，“雪崩”之下，利潤下瀉、庫存堆積，成為橫在DRAM巨頭面前的一項難題。 為避免DRAM晶片再大幅跌價，諸如SK海力士、美光等多家供應商已開始積極減產，預估2023年第一季DRAM價格跌幅可因此收斂至13-18%，但仍不見下行周期的終點。 然而，在市場因素之外，從工藝製程的演進和技術角度來看，DRAM產業似乎也正面臨瓶頸及一系列技術挑戰。 DRAM縮放速度放緩 對DRAM晶片來說，隨著電晶體尺寸越來越小，晶片上集成的電晶體就越多，也就代表一片晶片能實現更高的記憶體容量。 從DRAM三巨頭工藝尺寸的發展歷程來看，三星、SK海力士、美光在2016-2017年進入1X(16nm-19nm)階段，2018-2019年為1Y(14nm-16nm)，2020年處於1Z(12nm-14nm)時代。後續，行業廠商朝著1α、1β、1γ等技術階段繼續邁進。 目前，各大廠家繼續向10nm逼近，目前最新的1α節點仍處於10+nm階段。 2022年10月，三星在Samsung Foundry Forum 2022活動上公布DRAM技術路線圖，預計2023年進入1β工藝階段，即第五代10nm級別DRAM產品。同年12月，三星開發出首款採用12nm級工藝技術打造的16Gb DDR5 DRAM。 2022年11月，美光將1β DRAM產品送往客戶的產品驗證流水線，率先進入了1β節點，這意味著將DRAM晶片的電晶體工藝又向精密處推進一步，來到了10納米級別的第五代。且正在對下一代1γ工藝進行初步的研發設計。 存儲廠商DRAM路線圖 DRAM工藝製程演進至10+nm，繼續向10nm逼近。 近日，TechInsights高級技術研究員Jeongdong Choe博士在一場記憶體網絡研討會中表示，DRAM單元縮小到10nm的設計規則 (D/R) 一直在進行中。主要的DRAM廠商一直在開發下一代，這意味著DRAM單元D/R可能會進一步縮小到個位數納米時代。 然而，從DDR1到DDR5的演變來看，DDR的能耗越來越低，傳輸速度越來越快、存儲容量也越來越大；而從製程工藝的進展來看，早前產品的更新時間大致在3到5年更新一代。在步入20nm以內的製程後，DRAM在製程上的突破進展呈現放緩趨勢。 尤其是隨著10nm製程的臨近，使其在晶圓上定義電路圖案已經接近基本物理定律的極限。由於工藝完整性、成本、單元泄漏、電容、刷新管理和傳感裕度等方面的挑戰，DRAM存儲單元的縮放正在放緩。 此外，從當前技術看，6F? DRAM單元是存儲行業的設計主流，cell由1T+1C(1電晶體+1電容)構成——這種DRAM單元結構將在未來幾代產品上延續。但如果存儲廠商保持6F2 DRAM單元設計以及1T+1C結構，2027年或2028年10nm D/R將是DRAM的最後一個節點。 因此，DRAM單元微縮還面臨若干挑戰： 圖案化：如何創建越來越密集的圖案。 電容器：從圓柱體演變為柱狀結構，需要對高深寬比進行構圖。 電阻/電容：位線和字線需要提高電阻/電容才能提高訪問速度。 外圍（Peri）電晶體：從含氧化矽的多晶矽柵到高K金屬柵（HKMG）的演變。 DRAM擴展挑戰 其實早在2021年2月舉行的SPIE高級光刻會議上，應用材料也曾強調DRAM的微縮正在放緩，需要新的解決方案來繼續提高密度。 DRAM製程微縮困境何解？ 業界很早就關注到了DRAM存儲在製程微縮上面臨的困境，但即使這樣，存儲巨頭們仍在先進技術上不斷追趕，追求更小的 DRAM 單元尺寸仍然很活躍並且正在進行中。 從先進的DRAM單元設計中可以看到一些創新技術，例如High-k介電材料、HKMG、柱狀電容器工藝等都陸續被應用到先進的DRAM 單元設計中去。 High-k介電材料 高介電常數前驅體（High-k）主要用於45nm及以下半導體製造工藝流程，應用於存儲、邏輯晶片的CVD和ALD沉積成膜技術中，形成集成電路中的電容介質或柵極電介質，解決器件微縮及漏電問題，可減少漏電至傳統工藝的10倍左右，大幅提升良率。 DRAM的技術發展路徑本質是以微縮製程來提高存儲密度，晶片製程越先進，尤其是20nm以下存儲、邏輯晶片製造光刻工藝中最主流的雙重微影技術，驅動氧化矽及氮化矽、High-k、金屬前驅體的單位用量大幅提升。 同時，電容是電容器表面積和介電常數的函數，還與介電材料厚度成反比。因此，增大電容器表面積、增大介電常數以及降低介電材料的厚度是改善電容器的存儲性能的三種方法，而隨著製程微縮，電容的深寬比倍數增加，需要單位價值量更高的High-k材料降低高深寬比刻蝕產生的各種缺陷，延緩工藝向極端深寬比方向發展的步伐。 High-k材料的應用可以延緩 DRAM 採用極端深寬比的步伐，提高器件性能。伴隨 DRAM 技術的進步和晶片製程提升，DRAM 製造過程中需要用到更多 High-k材料，使用High-k材料替代SiO2/iON作為柵介質能夠大幅減小柵漏電流，在滿足性能和功耗要求的同時允許器件尺寸進一步微縮，達到降低柵漏電流和提高器件可靠性的雙重目的。 據悉，常見的High-K材料包括Al2O3、HfO2、ZrO2、HfZrO4、TiO2、Sc2O3-Y2O3、La2O3、Lu2O3、Nb2O5、Ta2O5等。 DRAM 線寬越細，High-k材料用的越多。未來隨著半導體技術的發展，對High-K材料的需求將攀升。 High-k金屬柵極外圍電晶體（HKMG）工藝 先了解一下DRAM的基本結構，組成DRAM的電晶體有以下幾種：存儲數據的單元電晶體、恢復數據的核心電晶體、涉及控制邏輯和數據輸入／輸出的外圍電晶體。隨著技術的進步，單元電晶體在提高DRAM存儲容量方面取得了一些技術突破。 然而，原來的核心電晶體和外圍電晶體特性越來越不適合DRAM的應用要求，成為了發展瓶頸。 特別是對於外圍電晶體而言，只有實現工藝尺寸的進一步微縮，才能提高性能，在需要快速提高性能的高端產品中尤為如此。因此，需要一種全新的解決方案來克服微縮基於多晶矽柵極／SiON的電晶體時存在的限制。 此時，高k金屬柵極電晶體（HKMG，High-k Metal...

從美光、SK海力士、三星等存儲大廠們的財報來看，過去一年的日子相當難受，然而就目前而言，行業仍處於高危局面。 DT報導稱，主要存儲廠商的晶片庫存仍在膨脹中，壓力巨大。 這也使得供應鏈中經銷商對終端出貨的預期保持謹慎態度，甚至預測到今年四季度才能回暖。 根據行業咨詢機構TrendForce的最新研報，DRAM記憶體晶片價格預計一季度下滑20%，二季度下滑11%。NAND快閃記憶體價格預計第一、第二季度分別下滑10%和3%。 此前，美光、SK海力士已經表態正減產，三星則依然嘴硬，強調還會增加晶片研發投資。不過，三星的狀況可能更棘手，因為在NAND晶片堆疊層數和DRAM製造工藝等兩大衡量技術水平的制高點之爭中，已經雙雙落後對手。 來源：快科技

本周，三星公布了四季度財報。其中營收下滑9%、利潤大減69%，存儲晶片業務的利潤更是暴跌90%。 即便如此，三星稱不會削減2023財年對晶片研發的投資，甚至還會加大，以保持競爭力和盡快穩定製造技術。 雖然過去一年，存儲晶片行情疲軟與PC行業大背景不景氣有關，可三星在記憶體和快閃記憶體兩大技術上，均出現落後倒是很罕見（指DRAM晶片製造工藝和3D快閃記憶體層數兩方面）。 不過，行業咨詢機構TrendForce給出的最新研判是，存儲晶片的價格在今年上半年將繼續自由落體，甚至持續更長時間。 其中，DRAM記憶體晶片價格預計一季度下滑20%，二季度下滑11%。NAND快閃記憶體價格預計第一、第二季度分別下滑10%和3%。 在上一季度，DRAM和NAND晶片的價格已經分別下跌23%和28%。 不同於三星，為了遏制晶片價格下跌，美光預計今年減產20%，SK海力士將削減生產設備半數的投資額。 來源：快科技

三星在半導體存儲器行業的領導地位已保持多年，NAND快閃記憶體市場已連續二十年位列第一，DRAM市場位居榜首更是長達三十年之久，市場份額均領先競爭對手10%以上。據Business Korea報導，隨著其他廠商開始在DRAM和NAND快閃記憶體市場發力，威脅到三星的技術領先位置。 美光在去年5月宣布推出業界首款232層的3D TLC NAND快閃記憶體，並在2022年末開始生產，其採用了CuA架構，使用NAND的字符串堆疊技術，初始容量為1Tb（128GB）。到了8月，長江存儲發布了基於晶棧3.0（Xtacking 3.0）架構的第四代3D TLC快閃記憶體晶片，名為X3-9070。在同一個月，SK海力士宣布成功研發全球首款業界最高層數的238層NAND快閃記憶體，並已經向合作夥伴發送238層512Gb TLC 4D NAND快閃記憶體的樣品。 相比之下，三星到了去年11月，才開始批量生產採用第8代V-NAND技術的產品，為236層的1Tb（128GB）TLC 3DNAND快閃記憶體晶片。與此同時，長江存儲的X3-9070早已量產，用在零售市場多款產品上。 截止2022年第三季度，三星DRAM市場份額為40.6%，SK海力士為29.9%，美光為24.8%。在NAND快閃記憶體市場，三星的市場份額為31.6%，鎧俠為21.1%，SK海力士為19%，西部數據為12.4%，美光為11.8%。盡管市場份額看起來差距很大，但競爭對手正在侵蝕三星的技術主導地位。 有業內人士表示，長江存儲的232層NAND快閃記憶體質量出乎意料地高，因此三星非常關注。三星在記憶體市場也受到了後來者的追逐，步步逼近，加上台積電在晶圓代工業務遙遙領先，三星正面臨巨大的挑戰。 ...

三星集團是滲入韓國社會方方面面的超級巨頭，三星電子作為其一部分，同樣是科技行業的巨無霸，尤其是在存儲領域根本沒有敵手。 2022年第三季度，三星電子在全球DRAM記憶體晶片(非記憶體條)市場的份額高達40.6％，已經連續30年穩居世界第一。 而在NAND快閃記憶體晶片領域，三星電子的份額也有31.6％，連續20年高居榜首。 無論是DRAM記憶體還是NAND快閃記憶體，三星電子的份額都比第二名高出超過10個百分點。 不過，三星電子也並非高枕無憂，比如在NAND快閃記憶體領域，競爭其實十分激烈，尤其是隨著長江存儲的崛起，讓三星感到了巨大的壓力。 DRAM記憶體晶片方面，長鑫存儲也取得了長足的進步，但差距依然非常之大。 另外，三星晶片設計、代工都面臨極大挑戰，前者已經拿不出手足夠好的產品，後者則被台積電狠狠壓制。 來源：快科技

英特爾在本月10日，推出了代號為Sapphire Rapids的第四代至強可擴展處理器。雖然相比AMD代號Genoa的Zen 4架構EPYC伺服器處理器，不過憑借英特爾在數據中心市場多年累積的影響力，仍然會有相當部分廠商會選用英特爾的新平台。 據相關媒體報導，包括三星和SK海力士在內的DRAM製造商正押注伺服器市場，期待Sapphire Rapids能夠提升伺服器市場的需求，這很大程度上是由於亞馬遜、Google、Meta和微軟等科技公司計劃采購基於Sapphire Rapids的新平台。 過去幾個月里，伴隨市場長時間的低迷狀態，需要一直在下降，對DRAM製造商造成了相當大的損失。Sapphire Rapids是英特爾首批採用DDR5記憶體的伺服器產品，很大程度上會推動新一代DDR5記憶體的需求。不少記憶體廠商的DDR5記憶體已在近期通過了英特爾Sapphire Rapids平台的驗證，正在等待機會，比如SK海力士的1αnm（第四代10nm級別）工藝DDR5伺服器記憶體。 按照英特爾的計劃，Sapphire Rapids預計在2023年5月開始部署，取代上一代產品，這意味著與Sapphire Rapids搭配的DDR5記憶體也會在同期全面投入生產。有業內人士也做出了積極的預測，認為這是DRAM市場在長期低迷後遇到的反彈機會。 近期有報導稱，AMD的伺服器市場份額在2023年初將達到22%，到2023年底可能突破30%。由於AMD在伺服器市場比英特爾更早轉向DDR5記憶體，加上接下來還會有採用3D垂直緩存（3D V-Cache）技術的Genoa-X和基於Zen 4c架構的Bergamo，合力之下也會進一步推動DRAM市場的需求增加。 ...

今天，SK海力士宣布，成功開發出了現階段全球最快的移動DRAM（記憶體）：“LPDDR5T”（ Low Power Double Data Rate 5 Turbo），並已經向客戶提供了樣品。 與此前推出的LPDDR5X相比，LPDDR5T的運行速度快13%，高達9.6Gbps，這也是它名字中“Turbo”的由來。 此次作為樣品提供的LPDDR5T在國際半導體標準化組織 （JEDEC）規定的最低電壓1.01~1.12V下運行，數據處理速度可達每秒77GB，相當於每秒處理15部Full-HD（1080P）電影。 據悉，SK海力士計劃採用第4代10納米工藝生產LPDDR5T，並預計在今年下半年推進該產品的量產，這意味著我們並不需要等待太久，就能夠體驗到這款DRAM的出色表現。 此外，SK海力士在本次產品中也採用了“HKMG（High-K Metal Gate）” 工藝，實現最佳性能表現。 目前來看，SK海力士期待LPDDR5T能夠憑借與同類產品的技術差異， 在下一代LPDDR6問世之前，主導市場。 因此，LPDDR5T的應用范圍將不僅限於智慧型手機，還將會擴展到人工智慧、機器學習、AR/VR等領域。 來源：快科技

本周，美光發布新款DDR5記憶體模組。 記憶體兼容AMD EXPO、Intel XMP 3.0超頻技術，支持AMD銳龍7000、Intel 12/13代酷睿平台。 頻率最高5600MHz，時序CL46，電壓1.1V。其中DDR5-5600有8GB、16GB、24GB、32GB和48GB可選。DDR5-5200最高只有32GB。 美光介紹，24GB和48GB的採用24Gb DRAM晶片，其餘則是16Gb。 遺憾的是，美光未公布建議價格。 按照分析機構的預測，今年一季度是PC淡季，DDR5 SDRAM晶片的價格可能會繼續下跌18~23%。 來源：快科技

追求更小的 DRAM 單元尺寸（cell size)仍然很活躍並且正在進行中。對於 D12 節點，DRAM 單元尺寸預計接近 0.0013 um?。無論考慮使用 DUV 還是 EUV 光刻，圖案化挑戰都是重大的。 特別是，ASML 報告說當中心到中心（center-to-center）值達到 40 nm 時，即使對於 EUV ，也不推薦使用單一圖案化。 在本文中，我們將展示對於 12 納米及更高節點的 DRAM 節點，電容器中心到中心預計將低於 40...

近日市場調研機構TrendForce發布報告稱，由於消費需求疲弱，DRAM廠商庫存壓力持續增加，為避免DRAM產品價格大幅下降，諸如美光（Micron）等多家供應商已開始積極減產，預估2023年第一季度DRAM均價跌幅為13~18%，但仍不見下行周期終點。 PC DRAM方面，由於目前筆記本市場需求量不高，廠商已連續兩個季度減少DRAM采購量，目前PCDRAM庫存周期約為9-13周，由於第一季度屬於傳統淡季，庫存壓力仍然不小。美光已開始減少PC DRAM產能，SK海力士也將跟進。預計第一季度PC DDR5記憶體市場滲透率有機會達到20%，PC DDR5記憶體價格下降幅度約為18-23%，PC DDR4記憶體價格下降幅度約為15-20%。 ServerDRAM方面，受淡季效應、總體經濟疲弱的影響，伺服器需求下降。TrendForce預計Server DDR5記憶體第一季度價格跌幅約為18~23%，略高於Server DDR4記憶體。 Mobile DRAM方面，由於各智慧型手機品牌下調2023年全年銷售目標，對Mobile DRAM去庫存有負面影響，預計第一季度MobileDRAM價格跌幅為10-15%。 Graphics DRAM方面，AMD與英偉達近期均發布了新款顯卡（包含桌面端與移動端），搭載相關顯卡的筆記本也將陸續出貨，但由於消費端需求偏弱，疊加之前的去庫存過程，廠商對Graphics DRAM采購策略仍偏向保守。TrendForce預計Graphics DRAM第一季度價格下降約18-23%。 Consumer DRAM整體仍處於下行周期，廠商庫存仍屢創新高，除了需要更長時間消化庫存，也需要更大規模的減產幅度，TrendForce預計2023年第一季Consumer DRAM價格將下跌18~23%。 ...