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美光公布了2023財年第二財季財報（截至2023年3月2日），季度營收為36.9億美元，低於分析師預期的37.1億美元，也低於上個季度的40.9億美元及上一財年同期的77.9億美元，同比下降53%；淨虧損為23.1億美元，上一財年同期淨利潤為22.6億美元，每股攤薄虧損為2.12美元；運營現金流為3.43億美元，上個季度為9.43億美元，上一財年同期為36.3億美元。 這是美光過去二十年來最嚴重的季度虧損，上一次出現如此規模的季度虧損是2003財年第二財季，當時淨虧損為19.4億美元。美光預計2023財年第三財季的營收在39億美元左右，高於市場預期的37.5億美元，每股攤薄虧損為1.51至1.65美元，也高於分析師預期的虧損0.84美元。 美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra表示，在充滿挑戰的市場環境中，美光第二財季的收入在美光的指導范圍內，客戶的庫存狀況正在好轉，美光預計行業的供需平衡將逐步改善。美光對長期需求仍有信心，並正在審慎投資以保持其技術和產品組合的競爭力。 美光財務長Mark Murphy認為，美光即將迎來季度營收增長的轉折點，接下來將專注於大幅提高盈利能力，而且會在2024財年內實現正向自由現金流。 美光同時宣布，除了高級主管減薪、全面停發2023財年年度獎金外，裁員的比例從整體員工數的10%提高至15%，而且2023年12月底之前不會補充空缺的崗位。此外，美光會進一步削減2023財年的資本支出，預計投資額在70億美元左右，相比上一財年減少超過40%，其中晶圓廠設備的資本支出預計減少超過50%，2024財年很可能還會繼續縮減。 ...

三星和SK海力士是存儲器領域的領導者，位列行業前兩名，傳聞兩家巨頭都在加快3D DRAM商業化進程，以改變存儲器行業的遊戲規則。其實DRAM行業里排名第三的美光，自2019年以來就開始了3D DRAM的研究，獲得的專利數量是三星和SK海力士的兩到三倍。 據Business Korea報導，有行業人士透露，三星和SK海力士的高管在最近的一些官方活動上，都將3DDRAM作為克服DRAM物理極限的一種方式。三星表示，3D DRAM是半導體行業未來的增長動力。SK海力士則認為，大概在明年，關於3D DRAM的電氣特性細節將被公開，從而決定其發展方向。 3D DRAM是一種具有全新結構的存儲晶片，打破了原有的模式。目前DRAM產品開發的重點是通過減小電路線寬來提高密度，但隨著線寬進入10nm范圍，電容器漏電和干擾等物理限制明顯增加，為此業界通過引入high-k材料和極紫外（EUV）設備等新材料和新設備。不過對於各個DRAM製造商而言，想要製造10nm或更先進的小型晶片仍然是一個巨大的挑戰。 與當前的DRAM市場不同，3D DRAM領域暫時沒有絕對的領導者。美光在3D DRAM技術競爭中起步較早，且專利數更多，三星和SK海力士可能會加快3D DRAM商業化進程，盡快地進入大規模生產階段，以便更早地搶占市場。 目前三星和SK海力士能量產的最尖端DRAM採用的大概為12nm的工藝，考慮到越來越接近10nm，在未來的三到四年內，全新結構的DRAM晶片商業化幾乎是一種必然，而不是選擇。 ...

近期半導體行業接連傳出裁員新聞，存儲器大廠美光也不例外。此前美光也宣布通過裁員、減產、高管降薪、削減運營成本和資本支出等多項措施，以應對消費需求下降及市場的持續疲軟，目前正在執行當中，不過美光的情況似乎比預想中的還要艱難。 據Boise State Public Radio報導，美光正在考慮進一步裁員，這次大概會減少5%的員工。去年美光執行長Sanjay Mehrotra已宣布，將通過自願減員和裁員相結合，並減少外部招聘的方式進行裁員，2023年將員工人數減少約10%。加上這次的5%，也就是說美光的裁員比例達到了10%。美光全球員工數量大概在4.9萬人，這意味著大概有7500人受到影響。美光的裁員將在2023年內分階段進行，除非市場情況有大幅度的改善，對美光產品的需求有明顯的回升。 此外，美光還要降低資本支出，涉及的范圍不僅只在2023年，還有接下來的2024年，盡管美光對新工廠的建設充滿期待，但不能不面對一系列的難題。目前美光已經將DRAM和NAND快閃記憶體的產量減少了20%，同時還放緩了技術節點過渡的時間，將1γ工藝節點延後至2025年。美光在232層3D TLC NAND上停留的時間比最初計劃的要長，這可能會導致美光失去市場，拱手讓給三星和SK海力士這樣的競爭對手，而且也會被後來者追趕。 美光將在3月底公布2023財年第二財季財務，美光預計與上一季度相比，收入將減少約3億美元。 ...

去年美光執行長Sanjay Mehrotra已宣布，將進行一項重組計劃，以應對具有挑戰性的行業環境。美光通過自願減員和裁員相結合，並減少外部招聘的方式進行，2023年將員工人數減少約10%。美光全球員工數量大概在4.9萬人，這意味著將近5000人受到影響。 由於全球經濟持續低迷，PC銷售放緩甚至萎縮，使得存儲器行情遇冷，近期美光也加快了裁員的步伐。據相關媒體報導，美光的裁員從美國愛達荷州博伊西的晶圓廠開始，盡管去年這里剛剛宣布會新建一座記憶體晶片製造廠。愛達荷州博伊西也是美光總部的所在地，大概有6000名員工，預計裁員會在本月底完成。 除了裁員以外，美光還大面積降低了高管的薪金。資料顯示執行長Sanjay Mehrotra的薪資將減少20%，執行副總裁降薪15%，資深副總裁降薪10%，名單內的高層獎金也會全暫停發放，同時董事會里非雇員成員的報酬也將減少20%。 除了本土以外，美國在全球其他地方近期都有裁員行動。美光在台灣近日也開始了裁員，這里有著美光最大的DRAM生產基地，員工總數約為1.1萬人。據稱美光這次是無預警裁員，通知後馬上走人，預計2月底前會有大概1000名員工受影響。此外，美國在新加坡也開始了裁員，這里約有9000名員工。這次被裁減的主要是資歷較淺的員工，整個裁員行動將持續到2月18日。 ...

據News.Mynavi.jp報導，美光將推出新一代DDR5記憶體模塊。美光的新款DDR5記憶體將為英特爾第13代酷睿和AMD Ryzen 7000系列處理器優化，支持XMP 3.0和EXPO技術，可自動加載最佳配置文件，在成本和性能之間取得平衡。 美光新一代DDR5記憶體符合DDR5-5200和DDR-5600標準，工作電壓為1.1V，延遲均為CL46。其中DDR5-5200的單條容量為8GB、16GB和32GB，DDR-5600的單條容量除了傳統的8GB、16GB和32GB以外，還有24GB和48GB提供給用戶選擇。 一般來說，24GB和48GB被認為是新一代伺服器和工作站的最佳選擇，因為系統可以更為精確地平衡記憶體容量和處理器內核數量，同時還可能帶來更低的成本。比如構建工作站或HEDT平台，需要四通道或八通道DDR5記憶體，使用24GB的DDR5記憶體會比32GB更為便宜。由於支持XMP 3.0和EXPO技術，所以這些DDR5記憶體模塊也是針對遊戲玩家的產品。 美光暫時還沒有提供這些DDR5-5200和DDR-5600記憶體的價格，以及具體的發售時間。由於2023年第一季度PC需求降低，DDR5記憶體的價格預計會下降18%到23%，美光甚至削減了記憶體芯粒的產品，以應對市場的變化。預計美光這些新的DDR5記憶體模塊盡管有著更大的容量和更高的性能，但價格相對會比較便宜。 ...

由於對存儲器的需求迅速下降，加上價格下滑，美光在2022財年第四財季（截至2022年9月1日）里，3D NAND和DRAM的產量已下降了約20%，減產涵蓋了美光所有用於大批量生產的技術節點，這意味著美光削減了幾乎所有類型產品的產量。 據TomsHardware報導，美光預計3D NAND位產量在明年只能以「個位數百分比」增長，同時明年將減少DRAM位產量。目前美光正處於2023財年第一財季，對本季度的影響不大，由於3D NAND和DRAM的生產和測試/封裝周期相當長，市場將在幾周內感受到美光減產的影響。與此同時，現貨價格可能會對美光的動作做出更快的反應。 美光在今年夏天開始生產232層的3D TLCNAND快閃記憶體，並在早些時候開始以1β（1-beta）工藝節點生產DRAM晶片，這些新的技術節點本身是能夠降低成本並增加位產量。不過隨著市場狀況的惡化，美光已減緩了生產，以限制位產量。 據美光披露，其2023財年的資本指出總額約為80億美元，相比2022財年下降了30%，削減的部分主要涉及新晶圓廠的設備采購，這會減緩最新製造技術引入。美光稱，正在「努力嘗試進一步削減資本支出」，不過沒有詳細說明情況。美光執行長Sanjay Mehrotra表示，會繼續監測行業狀況，並根據需要做出進一步調整，盡管市場近期面臨周期性挑戰，但仍然對市場的長期需求充滿信心，從長遠來看，預計3D NAND和DRAM收入增長將超過半導體行業的其他部分。 ...

美光宣布，已經向特定的智慧型手機製造商和晶片組合作夥伴運送其1β（1-beta）工藝節點生產的DRAM晶片樣品。這是世界上最先進的DRAM技術，已做好了批量生產的准備。 美光表示，將在LPDDR5X記憶體上採用新的工藝技術，提供最高的8.5 Gbps速率。1β工藝節點在性能、位密度和電源效率方面提供了顯著的收益，而且還能降低DRAM成本，將帶來廣泛的市場優勢。除了移動設備外，1β工藝節點還將提供低延遲、低功耗、高性能的DRAM，從智能車輛到數據中心的應用場景中都會受益。 在過去數年里，美光積極推進其製造和研發技術。去年美光開始使用1α工藝節點批量生產DRAM晶片，加上今年量產全球首款232層的3D TLC NAND快閃記憶體，讓其歷史上首次確立了在DRAM和NAND領域的領導地位，而這次推出的1β工藝節點將進一步鞏固了其市場優勢。 與行業內很多企業不同，美光不打算在短期內使用極紫外（EUV）光刻技術來生產存儲晶片，而是繼續使用深紫外（DUV）光刻技術，同時在1β工藝節點上使用了其第二代HKMG技術，美光稱，新工藝節點的能效提高約15%，位密度提高了35%以上，每顆晶片提供16Gb容量。 美光計劃繼續投資數十億美元，將晶圓廠轉變為技術領先、高度自動化、可持續發展、以及人工智慧驅動的設施，其中包括對日本廣島工廠的投資。據了解，這間工廠將採用1β工藝節點批量生產DRAM。 ...

在過去一段時間里，已經有數家SSD廠商發布了PCIe 5.0 SSD，包括了技嘉、美商海盜船和Goodram，都採用了群聯電子（Phison）E26系列主控晶片，不過只有技嘉的產品數據傳輸速率達到了12.4 GBps，其他兩家廠商都限制在了10 GBps。目前沒有任何3D NAND晶片的速度足能完全餵飽主控晶片，廠商限制PCIe 5.0 SSD的速度是有原因的。 TomsHardware表示，群聯電子的PS5026-E26主控擁有8個NAND通道，可以支持不同的數據傳輸速率，不過想要達到完全飽和的狀態，需要3D NAND晶片的I/O傳輸速率達到2400 MTps。美光、SK海力士以及長江存儲，先後在今年7月到8月間發布了2400 MTps的3D NAND晶片，群聯電子所有基於E26系列主控的解決方案，在演示的時候都採用了美光的晶片，正常速率來說能達到12 GBps左右。 這是由於美光的232層3D NAND晶片在產量和成熟度方面都領先於其他廠商，不過現在的問題在於I/O傳輸速率為2400 MTps的3D NAND晶片良品率過低，不過如果將速率降低到1600 MTps，情況會好很多。技嘉采購的應該是2400 MTps的3D NAND晶片，美商海盜船和Goodram則是降速後的晶片。 之所以這麼做，可能與廠商採取的銷售策略有關。美商海盜船和Goodram為了能保證更穩定地供應，這種選擇更為實際，技嘉則需要保證采購到足夠多數量的2400 MTps 3D NAND晶片才行。相信接下來還會有其他SSD廠商采購美光的232層3D NAND晶片，同樣需要作出類似的選擇。 ...

美光宣布，未來10年將投資約150億美元，在美國愛達荷州博伊西新建一座記憶體晶片製造廠。這也是美國20年來本土首個新建記憶體晶片製造廠，同時也是愛達荷州有史以來最大的私人投資項目。 美光表示，這是受到人工智慧和5G網絡的推動，同時也確保了供應美國本土的汽車和數據中心等細分市場所需要的記憶體晶片，2030年前會在美國本土投資大概400億美元，分階段建立記憶體晶片製造廠。美光預計該項投資將在2030年前，為愛達荷州創造1.7萬個就業機會，其中2000個屬於直接崗位。 目前美光的生產和研發網絡遍布全球13個地區，在過去的近半個世紀里，總積累了超過4.7萬件專利。每年會花費數十億美元用於研發，大部分投資都用在美光位於美國總部運營的研發中心，這是世界最先進半導體技術開發中心之一，會進行前沿的研究、設計和開發工作。此次新建的記憶體晶片製造廠與研發中心位於同一位置，可提高運營效率、加速技術部署並縮短產品上市時間。 在去年10月，美光宣布在未來十年內，計劃在全球范圍內投資超過1500億美元，用於記憶體製造和研發，包括提高晶圓廠的產能，以滿足記憶體不斷增長的需求。美光認為，記憶體和存儲晶片在全球半導體行業中所占的比重正不斷增長，目前約占半導體市場的30%份額。 ...

偏愛35mm鏡頭的視角，一機一鏡的掃街、徘徊在不熟悉的街道，可能是消磨閒暇時光最愜意的方式，所以每個系統，第一個入的必然是35原來M系配有福倫達352 Ultron和蔡司ZM 352，糾結下一隻原廠的選擇...提起徠卡的35就必然繞不開summicron的各代，也必然繞不開第四代summicron 352 pre-ASPH作為最後一代不帶非球鏡片的352，鏡組含了7枚鏡片，業界就俗稱「七枚玉」，這是日本過來的藝名，在我們的江湖人稱「七妹」「秀外」 不管是被稱為「King of Bokeh」（散景之王）的光學表現也好，情懷加持也好，對我來講，可能最吸引人的是她的曼妙身材，搭配M機身簡直不能再契合E39的口徑，長度方面不算卡口，僅2.5cm（算上遮光罩也才3.5cm），重量不到200g。輕量化，加上小巧的體積，上手就愛不釋手。小體積帶來另一個好處是，在沒有遮光罩的情況下，幾乎不會對35框線有任何遮擋，這點也是我不喜歡m系配大鏡頭的原因。 七枚玉大致有三個版本：加產黑色、德產黑色和德產銀色。從1979年開始生產，直至1999年，總共生產了52,993枚。銀色由於全銅的筒身，價格較其他版本略高，這兩年漲幅驚人，作為理財產品，銀色貌似更合適。另外，加產版本的鏡頭銘文和德產也有所不同，鏡頭前沒有SN編號的，編號在光圈環側面。至於德產，最後期是全方字，可以通過光圈數字8、16予以甄別，大概是35X之後；業內有傳 368最後期的鍍膜也有所區別，這個沒查到相關資料，不置可否。收到的這枚編號是3457開頭，生產於1988年，當年生產了500枚。老鏡頭年數久遠，實用成色，光圈環和對焦環均有曠量，松垮再所難免，但還算順滑。其實徠卡M卡口的新鏡頭光圈環的手感也不是非常緊湊，手中50aa也好、summicron 50也好都是這個德性，相比較來說，ZM352的光圈環手感就緊湊得多...剛才說到的，甄別是否德產最後期，可以看標尺或者光圈數字的8、11、16，我這個並非全方字 七妹的遮光罩非常小巧，通過四個卡扣扣上，所以鏡頭上勢必會有磨損，要追求全新的話，只有沒有上過遮光罩才有可能... E39口徑... 鍍膜... 」慧中「 再說一些關於玄學的畫質，之前有個兄弟詳細寫了個文章，可參考https://www.chiphell.com/thread-2407662-1-1.html，文章里考據了為什麼會被成為「散景之王」的由來，其實這個稱謂或多或少有被誤解或者說誇大的成分。玩老鏡頭的，要和現代鏡頭比參數，那就毫無可玩性了；客觀來講，銳度方面，七妹的中心區域銳度是可以的；散景的話，些許雜亂，這也是老鏡頭的特色。某種程度上，那種不完美、缺陷美還有鏡頭背後的歷史感，反倒構成了對美的呈現和理解。七妹只是漸進式的那種虛化層次感做得不錯，多少給畫面的立體感增色不少；i50mm形容七妹是那種有空間感而不同於ASPH鏡頭直接的虛化感，有那麼一點道理。此外，F2-2.8下，四角黑邊還是比較明顯的，當然也可以作為一種氛圍來使用。對老頭而言，多說畫質類的表現，沒太多意義，玩嘛，就是圖個樂。這幾個月，七妹一直就是掛機的存在，可能在很長一段時間里，都會是這樣。一些解毒樣張，機身M10-P，基本上是直出，大概一兩張稍微P了下，M10的風格比較清淡，大家隨便看輕拍 下個文章准備說一下最近剛入的m3，等拍完幾卷再說...來源：Chiphell

美光宣布，已開始量產全球首款232層的3D TLC NAND快閃記憶體，採用領先行業的創新技術，為存儲解決方案帶來了前所未有的性能。與過往美光的NAND快閃記憶體芯粒相比，232層的NAND快閃記憶體有著業界最高的密度，並提供了更大的容量和更高的能效，從而為客戶端到雲端等數據密集型用例提供一流的支持。 美光的技術和產品執行副總裁Scott DeBoer表示，232層的NAND快閃記憶體是存儲創新的分水嶺，首次證明了生產中將NAND快閃記憶體擴展到200層以上的能力，該項突破性的技術需要廣泛的創新，包括創建高縱橫比結構的先進工藝能力、新型材料的進步以及基於176層NAND快閃記憶體在設計上的改進。 這款232層NAND快閃記憶體引入了業界最快的I/O速度，達到了2.4 GB/s，比176層的NAND快閃記憶體高出50%，同時寫入帶寬提升100%，讀取帶寬提升75%。同時還是全球首款量產的六平面TLC NAND快閃記憶體，不但比其他同類TLC NAND快閃記憶體有著更多的平面，而且每個平面都具有獨立的讀取能力。高I/O速度、低讀寫延遲和六平面架構相結合，使其能夠提供一流的數據傳輸速度。 此外，美光的232層NAND快閃記憶體是首款支持NV-LPDDR4的產品，這是一種低壓接口，與之前的I/O接口相比，每比特傳輸節省30%以上能耗。232層NAND快閃記憶體的緊湊外形為產品的設計提供了更多的靈活性，其每平方毫米TLC密度為14.6 Gb/mm²，比其他同類產品提高了35%到100%。另外，232層NAND快閃記憶體採用新的11.5 x 13.5 mm封裝，尺寸比前幾代產品減小了28%，使其成為市面上最小的高密度NAND快閃記憶體，能最大限度地減少電路板空間。 美光表示，232層3D TLC NAND快閃記憶體已經在其位於新加坡的工廠開始批量生產，首批芯粒將用於英睿達（Crucial）的消費端SSD，隨後再供應給其他產品使用。 ...

美光宣布，其新款DDR5伺服器記憶體已適用於英特爾和AMD下一代伺服器和工作站平台，相關渠道的合作夥伴將推出這些美光DDR5伺服器記憶體。美光稱，遷移到伺服器DDR5記憶體後，系統性能將比原有的DDR4記憶體提高85%，可最大限度地提高AI、HPC和數據密集型應用程式的性能，因為這些應用程式需要更多的CPU計算容量和更高的記憶體帶寬。 美光商業產品集團副總裁兼總經理Teresa Kelley表示： 「隨著數據繼續呈指數級增長，從海量數據中獲得所需的內容對於業務成功至關重要。數據中心運營商需要通過先進的記憶體處理能力和處理器性能提升以最大程度地發揮平台性能。美光DDR5伺服器記憶體提供無與倫比的帶寬，甚至可以管理記憶體最密集的應用程式。在行業向DDR5存儲技術過渡的這段時期，美光一直走在前列，將致力於為數據中心客戶和渠道合作夥伴提供DDR5伺服器記憶體資格認證和准備工作。」 據了解，美光的新款DDR5伺服器記憶體正在數據中心環境中進行評估和測試，預計會在2022年內被更多地採用。DDR5記憶體起步的數據速率為4800MT/s，未來還會繼續提高，以滿足數據中心工作負載的需要。 作為全球記憶體行業的領導者之一，美光從一開始就參與了JEDEC的DDR5規范制定工作，並建立了TEP技術支持計劃，這是業界唯一的DDR5生態系統，以推動DDR5記憶體的發展，促進更廣泛的市場認證。目前TEP技術支持計劃有400多位成員，參與到DDR5記憶體的設計和集成工作中，並針對下一代產品系列進行了優化，所有美光的伺服器記憶體都經過了組件和模塊測試，以達到關鍵任務所需要的標準。 ...

在本周舉行的Embedded World 2022上，美光宣布推出新款的i400系列microSD卡。一般情況下，廠商推出新款microSD卡都不是什麼大新聞，不過美光的i400系列有兩個亮點使其脫穎而出，一個是提供的最大容量，另一個是其耐久等級。 i400系列容量從64GB起步，最大達到1.5TB，這是迄今為止市場上最大容量的microSD卡。根據美光的說法，1.5TB的存儲空間足夠讓一個監控攝像頭（解析度未知）連續錄制長達四個月的視頻。這款microSD卡還能夠在錄制4K視頻的同時，每秒處理最多8個事件，比如面部或車牌識別等。 美光表示，i400系列microSD卡採用的是176層3D NAND快閃記憶體，屬於工業級別產品，同時對其持續性能的優化，可以實現連續五年的7x24連續寫入，或200萬小時的平均故障時間（MTBF）。 美光沒有提供i400系列microSD卡的性能數據，不過該系列除了128GB支持U1、A2和Class 10等級的數據傳輸速度外，其餘容量皆支持U3、A2和Class 10等級的數據傳輸速度。此外，i400系列microSD卡的工作溫度在-25到85攝氏度之間。 暫時還不清楚i400系列microSD卡的定價和上市時間，不過美光已經向客戶提供了樣品。 ...

老早就在覬覦這顆Apo-Summicron 50mm f2 ASPH也就是大家常說的50 2AA了。這只徠卡在2012年5月份的時間發布的鏡頭，我在整整發布了十年後才擁有了它，可真是久違了啊。 這只傳說中光學技術的巔峰之鏡，體積是如此小巧，但力量卻如此強大。摸起來真的不由得讓人感嘆它巧奪天工的氣質。一開始想要買黑色，想了想自己三台銀色機器，竟然沒有一個銀色鏡頭，算了，還是買銀色吧。但買了又後悔了，應該選擇黑色的，因為以後如果要是有黑色機身，特別是Monochrome只有黑色機身的情況下，黑身+銀頭的配置，真的不能忍啊。唉，以後的事情，以後再說吧！ 先上一張官方圖。 從他的結構來看就知道是一隻超級緊湊的鏡頭，怪不得Peter Karbe說把這麼一堆光學組件擠在這麼狹小的一個空間內，難度太大了，連一點多餘的空間都沒有了。無比強大的MTF曲線，看起來真的是比較恐怖的。 來，開始開箱！盒子都要比一般的徠卡鏡頭大好多。 金屬的鏡頭蓋，當然還贈送了一個黑色塑料卡扣鏡頭蓋，很多人以為贈送的是UV哈哈，因為那個獨立的包裝真的很像原廠UV的包裝，但其實是一個黑色的塑料鏡頭蓋。徠卡怎麼可能這麼大方，會贈送原廠UV？真是異想天開！ 前玉、後玉都非常完美，燈光下看不膩。前玉是E39，真的很小巧，十年前的技術，這麼小巧的鏡頭竟然能做出f2 APO，那個技術的確是讓人佩服的！後玉四周都有消光漆，看起來做工真的是非常的精細。 裝在M11上看看也是挺漂亮的，銀色機身配銀色鏡頭比較亮騷的搭配。（反正黑身+銀頭不能忍） 看看我的大房夫人M240、二房姨太M9、三房姨太太M11 來，大房、二房、三房排個隊 來，三房姨太太們同桌開個席 最後來個三房M全家福， 不要打架，每天翻牌子，帶你們飛~~~~ 大房夫人：    M240+11663 （Summilux 35mm f1.4 ASPH. Black）二房姨太太： M9+11891（Summilux 50mm f1.4 ASPH. Black）三房姨太太：...

美光宣布，推出兩款英睿達（Crucial）品牌的消費類存儲產品，分別為Crucial P3 Plus Gen4 NVMe SSD和Crucial P3 Gen3 NVMe SSD，以拓展旗下的SSD產品組合。美光表示，兩款新產品均可選最大4TB容量，將提供更具吸引力的性價比指標。 Crucial P3 Plus Gen4 NVMe SSD的連續讀取和連續寫入速度分別達到了5000 MB/s和4200 MB/s，採用了美光176層3D NAND快閃記憶體，經過了最嚴格的測試和驗證，且向後兼容PCIe Gen3，為高性能用戶提供可靠的應用程式、文檔、照片、視頻和遊戲存儲空間，是一款強大的存儲解決方案。 Crucial P3 Gen3 NVMe SSD的連續讀取和連續寫入速度則分別為3500 MB/s和3000...

美光宣布，將推出業界首款232層的3D TLC NAND快閃記憶體。目前美光已准備在在2022年年末開始生產新款232層3D TLC NAND快閃記憶體晶片，並計劃將其用在包括固態硬碟在內的各種產品上。 據TomsHardware報導，美光的232層3D NAND快閃記憶體晶片採用了CuA架構，使用NAND的字符串堆疊技術，初始容量為1Tb（128GB）。CuA架構疊加新技術可以大大減小1Tb 3D TLC NAND快閃記憶體的晶片尺寸，這有助於降低成本，使得美光可以更積極地為搭載這些晶片的產品定價，或者提高產品的利潤。 美光的科技和產品執行副總裁Scott DeBoer表示，正在和第三方主控晶片的開發人員密切合作，不但提供對232層3D NAND快閃記憶體晶片的支持，而且能確保對主控晶片與快閃記憶體晶片之間的優化，這一直是美光垂直產品整合的重要組成部分，以便搭建圍繞數據中心和客戶端固態硬碟產品。 美光暫時還沒有公布232層3D NAND快閃記憶體晶片的具體參數，不過似乎會比現有的3D NAND快閃記憶體性能要更好一些，以適應下一代支持PCIe 5.0固態硬碟的需求。美光還表示，新款晶片的能耗也更低一些，這可能與其注重移動領域的應用有關。 由於量產時間是在2022年年末，預計搭載232層3D NAND快閃記憶體晶片的產品將會在2023年出現。 ...

近期美光執行長Sanjay Mehrotra接受了Fox Business的采訪，期間談及了晶片短缺問題，以及他對行業當前情況的看法。 Sanjay Mehrotra認為，隨著半導體業進入2022年，晶片短缺在某些方面將不斷改善，不過也有某些部分會繼續出現短缺情況，而且會一直持續到2023年，同時美光將繼續進行必要的投資，已滿足客戶不斷增長的需求。事實上，Sanjay Mehrotra在去年年末的時候曾表示，由於電源管理IC（PMIC）和電壓調節模塊（VRM）供應短缺，影響了DDR5記憶體的出貨，預計將持續到2022年下半年才會緩解。 Sanjay Mehrotra指出，亞洲國家在過去的幾年里，都在扶持自己的半導體和晶片產業。此外，汽車行業對晶片產業的影響非常大，占據了重要的位置。隨著汽車越來越智能化，變得像「裝上輪子的數據中心」，上面需要更多的記憶體和存儲空間。 在關於新冠疫情擴散對半導體行業帶來的影響上，Sanjay Mehrotra與AMD執行長蘇姿豐博士以及英偉達CEO黃仁勛先生的看法是一致的，表示新冠疫情推動了從數據中心到PC再到智慧型手機的需求。當越來越多的人需要在家遠程工作時，會讓美光在相當長的一段時間內投資於先進技術，並盡快進入大批量生產階段，以滿足市場不斷增長的需求。 Sanjay Mehrotra曾在去年10月份與Fox Business交流過，當時他表示，美光將在未來十年內投資超過1500億美元，用於記憶體製造和研發（R&D），包括提高晶圓廠的產能。 ...

英特爾的Alder Lake是第一個支持DDR5記憶體的主流平台，不少消費者或許還在糾結如果購買第12代酷睿系列處理器，到底是採用DDR4還是DDR5記憶體。前者已是相當成熟，高頻低延遲產品實惠而且可靠，後者初期產品不但性能上沒有優勢，價格也高許多。 這種煩惱大概暫時可以緩緩了，因為DDR5記憶體目前遇到了些棘手的問題，而且很可能會持續好一段時間。據SeekingAlpha報導，近期美光執行長Sanjay Mehrotra在公司的財報電話會議上表示，由於電源管理IC（PMIC）和電壓調節模塊（VRM）供應短缺，影響了DDR5記憶體的出貨，導致使用上受到了限制，預計將持續到2022年下半年才會緩解。 過去是由主板負責記憶體模塊的電壓調節，但是到了DDR5時代，PMIC和VRM模塊已轉移到了記憶體上。這使得記憶體的電壓調節變得容易，並簡化了配備多條記憶體插槽的伺服器主板的設計和生產。記憶體模塊的轉變增加了其復雜性，需要DRAM廠商購買PMIC和VRM組件，不幸的是，恰巧遇上了半導體行業的嚴重短缺。 目前瑞薩電子、IDT、Montage Technologies和德州儀器都有出售用於DDR5記憶體的PMIC，不過似乎只有瑞薩電子的產品得到了英特爾的驗證，甚至三星自己的DDR5記憶體里也有部分產品使用的是瑞薩電子的PMIC。隨著明年初英特爾全面鋪開第12代酷睿系列處理器，DDR5記憶體的采購量將不可避免地增加。 這種情況並非沒有先兆，在一個多月前就有報導指出，隨著新冠疫情的擴散，影響了物流的運輸，加上供應鏈的短缺愈加嚴重，DRAM的生產也逐漸受到了影響。由於缺乏足夠的PMIC，使得DDR5記憶體在生產上出現了困難，不但價格變得更高，交貨周期也可能會更長。 ...

美光（Micron）宣布，將在美國亞特蘭大建立新的記憶體設計中心。美光表示，這是最先進的記憶體設計中心，新址會在2022年1月正式啟動。美光希望通過該項計劃，將業務范圍進一步擴大，同時可以利用當地的技術人才庫。此舉不但能提升美光在記憶體技術方面的領導地位，還能對當地社區產生積極的影響。 美國亞特蘭大地區附近有不少機構和院校，有較為豐富的教育資源，包括了埃默里大學、喬治亞理工、莫爾豪斯學院、斯佩爾曼學院、以及喬治亞大學。美光旨在與當地學校建立合作夥伴關系，更好地推動半導體技術的進步。美光在亞特蘭大的新研發中心將提供計算機硬體、電子電氣工程等STEM學科的工作崗位，大概會有500多個。 美光在一個多月前就宣布，計劃在未來十年內，在全球范圍內投資超過1500億美元，用於記憶體製造和研發（R&D），包括提高晶圓廠的產能，以滿足記憶體不斷增長的需求。美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra曾表示，記憶體處於半導體製造的前沿，為從功能豐富的5G智慧型手機到支持人工智慧的雲計算提供動力。美光在DRAM和NAND技術方面處於領先地位，希望將存儲器創新擴展到下一個十年，並為客戶提供差異化產品。 目前記憶體及存儲晶片在全球半導體市場中的份額約為30%，而且在不斷增長，美光的投資有助於進一步的技術研發。 ...

美光（Micron）宣布，已經與聯華電子（UMC）達成全球范圍內的和解協議。根據這份協議，雙方將在全球范圍內撤回向對方提起的訴訟，同時聯華電子將向美光一次性支付一筆款項。這筆款項將解決涉及美光DRAM工藝技術相關的索賠，金額不詳。美光表示，雙方未來仍會有合作的機會。 雖然美光和聯華電子都沒有透露這筆款項的具體金額，但美光最終不得不在其財務報告中披露，結果仍然是無法隱瞞。美國司法部在2018年11月對聯華電子提起訴訟，內容為非法獲取了生產DRAM所需的關鍵智慧財產權和商業機密（具體指的就是工藝技術），不過在2020年10月雙方達成了一項6000萬美元的和解協議。 早在2017年，美光就因相關問題對聯電提起訴訟，表示對方從其台灣的子公司挖走工程師，並要求提供美光製造技術的規格和其他特性。隨後聯華電子也做出了反擊，指控美光侵犯了其授權的專利。隨著美國司法部和聯華電子達成和解，美光和聯華電子之間持續四年的智慧財產權糾紛也得到了解決的機會。 聯華電子是目前世界第三大晶圓代工廠，僅次於台積電（TSMC）和三星，擁有十二座晶圓廠，其中四座為12英寸晶圓廠、七座為8英寸晶圓廠、以及一座6英寸晶圓廠。美光則是世界主要半導體儲存及影像產品製造商之一，存儲技術也處於領先位置，其主要產品包括DRAM、NAND快閃記憶體和CMOS影像傳感器等。 ...

美光（Micron）宣布，其高性能16Gb/16Gbps GDDR6記憶體解決方案現在已經可以用在基於RDNA 2架構的AMD Radeon RX 6000系列顯卡。這款最新版本的GDDR6記憶體採用美光先進的1z工藝技術，可以提供512 GB/s的帶寬，支持最先進的遊戲顯卡解決方案。 美光表示，一直為客戶推動前沿圖形技術產品的創新，這次與AMD的GPU合作，提供GDDR6超帶寬解決方案，可以增強用戶體驗，感受先進的遊戲性能。美光在開發高性能顯存方面有著悠久的歷史，目前正在與AMD的工程團隊密切合作，為基於RDNA 2架構的顯卡在GDDR6顯存方面做優化，為採用AMD Radeon RX 6000系列GPU的板卡廠商提供更多選擇和靈活性，以滿足遊戲玩家的需求。 據了解，部分AMD Radeon RX 6000系列顯卡已開始採用美光的GDDR6顯存，早期主要是搭載Radeon RX 6600/RX 6700系列GPU的產品，預計在2021年第四季度內就會開始出貨。 美光是在2019年開始採用1z工藝生產DRAM顆粒，是其第三代10nm級工藝，按一般半導體工藝理解，大概是在12-14nm級別。目前美光已開始使用1α工藝節點生產，首款採用新工藝的8Gb DDR4晶片在今年已經批量出貨了。與很多競爭對手不同，美光至少在未來幾年內都不會使用EUV光刻技術來生產存儲晶片，但仍需要增加存儲晶片的密度以降低單位成本，因此要通過使用新材料等其他技術手段來縮小DRAM晶片的尺寸。 ...

美光（Micron）宣布，計劃在未來十年內，在全球范圍內投資超過1500億美元，用於記憶體製造和研發（R&D），包括提高晶圓廠的產能，以滿足記憶體不斷增長的需求。記憶體和存儲晶片在全球半導體行業中所占的比重正不斷增長，目前約占半導體市場的30%份額。5G和人工智慧等領域是長期增長的動力，將擴大數據中心、邊緣計算和汽車等用戶設備上記憶體和存儲晶片的使用。 目前美光的生產和研發網絡遍布全球13個地區，在過去的近半個世紀里，總積累了超過4.7萬件專利。每年會花費數十億美元用於研發，大部分投資都用在美光位於美國總部運營的研發中心，這是世界最先進半導體技術開發中心之一，會進行前沿的研究、設計和開發工作。 美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra表示，記憶體處於半導體製造的前沿，為從功能豐富的5G智慧型手機到支持人工智慧的雲計算提供動力。美光在DRAM和NAND技術方面處於領先地位，希望將存儲器創新擴展到下一個十年，並為客戶提供差異化產品。 近日有媒體指，美光近期可能會將位於日本廣島的生產基地進行擴建。新建的晶圓廠將會在2024年投入使用，主要生產數據中心所使用的DRAM，預計將創造 2000至3000個就業機會。 ...

今年春天，台灣的晶片和顯示面板的生產受到了嚴重的乾旱影響，台積電（TSMC）、聯華電子（UMC）和美光（Micron）等晶片製造廠商不得不通過各種方式，保證生產用水的供應，以降低對生產的影響。美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra在與分析師和投資者的財報電話會議上表示，已成功減輕了台灣乾旱的影響，美光的產能並沒有減少，同時近期開始有降水，應該會有足夠的供水滿足美光的製造需求。 不過在現今的製造業里，供應鏈可能會遍布全球各個地區，使得生產上會有更多不確定性，近期台灣、印度和馬來西亞等地區新冠疫情變得嚴重，又為供應和業務前景蒙上了陰影。美光目前在台灣的晶圓廠負責生產DRAM晶片，新加坡的晶圓廠負責生產3D NAND晶片，在馬來西亞則設有測試、包裝和組裝的業務，並在印度有研發設施。美光因為馬來西亞的新冠疫情變得嚴重，不得不減少產能，以確保生產的安全。 不同地區的新冠疫情反復似乎只是一個短期的問題，但對晶片的普遍高需求和供應的不確定性足以對未來幾個季度的3D NAND和DRAM晶片產生影響。美光表示，半導體行業在未來幾個季度幾乎無法滿足對晶片的需求，預計到2022財年供應仍會持續緊張，使美光處於有史以來最好的位置。 ...

美光（Micron）宣布，已經與德州儀器（TI）達成協議，出售位於猶他州Lehi市的3D XPoint快閃記憶體晶片廠，預計這筆交易將在今年晚些時候完成。此次交易的價值約15億美元，包括9億美元現金，以及其他價值6億美元的設備和資產。美光得到的這部分設備和資產已經出售了一部分，剩餘的部分將重新部署到自己其他生產基地，或出售給其他買家。 這間位於猶他州Lehi市的3D XPoint快閃記憶體晶片廠還擁有一支技術隊伍，在先進半導體製造方面有很好的技術和經驗。德州儀器將在交易完成後，為該廠所有員工提供機會，並打算在這間晶圓廠部署自己的技術。美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra表示： 「我們很高興與德州儀器達成協議，因為它是一個行業領導者，重視這間晶圓廠的優秀團隊，以及該廠提供的技術能力。我們非常感謝Lehi團隊對美光的貢獻，以及美光與當地社區的合作和參與。」 在今年3月份，美光宣布將停止所有基於3D XPoint技術產品的進一步開發，並為數據中心業務尋求新的解決方案，未來會將重點轉移到開發支持Compute Express Link（CXL）標準的記憶體產品上，計劃將3D XPoint技術上的研發成果和資源投入其中。美光相信CXL在計算、記憶體和存儲之間可提供高性能的連接，以滿足人工智慧和數據分析的工作負載要求。 ...

美光宣布，目前已開始使用最新的1α工藝節點批量生產DRAM晶片。在今年年初，美光曾表示該工藝節點將用於8Gb和16Gb的DDR4和LPDDR4記憶體生產上，隨著時間的推移，計劃用於所有類型的DRAM，會顯著降低DRAM成本。 與很多同行業的競爭對手不一樣，美光至少在未來幾年內都不會使用EUV光刻技術來生產存儲晶片。美光也需要增加存儲晶片的密度以降低單位成本，因此要通過其他技術手段來縮小DRAM晶片的尺寸。美光1α與1Z工藝節點相比，單位密度提高了40%，功耗下降了20%，同時還能提供更好的潛在性能。美光還需要依靠使用新材料 目前使用1α工藝節點生產的8Gb DDR4晶片已經批量出貨了，這也是使用1α工藝節點的第一款晶片。在這個月末，美光還會出貨使用1α工藝節點生產的LPDDR4X晶片，最終整個產品線都會向1α工藝節點過渡，包括DDR5、HBM2e和GDDR6/GDDR6X晶片。美光首先在台灣台中的A3晶圓廠使用了1α工藝節點進行生產，接下來其他晶圓廠也會使用這項新技術。同時美光已完成基於1α工藝生產的DDR4記憶體在最新伺服器平台上的驗證，包括AMD第三代EPYC（Milan）系列處理器。 美光還展示了用戶伺服器的DDR5記憶體模塊，並透漏其DDR5技術賦能計劃的情況，有望在今年晚些使用出貨DDR5 DRAM IC和記憶體模塊。美光是第一家公開分享DDR5開發進度的企業，由於新一代記憶體技術和以往的標準有很大的不同，需要各方盡早合作做好准備。 美光在2020年啟動了DDR5技術賦能計劃（TEP），目的是使支持DDR5記憶體的平台得到更好的開發，為開發者和使用者提供所有的關鍵技術信息，同時美光還會向參與這項計劃的成員提供DDR5記憶體的模塊和零配件樣品。 ...

美光宣布推出兩款採用業界首款176層3D TLC NAND快閃記憶體晶片的新款SSD，分別是2450系列和3400系列，均支持PCI-E 4.0，以針對不同類型的PC和市場。美光表示這些SSD正在生產中，很快就會出現在零售市場上。 2450系列SSD針對的是主流PC市場，提供了M.2 2280/2242/2230三種不同外形的規格，並提供了256GB、512GB和1TB三種容量。其中256GB版本的順序讀寫速度分別為3600MB/s和1600MB/s，4K隨機讀寫分別為190000和400000 IOPS。512GB和1TB版本的順序讀寫速度分別為3600MB/s和3000MB/s，前者4K隨機讀寫分別為380000和500000 IOPS，後者4K隨機讀寫分別為450000和500000 IOPS。 3400系列SSD則是針對高性能應用的市場，採用M.2 2280規格，提供了512GB、1TB和2TB三種容量。其中512GB版本的順序讀寫速度分別為6600MB/s和3600MB/s，4K隨機讀寫分別為360000和700000 IOPS。1TB和2TB版本的順序讀寫速度分別為6600MB/s和5000MB/s，前者4K隨機讀寫分別為630000和700000 IOPS，後者4K隨機讀寫分別為720000和700000 IOPS。 美光表示2450系列和3400系列SSD使用了自研主控晶片，支持NVMe 1.4，但配置上可以更加靈活，如果有必要，可以使用第三方的主控晶片。鑒於存儲設備的晶片短缺情況也頗為嚴重，美光這種做法並不奇怪。 除了推出2450系列和3400系列SSD以外，美光還將其96層3D NAND快閃記憶體用於旗下首款UFS 3.1汽車級存儲設備上。與美光原有的UFS 2.1存儲設備相比，其持續寫入性能提高了50%，並計劃在今年第三季度投入生產。 ...

美光宣佈將出售位於猶他州Lehi市的3D XPoint快閃記憶體晶片廠，計畫在2021年底前出售該晶圓廠，並完全退出3D XPoint技術業務。 據TomsHardware報導，美光將停止所有基於3D XPoint技術產品的進一步開發，原因是需求不足，沒有足夠的市場規模去驗證用於3D XPoint技術大規模商業化的持續投資方面的合理性。據瞭解，美光今年在3D XPoint產品線已經虧損了4億美元。 3D XPoint技術是英特爾與美光長達10年共同研發的革命性存儲技術，於2015年首次對外宣佈其合作成果，2018年雙方結束了聯合開發工作，美光以15億美元買斷了英特爾對應的業務。雖然英特爾繼續在傲騰產品線上使用3D XPoint快閃記憶體晶片，但依賴美光的供貨，雙方的供應協議將在今年年底結束。美光打算保留其手上與3D XPoint相關的所有智慧財產權，這點不會因為出售3D XPoint快閃記憶體晶片廠而改變。 英特爾在新墨西哥州的晶圓廠中為自己的傲騰產品線生產3D XPoint快閃記憶體晶片，但不清楚其具體產量。雖然英特爾已經將NAND快閃記憶體業務出售給了SK海力士，但仍可能接盤美光這間晶圓廠以保證自己產品線的供應，畢竟英特爾在數據中心等企業產品線中仍然提供使用3D XPoint技術的相關產品。 美光曾公佈了幾款基於3D XPoint快閃記憶體晶片的存儲設備，例如X100，但一直沒有正式上市，這使得英特爾成為唯一出售採用3D XPoint快閃記憶體晶片產品的供應商。 美光表示，未來會將重點轉移到開發支持Compute Express Link（CXL）標準的記憶體產品上。CXL作為一個開放的記憶體標準，美光計畫將3D XPoint技術上的研發成果和資源投入其中。 來源：超能網

美光宣布使用新型1α製造工藝生產的DRAM開始批量出貨，這是目前世界上最先進的DRAM製造技術。1α製造工藝最初會用於8Gb和16Gb的DDR4和LPDDR4記憶體生產上，隨著時間的推移，未來將用於所有類型的DRAM，有望顯著降低DRAM成本。 到目前為止，美光已將其DRAM生產的很大一部分轉移到了1Z nm節點，該節點既提供高位密度（較低的單位成本）又提供高性能。美光表示，從利潤率和產品組合角度來說，現在的感覺相當好。美光的1α製造工藝預計將比1Z（成熟的成品率）將記憶體密度提高40％，這將相應降低生產者的單位成本。  此外，該技術的功耗降低了15％，而且性能更高。美光1α製造工藝其中很重要的一點是，印證了僅靠光刻技術的改進，不足以使DRAM製造成本降低。像上一代產品一樣，美光的1α節點繼續使用6F2位線設計。 與行業內很多企業不同，美光不打算在短期內使用EUV光刻技術來生產存儲晶片。美光接下來的三個DRAM工藝節點將繼續使用深紫外線（DUV）光刻技術，不過會不斷進行評估，時機成熟的時候會適當引入。 即使沒有EUV光刻技術，美光也承諾在下一代存儲設備中提高性能和功耗，盡管難度越來越大。 1α製造工藝首先會在台灣的桃園和台中的工廠中使用，最先出貨的是面向超算市場的DDR4記憶體以及英睿達 (Crucial) 消費級DRAM產品。美光同時也已開始向移動客戶提供LPDDR4樣片進行驗證，將在2021年內推出基於該技術的更多新產品。 ...

據TomsHardware報導，美光在財務電話會議中表示，晶圓廠在2020年12月3日的停電和2020年12月10日的地震，會讓這一季度DRAM的出貨量減少。由於美光是全球主要的DRAM生產企業，其出貨量的減少勢必會影響價格。 壞消息 2020年12月初，美光在台灣的晶圓廠遭遇了兩次生產中斷。12月3日，美光位於桃園市附近的11號晶圓廠突然停電，持續了一個多小時，導致工廠癱瘓。隨後，台灣東北沿海發生6.7級地震，迫使美光在12月10日將其桃園附近的11號晶圓廠和台中附近的16號晶圓廠生產下線。美光在12月4日的時候表示，停電的影響微乎其微，11號晶圓廠將在隨後幾天內恢復正常運行，12月11日又發表報告稱，16號晶圓廠沒有發現問題，顯然這兩次生產中斷足以影響美光本季度DRAM的供應。 由於美光沒有提供足夠清晰的數據，因此目前不能確定美光出貨量的減少對整個DRAM價格的影響有多大，也不清楚是否已經將其計入當前的價格中。同時美光表示，DRAM的需求在逐漸增加，定價也在逐漸增加。事實上，雖然晶圓廠的生產中斷讓美光損失了不少錢(設備閒置時會帶來損失)，但價格的上漲和需求的增長讓美光賣掉現有庫存就能獲利。 好消息 在美光2021財年第1季(截至2020年12月3日)約57.73億美元的營收中，DRAM業務占了70%，也就是40.56億美元。圖形記憶體又在其中占了一部分，這是一個可以帶來可觀的利潤的高利潤業務。在本季度，美光開始出貨GDDR6X顯存以及HBM2E顯存，由於AMD、微軟、英偉達和索尼的產品都使用了8GB到16GB的GDDR6新產品，使得美光在夏季和秋季大幅增加了GDDR6的出貨量。 面臨的問題 個人電腦、遊戲機、顯卡、伺服器和智慧型手機的強勁需求明顯增加了對記憶體的需求，從而推動了DRAM的價格。 問題是，供應鏈中斷導致特定組件的短缺，這種需求無法得到滿足，反過來這些短缺限制了對記憶體等產品的需求，要不是記憶體的總體產量還能更高一些。  事實上，封裝組件的短缺影響了AMD、蘋果和英偉達等公司的供應，顯然限制了DDR4、GDDR6/GDDR6X和LPDDR4X的需求。美光負責人在電話中強調，其公司在2021財年第1季度還沒有面臨化學品或耗材的短缺，然而他承認，現在的半導體行業在生產供應鏈上存在問題。 ...

美光於8月15日宣布他們將開始使用1z納米工藝進行DRAM顆粒的生產，同日他們還宣布大容量的LPDDR4X記憶體顆粒已經開始量產了，並且提供將NAND和DRAM兩種顆粒封裝到一起的晶片。 DRAM製造行業的製程更新要比做計算晶片的慢一些，鎂光的1z納米工藝是他們在10納米節點的第三代工藝，在六月份美光第三季度的財報會議准備文件中，他們就已經將邁入1z納米工藝作為下一個財年的重要事項寫進去了。而同時他們實際進入1z納米工藝的時間也比內部時間表要早那麼一些。 對於DRAM來說，更新的工藝能夠做出單片容量更加大的記憶體顆粒來，也更加的省電。而首批採用1z納米工藝的產品將是美光新的16Gb容量的DDR4以及LPDDR4X記憶體顆粒，尤其是後者，對於目前移動端越來越大的記憶體大小和帶寬的需求，容量越大、速度越高並且更加省電的記憶體顆粒是移動廠商們的最愛，美光的大容量LPDDR4X顆粒還正好趕上了Intel的IceLake處理器開始正式出貨，而新的處理器加上了對於頻率為3733MHz的LPDDR4X記憶體支持，在中高端輕薄筆記本市場上面，美光的新顆粒也有很大的市場了。 而對於大容量的DDR4顆粒來說，它們的用途多在製造大容量記憶體條上面，目前單條32GB的產品還沒成為桌面端的主流，但是對於工作站和伺服器來說，這種單條大容量的記憶體條是剛需。 在提供8x16Gb也就是16GB大小、最高頻率可以達到4266MT/s的記憶體的同時，美光還提供了一種基於UFS的多晶片封裝方式——uMCP4，它可以將NAND和DRAM整合在一個封裝中，目前有64GB+3GB和256GB+8GB兩種配置，這種封裝可以減少存儲晶片們所占據的位置。 ...