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4月3日在台灣花蓮發生的地震即使對島內的晶圓廠是肯定有影響的，即使廠房沒有損壞光刻機也得停下來檢修，美光在當地的廠區當時就有進行停機評估，在地震過後內存製造商已經停止披露2024年第二季度DRAM內存合約報價，這可能預設著即將漲價。 根據DigiTimes的報導，地震中斷了晶圓廠的運營，美光、三星和SK海力士均收到影響，這必然影響供應，這可能會導致內存價格上漲幅度超出預期。其實內存行業在地震前就在漲價了，以彌補他們在前幾年價格低估時的損失。 在地震發生後不久，內光就停止了第二季度的產品報價，隨後三星和SK海力士也迅速跟上，這明顯就是准備漲價了。過去由於自然災害或事故造成生成中斷，內存價格通常都會飆升，這次地震估計也是如此。在地震發生前，市場預測第二季度DRAM和NAND合同價格增長速度會比第一季度放緩，預計在15%到20%之間，而第一季度漲幅超過了20%。 目前內存模塊製造商的晶片庫存量較低，目前正在准備加購晶片增加庫存，原本他們希望價格上漲趨勢能放緩，只不過從去年開始上游晶片製造商都集體減產以維持產品定價，現在加上地震的影響，合約價必然會漲得更厲害。 根據這一狀況，包括伺服器製造商在內的下遊客戶可能會預計到會出現供貨短缺而積極備貨，這會進一步推高內存價格。只不過在消費級市場依然處於農歷新年後的需求低位，盡管價格估計也會跟隨上漲，但應該不會出現缺貨的現象。 ...

快科技4月4日消息，3D電晶體正在各種類型晶片中鋪開，3D DRAM內存也討論了很多年，但一直沒有落地。如今三星公開的路線圖上，終於出現了3D DRAM。 三星的DRAM晶片製造工藝目前處於1b，後續還有1c、1d，都是10nm級別。 再往後的10nm以下節點，將分別命名為0a、0b、0c、0d，其中打頭的0a工藝預計2027年底-2028年初量產(月產能超過2萬塊晶圓)，0d則要到2032年。 就在進入10nm之後，三星將全面開啟3D內存時代，首先引入VCT(垂直通道電晶體)，看起來應該是基礎的FinFET類型，而非更先進的GAA。 大約2030-2031年的時候，三星將升級到堆疊DRAM，將多組VCT堆在一起，從而獲得更大容量、更高性能，看起來還會引入電容器作為輔助。 來源：快科技

TrendForce發布了新的調查報告，分別針對2024年第二季度DRAM和NAND快閃記憶體的價格趨勢。兩者都會延續過去多個月的增長趨勢，不過DRAM合約價季漲幅將縮小至3~8%，而NAND快閃記憶體則會保持強勢，合約價將上漲約13~18%。 目前DRAM供應商庫存雖然已經降低，但是還沒有回到健康的水平，而且在虧損狀況逐漸改善的情況下，進一步提高了產能利用率。比較麻煩的是，今年市場整體需求展望不佳，加上去年第四季起供應商已大幅度漲價，導致客戶庫存回補動能逐漸走弱。 不同細分市場的情況也有所區別：PC DRAM方面，順應逐步轉向DDR5的趨勢，第二季度采購量上升，隨著原廠大幅轉進至先進位程生產DDR5，成本優化使原廠獲利明顯改善；Server DRAM方面，雖然買房庫存增加，但實際滲透率至今年第一季仍不如預期，意味著需求沒有完全兌現；Mobile DRAM方面，買方庫存處於健康水平，需求沒有明顯回溫跡象，拉漲趨勢緩和；Graphics DRAM方面，采購端備貨動能延續，加上原廠將產能轉向HBM產品，對GDDR產品的生產規劃相對保守，漲價有支撐；Consumer DRAM方面，除AI外需求偏弱，漲幅將收斂。 除了鎧俠和西部數據在今年第一季度提升產能利用率外，其他供應商大致維持低投產策略。雖然第二季度NAND快閃記憶體采購量出現小幅度下滑，但收到供應商庫存降低和減產效應影響，漲勢仍較為強勢。在eMMC、UFS、Enterprise SSD、Client SSD和NAND Flash Wafer這些細分市場里，以Enterprise SSD漲幅最高。受惠於北美和中國雲端服務行業需求上升，采購量增加，Enterprise SSD合約價按季度增長20~25%，漲幅遠高於其他產品。 ...

近年來高帶寬內存（HBM）的需求急劇上升，尤其是人工智慧（AI）熱潮的到來，讓這一趨勢愈加明顯，HBM產品的銷量節節攀升。雖然去年存儲半導體行情疲軟，但是HBM3這類高附加值產品需求激增，填補了存儲器廠商其他產品的損失。此前有報導稱，隨著英偉達和AMD等公司大量生產AI GPU，市場需求飆升了500%，而且價格創下了歷史新高。 TrendForce發布了新的調查報告，顯示由於HBM產品售價高、利潤高，讓存儲器廠家選擇擴大資本支出，預計至2024年底，整體DRAM產業規劃生產HBM TSV的產能約為250K/m，占總DRAM產能（約1,800K/m）約14%，供給位元年成長約260%。此外，2024年HBM產值占比將達到DRAM產業約20.1%，相比2023年8.4%大幅增長。 從HBM和DDR5的生產差異來看，在相同製程和容量的情況下，HBM晶片比起DDR5晶片的尺寸大了35%至45%，但是良品率卻低了20%至30%，生產周期也會多出1.5到2個月。由於HBM生產周期更長，加上投產和封裝部分，需要兩個季度以上才能完成生產。如果買家想保持充足的供應，需要更早地鎖定產能。據了解，大部分2024年的訂單都已遞交給供應商，除非有驗證無法通過的情況，否則這些訂單量均無法取消。 目前SK海力士和三星的HBM產能規劃都非常積極，三星HBM總產能至年底將達約130K（含TSV），而SK海力士約120K。雖然現在SK海力士占據了超過90%的HBM3市場，不過三星會在之後的幾個季度里放量，伴隨AMD的Instinct MI300系列到來。 ...

作為全球最大的晶片製造商之一，過往半導體業務一直是三星搖錢樹。不過去年全球存儲晶片陷入了前所未有的低迷，讓三星損失慘重，連續數個季度里一直在與庫存及市場需求作斗爭，DRAM業務陷入了連續虧損。由於庫存負擔過重、需求低迷、價格下滑，最終三星不得不通過減產等手段，將管理重點放在了盈利能力上，但是進展一直不太順利。 據相關媒體報導，經過長時間的掙扎後，三星的DRAM和NAND快閃記憶體業務終於看到了曙光，今年1月份的月度財報里顯示已實現了盈利。如果這種趨勢能夠得以延續，三星的DRAM業務將迎來五個季度以來的首次季度盈餘。 近期TrendForce發布的2023年第四季度DRAM產業和NAND快閃記憶體調查報告顯示，三星都是排名第一的廠商，而且增長幅度也是最大的。其中DRAM業務季度增幅超過了50%，達到了79.5億美元，而NAND快閃記憶體業務環比增長44.8%，達到了42億美元。 不過也有業內人士認為，雖然現在市場的情緒是積極的，但還沒到鬆懈的時候。供應商積極減產推動了價格的上漲，供需環境得到了改善，但是市場需求仍然存在較大的不確定性，這可能是一個意想不到的變量，同時還要密切關注庫存水平。 ...

TrendForce發布了新的調查報告，顯示受惠於企業備貨市場回暖，以及三大原廠控制產能效益顯現，2023年第四季度DRAM產業的營收約為174.6億美元，環比增長了29.6%。2024年第一季度原廠目標仍是改善盈利，具有強烈的漲價意圖，使得2023年第四季度DRAM合約價也有近20%漲幅，不過出貨位元則面臨傳統淡季而略微衰退。 作為業界第一大廠，三星有著最大的拉升幅度，DRAM營收按季度增幅超過了50%，達到了79.5億美元，這主要得益於1a nm DDR5出貨提升，伺服器DRAM出貨位元按季度大幅度攀升超過60%；SK海力士得益於大容量伺服器DRAM、DDR5和HBM產品線，雖然出貨位元按季僅增加1~3%，但是平均銷售價格（ASP）按季增加17~19%，DRAM營收為55.6億美元，季度增長了20.2%；美光量價齊飛，出貨位元及平均銷售價格按季度增長4~6%，不過DDR5和HBM比重較低，使得增速較緩，DRAM營收按季度增長了8.9%，達到了33.5億美元。 南亞科技同樣也是量價齊漲，客戶端產品出貨回升，也帶來了價格的提升，季度營收增加了12.1%，達到2.74億美元；華邦因新廠投入運營，使得產能增加，一方面積極去庫存、擴大客戶群體，另一方面並未調整合約價格，使得出貨有更積極的表現，季度營收增加了19.5%，達到1.33億美元；力積電因現貨與合約幾個上漲而獲益，客戶端渠道備貨力道提升，加上之前出貨量偏低，不包含代工情況下，季度實現110%的增長，至3900萬美元。 ...

據The Elec報導，三星正在考慮在其下一代DRAM中使用應用模壓填充（MUF）技術。三星最近對3D堆棧（3DS）內存進行了大規模的MR MUF工藝測試，結果顯示與現有的TC NCF（熱壓非導電膜）相比，吞吐量有所提高，但物理特性卻有所下降。 傳聞三星晶片部分的一位高級主管在去年下令對MUF技術進行測試，得出的結論是MUF不適用於高帶寬內存，也就是HBM類產品，最為合適的對象是3DS RDIMM。一般情況下，3DS RDIMM採用了矽通孔（TSV）技術製造，主要用於伺服器產品。矽通孔技術意思就是在Wafer或者Die上穿出數千個小孔，實現矽片堆疊的垂直互連通道，而MUF則是上下連接，縮小相互之間間隙的材料，有助於緊密凝固和結合各種垂直堆疊的半導體。 MUF是一種環氧樹脂模塑化合物，在SK海力士成功將其應用於HBM2E生產後，受到了晶片行業的關注。SK海力士使用的這種化合物是與Namics合作生產的。三星計劃與SDI合作開發自己的MUF化合物，而且已經從日本訂購了MUF所需要的相關設備，看起來要推進到下一階段，以實現更先進的封裝工藝，並提高生產效率。 盡管如此，目前三星將繼續在HBM生產中使用TC NCF。競爭對手美光也打算這麼做， MUF材料被認為在避免晶圓翹曲方面更有優勢。 ...

此前TrendForce的市場研究顯示，2024年DRAM合約價預計維持增長，其中2024年第一季度DRAM合約價季漲幅約13~18%，第二季度合約價季漲幅減則是3~8%，第三季度合約價季漲幅8~13%，第四季度合約價季漲幅約8~13%。至少從市場研究調查機構的角度來看，今年內存漲價似乎已不可避免。 據博板堂報導，近期金士頓內存拉動的價格行情，預計會到一個較高的預期，內存的漲價行情至少會持續半年左右的時候。看起來DRAM合約價上漲的趨勢，已落到了具體的內存產品行情上。 從上游傳遞的信息來看，後面價格往上漲的決心較大，原廠顆粒廠商堅信要不斷拉漲，而且幾大廠商比較齊心。由於過去一年實施的減產已逐漸凸顯效應，所以原廠不是特別著急出貨，更加下定了2024年不斷拉漲的決心。此外，過去兩年內存需求的趨勢也是增長的，幅度也不小，特別是筆記本電腦和伺服器的需求增長較大。與此同時，HBM產品消耗了原廠不少產能。雖然總體趨勢較為確定，但是不排除中間會有震盪的機會。 目前內存市場正處於DDR4過渡到DDR5的時期，不過更替的時間段很可能會延後至今年第三季度到第四季度之間，屆時兩種不同內存的價格走勢會產生比較大的變化。 ...

據TrendForce最新的市場研究顯示，DRAM產品合約價自2021年第四季度開始下跌，已經連續下跌八個季度，不過從2023年第四季度開始將會起漲。 NAND快閃記憶體方面，合約價自2022年第三季度開始下跌，已經連續下跌四個季度，至2023年第三季度起漲。面對2024年市場需求展望仍趨於保守的前提下，DRAM和NAND快閃記憶體價格走勢均取決於供應商產能利用率情況。 2024年第一季度，預計DRAM合約價季漲幅約13~18%；NAND快閃記憶體則是18~23%。目前市場對第二季度整體需求看法偏於保守，DRAM和NAND快閃記憶體供應商從2023年第四季度下旬到2024年第一季度調整了產能利用率，買方也在第一季度陸續完成庫存回補，因此DRAM和NAND快閃記憶體第二季度合約價季漲幅減少至3~8%。 第三季度是傳統的旺季，來自北美雲端服務業者（CSP）的補貨動能較強，預計DRAM和NAND快閃記憶體在產能利用率尚未恢復滿載的情況下，合約價季漲幅同步擴大至8~13%。其中DRAM因DDR5和HBM滲透率提升，平均單價的提高，帶動DRAM漲幅擴大。第四季度在供應商維持有效產能控制的前提下，漲勢將延續，預計DRAM合約價季漲幅約8~13%，而NAND快閃記憶體則是0~5%。 ...

據了解，韓國晶片製造巨頭SK海力士正在考慮打破美國對華極紫外（EUV）光刻機出口相關限制，以提升其在中國的半導體工廠的技術水平。 這一舉動被視為，隨著半導體市場的復蘇以及中國高性能半導體製造能力的提升，一些韓國晶片企業正在採取一切可以使用的方法來提高在華工廠的製造工藝水平。 業內人士透露，SK海力士計劃今年將其中國無錫工廠的部分DRAM生產設備提升至第四代10納米工藝。然而，對於“無錫工廠將進行技術升級”的消息，SK海力士方面表示“無法確認工廠的具體運營計劃”。 據了解，無錫工廠是SK海力士的核心生產基地，其產量約占公司DRAM總產量的40%。目前，無錫工廠正在生產兩款較舊的10納米DRAM。 報導認為，SK海力士對無錫工廠進行技術升級並不容易，因為自2019年以來，美國為阻止中國半導體產業崛起，單方面限制了製造尖端半導體必需的EUV光刻機出口中國。 盡管如此，隨著全球半導體市場進入復蘇階段，SK海力士認為高性能晶片產能擴張已經刻不容緩，需要10納米級第四代DRAM或更高版本產品來維持其市場份額。 媒體分析稱，SK海力士的這一舉動反映了全球半導體市場的變化和中國半導體產業的快速發展。在全球半導體市場復蘇的背景下，中國半導體產業的提升無疑將為全球半導體產業的發展注入新的活力。 來源：快科技

據TrendForce最新的統計數據，預計2024第一季度年移動DRAM及NAND快閃記憶體（eMMC/UFS）均會出現漲價，且漲幅將達到18~23%。不排除因寡占市場格局或是品牌客戶恐慌追價的情況，有可能會進一步拉升漲幅。 TrendForce表示，2024年第一季度中國智慧型手機廠商的生產規劃仍穩健，由於存儲器價格漲勢明確，帶動了買方積極擴大購貨需求，以建設安全且相對低價的庫存水位。過去智慧型手機市場是最早反映經濟下行的消費性產品，買賣雙方都是持續性對供應鏈進行庫存調節。隨著庫存水平已跌至谷底，加上原廠減產效應作用，兩大因素促使智慧型手機使用的存儲器出現強勁漲勢。 從整體市場來看，2024年第一季度客戶端需求持續，使得存儲器延續了漲勢。在原廠沒有拉動產能的情況下，供需缺口正在不斷加大，只不過移動平台使用的存儲器相比其他細分市場的漲勢更為明顯，成為了2024年第一季度的領漲項目。 過去一年裡，各大DRAM和NAND快閃記憶體晶片製造商都選擇了減產，人為限制產能輸出，從而遏制價格下跌，彌補虧損缺口。經過了多個月的努力，似乎已初見成效，目前整個DRAM和NAND快閃記憶體晶片市場的價格都在上漲，結束了長時間供過於求的局面。 ...

據市場研究機構TrendForce的最新研究報告顯示，2023年第三季度全球DRAM產業合計營收達134.80億美元，環比增長約18.0%。下半年需求緩步回溫，買方重啟備貨動能，使各原廠營收皆有所成長。 展望第四季，原廠漲價態度明確，第四季DRAM合約價上漲約13%~18%；需求面回溫程度不如過往旺季。 整體而言，買方雖有備貨需求，但以目前來說，伺服器領域因庫存水位仍高，拉貨態度仍顯被動，第四季DRAM產業出貨增長幅度有限。 具體來說，第三季營收方面，三星、SK海力士、美光這三大原廠營收皆有成長，因AI需求增長，對高容量DRAM產品需求維持穩定，加上1alpha納米DDR5量產後量價齊升，帶動三星第三季DRAM營收季增幅度約15.9%，約52.50億美元。 SK海力士（SK Hynix）受益於HBM、DDR5產品品質相對穩定，出貨量連續三個季度增長，加上平均銷售單價季增約10%，營收約46.26億美元，季增幅達34.4%，是原廠成長最顯著業者，與三星市占率差距縮小至不到5%。 美光平均銷售單價小幅下跌，然因需求回溫，出貨量增加，支撐營收季增幅約4.2%，達30.75億美元。 產能規劃面，第三季末三星為有效減緩庫存壓力而擴大減產，主要針對庫存偏高的DDR4產品，第四季減產幅度擴大至30%，總投片量下滑，三星認為2024下半旺季需求將回溫，故投片量明年第二季開始提升。 SK海力士受益於HBM及DDR5出貨增長，產能小幅回升，投片量至今年底會小幅上升，搭配明年DDR5於終端滲透提升，預期總投片量將逐季上升。 美光因減產較早，庫存水位相對健康，第四季投片已開始回升，主要1beta納米先進位程增加，2024年投片量仍小幅上升，產能擴張重心落在製程轉進。 台系廠商方面，南亞科技（Nanya）出貨受益於PC客戶備貨需求及現貨市場帶動，出貨量成長17%~19%；南亞科技主流DDR3、DDR4產品需求相對疲乏，價格仍呈下滑走勢，限縮營收漲幅，最終營收僅達2.44億美元。 華邦電子（Winbond）定價策略較積極，為拓展DDR3業務，去化KH廠新增產能，議價彈性大，故出貨成長，第三季營收上升至1.12億。 力積電（PSMC）營收計算主要為自身生產消費級DRAM產品，不包含DRAM代工業務，受惠現貨價格上漲，使需求小幅上升，帶動DRAM營收季增4.4%，若加計代工營收則季減5.5%。 來源：快科技

TrendForce發布了新的調查報告，顯示今年第三季度DRAM產業的營收約為134.8億美元，環比增長了18%。下半年市場需求逐步回暖，加上人工智慧（AI）話題熱度持續和買方重啟備貨，使得各原廠的營收都有所增長。 作為業界第一大廠，三星的DRAM營收按季度增幅約為15.9%，達到了52.5億美元，特別是1a nm DDR5量產後，量價齊升，對大容量產品有著穩定的需求；SK海力士受惠於DDR5和HBM產品線，出貨量已連續三個季度增長，平均銷售價格（ASP）也有10%的增幅，季度增長達到了34.4%，DRAM營收為46.26億美元，是原廠中增長最為顯著的廠商，與三星的市場占有率差距縮減到5%以內；美光的平均銷售價格有小幅度下滑，不過因需求回暖，出貨量增長，DRAM營收按季度增長了約4.2%，達到了30.75億美元。 南亞科技受惠於PC客戶備貨，出貨量增長了17%至19%，不過其主流DDR3和DDR4產品需求相對疲乏，平均銷售價格仍呈現下滑趨勢，DRAM營收為2.44億美元；華邦在定價策略上較為積極，議價彈性大，出貨量也有所增長，DRAM營收上升至1.12億美元；力積電在DRAM的營收主要是自己的產品，不包含代工，得益於現貨價格上漲，DRAM營收按季度增長4.4%。 展望今年第四季度，原廠漲價態度明確，預計DRAM合約價格上漲約13%至18%。買方雖然有備貨需求，但是不如過往旺季，而且伺服器領域庫存水平較高，預計今年第四季度DRAM出貨量增幅有限。 ...

很長時間里，三星一直是DRAM市場的領導者，不過最新的統計數據顯示，SK海力士在2023年第三季度的伺服器DRAM這一細分市場坐上了頭把交椅，很大程度得益於其最新標準的DDR5伺服器內存在市場競爭中處於優勢地位。 據Business Korea報導，SK海力士在2023年第三季度占據了49.6%的伺服器DRAM市場份額，銷售額達到了18.5億美元，穩穩地高居榜首；三星排名第二，市場份額為35.2%，銷售額為13.13億美元，與SK海力士之間已經拉開了差距；美光排在了第三，市場份額為15%，銷售額為5.6億美元。伺服器內存產品是一種高附加值的半導體，對企業雲端服務和數據中心至關重要，約占整個DRAM市場35%至40%的銷售額。 過去一段時間里，SK海力士在DDR5的研發上投入非常大，不但引入了新的製造工藝，已經完成了現有DRAM中最為微細化的1bnm（第五代10nm級別）的技術研發，而且積極地與英特爾第四代至強可擴展處理器（代號Sapphire Rapids）進行兼容性驗證。 SK海力士的努力也得到了回報，過去數月里伺服器DRAM市場份額節節攀升。此外，SK海力士在HBM產品上也處於領先位置，很大程度縮小了與三星在DRAM整體市場份額之間的差距。目前三星以39.4%的市場占有率排在DRAM市場的第一名，SK海力士以35%的市場占有率緊隨其後。 ...

過去一年裡，各大DRAM和NAND快閃記憶體晶片製造商都選擇了減產，人為限制產能輸出，從而遏制價格下跌，彌補虧損缺口。經過了多個月的努力，似乎已初見成效，目前DRAM和NAND快閃記憶體晶片價格正在上漲，或許會結束長時間供過於求的局面。 據DigiTimes報導，自今年7月底8月初到達谷底後，DRAM和NAND快閃記憶體晶片價格過去幾個月里一直在上漲，這也讓三星、S海力士和美光這樣的存儲器大廠處於更安全的位置。在此期間，除了減產措施以外，材料短缺也影響了價格的變動。 雖然DRAM和NAND快閃記憶體晶片價格還沒有回到今年初的水平，不過幾個月下來上漲的幅度並不小，比如512GB的NAND快閃記憶體晶片價格幾乎是7月時的兩倍，256GB也在同一時間段上漲了55%，而兩條8GB的DDR4內存套裝比起8月時漲價了10%。 新冠疫情後世界經濟放緩，隨著消費者減少支出，市場需求下降，導致晶片供過於求、庫存水平處於高位，供應商不得不採取降價措施，也讓消費者今年能以非常低的價格購入存儲產品。對存儲器製造商而言，後果很嚴重，三星2023年第一季度的利潤幾乎都被抹去，而美光損失了20多億美元。 相比之下，固態硬碟的漲勢更為明顯，現在已經很難找到幾個月前那種大容量低價產品了。至於內存，可能不久以後情況也會發生變化。 ...

藉助人工智慧（AI）的東風，SK海力士成為了現階段HBM類產品的市場領導者，占據了最大的市場份額，也是英偉達數據中心GPU主要的顯存供應商。目前SK海力士正在開發下一代HBM4，同時計劃將相關配套技術擴展到DRAM領域，以更好地利用手上的技術資源。 據Business Korea報導，SK海力士准備2.5D扇出封裝，為下一代HBM和DRAM做准備，確保其技術保持領先的位置。SK海力士希望通過這種封裝方式，降低封裝的成本，而且能跳過矽通孔（TSV）工藝，同時增加I/O接口的數量。有業界人士認為，這種封裝技術很適用於GDDR這類圖形DRAM產品。 SK海力士打算將兩個DRAM晶片水平排列，然後組合在一起，像一個晶片那樣。由於晶片下面沒有添加基板，可以讓晶片變得更薄，會明顯減小了安裝厚度，SK海力士打算在明年公開披露使用該封裝製造的晶片的研究成果。 未來HBM會往更為定製化的方向發展，不僅排列在SoC主晶片旁邊，部分還會轉向堆棧在SoC主晶片之上。此前有報導稱，SK海力士目標是將HBM4以3D堆疊在邏輯核心上，有點類似於AMD的3D V-Cache技術，不過容量更高且更便宜，只是速度會慢一些。這不僅改變了邏輯和存儲晶片的互連方式，也將改變晶片的製造方式。 有SK海力士高層人士表示，在人工智慧時代，SK海力士將引領存儲半導體創新，針對每個客戶提供差異化的專業產品。 ...

快科技10月19日消息，三星目前正在加快開發第五代HBM3e“Shinebolt”。 經初步測試，“Shinebolt”的最大數據傳輸速度將比上一代有所提升，預計將達到1.228TB/，比SK海力士的HBM3e（最大數據傳輸速度為1.15TB/）更快。 同時“Shinebolt”還採用了最新的12層垂直堆疊方案，能夠在單個HBM3e封裝上實現高達36GB的容量，而原型版本使用的8層堆疊方案僅實現了24GB的容量。 據悉，HBM（High Bandwidth Memory）屬於垂直連接多個DRAM，與DRAM相比顯著提升數據處理速度的高附加值、高性能產品。 HBM DRAM產品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的順序開發，其中HBM3e是HBM3的擴展（Extended）版本。HBM被認為是人工智慧時代的新一代DRAM。 來源：快科技

TrendForce發布了新的調查報告，表示自2024年第四季度起，DRAM和NAND快閃記憶體均價開始全面上漲。其中DRAM預計按季度上漲3~8%，漲勢是否能夠延續還要看供應商是否堅持減產策略，以及市場的回暖程度，重點在於通用型伺服器領域。 PC DRAM方面，2023年第三季度就已經開始漲價了，加上為新款CPU備貨，預期會帶動DDR5內存需求上升。由於原廠配件庫存仍處於高位，且沒有出現缺貨的情況，迫使三星再度擴大減產幅度，同時廠商也不願意再降低DRAM產品價格，甚至打算提價。預計2023年第四季度DDR4價格環比增長0~5%，DDR5價格環比增長3~8%，PC DRAM合約價季漲幅約3~8%。 Server DRAM方面，預計2023年第四季度DDR4的均價將持平，已經沒有下跌空間，DDR5均價可能還會下跌，不過出貨比重上升，兩者之間價差約50~60%，整體的平均零售價會拉升，Server DRAM的合約價預估環比增長3~8%；Mobile DRAM方面，庫存已回到健康水平，下半年行情好轉，環比增幅超過10%，預估LPDDR4X合約價季漲幅約3~8%，LPDDR5(X) 合約價季漲幅5~10%；Graphics DRAM方面，買方心態已轉為可接受價格上漲，且電競本熱銷，表現優於整體筆電市場表現，預估合約價季漲幅3~8%；Consumer DRAM方面，三星自9月起開始擴大減產規模，至第四季度將達到30%，且庫存不斷下降，預計會拉高合約價，季度漲幅3~8%。 ...

美光宣布，推出使用最新的1β（1-beta）工藝節點批量生產的16Gb DDR5內存，速率達到了7200MT/s。美光表示，新款DRAM晶片採用了high-k CMOS器件技術，相比上一代產品，性能提升了50%，每瓦性能提高了33%，現已交付給所有數據中心和PC客戶。 美光是在去年末推出了1β工藝節點，無論性能、位密度還是電源效率上都有顯著的收益，而且還能降低DRAM成本，將帶來廣泛的市場優勢。基於1β工藝節點打造的DDR5內存覆蓋了4800MT/s至7200MT/s的范圍，允許將計算能力推向更高的性能水平，支持跨數據中心和客戶端平台的人工智慧（AI）訓練和推理、生成式人工智慧、數據分析和內存資料庫（IMDB）等應用。 美光核心計算設計工程集團公司副總裁BrianCallaway表示，採用1β工藝節點的DDR5內存進入大批量生產及應用是行業內的一個重要里程碑，與生態系統合作夥伴及客戶合作將推動高性能內存更快地被採用。美光將會有多款產品採用1β工藝節點，除了DDR5外，還包括LPDDR5X、HBM3E和GDDR7。 美光計劃繼續投資數十億美元，將晶圓廠轉變為技術領先、高度自動化、可持續發展、以及人工智慧驅動的設施，其中包括對日本廣島工廠的投資。據了解，這間工廠將採用1β工藝節點批量生產DRAM。 ...

快科技9月26日消息，近日三星電子發布文章，稱其成功研發出首款7.5Gbps低功耗壓縮附加內存模組（LPCAMM）形態規格，目前這一突破性研發成果已在英特爾平台上完成了系統驗證。 這一成果或將改變PC和筆記本電腦的DRAM（動態隨機存取存儲器）市場，甚至影響到數據中心的DRAM市場格局。 據三星介紹，目前的電腦傳統的 LPDDR DRAM或So-DIMM（小型雙重內嵌式內存模組），但是這兩種技術都存在一定的局限性。LPDDR受結構限制需要直接安裝在主板上，導致維修或者升級更換比較難。So-DIMM雖然安裝拆卸比較方便，但是性能和功耗上卻存在著一定的限制。 而LPCAMM技術則有望同時克服了LPDDR和So-DIMM的缺陷，做為可拆卸的內存模組，LPCAMM在大大減少了設備內部空間占用的同時，還大幅提高了性能及能效。與So-DIMM相比性能提高50%，能效提高70%，體積縮小 60%。 LPDDR由於其良好的省電特性被應用於伺服器上，然而LPDDR在實際使用中還是有一定的限制，例如在升級伺服器DRAM規格時必須更換整個主板才行，而使用 LPCAMM 則可以有效避免這些問題。 英特爾內存和IO技術副總裁表示：“LPCAMM的能效和易修優勢使這種新形態有機會改變當今PC市場的遊戲規則。我們很高興能參與制定新標准，為PC生態系統提供支持，並為未來在更廣泛的細分市場中被採用，以及為技術的創新奠定基礎。” 三星表示將於今年與包括英特爾在內的主要客戶一起，將LPCAMM應用於下一代系統進行測試，並計劃將於 2024 年實現其商業化。 來源：快科技

很多玩家盼DDR5內存已經盼了好久，隨著存儲顆粒的降價，16G的DDR5內存終於從2年前的1000元降到了現在的250元，讓不少玩家喜出望外，但是回頭看看DDR4內存，嚯，16GB的DDR4內存已經跌破140元了！ 其實選DDR4內存還是DDR5內存在遊戲玩家中一直有爭論，如果你的主板已經選好了，那就直接買對應的內存即可，如果還沒有敲定，也先別急。DDR5內存的優勢在於主頻達到了4800MHz起步，和DDR4相比翻了一倍不止，在應對高要求的應用和遊戲時可以應對自如。 另外，DDR5為每128位數據設置8位的ECC存儲空間，使得On-die ECC具有強大的RAS功能，可以保護存儲器陣列免受單個數位錯誤的影響，具有一定的糾錯功能。 不過，DDR5內存的時序普遍要比DDR4高不少，所以最終的性能提升達不到翻番這麼多，所以如果預算不是非常充足的話，建議還是選DDR4，性價比要高得多。 目前DDR4的內存已經卷到非常低的價格，16G內存跌破140元，也就是說組雙通道32G內存不到280元了。當然，這個價位段的內存肯定是2666的主頻，能帶上金屬馬甲已經算得上是高配，畢竟平均8G只要70塊錢，要啥自行車啊。 如果想要高頻率，或是一線大牌，那肯定就得加錢。主頻上了3000之後基本上就得200元起步，像玖合這樣149元拿下3200頻率的真是少之又少，其他要麼挑平台，要麼挑主板，200元入手3200主頻的內存可選真的很少。 說到價格，自然就會說品牌，畢竟內存也是有一線二線之分的，比如金士頓的內存就降價幅度很小，16G的價格仍然在269元，好處就是不挑板，基本上不會有兼容性問題，但是同樣價格就算不上最優選擇了，何況比美商海盜船都要貴出不少。 其實玩家也不用太糾結內存品牌，一方面現在內存的兼容性已經好很多了，一般情況下不會有大范圍的不兼容情況，另一方面內存都有終身質保，要是真的臉黑碰上了壞內存，再換一條就是了，太過糾結反而沒必要。 來源：快科技

三星宣布，推出業界首款及最高容量的12nm級32Gb DDR5 DRAM。這是繼三星今年5月開始量產12nm級16Gb DDR5 DRAM以後，擴大了其12nm級DRAM產品線，在相同封裝尺寸下提供了翻倍的容量。三星稱，此舉鞏固了其在下一代DRAM技術方面的領導地位，標志著大容量存儲器的新篇章。 三星電子DRAM產品與技術執行副總裁SangJoon Hwan表示：「憑借12nm級32Gb DDR5 DRAM，我們獲得了一種新的解決方案，可以實現高達1TB的DRAM模塊，使我們能夠滿足人工智慧（AI）和大數據時代對高容量DRAM日益增長的需求。我們將繼續通過差異化工藝和設計技術開發DRAM解決方案，突破內存技術的界限。」 三星在12nm級別工藝技術上使用了一種新的high-κ材料，有助於提高電池電容。高電容導致數據信號出現明顯的電勢差，更便於准確區分。同時在降低工作電壓和減少噪音方面的努力，也有助於三星提供客戶需要的解決方案。 此前三星的12nm級32Gb DDR5 DRAM還需要使用TSV（Through Silicon Via）工藝，而這次12nm級32Gb DDR5 DRAM可以在不使用TSV技術的情況下生產，兩者同為128GB模塊下，後者的功耗降低了約10%，使其成為數據中心等注重能效的企業的最佳解決方案。 三星表示，12nm級32Gb DDR5 DRAM將會在今年年底開始量產。 ...

雖然先進半導體製造工藝在研發方面越來越困難，成本也越來越高，但仍然在不斷前進，作為行業的龍頭企業，台積電（TSMC）已推進到3nm製程節點。不過並不是每一種晶片都會有相應的擴展效果，比如DRAM，早已遇到縮放困難的問題，研究人員最快在5年後就無法繼續提高密度了。 據TomsHardware報導，專門從事半導體電路設計的Lam Research最近發布了一份關於DRAM產品如何發展的建議，未來可能屬於3D DRAM，將引入堆疊結構。據稱，大概還需要5到8年的時間，才能設計出可製造的3D DRAM設備，從2D DRAM擴展結束到3D DRAM擴展開始之間可能有3年的時間差。 3D DRAM設計中，重點是解決縮放和多層堆疊的難題，另外還有電容器和電晶體縮小，以及單元間連接和通孔陣列，最後還有制定相應的工藝要求。新的DRAM單元設計方式不是簡單地將2D DRAM組件放在一側，然後再將其堆疊在一起，加上工藝上的約束和要求，就是一項說起來容易做起來困難的工作。重新設計的DRAM架構可以層層疊疊，過程與NAND快閃記憶體類似，其中還會應用一些先進的電晶體製造技術，比如GAA設計。 據了解，第一代3D DRAM設計最多隻能利用28層堆疊，隨著架構的改進和額外的分層，DRAM密度可以實現兩個節點的跳躍改進。該技術遇到的另外一個問題是，現階段沒有生產工具可以可靠地製造3D DRAM所需的這些特徵，需要對DRAM的生產工具進行改進甚至重新設計，這是一個必然的過程。 此前有報導，三星和SK海力士都將3DDRAM作為克服DRAM物理極限的一種方式。在三星看來，3D DRAM是半導體行業未來的增長動力，而SK海力士則認為，明年關於3D DRAM的電氣特性細節將被公開，從而決定其發展方向。 ...

根據市場研究機構 TrendForce最新發布的報告顯示，受益於AI伺服器需求攀升，帶動了HBM（高帶寬內存）的出貨增長，加上客戶端DDR5的備貨潮，使得三大DRAM原廠出貨量均有成長。整個DRAM 產業的二季度營收約114.3億美元，環比大漲20.4%，終結了連續三個季度的跌勢。 從具體的廠商表現來看，二季度DRAM市場銷售額及市場份額排名第一的依然是三星。雖然三星的DDR5製程仍落於1Ynm，且占比有限，ASP下跌了約7~9%，但第二季度受益於模組廠備貨，及AI伺服器需求，整體出貨略增長，帶動了第二季度營收環比增長了8.6%至45.3億美元，市場份額為39.6%。 排名第二的是SK海力士（SK hynix）。TrendForce稱，今年二季度SK 海力士出貨量環比大漲35%，且平均銷售單價（ASP）較高的 DDR5、HBM 出貨占比顯著增長，帶動 SK 海力士 ASP 逆勢增長了7~9%，推升 SK 海力士第二季度營收環比增長接近50%（增長幅度位居第一）至34.4 億美元，排名第二，市場份額為30.1%。 美光（Micron）由於在HBM領域發展較晚，但DDR5出貨仍有一定的比重，使得整體ASP大致持平，在出貨量增長的帶動下，二季度營收環比增長15.7%至29.5億美元，市場份額為25.8%。 8月24日消息，根據市場研究機構 TrendForce最新發布的報告顯示，受益於AI伺服器需求攀升，帶動了HBM（高帶寬內存）的出貨增長，加上客戶端 DDR5 的備貨潮，使得三大DRAM原廠出貨量均有成長。整個DRAM 產業的二季度營收約 114.3 億美元，環比大漲20.4%，終結了連續三個季度的跌勢。 從具體的廠商表現來看，二季度DRAM市場銷售額及市場份額排名第一的依然是三星。雖然三星的DDR5製程仍落於1Ynm，且占比有限，ASP下跌了約7~9%，但第二季度受益於模組廠備貨，及AI伺服器需求，整體出貨略增長，帶動了第二季度營收環比增長了8.6%至45.3億美元，市場份額為39.6%。 排名第二的是SK海力士（SK hynix）。TrendForce稱，今年二季度SK 海力士出貨量環比大漲35%，且平均銷售單價（ASP）較高的 DDR5、HBM 出貨占比顯著增長，帶動SK海力士ASP逆勢增長了7~9%，推升...

得益於人工智慧（AI）業務的蓬勃發展，相關伺服器的需求攀升，帶動了HBM的出貨拉升，加上不少廠商在客戶端DDR5的備貨潮，使得三大原廠的出貨量均有增長。根據研究機構TrendForce發布的最新調查報告，2023年第二季度DRAM營收約114.3億美元，環比增長20.4%，結束了連續三個季度下滑的下跌趨勢。 三星繼續位列第一，不過由於DDR5製程仍落於1Ynm，且占比有限，平均銷售單價（ASP）下跌了約7~9%，不過在AI伺服器出貨帶動下，營收環比增長了8.6%，達到了45.3億美元；SK海力士超越美光回到了第二名，在2023年第二季度表現搶眼，不但出貨量環比增長超過35%，且平均銷售單價也有約7~9%的增長，使得營收環比增長了接近50%，達到了34.4億美元；美光由於HBM發展得比較晚，沒能趕上這波人工智慧熱潮，不過仍有不錯的DDR5出貨量，平均銷售價格也得以維持，營收約29.5億美元，環比增長15.7%。 總的來說，前三名里SK海力士的市場份額增長，而三星和美國的市場份額都有不同程度的下降。此外，因各產品的合約價仍持續下行，三大原廠的利潤率仍為負值，其中三星第二季營業利潤率由-24%上升至-9%，SK海力士營業利潤率由-50%大幅收窄至-2%，美光的營業利潤率則從-55.4%縮窄至-36%。 ...

去年9月份，美光宣布未來10年將投資約150億美元，在美國愛達荷州博伊西新建一座內存晶片製造廠。這也是美國20年來本土首個新建內存晶片製造廠，同時也是愛達荷州有史以來最大的私人投資項目。美光預計該項投資將在2030年前，為愛達荷州創造1.7萬個就業機會，其中2000個屬於直接崗位。 據相關媒體報導，美光已要求政府出資，幫助其建造位於愛達荷州博伊西和紐約州克萊市的新工廠。 資金當然是來自《美國晶片法案》的520億美元預算，這意味著美光和英特爾一樣，希望能說服政府，獲得比競爭對手更多的資金份額。此前英特爾CEO帕特-基爾辛格（Pat Gelsinger）就表示，英特爾的重要研發工作都在美國本土完成，而且在此處擁有規模龐大的自有工廠，應該拿到更多補貼才對。 英特爾和美光的做法也引來了爭議，有人認為《美國晶片法案》的資金主要來自於納稅人，在半導體市場疲軟的趨勢下，這些半導體企業以包括擴大產能等各種理由申請大量補助資金，其實是讓別人掏腰包去填補其自身的業績虧損。 2021年10月，美光宣布在未來十年內，計劃在全球范圍內投資超過1500億美元，用於內存製造和研發，包括提高晶圓廠的產能，以滿足內存不斷增長的需求。美光認為，內存和存儲晶片在全球半導體行業中所占的比重正不斷增長，目前約占半導體市場的30%份額。 ...

快科技8月4日消息，跌了一年多的存儲晶片市場正在發生變化，快閃記憶體市場價格已經開始反彈，三星已經漲價15%，現在內存價格也要面臨調整的壓力，白菜價買DDR5內存的日子且行且珍惜。 第四大內存晶片廠商南亞科技日前發布了Q2財報，當季合並營收70.27億元新台幣，營業利潤-31.85億新台幣，稅後淨利潤-7.71億新台幣，每股虧損0.25元。 雖然業績下滑、還在虧損，但是南亞科技總經理李培瑛表示內存價格已經築底，下半年隨著手機、電視等需求改善，內存供需情況有望趨於平衡。 不過最終情況還需要觀察，特別是中美兩大經濟體的復蘇情況。 此前美國調研公司發布的報告顯示，內存供應商目前傾向於價格穩定，下半年PC DDR5內存預計會漲價2-5%，伺服器DDR5內存則會上漲5-10%，已有廠商在7月份就開始調漲3季度內存價格。 來源：快科技

這兩年，DRAM內存、SSD固態硬碟的價格持續走低，有時候甚至便宜得不可思議，讓大量消費者嘗到了甜頭。 集邦咨詢的最新研究報告指出，今年第三季度，DRAM內存晶片的平均價格下跌幅度將從15-20％收窄到0-5％，主要原因包括原廠陸續減產、整體供應量逐漸減少、季節性需求支撐、供應商庫存壓力下降。 不過，DRAM內存晶片整體庫存水平仍然處於高位，今年整體仍將呈現價格走低趨勢，止跌反彈恐怕要等到明年了。 PC內存方面，DDR4在第二季度平均價格下跌15-20％，不過隨著三星、SK海力士、美光三大原廠集中減產，部分OEM廠商趁低價大量拉貨，雖然整體仍然供過於求，但預計第三季度價格跌幅將回落到3-8％。 DDR5第二季度跌了13-18％，但原廠死守價格，加上產能無法完全滿足市場需求，第三季度的價格跌幅將只有0-5％。 筆記本、伺服器、消費級等內存也將是類似的趨勢，包括顯存也是如此。 得益於NVIDIA RTX 40系列的拉動，16Gb GDDR6顯存需求大大提升，加上旺季效應，第三季度形勢看好，但由於買方在第二季度已經大量備貨，庫存足夠，整個市場依然供過於求。 因此，16Gb GDDR6的價格預計在第三季度仍會下跌0-5％，當然大大好於第二季度的10-15％。 來源：快科技

快科技7月17日消息，內存、SSD硬碟是這一兩年來價格讓人驚喜的產品，帶動了大家購買32GB內存或者2TB大容量存儲的熱情，但是進入2023年下半年之後，市場走勢也在變化，價格被認為已經觸底，7月份就會漲價。 美國調研公司發布的報告顯示，內存供應商目前傾向於價格穩定，下半年PC DDR5內存預計會漲價2-5%，伺服器DDR5內存則會上漲5-10%，已有廠商在7月份就開始調漲3季度內存價格。 基於對市場銷售渠道的觀察，供應商對接下來的價格走勢很有信心，在價格談判中也愈發主動、強勢，取消了價格折扣作為談判的前提。 據了解，今年6月份開始的下一季提前交易談判中，只有三星願意談判，但經銷商提議的價格讓步都被拒絕了，態度變化可見一斑。 從多方消息來看，3季度中內存價格就算是綜合下來仍有下跌，跌幅也會大幅收窄，4季度價格上漲幾乎是一致的預期，2024年市場復蘇則是各大存儲晶片廠商看好的。 內存，以及SSD硬碟在內的產品中，大家該買的可以考慮入手了，等等黨下半年就有可能輸了。 來源：快科技

今年年初，美光推出了符合DDR5-5200和DDR5-5600標準的第二代DDR5內存模塊，除了傳統的8GB、16GB和32GB以外，還有24GB和48GB提供給用戶選擇，支持XMP 3.0和EXPO技術，使用1α工藝節點進行批量生產。這也是市場上首批24GB和48GB內存模塊，從側面證明了美光在存儲領域的實力。 據TomsHardware報導，美光希望繼續保持在DRAM市場的領先優勢，已經計劃在2024年上半年量產32Gb DDR5晶片，為打造1TB大容量內存模塊奠定基礎。盡管美光沒有透露新款DRAM晶片的數據傳輸速率，不過考慮到這是第三代DDR5內存模塊，頻率應該會進一步提升。 32Gb DDR5晶片將採用美光去年推出的1β（1-beta）工藝節點生產。這是目前美光在存儲晶片上最先進的半導體工藝，有可能是其最後一個沒有採用極紫外（EUV）光刻技術的製造工藝，此前已經向特定的智慧型手機製造商和晶片組合作夥伴運送了DRAM晶片樣品。 與行業內很多企業不同，美光不打算在短期內全面使用極紫外（EUV）光刻技術來生產存儲晶片，而是繼續使用深紫外（DUV）光刻技術，同時在1β工藝節點上使用了其第二代HKMG技術，美光稱，新工藝節點的能效提高約15%，位密度提高了35%以上。 32Gb DDR5晶片首先會用於數據中心的內存模塊，這是對內存容量需求最為迫切的地方。據了解，美光明年首先會提供128GB的DDR5內存模塊，然後再推出192GB和256GB的產品。512GB和1TBDDR5內存模塊暫時還沒有安排，不過有可能提前向特定客戶提供。 ...

TrendForce發布了新的調查報告，表示因DRAM供應商陸續啟動減產，加上季節性需求的支撐，減輕了供應商的庫存壓力，預計今年第三季度DRAM均價跌幅將收窄，下跌的幅度在5%以內。 PC DRAM方面，三星、SK海力士和美光都集中減產DDR4內存，效果將會在今年第三季度顯現，同時第二季部分OEM廠商以低價策略大量拉貨，加快了原廠去庫存的速度。總體來說，今年第三季度DDR4內存仍處於供過於求的狀態，預計跌幅按季度在3%至8%。原廠更多地想穩住DDR5內存的價格，並沒有完全滿足買方需求，預計環比下跌5%以內，而第三季整體PC DRAM的均價預計環比下跌0%至5%。 Server DRAM方面，買方庫存仍處於高位，而且新平台的轉換速度不如預期。盡管近期投資AI伺服器成為業界熱點，像128GB的高容量DDR5伺服器內存及HBM類產品銷量提升，但對Server DRAM庫存並沒有實質上的削減，預計DDR4及DDR5產品的跌幅分別為3%至8%及0%至5%。整體上，Server DRAM價格走勢持續疲弱，預計第三季度Server DRAM均價的跌幅在0%至5%。 Mobile DRAM方面，盡管傳統旺季有望帶動需求，但對降低庫存的作用依然有限，加上原廠減產及連續數月的下跌讓價格跌至底線，基本沒有繼續下跌的空間，預計第三季度Mobile DRAM均價跌幅在10%到15%之間；Graphics DRAM方面，英偉達GeForce RTX 40系列帶動了需求，疊加旺季效應，買房早已備足存貨，市場總體上供過於求，預計第三季度Graphics DRAM均價跌幅在0%到5%之間；Consumer DRAM方面，市場交易冷清，市場總體上仍供過於求，預計第三季度Consumer DRAM均價跌幅在0%到5%之間。 ...

TrendForce發布了新的調查報告，表示今年第一季度DRAM產業的營收約為96.6億美元，環比下降了21.2%，已連續三個季度衰退。出貨量僅美光出現上升勢頭，在平均銷售價格（ASP）上，三大廠都出現了下跌。 作為業界第一大廠，三星的出貨量和平均銷售價格都出現了下滑，營收約為41.7億美元，環比下降24.7%；美光第一季度越過SK海力士爬升到第二名，營收為27.2億美元，環比下降3.8%，得益於去年年末的訂單，衰退幅度縮減；SK海力士下滑到了第三名，出貨量和平均銷售價格都出現超過15%的跌幅，營收約為23.1億美元，環比下降31.7%。 由於平均銷售價格下跌速度過快，三大廠第一季度的營業利潤率由正轉負，同時DRAM價格持續下行，導致第二季度的營業利潤率仍處於虧損狀態。目前三大廠都啟動了減產，三星、美光和SK海力士第二季度的稼動率分別下滑至77%、74%和82%。 TrendForce認為，目前市場供過於求的情況尚未改善，價格方面依舊持續下跌，不過在原廠陸續啟動減產後，下半年DRAM價格的跌幅將有望逐季收窄。展望今年第二季，雖然出貨量會增加，不過因價格跌幅仍比較大，預期營收成長的幅度會非常有限。 ...

三星宣布，其採用業界最先進12nm級別工藝技術的16Gb DDR5 DRAM已經開始批量生產。三星表示，通過完成最先進的製造技術，再次證明了其在尖端DRAM技術方面的領先地位。 三星電子DRAM產品與技術執行副總裁Jooyoung Lee表示：「利用差異化的工藝技術，三星行業領先的12nm級別DDR5 DRAM具有出色的性能和電源效率。最新的DRAM反映了我們對引領DRAM市場的持續承諾，不僅提供高性能和高容量的產品，滿足了計算市場對大規模數據處理的需求，而且還通過對下一代解決方案的商業化，支持更大的產量。」 與上一代產品相比，三星新的12nm級別DDR5 DRAM的速率達到了7.2 Gbps，功耗降低了23%，同時將晶圓的生產效率提高了20%，出色的電源效率使其成為那些希望減少伺服器和數據中心的能耗及碳足跡的全球IT公司的理想解決方案，支持包括數據中心、人工智慧和下一代計算在內越來越多的應用。 三星在12nm級別工藝技術上使用了一種新的high-κ材料，有助於提高電池電容。高電容導致數據信號出現明顯的電勢差，更便於准確區分。同時在降低工作電壓和減少噪音方面的努力，也有助於三星提供客戶需要的解決方案。 ...

據昨日報導，群聯電子（Phison）CEO潘健成在最近一次會議上表示，NAND快閃記憶體價格進一步下調已經是不可能了，如果市場不盡快恢復，可能會有供應商出現破產。這直接反應了NAND快閃記憶體供應商目前面臨的困境，不過DRAM市場行情也並不景氣。此前TrendForce預測NAND快閃記憶體均價在第二季度跌幅約為5%~10%，近日TrendForce再次發布報告，由於DRAM與NAND快閃記憶體供應商減產幅度不及需求下降速度，部分產品在第二季度均價跌幅或將擴大。 PC DRAM方面，由於DDR4記憶體庫存充足，供應商雖希望降低庫存，但由於市場需求不強，成交量並沒有上升，預計跌幅為15%~20%。DDR5記憶體由於供給關系相較DDR4記憶體更為平衡，預計均價跌幅小於DDR4記憶體。 Server DRAM方面，由於伺服器需求持續下滑，導致DDR4記憶體庫存壓力上升，預計季跌幅擴大至18%~23%，而DDR5記憶體則受PMIC問題影響，供應受限，促使第二季均價跌幅縮小至13%~18%，但是由於DDR5記憶體比重仍相對較低，對價格變動影響有限，預計Server DRAM第二季度均價季跌幅擴大至15%~20%。 Mobile DRAM方面，雖然智慧型手機廠商完成了庫存修正，采購意向相比去年更高，但供應商庫存仍處於高位，因此更意願讓利促銷。目前有采購方將第三季度與第二季度需求合並以增加議價能力，多種因素疊加下，預計第二季度Mobile DRAM均價季跌幅擴大至13%~18%。 NAND快閃記憶體均價下跌的主要原因依然是市場供過於求，Enterprise SSD、UFS跌幅擴大，兩種類型產品約占總NAND快閃記憶體消耗量的50%。 伺服器整機需求持續下滑，不僅影響Server DRAM均價，同樣影響Enterprise SSD價格。第二季度Enterprise SSD庫存壓力增大，預計均價跌幅擴大至10%~15%。不過預計隨著新平台放量，加上持續去庫存化，下半年Enterprise SSD需求有機會出現明顯增長。 UFS表現情況與Mobile DRAM類似，雖然智慧型手機廠商采購意向增強，但采購方將第三季度需求與第二季度合並以增加議價能力，加上供應商對去庫存意願強烈，預計第二季度UFS均價跌幅擴大至10%~15%。 ...

3D NAND可以說是一個相當成功的技術，現在的NAND快閃記憶體基本都是3D NAND，那麼同時存儲晶片的DRAM能不能復制這一技術呢？NEO半導體就真這樣幹了，他們宣布推出3D X-DRAM，他們對這項專利技術雄心勃勃，旨在取代整個2D DRAM市場。 3D X-DRAM是首款基於無電容器浮體單元技術的類3D NAND DRAM單元結構，它可以使用3D NAND的工藝製造，並且只需要一個掩模來定義位線孔並在孔內形成單元結構，這種結構簡化了工藝步驟，提供一種高速、高密度、低成本、高良率的解決方案。 根據NEO半導體估計，3D X-DRAM技術可以生產230層堆疊128Gbit的DRAM晶片，存儲密度是現在DRAM晶片的8倍，而且預計在2030到2035年間就能實現1Tb的容量，也就是說單根雙面的記憶體就能實現2TB的容量，伺服器用記憶體使用32顆晶片就能實現單根4TB的容量，未來AI應用是驅動高性能和大容量存儲器半導體的增長點，3D X-DRAM瞄準的就是這一點。 Network Storage Advisors總裁Jay Kramer表示：「從2D架構發展到3D架構為NAND快閃記憶體帶來了引人注目且極具價值的優勢，因此在整個行業范圍內實現DRAM的類似發展是非常可取的。」目前NEO半導體將尋求把3D X-DRAM專利技術授權給DRAM製造廠商，比如三星、SK海力士和美光等。 ...

來源：78動漫

今年伺服器平台有較大的變動，基於英特爾的Sapphire Rapids和AMD的Genoa構建的伺服器都將大規模量產，兩者都將支持DDR5 Server DRAM。不過近期市場傳出DDR5 Server DRAM遇到PMIC匹配性問題，目前DRAM原廠和PMIC廠商均已著手處理。 TrendForce表示，該事件預計會產生兩種影響：首先僅MPS（芯源系統）供應的PMIC沒有問題，DRAM原廠短期內將提升對MPS的采購比重；其次原廠DDR5 Server DRAM在生產上仍停留在舊製程，短期內供給量多少都會受到此事的影響，預計今年第二季DDR5 Server DRAM價格跌幅將收窄，由原來預估的15%至20%，縮小到13%至18%。 雖然SK海力士已逐步提高1α nm製程記憶體的產量，但許多買方之前只驗證了1Y nm製程的記憶體，目前DDR5 Server DRAM里，三星和SK海力士以1Y nm、美光以1Z nm為主，1α nm和1beta nm預計要到今年下半年才會加大產量。TrendForce預計32GB的DDR5 Server DRAM在4月到5月的價格維持在80美元至90美元之間，略高於第一季度的75美元。這也使得DDR5和DDR4之間的差價拉大，後者跌幅也更大，大概在18%至23%。 以ChatGPT為代表的AI熱潮拉動了相關伺服器的出貨，除了HBM討論熱度上升，也間接提升了DDR5 Server DRAM 128GB的采購量，以升級ChatGPT 4.0架構，從而拉高了大容量DDR5記憶體模組的價格。不過整體而言，因經濟因素和PMIC問題，不少客戶普遍推遲采購新款伺服器平台，對DDR4和DDR5價格的影響會在今年第二及第三季度逐漸顯現。...

此前三星發出了2023年第一季度的「盈利指引」，顯示經營持續惡化，收入同比下跌19%，利潤同比下跌95.8%，這是自2008年金融風暴以來最差的業績表現。其中存儲器部門業績惡化是導致2023年第一季度營收減少的主要原因，為此三星改變了「不減產」的說法，表示「將存儲晶片產量調整至有意義的水平，已有足夠的庫存來應對未來需求」。 三星的減產從本周開始，這是其過去27年來首次宣布減產，一改「逆周期」的做法，不過並沒有說明各類型產品的減產情況。據DigiTimes報導，有業內人士指出，三星的減產主要集中在DDR4上，以更好地去庫存，這最終會影響產品的價格。無論哪種方式，DDR4的庫存恢復到正常水平後，價格將會出現反彈。 有市場研究機構稱，三星在今年第一季度的訂單量下降了30%，與此同時DRAM庫存呈爆炸式增長，超過需求21周。三星目前記憶體的出貨問題是由於其客戶也在去庫存，且競爭對手進一步降價，另外DRAM和NAND快閃記憶體價格大幅度下滑也讓三星十分被動。 三星是最後一個宣布減產的記憶體製造商，由於其規模較大，將對市場價格產生較為明顯的影響，DRAM和NAND快閃記憶體價格預計會更快地趨於平衡。有分析師表示，一旦製造商和渠道經銷商解決了庫存問題，記憶體和SSD價格就會反彈，預計最早會在今年第三季度出現。 ...

過去兩年中，記憶體價格一路下滑，消費者享受到了白菜價的記憶體，但是記憶體廠商的日子不好過，美光日前發布了2023財年Q2季度報告，營收36.93億美元，同比下滑多達52.5%，虧損23.1億美元。 這是2003年Q2季度創下19.4億美元虧損以來的最高紀錄，可以說是20年來最差業績了。 美光CEO Sanjay Mehrotra也表示這主要是受到了記憶體及快閃記憶體價格暴跌影響，存儲晶片行業正在經歷13年來最嚴重的考驗。 雖然財報數據難看，但是發布之後美光公司股價反而大漲7%，因為美光CEO表示最壞的日子過去了，客戶庫存狀況變得越來越好，美光預期產業供需將逐步恢復平衡，美光仍看好長期需求、正審慎投資以維持技術和產品組合競爭力。 同時美光也在進一步縮減投資以降低成本，2023年的資本開支減少到了70億美元，比去年減少40%，2024年還會進一步減少，同時高管降薪、取消2023年獎金發放，裁員比例也從10%提升到15%，一切都在降本增效。 美光CEO還給記憶體市場找到了救命稻草，最近ChatGPT為代表的生成式AI火爆全球，各大科技巨頭紛紛下場研發AI產品，後者不僅需要高性能晶片訓練，同時也需要大量的記憶體及快閃記憶體。 據美光所說，AI伺服器對記憶體容量的需求是常規伺服器的8倍，對快閃記憶體容量的需求是常規伺服器的3倍，隨著全球數據生成、存儲及處理需求的指數級增長，行業供需平衡可能會在2023年下半年逐步實現。 來源：快科技

TrendForce發布了新的調查報告，顯示因美光和SK海力士在內的部分供應商啟動了DRAM減產計劃，2023年第二季度DRAM價格跌幅將收窄至10%到15%，跌幅相比第一季度接近20%要小。不過2023年下半年的需求前景仍然不明朗，DRAM價格下行周期，未有止跌跡象，而且原廠庫存水平仍處於高位，除非有更大規模的減產，後續合約價才有可能反轉。 用於PC的DRAM由於買方連續三個季度大規模減少採購量，庫存周期約在9到13周之間。TrendForce認為8GB的DDR4記憶體模組價格在第二季度的跌幅仍會超過10%，部分OEM廠商基於DRAM價格偏低的因素考慮，有提升采購量的意願，只是庫存壓力仍存在阻力，預計第二季度PC DRAM均價跌幅在10%到15%之間。 Server DRAM方面，受到OEM及雲端服務供應商調整需求影響，購買意願下降。不過供應商因消費市場不確定因素較多，選擇繼續提升伺服器DRAM的比重，一定程度增加了庫存負擔。雖然已及時調整了產量，但估計難以阻止下滑勢頭，預計第二季度Server DRAM均價跌幅在13%到18%之間。 Mobile DRAM方面，盡管智慧型手機庫存水平已回到相對健康的位置，但廠商對於生產仍持保守態度。供應商存在高庫存的情況，即便減產也是供過於求，預計第二季度Mobile DRAM均價跌幅在10%到15%之間。Graphics DRAM方面，買方備貨保守，熱炒的AI話題並為有明顯的刺激作用，預計第二季度Graphics DRAM均價跌幅在10%到15%之間。Consumer DRAM方面，業界普遍保守看待相關需求，原廠以減產應對供過於求，預計第二季度Consumer DRAM均價跌幅在10%到15%之間。 ...