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3月28日，TrendForce集邦咨詢發布最新研報，聚焦DRAM產品。 報告稱，盡管美光、SK海力士等已啟動減產，但DRAM難逃下跌態勢，二季度降幅預計在10~15%，環比有所收斂。 同時，機構指出，由於2023下半年需求復蘇狀況仍不明確，DRAM均價下行周期尚不見終止，在目前原廠庫存水位仍高的情況下，除非有更大規模的減產發生，後續合約價才有可能反轉。 分類來看，PC DRAM的買房庫存約9~13周，預測二季度主流的8GB DDR4模組跌幅仍超過一成。 顯存方面，二季度均價預測跌幅10~15%；移動DRAM數據類似。 你感覺當前記憶體便宜嗎？不妨分享看法。 來源：快科技

如今的記憶體市場上，不僅面臨著價格下滑的壓力，同時技術發展也遇到了瓶頸，在20nm節點之後發展速度已經慢下來了，三星在14nm節點就用上了EUV光刻工藝，尋求進一步微縮。 然而EUV光刻成本高昂不說，也沒法徹底改變記憶體晶片的技術難題，三星已經做到了12nm工藝，再往後的記憶體工藝很難說，核心原因還是傳統的2D DRAM記憶體技術快到極限了，就跟CPU邏輯工藝情況類似。 後面怎麼辦？作為記憶體一哥，三星也早就在准備新的技術了，那就是3D DRAM，類似快閃記憶體從2D到3D的轉變一樣，通過3D堆棧來進一步提高記憶體的存儲密度。 在這個新技術上，壟斷了全球75%記憶體產能的三星、SK海力士及美光三家公司都在積極研發，其中三星早在2021年就宣布組建全新的團隊攻關新一代記憶體技術。 SK海力士也有類似的計劃，而且他們計劃在明年公布3D DRAM技術的進展，這個領域目前還沒有哪家公司是絕對的領先，因此搶先公布可以贏得更多機會。 不過3D DRAM記憶體現在還在研發階段，距離真正量產還要很久，至少三四年後才會有產品問世。 來源：快科技

三星和SK海力士是存儲器領域的領導者，位列行業前兩名，傳聞兩家巨頭都在加快3D DRAM商業化進程，以改變存儲器行業的遊戲規則。其實DRAM行業里排名第三的美光，自2019年以來就開始了3D DRAM的研究，獲得的專利數量是三星和SK海力士的兩到三倍。 據Business Korea報導，有行業人士透露，三星和SK海力士的高管在最近的一些官方活動上，都將3DDRAM作為克服DRAM物理極限的一種方式。三星表示，3D DRAM是半導體行業未來的增長動力。SK海力士則認為，大概在明年，關於3D DRAM的電氣特性細節將被公開，從而決定其發展方向。 3D DRAM是一種具有全新結構的存儲晶片，打破了原有的模式。目前DRAM產品開發的重點是通過減小電路線寬來提高密度，但隨著線寬進入10nm范圍，電容器漏電和干擾等物理限制明顯增加，為此業界通過引入high-k材料和極紫外（EUV）設備等新材料和新設備。不過對於各個DRAM製造商而言，想要製造10nm或更先進的小型晶片仍然是一個巨大的挑戰。 與當前的DRAM市場不同，3D DRAM領域暫時沒有絕對的領導者。美光在3D DRAM技術競爭中起步較早，且專利數更多，三星和SK海力士可能會加快3D DRAM商業化進程，盡快地進入大規模生產階段，以便更早地搶占市場。 目前三星和SK海力士能量產的最尖端DRAM採用的大概為12nm的工藝，考慮到越來越接近10nm，在未來的三到四年內，全新結構的DRAM晶片商業化幾乎是一種必然，而不是選擇。 ...

算上顯存的話，DDR DRAM至今已經發展到了第六代，也就是說DDR5記憶體正在逐步成為市場主流，但是它的“老祖宗”--即初代的DDR記憶體的普及卻是險中求勝，只因為當時它有個蹩腳的對手——Rambus DRAM。 從奔騰二到奔騰四初期，電腦用的記憶體為SDRAM，常見有PC100、PC133等頻率，記憶體帶寬達到1064MB/，但已經無法滿足奔騰四4這個CPU的“胃口”，新一代記憶體呼之欲出。為了提升記憶體的帶寬，以及達到獨占市場的目的，Intel與一家叫做Rambus的公司聯合推出了Rambus DRAM記憶體（簡稱為RDRAM）。 和SDRM相比，Rambus DRAM採用了RISC(精簡指令集計算機)理論，依靠更高的時鍾頻率（包括300MHz、350MHz和400MHz）來簡化每個時鍾周期的數據量，其數據通道接口只有16bit（由兩條8bit的數據通道組成），遠低於SDRAM的64bit。 由於Rambus DRAM採用雙速率傳輸結構，同時利用時鍾脈沖的上升與下降沿進行數據傳輸，因此在300MHz下的數據傳輸量可以達到300MHz×16bit×2/8=1.2GB/，400MHz時可達到1.6GB/，雙通道PC800MHz RDRAM的數據傳輸量更是達到了3.2GB/，因此一度被認為是奔騰四的絕配。 同時，不要以為記憶體帶散熱馬甲是近幾年的事，因為Rambus DRAM一出生就是自帶散熱馬甲的，如下圖，而且仔細觀察散熱馬甲還是用鉚釘永久固定在PCB上的，同時記憶體上還貼有發熱的標識。 更有意思的是，這款記憶體的DRAM顆粒既不是早期的TSOP封裝，也不是現在常見的BGA封裝，而且是採用一種系統封裝模式，從下面這張滿是水印的拆截圖可以看到，每顆DRAM的顆粒就像CPU的內核一樣是裸露的晶片，因此才使用這種永久性的散熱馬甲封裝，其發熱量可見一般。 更有意思的是，Rambus DRAM採用了類似串行的數據傳輸方式，從下面的原理來看，數據依次通過RIMM1到RIMM2，因此Rambus DRAM記憶體必須要成對使用，可以說是“返古”了。 不要以為這就完了，因為Rambus DRAM記憶體系統在主板上還不能留有空槽，不然依然無法實現數據傳輸，需要有RSL信號終結器。當然這東西並不是什麼高科技電子元器件，實際上它只是一根金手指數量與RamBus記憶體相同的PCB！ 因此，這種結構的主板，不僅單根記憶體出現問題會導致系統無法通過自檢，如果記憶體在插槽上的安裝的位置不對同樣會無法通過自檢。而且各家主板的定義不同，例如有的主板是1、2槽插記憶體，3、4槽插RSL信號終結器，而有的主板則是交叉安裝。 得到了Intel的“寵愛”，Rambus DRAM不禁飄飄然，售價比SDRAM高了一倍左右，但成本僅比SDRAM高了3%。除此之外，其他的記憶體廠商想要生產Rambus DRAM記憶體，不僅需要打造全新的生產線，還要向Rambus繳納高昂的專利費。 因此生產Rambus DRAM記憶體的廠商僅有三星等少數幾家，不僅市面上記憶體難買，更出現了Intel購買奔騰4 CPU就搭售Rambus DRAM記憶體的窘境。 正所謂“天欲讓其亡，必讓其先狂”，受制於高昂的價格，以及成對使用+終結器的奇葩工作原理導致的高使用成本，Rambus DRAM終究沒有實現普及。 而售價更低的DDR DRAM記憶體受到市場的歡迎，而Intel後來也開始默認使用DDR記憶體，Rambus DRAM在市場掀起短暫的浪花之後終於消失於歷史的長河之中。 來源：快科技

今年1月，SK海力士研發的1αnm（第四代10nm級別）工藝DDR5伺服器DRAM獲得了英特爾認證，兼容全新第四代至強可擴展處理器（代號Sapphire Rapids）。其採用了EUV（極紫外）技術，與DDR4產品相比，功耗最多可減少約20%，性能至少提升70%以上。 據Chosun Media報導，SK的1βnm（第五代10nm級別）工藝DDR5伺服器DRAM啟動了英特爾的兼容性驗證程序，下個月將進入相關的流程，這意味著該款記憶體已進入量產前的最後准備階段，距離正式量產已經不遠了。傳聞新工藝在效能方面會有進一步的提升，同時成本方面也更具有競爭力。 相比於CPU和GPU，盡管DRAM使用的半導體工藝推進的速度要慢得多，但幾乎所有的DRAM製造商都在不斷地縮小製程節點。存儲器不太熱衷於採用新工藝，一定程度上是因為更先進的製程節點對DRAM的性能改善並沒有CPU和GPU那麼明顯。 SK海力士和三星是DRAM製造商里僅有的兩家採用EUV技術的廠商，在1βnm工藝上都引入了EUV技術，目前的DRAM大概能到12nm左右。去年三星就宣布，已開發出1βnm工藝的16Gb DDR5 DRAM，並與AMD完成了兼容性驗證。 ...

據之前報導，2022年第三季度DRAM行業營收為181.9億美元，環比下降28.9%。近日TrendForce發布報告，2022年第四季度DRAM行業營收環比下降超過三成，跌幅超過2022年第三季度。 2022年第四季度DRAM產業營收122.8億美元，環比下降32.5%，跌幅超越第三季度的28.9%，已逼近2008年底金融危機時單季36%的跌幅。營收下降主要是由於DRAM產品平均銷售單價（ASP）的下跌，2022年第三季度，DRAM供應商庫存快速堆積，為搶占第四季度的出貨市占率，各家供應商難免以壓價的方式爭奪訂單。2022年第四季度DDR4記憶體價格環比下降23-28%，DDR5記憶體價格下降30%-35%。 營收方面，三星2022年第四季度DRAM營收為55.4億美元，環比下降25.1%，市場占有率為45.1%，依然牢牢占據市場份額第一的位置，相比第二名有明顯領先；SK海力士2022年第四季度DRAM營收為33.98億美元，環比下降35.2%，市場占有率為27.7%，排名第二；美光DRAM營收為28.29億美元，環比下降41.2%，市場占有率為23%，排名第三。 產能規劃方面，新完工的平澤半導體工廠P3L生產線今年第一季度已開始小規模試產，這是三星DRAM產能擴張的主力；SK海力士在去年第三季度宣布減產，今年第一季度產能利用率為92%，預計第二季度將下滑至82%；美光產能利用率為84%，預計2023全年將保持在相同水平。 ...

ISSCC 2023於2023年2月19日至23日在美國舊金山舉行，業界巨頭AMD也出現在了這次會議中，其主題演講中詳細介紹了如何提高數據中心的能效並設法跟上摩爾定律的，即使半導體工藝節點前進的腳步已經變得緩慢。 據Planet3DNow.de報導，AMD對伺服器處理器和HPC加速器最引人注目的預測是多層堆疊式DRAM。 過去一段時間以來，AMD已經開始製造帶有堆疊HBM的邏輯產品，比如GPU。這些都屬於多晶片模塊（MCM），其中邏輯晶片和HBM堆棧位於矽中介層之上。雖然與獨立的DRAM晶片/模塊相比，這種方法節省了PCB的空間，但在基板上的效率很低，而且中介層本質上是一個矽片，在上面堆疊的晶片之間有微小的布線。 AMD設想不久的將來，高密度伺服器處理器將在邏輯晶片之上堆疊多層DRAM。這種堆疊方法節省了PCB和基板的空間，允許晶片設計師在每個插座上塞進更多的核心和DRAM。 AMD還看到了記憶體計算的更大作用，簡單的計算和數據移動功能可以直接在記憶體中執行，省去了與處理器之間的往返。AMD還談到了封裝光學PHY的可能性，這將簡化網絡基礎設施。 AMD在2021年就表示，未來屬於模塊化設計和匹配協調的封裝。隨著矽通孔（TSV）的增加，未來AMD會專注於更復雜的3D堆疊技術，比如核心堆疊核心，IP堆疊IP，甚至宏塊可以3D堆疊。最終矽通孔的間距會變得非常緊密，以至於模塊拆分、折疊甚至電路拆分都將成為可能，這會徹底改變今天對處理器的認知。 ...

據媒體報導，存儲晶片的需求出現了歷史性的下滑，有記錄以來最大的兩個季度降幅發生在去年年底。 根據TrendForce的最新數據，為手機和計算機提供動力的記憶體DRAM的平均價格在第四季度下降了34.4% ，而前一季度下降了31.4% 。 面向數據中心和企業客戶銷售的主要組件存儲記憶體 ( NAND ) 的表現僅略有好轉，這兩個時期的跌幅均屬於 2006 年以來的最大跌幅。 2022 年下半年，大多數存儲晶片製造商減少產量並推遲增長計劃，以應對全球經濟急劇放緩。 美光科技、SK 海力士和鎧俠控股這三家公司都宣布了控制市場庫存過剩的行動。 迄今為止，世界上最大的記憶體供應商三星電子一直拒絕改變其雄心勃勃的資本支出計劃，該計劃要求今年花費超過300 億美元用於擴大產能。 三星正在押注記憶體產品的長期擴張，這將受到聯網汽車、人工智慧系統和需要存儲的雲服務的日益普及的推動。 該公司在最近的財報會議上預測，今年智慧型手機市場將再次收縮，而ChatGPT和其他人工智慧技術預計將增加需求。 到2022 年，智慧型手機平均 DRAM 內容的增長明顯放緩。智慧型手機公司當年承受的巨大庫存壓力是這一發展的關鍵因素。 各大品牌在打造預計於2022 年發布的設備時，主要堅持當前庫存中的組件可以滿足的硬體要求。 因此，這種策略限制了 DRAM 容量的擴展。如今，在2023 年，由於努力降低庫存，智慧型手機公司正在逐步改善。 此外，Apple 還將提高 DRAM 解決方案的容量和規格，以用於今年推出的下一代 iPhone。 TrendForce 預測，考慮到這些最新變量，2023...

據之前報導，多家DRAM供應商已開始積極減產，市場調研機構TrendForce預計2023年第一季度DRAM均價跌幅為13~18%。近日TrendForce發布報告，預計伺服器DRAM供應量將在2023年超過移動端DRAM，占年度DRAM總產量的37.6%。 由於預計2023年智慧型手機出貨量增長率與平均搭載容量增長率並不樂觀，DRAM供應商自2022年起，將原先分配給移動端DRAM的產能轉移至需求前景相對明朗的伺服器DRAM，試圖減輕移動端DRAM的供需失衡壓力。 智慧型手機運行記憶體平均搭載容量年增長率自2022年開始明顯放緩，主要是因為2022年智慧型手機廠商有比較大的庫存壓力，導致新品多以使用既有庫存規格為主。隨著2023年去庫存效果逐漸顯現，TrendForce預計移動端DRAM平均搭載容量年增長率約為6.7%，高於2022年3.9%的增長率。 受益於AI與HPC（高性能計算）的帶動，伺服器DRAM在年出貨量增長率與平均搭載容量增長率均高於移動端DRAM，預計也是未來幾年DRAM產量比重最高的分類。由於DRAM供應商在去年第三季度下調了伺服器DRAM價格，這對出貨量的上升也是一個利好條件，TrendForce預計2023年伺服器DRAM平均搭載容量年增長率可達12.1%。 伺服器DRAM需求的增長通常也伴隨著企業級固態硬碟出貨量的增加。與伺服器DRAM類似，企業級固態硬碟在NAND快閃記憶體需求中所占比例也逐漸增大，TrendForce預計在2025年企業級固態硬碟有望成為NAND快閃記憶體最大的應用領域。 ...

快閃記憶體及快閃記憶體市場過去一兩年中都飽受跌價之苦，現在更是要史上最慘記錄了——2022年Q4季度是2008年以來價格跌幅最大的，不論記憶體還是快閃記憶體都是。 據市場研究機構TrendForce的最新數據顯示，用於手機和個人電腦的DRAM記憶體的平均價格在去年第四季度暴跌了34.4%，為2008年以來最大跌幅，而上一季度的跌幅為31.4%。 銷售給數據中心和企業客戶的主要產品快閃記憶體NAND也分別跌27.7%、32%，兩個季度的跌幅均創2008年以來最大。 去年下半年開始的PC、手機及伺服器市場需求下滑更加劇了這一趨勢，幾乎所有記憶體、快閃記憶體晶片生產廠商都在虧損，存儲行業的每年產值達到1600億美元，2022年的虧損就有50億美元。 以記憶體市場為例，目前95%的產能掌握在三星、SK海力士及美光三大廠商中，後兩家去年底就開始削減投資，裁減人員，以應對市場降價。 三星不論記憶體還是快閃記憶體都是世界第一位的，份額遙遙領先，而且有手機、顯示器等其他業務支撐，因此實力雄厚，現在的熊市周期也不打算削減產能，甚至計劃逆周期投資。 這些廠商都在等市場反彈，價格不振的日子至少還要持續半年，預計2023年下半年會復蘇。 來源：快科技

近日，筆者寫到了存儲晶片產業正在經歷的寒冬。其中，DRAM產品歷經全球性的市場價格雪崩，“雪崩”之下，利潤下瀉、庫存堆積，成為橫在DRAM巨頭面前的一項難題。 為避免DRAM晶片再大幅跌價，諸如SK海力士、美光等多家供應商已開始積極減產，預估2023年第一季DRAM價格跌幅可因此收斂至13-18%，但仍不見下行周期的終點。 然而，在市場因素之外，從工藝製程的演進和技術角度來看，DRAM產業似乎也正面臨瓶頸及一系列技術挑戰。 DRAM縮放速度放緩 對DRAM晶片來說，隨著電晶體尺寸越來越小，晶片上集成的電晶體就越多，也就代表一片晶片能實現更高的記憶體容量。 從DRAM三巨頭工藝尺寸的發展歷程來看，三星、SK海力士、美光在2016-2017年進入1X(16nm-19nm)階段，2018-2019年為1Y(14nm-16nm)，2020年處於1Z(12nm-14nm)時代。後續，行業廠商朝著1α、1β、1γ等技術階段繼續邁進。 目前，各大廠家繼續向10nm逼近，目前最新的1α節點仍處於10+nm階段。 2022年10月，三星在Samsung Foundry Forum 2022活動上公布DRAM技術路線圖，預計2023年進入1β工藝階段，即第五代10nm級別DRAM產品。同年12月，三星開發出首款採用12nm級工藝技術打造的16Gb DDR5 DRAM。 2022年11月，美光將1β DRAM產品送往客戶的產品驗證流水線，率先進入了1β節點，這意味著將DRAM晶片的電晶體工藝又向精密處推進一步，來到了10納米級別的第五代。且正在對下一代1γ工藝進行初步的研發設計。 存儲廠商DRAM路線圖 DRAM工藝製程演進至10+nm，繼續向10nm逼近。 近日，TechInsights高級技術研究員Jeongdong Choe博士在一場記憶體網絡研討會中表示，DRAM單元縮小到10nm的設計規則 (D/R) 一直在進行中。主要的DRAM廠商一直在開發下一代，這意味著DRAM單元D/R可能會進一步縮小到個位數納米時代。 然而，從DDR1到DDR5的演變來看，DDR的能耗越來越低，傳輸速度越來越快、存儲容量也越來越大；而從製程工藝的進展來看，早前產品的更新時間大致在3到5年更新一代。在步入20nm以內的製程後，DRAM在製程上的突破進展呈現放緩趨勢。 尤其是隨著10nm製程的臨近，使其在晶圓上定義電路圖案已經接近基本物理定律的極限。由於工藝完整性、成本、單元泄漏、電容、刷新管理和傳感裕度等方面的挑戰，DRAM存儲單元的縮放正在放緩。 此外，從當前技術看，6F? DRAM單元是存儲行業的設計主流，cell由1T+1C(1電晶體+1電容)構成——這種DRAM單元結構將在未來幾代產品上延續。但如果存儲廠商保持6F2 DRAM單元設計以及1T+1C結構，2027年或2028年10nm D/R將是DRAM的最後一個節點。 因此，DRAM單元微縮還面臨若干挑戰： 圖案化：如何創建越來越密集的圖案。 電容器：從圓柱體演變為柱狀結構，需要對高深寬比進行構圖。 電阻/電容：位線和字線需要提高電阻/電容才能提高訪問速度。 外圍（Peri）電晶體：從含氧化矽的多晶矽柵到高K金屬柵（HKMG）的演變。 DRAM擴展挑戰 其實早在2021年2月舉行的SPIE高級光刻會議上，應用材料也曾強調DRAM的微縮正在放緩，需要新的解決方案來繼續提高密度。 DRAM製程微縮困境何解？ 業界很早就關注到了DRAM存儲在製程微縮上面臨的困境，但即使這樣，存儲巨頭們仍在先進技術上不斷追趕，追求更小的 DRAM 單元尺寸仍然很活躍並且正在進行中。 從先進的DRAM單元設計中可以看到一些創新技術，例如High-k介電材料、HKMG、柱狀電容器工藝等都陸續被應用到先進的DRAM 單元設計中去。 High-k介電材料 高介電常數前驅體（High-k）主要用於45nm及以下半導體製造工藝流程，應用於存儲、邏輯晶片的CVD和ALD沉積成膜技術中，形成集成電路中的電容介質或柵極電介質，解決器件微縮及漏電問題，可減少漏電至傳統工藝的10倍左右，大幅提升良率。 DRAM的技術發展路徑本質是以微縮製程來提高存儲密度，晶片製程越先進，尤其是20nm以下存儲、邏輯晶片製造光刻工藝中最主流的雙重微影技術，驅動氧化矽及氮化矽、High-k、金屬前驅體的單位用量大幅提升。 同時，電容是電容器表面積和介電常數的函數，還與介電材料厚度成反比。因此，增大電容器表面積、增大介電常數以及降低介電材料的厚度是改善電容器的存儲性能的三種方法，而隨著製程微縮，電容的深寬比倍數增加，需要單位價值量更高的High-k材料降低高深寬比刻蝕產生的各種缺陷，延緩工藝向極端深寬比方向發展的步伐。 High-k材料的應用可以延緩 DRAM 採用極端深寬比的步伐，提高器件性能。伴隨 DRAM 技術的進步和晶片製程提升，DRAM 製造過程中需要用到更多 High-k材料，使用High-k材料替代SiO2/iON作為柵介質能夠大幅減小柵漏電流，在滿足性能和功耗要求的同時允許器件尺寸進一步微縮，達到降低柵漏電流和提高器件可靠性的雙重目的。 據悉，常見的High-K材料包括Al2O3、HfO2、ZrO2、HfZrO4、TiO2、Sc2O3-Y2O3、La2O3、Lu2O3、Nb2O5、Ta2O5等。 DRAM 線寬越細，High-k材料用的越多。未來隨著半導體技術的發展，對High-K材料的需求將攀升。 High-k金屬柵極外圍電晶體（HKMG）工藝 先了解一下DRAM的基本結構，組成DRAM的電晶體有以下幾種：存儲數據的單元電晶體、恢復數據的核心電晶體、涉及控制邏輯和數據輸入／輸出的外圍電晶體。隨著技術的進步，單元電晶體在提高DRAM存儲容量方面取得了一些技術突破。 然而，原來的核心電晶體和外圍電晶體特性越來越不適合DRAM的應用要求，成為了發展瓶頸。 特別是對於外圍電晶體而言，只有實現工藝尺寸的進一步微縮，才能提高性能，在需要快速提高性能的高端產品中尤為如此。因此，需要一種全新的解決方案來克服微縮基於多晶矽柵極／SiON的電晶體時存在的限制。 此時，高k金屬柵極電晶體（HKMG，High-k Metal...

從美光、SK海力士、三星等存儲大廠們的財報來看，過去一年的日子相當難受，然而就目前而言，行業仍處於高危局面。 DT報導稱，主要存儲廠商的晶片庫存仍在膨脹中，壓力巨大。 這也使得供應鏈中經銷商對終端出貨的預期保持謹慎態度，甚至預測到今年四季度才能回暖。 根據行業咨詢機構TrendForce的最新研報，DRAM記憶體晶片價格預計一季度下滑20%，二季度下滑11%。NAND快閃記憶體價格預計第一、第二季度分別下滑10%和3%。 此前，美光、SK海力士已經表態正減產，三星則依然嘴硬，強調還會增加晶片研發投資。不過，三星的狀況可能更棘手，因為在NAND晶片堆疊層數和DRAM製造工藝等兩大衡量技術水平的制高點之爭中，已經雙雙落後對手。 來源：快科技

本周，三星公布了四季度財報。其中營收下滑9%、利潤大減69%，存儲晶片業務的利潤更是暴跌90%。 即便如此，三星稱不會削減2023財年對晶片研發的投資，甚至還會加大，以保持競爭力和盡快穩定製造技術。 雖然過去一年，存儲晶片行情疲軟與PC行業大背景不景氣有關，可三星在記憶體和快閃記憶體兩大技術上，均出現落後倒是很罕見（指DRAM晶片製造工藝和3D快閃記憶體層數兩方面）。 不過，行業咨詢機構TrendForce給出的最新研判是，存儲晶片的價格在今年上半年將繼續自由落體，甚至持續更長時間。 其中，DRAM記憶體晶片價格預計一季度下滑20%，二季度下滑11%。NAND快閃記憶體價格預計第一、第二季度分別下滑10%和3%。 在上一季度，DRAM和NAND晶片的價格已經分別下跌23%和28%。 不同於三星，為了遏制晶片價格下跌，美光預計今年減產20%，SK海力士將削減生產設備半數的投資額。 來源：快科技

三星在半導體存儲器行業的領導地位已保持多年，NAND快閃記憶體市場已連續二十年位列第一，DRAM市場位居榜首更是長達三十年之久，市場份額均領先競爭對手10%以上。據Business Korea報導，隨著其他廠商開始在DRAM和NAND快閃記憶體市場發力，威脅到三星的技術領先位置。 美光在去年5月宣布推出業界首款232層的3D TLC NAND快閃記憶體，並在2022年末開始生產，其採用了CuA架構，使用NAND的字符串堆疊技術，初始容量為1Tb（128GB）。到了8月，長江存儲發布了基於晶棧3.0（Xtacking 3.0）架構的第四代3D TLC快閃記憶體晶片，名為X3-9070。在同一個月，SK海力士宣布成功研發全球首款業界最高層數的238層NAND快閃記憶體，並已經向合作夥伴發送238層512Gb TLC 4D NAND快閃記憶體的樣品。 相比之下，三星到了去年11月，才開始批量生產採用第8代V-NAND技術的產品，為236層的1Tb（128GB）TLC 3DNAND快閃記憶體晶片。與此同時，長江存儲的X3-9070早已量產，用在零售市場多款產品上。 截止2022年第三季度，三星DRAM市場份額為40.6%，SK海力士為29.9%，美光為24.8%。在NAND快閃記憶體市場，三星的市場份額為31.6%，鎧俠為21.1%，SK海力士為19%，西部數據為12.4%，美光為11.8%。盡管市場份額看起來差距很大，但競爭對手正在侵蝕三星的技術主導地位。 有業內人士表示，長江存儲的232層NAND快閃記憶體質量出乎意料地高，因此三星非常關注。三星在記憶體市場也受到了後來者的追逐，步步逼近，加上台積電在晶圓代工業務遙遙領先，三星正面臨巨大的挑戰。 ...

三星集團是滲入韓國社會方方面面的超級巨頭，三星電子作為其一部分，同樣是科技行業的巨無霸，尤其是在存儲領域根本沒有敵手。 2022年第三季度，三星電子在全球DRAM記憶體晶片(非記憶體條)市場的份額高達40.6％，已經連續30年穩居世界第一。 而在NAND快閃記憶體晶片領域，三星電子的份額也有31.6％，連續20年高居榜首。 無論是DRAM記憶體還是NAND快閃記憶體，三星電子的份額都比第二名高出超過10個百分點。 不過，三星電子也並非高枕無憂，比如在NAND快閃記憶體領域，競爭其實十分激烈，尤其是隨著長江存儲的崛起，讓三星感到了巨大的壓力。 DRAM記憶體晶片方面，長鑫存儲也取得了長足的進步，但差距依然非常之大。 另外，三星晶片設計、代工都面臨極大挑戰，前者已經拿不出手足夠好的產品，後者則被台積電狠狠壓制。 來源：快科技

英特爾在本月10日，推出了代號為Sapphire Rapids的第四代至強可擴展處理器。雖然相比AMD代號Genoa的Zen 4架構EPYC伺服器處理器，不過憑借英特爾在數據中心市場多年累積的影響力，仍然會有相當部分廠商會選用英特爾的新平台。 據相關媒體報導，包括三星和SK海力士在內的DRAM製造商正押注伺服器市場，期待Sapphire Rapids能夠提升伺服器市場的需求，這很大程度上是由於亞馬遜、Google、Meta和微軟等科技公司計劃采購基於Sapphire Rapids的新平台。 過去幾個月里，伴隨市場長時間的低迷狀態，需要一直在下降，對DRAM製造商造成了相當大的損失。Sapphire Rapids是英特爾首批採用DDR5記憶體的伺服器產品，很大程度上會推動新一代DDR5記憶體的需求。不少記憶體廠商的DDR5記憶體已在近期通過了英特爾Sapphire Rapids平台的驗證，正在等待機會，比如SK海力士的1αnm（第四代10nm級別）工藝DDR5伺服器記憶體。 按照英特爾的計劃，Sapphire Rapids預計在2023年5月開始部署，取代上一代產品，這意味著與Sapphire Rapids搭配的DDR5記憶體也會在同期全面投入生產。有業內人士也做出了積極的預測，認為這是DRAM市場在長期低迷後遇到的反彈機會。 近期有報導稱，AMD的伺服器市場份額在2023年初將達到22%，到2023年底可能突破30%。由於AMD在伺服器市場比英特爾更早轉向DDR5記憶體，加上接下來還會有採用3D垂直緩存（3D V-Cache）技術的Genoa-X和基於Zen 4c架構的Bergamo，合力之下也會進一步推動DRAM市場的需求增加。 ...

今天，SK海力士宣布，成功開發出了現階段全球最快的移動DRAM（記憶體）：“LPDDR5T”（ Low Power Double Data Rate 5 Turbo），並已經向客戶提供了樣品。 與此前推出的LPDDR5X相比，LPDDR5T的運行速度快13%，高達9.6Gbps，這也是它名字中“Turbo”的由來。 此次作為樣品提供的LPDDR5T在國際半導體標準化組織 （JEDEC）規定的最低電壓1.01~1.12V下運行，數據處理速度可達每秒77GB，相當於每秒處理15部Full-HD（1080P）電影。 據悉，SK海力士計劃採用第4代10納米工藝生產LPDDR5T，並預計在今年下半年推進該產品的量產，這意味著我們並不需要等待太久，就能夠體驗到這款DRAM的出色表現。 此外，SK海力士在本次產品中也採用了“HKMG（High-K Metal Gate）” 工藝，實現最佳性能表現。 目前來看，SK海力士期待LPDDR5T能夠憑借與同類產品的技術差異， 在下一代LPDDR6問世之前，主導市場。 因此，LPDDR5T的應用范圍將不僅限於智慧型手機，還將會擴展到人工智慧、機器學習、AR/VR等領域。 來源：快科技

本周，美光發布新款DDR5記憶體模組。 記憶體兼容AMD EXPO、Intel XMP 3.0超頻技術，支持AMD銳龍7000、Intel 12/13代酷睿平台。 頻率最高5600MHz，時序CL46，電壓1.1V。其中DDR5-5600有8GB、16GB、24GB、32GB和48GB可選。DDR5-5200最高只有32GB。 美光介紹，24GB和48GB的採用24Gb DRAM晶片，其餘則是16Gb。 遺憾的是，美光未公布建議價格。 按照分析機構的預測，今年一季度是PC淡季，DDR5 SDRAM晶片的價格可能會繼續下跌18~23%。 來源：快科技

追求更小的 DRAM 單元尺寸（cell size)仍然很活躍並且正在進行中。對於 D12 節點，DRAM 單元尺寸預計接近 0.0013 um?。無論考慮使用 DUV 還是 EUV 光刻，圖案化挑戰都是重大的。 特別是，ASML 報告說當中心到中心（center-to-center）值達到 40 nm 時，即使對於 EUV ，也不推薦使用單一圖案化。 在本文中，我們將展示對於 12 納米及更高節點的 DRAM 節點，電容器中心到中心預計將低於 40...

近日市場調研機構TrendForce發布報告稱，由於消費需求疲弱，DRAM廠商庫存壓力持續增加，為避免DRAM產品價格大幅下降，諸如美光（Micron）等多家供應商已開始積極減產，預估2023年第一季度DRAM均價跌幅為13~18%，但仍不見下行周期終點。 PC DRAM方面，由於目前筆記本市場需求量不高，廠商已連續兩個季度減少DRAM采購量，目前PCDRAM庫存周期約為9-13周，由於第一季度屬於傳統淡季，庫存壓力仍然不小。美光已開始減少PC DRAM產能，SK海力士也將跟進。預計第一季度PC DDR5記憶體市場滲透率有機會達到20%，PC DDR5記憶體價格下降幅度約為18-23%，PC DDR4記憶體價格下降幅度約為15-20%。 ServerDRAM方面，受淡季效應、總體經濟疲弱的影響，伺服器需求下降。TrendForce預計Server DDR5記憶體第一季度價格跌幅約為18~23%，略高於Server DDR4記憶體。 Mobile DRAM方面，由於各智慧型手機品牌下調2023年全年銷售目標，對Mobile DRAM去庫存有負面影響，預計第一季度MobileDRAM價格跌幅為10-15%。 Graphics DRAM方面，AMD與英偉達近期均發布了新款顯卡（包含桌面端與移動端），搭載相關顯卡的筆記本也將陸續出貨，但由於消費端需求偏弱，疊加之前的去庫存過程，廠商對Graphics DRAM采購策略仍偏向保守。TrendForce預計Graphics DRAM第一季度價格下降約18-23%。 Consumer DRAM整體仍處於下行周期，廠商庫存仍屢創新高，除了需要更長時間消化庫存，也需要更大規模的減產幅度，TrendForce預計2023年第一季Consumer DRAM價格將下跌18~23%。 ...

過去一年，記憶體和SSD都是供過於求，這倒是價格一落千丈。 經查，在電商平台，部分非一線品牌的DDR4記憶體，16GB的容量已經跌破200元，包括協德16GB DDR4-2666、先鋒16GB DDR4、2666、金百達16GB DDR4-2666等。為了打消購買疑慮，這些產品甚至打出終身保固的口號。 剛需用戶當然現在可以入手，但要是有耐心的話，其實還可以再等等。 來自TrendForce集邦咨詢研究顯示，2023年第一季DRAM價格跌幅預計在13~18%。其中包括PC、伺服器、移動設備、顯存等，無一倖免，均繼續保持疲軟。 同時，數據顯示，PC記憶體晶片方面，DDR5的跌幅將高於DDR4，可能會加快在消費端的普及速度。 來源：快科技

從 Micron 最近的財報電話會議開始，The Memory Guy一直聽到記憶體管理人員和其他人使用“史無前例”這個詞來描述今天的市場崩潰。 也許其中最奇怪的是存儲通訊中的一篇文章，其中說當前的情況是“自 2008 年以來前所未有的”。鑒於“史無前例”意味著以前從未發生過這樣的事情，這樣說是很奇怪的。 作為一個數字專家，我決定看看如何今天的崩盤史無前例了。 根據 WSTS 報告的數據，我繪制了 DRAM 和 NAND 快閃記憶體市場報告歷史中盡可能多的崩潰的每 GB 價格下降圖。這篇文章分享了我學到的東西。 DRAM 下面的圖表顯示了價格是如何以一種獨特的方式下跌的。每條線都從價格在隨後下跌之前達到峰值的一個月開始。該線以該月命名，因此 11/95 是價格在 1995 年 11 月達到頂峰後的崩盤。 數據點已標準化為該月，因此每條線都從 100% 開始。這條線在價格上漲或穩定時結束，當前的下跌除外，它在我們用完數據時結束。 您可以看到圖表底部的線條出現在市場經歷最大價格下跌時。底部的紅線和藍線分別代表 1996...

過去的一年多中，存儲晶片價格持續下滑，其中記憶體價格一年跌了40%，這讓行業內的廠商日子苦不堪言。 作為記憶體一哥的三星，受到的沖擊也是最大的，該公司預計在6日發布2022年Q4季度財報，利潤預計會腰斬還多。 來自21位金融分析師給出了預期，Q4季度三星的運營利潤約為59萬億韓元，約合46.2億美元，相比2021年同期的13.87萬億韓元利潤暴跌58%。 這將是2016年以來的6年新低。 只看記憶體業務的話，跌幅更慘烈，預計記憶體業務Q4季度的運營利潤只有1.9萬億韓元，相比2021年同期暴跌78%。 對於記憶體市場接下來的發展，業界預期2023年上半年依然不會有明顯改善，最多是止跌，反彈至少要等到2023年下半年，PC、手機及數據中心等市場需求回升之後才有可能帶動記憶體價格上漲。 來源：快科技

一份最新公布的研究數據顯示，2022年迄今，記憶體條的價格暴跌了40%。 即便如此，也並未隨之帶動消費熱情，反而是觀望情緒占主導，出現了記憶體越便宜用戶越不買的局面。 事實上，從廠商的角度看也能窺見一些端倪，三季度DRAM記憶體晶片的銷售收入環比暴跌了29.8%。 其中記憶體晶片一哥三星收入環比大幅下滑34.2%，SK海力士下滑了25.3%、美光下滑了26.3%。 分析師認為，隨著需求減退，DRAM市場已經開始真正陷入低迷，明年DRAM出貨將迎來首次同比下滑。 低迷的局面下，三星被曝要在明年繼續打價格戰來搶占市場份額。同時，三星、SK海力士、美光均希望加碼DDR5/LPDDR5/LPDDR5X相關晶片的生產，提高其在伺服器、消費PC等市場的滲透率。 來源：快科技

此前有報導稱，全球最大晶片生產商之一的三星，正計劃明年擴大其晶片產能。今年因全球經濟不景氣等因素影響，導致台積電、英特爾、美光和SK海力士等業界巨頭都延緩了產能擴張的計劃，不過三星似乎並沒有停下步伐，形成了鮮明的對比。 據Business Korea報導，三星正打算擴大DRAM產能並降低價格，以自己的方式度過即將到來的2023年經濟衰退期。與三星相反的是，競爭對手美光和SK海力士都在計劃削減資本支出並進行裁員。三星不是第一次出現類似逆行的做法，上一次IT行業出現衰退的時候也是選擇這麼做的。 據了解，三星將為新款12nm DRAM晶片增加一條新的生產線。除了擴大其韓國平澤P3工廠在DRAM和晶圓代工的生產外，P1工廠的NAND快閃記憶體的生產設施也將得到升級，轉變為第8代V-NAND的生產線，預計會在明年下半年完成相關建設工作。 今年第三季度里，三星在記憶體市場的份額下降到了40.6%，三星希望通過降價和增加供應的方式，能夠從競爭對手處搶奪市場份額，從而鞏固其領導地位。三星今年的資本支出為425億美元，除了不斷擴張產能，同時還押注極紫外（EUV）光刻技術，計劃在現有40台EUV設備的基礎上再增加10台。 ...

臨近歲末收官，最新一期的大陸記憶體品牌出貨榜單由博板堂公布。 TOP5位次依次是金士頓、威剛、海盜船、金泰克、辛士達和七彩虹。 據悉，這里的出貨不含行業出貨和OEM出貨。其中金士頓因為價格政策越來越兇悍，讓其它二三線品牌難受。 數據稱，當季記憶體出貨環比下滑13%，即便是金士頓也下滑了2%，其他品牌均有不同程度萎靡。 實際上，按照記憶體模組的出貨收入來看，截至2021年，金士頓已經是連續19年蟬聯第一。 來源：快科技

2022行將結束，不過對於製造DRAM記憶體晶片的廠商們來說，恐怕不是滋味。 Omdia分享的數據顯示，第三季度，DRAM記憶體晶片的銷售收入環比暴跌了29.8%。 分析師認為，隨著需求減退，DRAM市場已經開始真正陷入低迷。從價格來看，10月份PC DRAM下跌後，伺服器DRAM的價格跌幅在11月正不斷擴大。 廠商方面的日子自然不好過，雖然三星依然保持了全球記憶體晶片一哥的位置，但收入環比大幅下滑34.2%，SK海力士下滑了25.3%、美光下滑了26.3%。 三星劇烈的下滑導致其市場份額也流失2.8個百分點，相較而言，SK海力士和美光的份額則略有提高。 NH投資與證券公司的研究員Doh Hyun-woo認為，明年DRAM出貨將迎來首次同比下滑。 來源：快科技

很多人已經不知道Intel其實是做DRAM記憶體起家的，還是記憶體技術的先驅，全球第一款商用1K記憶體就是Intel做的，只不過後來日本廠商崛起之後，Intel競爭壓力大，1984年不得不退出記憶體領域。 Intel後來又搞了NAND快閃記憶體，還研發了獨一份的傲騰晶片，只不過這兩年也賣的賣，停的停，但是Intel在時隔38年之後又重新殺回到了記憶體領域，接受美國能源部委託為桑迪亞國家實驗室開發一種新的記憶體技術，這是美國AMT高級記憶體技術的一部分，主要用於超算。 這種全新的記憶體技術還沒有明確的信息，目前已經選定了幾種技術，性能都非常強大，要比桑迪亞實驗室即將推出的NNSA百億億次超算的性能高出40倍。 Intel指出，他們希望重新思考DRAM記憶體的架構方式以及與計算平台結合的基本面，以實現突破性的性能提升。 Intel還提到希望將這些創新轉化為行業標準，以改善整個生態系統。 來源：快科技

早買早享受，晚買享折扣，這是電子產品的通用規律，2022年最值得買的電子就是存儲產品了，不論記憶體還是SSD硬碟都在跌價，廠商的日子很難過，但是消費者確實撿到便宜了，只不過這個日子不會一直持續下去。 記憶體價格從去年底到現在跌了快一年了，什麼時候止跌反彈？這是行業內廠商都在期盼的大事，Q3季度中記憶體價格跌了30%，導致美光、SK海力士等公司大砍資本支出，削減產能，2023年記憶體位元容量可能不會增加，甚至會有微幅下滑。 不過此前的舉動並沒有推動記憶體價格止跌，由於需求下滑得實在厲害，10月到現在價格還是在跌的，而且產能最大的記憶體一哥三星沒有加入減產行列，導致記憶體價格二次趕底。 這就導致了記憶體價格在本季度到2023年Q1季度才有可能探底，出貨量有所回升，價格真正要反彈則是在Q3到Q4季度。 簡單來說，按照現在的趨勢下，記憶體價格至少還要跌半年，或許明年618會是最低點，下半年就要回漲了，明年有裝機計劃的可以參考時間點。 來源：快科技

根據Gartner的數據，由於全球通脹、經濟疲軟、需求減弱、以及成本上升等原因，明年半導體行業收入將下降，跌幅為3.6%，從2022年的6180億美元降至5960億美元，低於此前預測的6230億美元。 半導體行業收入在2021年迎來了高增長，增幅達到了26.3%，2022年的增幅已下降到4%，明年將轉升為跌，2023年的收入與2021年的5950億美元相近。預計明年消費者的需求將下降，主要原因是可支配收入減少，這與通貨膨脹及其他地方成本增加有關。企業市場的需求相對比較穩定，下降幅度小於消費市場，且更具有彈性。 鑒於當前電子消費類產品需求持續走弱，庫存水平高漲，加上客戶更為迫切地要求大幅度降低價格，預計存儲市場明年將會有較大跌幅，收入將下降16.2%。不斷惡化的經濟前景正在對智慧型手機、PC和其他電子消費品產生負面影響，分析師預計2022年DRAM收入將下降2.6%，為905億美元，到2023年將再下降18%，降至742億美元。 2022年第一季度里，由於有NAND快閃記憶體供應商停產，導致價格上漲，掩蓋了迅速惡化的需求環境，從而使得2022年第三季度庫存過剩情況嚴重，將延續到2023年上半年。分析師預計NAND快閃記憶體收入在2022年將增長4.4%至688億美元，不過明年會下跌13.7%至594億美元。目前DRAM和NAND快閃記憶體製造商已經緊急剎車，試圖維系價格體系，以免出現暴跌。 ...

雖然過去幾個月里，PC在消費端需求出現了大幅度的下滑，不過伺服器市場仍然維持著相對穩定的出貨量，這也是現階段不少半導體供應鏈企業營收得到保證的基礎。近日TrendForce表示，根據最新的數據和研究，進一步調整了對2023年伺服器出貨量的預期，將同比增長率下調至2.8%，反映了對明年的市場前景更為謹慎的態度。 TrendForce基於三點因素進行了調整，包括：一、從2023年第三季度開始，與伺服器相關組件的大部分訂單的交貨時間已恢復到以往正常的狀態，供應商已看出這點，開始了對庫存的調整，降低了需求；二、過去兩年多里因新冠疫情產生的需求正在消散，流媒體和電子商務等服務有明顯的降溫，不少廠商已降低了明年的采購量；三、對全球經濟前景持消極的看法，不少企業都制定了更為保守的采購計劃，縮減明年與IT相關的開支。 目前供應商之間的競爭也在加劇，導致2022年第四季度伺服器DRAM模塊和企業級SSD的價格繼續下滑，環比降幅已擴大至23%到28%之間。由於買家普遍都有著較高的庫存水平，使得銷售上面臨更大的困難。 DRAM供應商正設法讓部分買家鎖定這個季度及下個季度的價格，明年相互之間的競爭壓力會更大。企業級SSD的出貨量一直很穩定，然而隨著相當部分企業在今年下半年修訂了支出計劃，NAND快閃記憶體供應商也面臨著庫存上漲的壓力，需要盡早尋找解決方案，比如在價格上提供更大的折扣優惠。 ...

全球DRAM記憶體晶片主要壟斷在三星、SK海力士及美光手里，三家的份額高達95%，同時技術也是領先的，美光前不久更是搶先宣布量產1β記憶體晶片，這是當前最先進的記憶體晶片。 記憶體工藝進入20nm節點之後，廠商的命名已經發生了變化，都被稱為10nm級記憶體，但有更細節的劃分，之前是1x、1y 和 1z三代，後面是1α，1β，1γ。 在1α，1β，1γ這三代中，三星在1α上就開始用EUV光刻工藝，但是代價就是成本高，美光現在量產的1β工藝就是最先進的。 1β到底相當於多少nm？美光日前在日本舉行了一次溝通會，介紹了1β記憶體的一些進展，指出它的工藝水平相當於13nm，而且美光依然沒有使用EUV工藝，避免了昂貴的光刻機。 不使用EUV光刻，美光在1β記憶體上使用的主要是第二代HKMG工藝、ArF浸液多重光刻等工藝，實現了35%的存儲密度提升，同時省電15%。 1β之後還有1γ工藝，估計會是12nm級別，製造難度更大，但美光依然沒有明確是否使用EUV光刻機，他們的目標很可能是繼續使用現有工藝改進，避免EUV光刻機的成本。 來源：快科技

TrendForce發布了新的調查報告，顯示2022年第三季度整個DRAM行業的收入環比下降28.9%，至181.9億美元，這是自2008年金融危機以來的最大跌幅。隨著消費電子產品需求持續萎靡，2022年第三季度DRAM的合同價格環比跌幅擴大至10%到15%，即便是出貨一直較為穩定的伺服器DRAM，由於買家調整庫存水平，需要也比之前一個季度放緩。 市場排名前三的DRAM廠商在2022年第三季度的收入都出現了下降，三星為74億美元，環比下降33.5%，是前三名里跌幅最大的；SK海力士為52.4億美元，環比下跌25.2%；美光約為48.1億美元，由於財季的統計方式與其他兩家廠商不同，環比下降的幅度會小一些。雖然這三家廠商的營業利潤率還保持在較高水平，但今年的庫存調整期將持續到明年上半年，接下來利潤有可能持續被擠壓。 三星放緩了產能從DRAM到CMOS圖像處理器轉移的計劃，因為後者的需求同樣在下降，明年新晶圓廠將投入運營，鑒於去庫存速度較預期慢，將減緩其技術遷移和限制產能增長。SK海力士和三星一樣，同樣通過減緩技術遷移來控制產能。美光本身2023年的產能預期增長幅度就是前三廠商里最小的，為了應對利潤率下降，存在進一步減產的可能性。 南亞科技是前六DRAM廠商里收入環比下降幅度最大的一家，高達40.8%，主要原因是消費級DRAM在其業務里的占比較高，目前對工藝向1A mm遷移持謹慎的態度，預計2023年仍處於客戶樣品階段，2024年才對營收作出貢獻；華邦電子收入環比下降37.4%，已在2022年第三季度調整了產能利用率，同時推遲了新工藝引入的時間表；PSMC在數據統計里主要計算自有品牌DRAM部分，事實上還有DRAM代工服務，如果均計算在內，環比下降幅度會縮減到22.9%。 ...

跟SSD一樣，記憶體也是價格暴降，廠商虧的抬不起頭，但是這沒有辦法。 TrendForce集邦咨詢最新的報告顯示，2022年第三季DRAM產業營收181.9億美元，環比下降28.9%，對應的是向光廠商面臨產量（需求）、價格雙降。 三星第三季營收為74.0億美元，雖然排名第一，但營收環比下降33.5%，SK海力士第三季營收約52.4億美元，環比下降25.2%；美光營收約48.1億美元，排名第三。 對於接下來的走勢，三大原廠的營業利潤率仍位於相對高的水位，但市場預期2022年的庫存去化至少要持續到2023上半年，獲利空間仍會持續被壓縮，說白點就是要降價求市場。 目前，業內預期，到明年一季度末，存儲晶片的價格將開始緩慢回升，當然這也只是預期，真的是反轉還要再看了。 來源：快科技

在日常使用電腦的過程中，你有沒有遇到以下這些問題： 1.同時打開多個軟體並在它們之間切換時，電腦會有或長或短的卡頓感； 2.在進行圖片、視頻處理時，尤其是添加一些濾鏡之後需要渲染時，系統或軟體偶爾會處於假死狀態； 3.通過網頁或客戶端觀看4K視頻時，如果頁面切走一段時間之後再切回來，視頻就會卡在某一個節點不動，需要等一會兒才會重新流暢播放。 如果你在使用電腦的過程中遇到這些問題，那麼很可能是電腦記憶體已經告急的表現。 不過，所處理的文件如果超過物理記憶體容量，其實電腦並不會馬上卡死，因為除了記憶體之外，系統還會分配一定容量的虛擬記憶體。此時超出物理記憶體的溢出部分將被暫時轉移到虛擬記憶體來運行。 但是對於用戶來說，這畢竟不是長久之計，如果您的應用經常性的超出物理記憶體，如大型圖片處理、3D建模渲染、超高清視頻剪輯等等需要超大記憶體空間類型的應用，一方面本身使用電腦的體驗極差，另一方面電腦經常性崩潰也會造成一些硬體層面的損耗。 ·對於電腦而言虛擬記憶體和物理記憶體為何同等重要？ 其實對於時下的Windows系統電腦而言，如果你依舊在使用8GB或16GB記憶體的話，這些問題應該有不少朋友都會遇到。因為Windows系統本身會占用3-5個GB的空間，如果是8GB記憶體的話，剩下的空間就沒有多少了，而如果是16GB記憶體的話，如果再開啟一些軟體或加載一些應用，記憶體空間很快就會捉襟見肘。 除了物理記憶體之外，系統其實還會自動分配一定容量的虛擬記憶體空間。虛擬記憶體是計算機系統記憶體管理的一種技術，它的實際名稱叫做分頁文件，對於系統軟體運行不可或缺。z 它的主要作用就是使應用程式認為它擁有連續的可用的記憶體，但實際上，虛擬記憶體通常是被分隔成多個物理記憶體碎片，而且有些部分還會被暫時存儲在硬碟上，在需要時進行數據交換並被調取。 電腦軟體在正式運行之前都會通過虛擬記憶體來“告訴”系統它將要占用的空間，然後才會被放到記憶體上，所以虛擬記憶體空間不足的話，如果數據吞吐超過其容量，系統和軟體就會有比較明顯的卡頓，甚至根本就無法正常運行軟體。 一般來說，Windows系統會根據所安裝的物理記憶體大小來動態分配虛擬記憶體空間。比如筆者自己的辦公電腦物理記憶體為16GB，系統分配了大概7.3GB的虛擬記憶體空間。當然用戶也可以根據自己的需求來進行擴容。 那麼虛擬記憶體設置多少合適呢？這個主要看自己平時的使用狀態。 如日常辦公（Word、Excel等）、輕度遊戲應用（如QQ遊戲等）等，其實是無需擴容虛擬記憶體的，只需要系統默認分配的空間就夠用了。 而如果是經常玩大型遊戲，或者使用Photoshop、Premiere、CAD等專業軟體的用戶，那麼虛擬記憶體空間最好分配在物理記憶體容量-物理記憶體容量 x 1.5這個區間。比如電腦記憶體為16B，那麼虛擬記憶體可以分配到16GB-24GB，這樣就可以避免虛擬記憶體空間告急而影響系統和軟體運行的流暢度。 基於此大家也應該明白了，其實物理記憶體越大，可分配的虛擬記憶體空間就更多，這樣在應對重負載任務時，系統和軟體就不會因為虛擬記憶體受限而影響運行流暢度了。 比如某32GB記憶體筆記本，它的虛擬記憶體空間可以分配到32GB-48GB，目前幾乎所有軟體和遊戲都能無壓力運行，不受虛擬記憶體空間限制。 ·記憶體占用率關繫到系統、軟體運行是否卡頓 我們就以16GB記憶體為例，當你進入系統並開啟一些軟體，如瀏覽器、微信、Steam、直播平台客戶端、Office或PS/PR等軟體之後，即使沒有導入內容，此時記憶體的總體占用率就已經接近甚至超過50%。 如下圖所示，筆者在開啟WPS、Photoshop以及Chrome瀏覽器三個軟體之後，加上系統本身的記憶體占用，什麼都沒做，16GB空間已經占用47%。 在打開WPS、Photoshop、Chrome瀏覽器之後，記憶體占用已經達到47% 此時，即便你提前分配了足夠的虛擬記憶體空間，但因為整個系統記憶體空間就是16GB，那麼只要再同時進行一些較高負載的任務，系統和軟體就會非常容易地陷入到卡頓當中。 ·圖片渲染超過16GB物理記憶體測試看32GB大記憶體為何更具優勢？ 比如我們通過16GB記憶體筆記本來使用Photoshop去處理大規格的圖片，可以看到16GB空間很快就會被完全占滿，在100%記憶體占用率下，想要干點其它事情是極為困難的。比如筆者在100%記憶體占用率下，即便打開WPS文檔進行簡單的文字錄入，都會有明顯的滯後和卡頓感。 16GB記憶體占用率很快達到100% 記憶體被占滿的情況下，文字輸入都會出現一頓一頓、不夠流暢的情況 而使用32GB記憶體的惠普戰66五代再做同樣的任務就可以看到，記憶體峰值占用率只有69%，此時打開WPS文檔進行輸入依舊是非常流暢，沒有感覺到任何的遲滯或卡頓，32GB大記憶體優勢不言而喻。 32GB記憶體峰值占用率69%，完全不影響其它應用 打字輸入流暢，其它應用絲毫不受影響 ·視頻應用爆16GB記憶體之後為何會明顯卡頓？ 再比如上面我們所說的在線視頻播放卡頓問題，如下圖所示： 切換回視頻頁面會產生一定時間的畫面卡頓 筆者在16GB記憶體的筆記本上通過B站打開了一個4K視頻之後，切換回工作後台頁面撰寫文章，經過大概5分鍾之後，視頻流媒體後台產生的數據吞吐量逐步累積並超過16GB物理記憶體容量。 之後如果再切換回視頻畫面，就會發現視頻聲音雖然正常，但畫面卡在了某個節點（上圖可以看到卡在了跳舞的畫面），之後需要等待幾秒鍾才能繼續正常播放，這種體驗對用戶來說顯然是難以忍受的。 而在32GB記憶體上就沒有這種煩惱了，隨時隨意切換沒有任何卡頓。即便更長時間停留在其它頁面，一旦重新切換回視頻頁面，也不會遇到畫面卡頓。 頁面標簽隨意切換，毫無卡頓感 ·結語 不得不說，擁有雙記憶體插槽和雙M.2硬碟插槽確實是為商務辦公應用而量身打造。大記憶體所帶來的好處其實是顯而易見的，但往往被我們所忽視。 因為當電腦出現遲滯、卡頓等問題時，大家首先想到的是處理器、顯卡、硬碟配置是否不夠用，卻往往沒有考慮去升級記憶體。 雙11紅包活動推薦： 來源：快科技

AMD及Intel新一代CPU處理器都已經全面支持DDR5記憶體，性能更好，只不過大家糾結的是DDR5記憶體價格還是貴，現在美光原廠的英睿達DDR5記憶體條可以做到229元，只比DDR4版貴了70塊錢。 這款記憶體是英睿達8GB DDR5-4800，目前報價329元，粉絲價299元，11月10日晚上8點搶購價229元，查詢了下是史低價了，購買兩條也就是460元，裝機成本還可以接受。 美光英睿達這款DDR5記憶體沒什麼太多可說的，就是入門級普條，DDR5-4800MHz頻率，40-39-39延遲，電壓1.1V，支持片上ECC，終身質保。 最大的優勢就是它是美光原廠顆粒，更可靠一些，這價格下買其他品牌甚至雜牌的記憶體沒必要了。 作為對比，英睿達8GB DDR4-2400記憶體的價格是179元，到手價159元，便宜70塊錢，也是好價，不過綜合性能來算，這種價格下還是上DDR5記憶體算了。 雙11紅包活動推薦： 來源：快科技

11月、12月是傳統的購物旺季，除了大量新品上市，PC DIY市場的記憶體、SSD、處理器、顯卡等好價不斷。 不過，記憶體條製造商威剛日前表示，隨著上游DRAM晶片供應商放緩產能擴張的腳步和工藝轉型的步伐，DRAM價格進一步下跌的空間極為有限。 這意味著，當下，記憶體條的價格基本觸底。如果廠商進一步減產，不遠的未來甚至不排除反彈的可能。 據悉市場研究公司DRAMeXchange的數據，10月份PC DRAM（DDR4 8Gb）的平均交易價為2.21美元，比9月下降22%，是過去5年來的最大跌幅，同比下滑近40%。 廠商方面，日子都不太好過，不同程度遭受到了全球半導體萎靡的沉重打擊。 其中，存儲一哥三星的2022三季度財報出現了3年來首次利潤下滑。記憶體和快閃記憶體製造商華邦剛剛公布的三季度財報也顯示，季度利潤下降48.2%，創下六個季度新低。 雙11紅包活動推薦： 來源：快科技

本周美光宣布，採用全球最先進1β(1-beta)製造工藝的DRAM記憶體晶片已經送樣給部分手機製造商、晶片平台合作夥伴進行驗證，並做好了量產准備。 1β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)。 一個值得關注的點是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然採用的是DUV（深紫外光刻）。 這意味著相較於三星、SK海力士，美光需要更復雜的設計方案。畢竟，DRAM的先進性很大程度上取決於每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導體的能力，各公司目前通過不斷縮小電路面積來進行競爭。 同時，美光的產品最終在成本上或許也會更具比較優勢。 據悉，美光已經在LPDDR5X移動記憶體上率先應用1β工藝，還使用了第二代HKMG(高K金屬柵極)工藝，最高速率8.5Gbps(等效於8500MHz)。 雙11紅包活動推薦： 來源：快科技

美光宣布，已經向特定的智慧型手機製造商和晶片組合作夥伴運送其1β（1-beta）工藝節點生產的DRAM晶片樣品。這是世界上最先進的DRAM技術，已做好了批量生產的准備。 美光表示，將在LPDDR5X記憶體上採用新的工藝技術，提供最高的8.5 Gbps速率。1β工藝節點在性能、位密度和電源效率方面提供了顯著的收益，而且還能降低DRAM成本，將帶來廣泛的市場優勢。除了移動設備外，1β工藝節點還將提供低延遲、低功耗、高性能的DRAM，從智能車輛到數據中心的應用場景中都會受益。 在過去數年里，美光積極推進其製造和研發技術。去年美光開始使用1α工藝節點批量生產DRAM晶片，加上今年量產全球首款232層的3D TLC NAND快閃記憶體，讓其歷史上首次確立了在DRAM和NAND領域的領導地位，而這次推出的1β工藝節點將進一步鞏固了其市場優勢。 與行業內很多企業不同，美光不打算在短期內使用極紫外（EUV）光刻技術來生產存儲晶片，而是繼續使用深紫外（DUV）光刻技術，同時在1β工藝節點上使用了其第二代HKMG技術，美光稱，新工藝節點的能效提高約15%，位密度提高了35%以上，每顆晶片提供16Gb容量。 美光計劃繼續投資數十億美元，將晶圓廠轉變為技術領先、高度自動化、可持續發展、以及人工智慧驅動的設施，其中包括對日本廣島工廠的投資。據了解，這間工廠將採用1β工藝節點批量生產DRAM。 ...

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