三星半導體宣布，通過結構創新，實現了基於MRAM(磁阻隨機存取存儲器)的記憶體內計算(In-Memory Computing)，進一步拓展了三星的下一代低功耗人工智慧晶片技術的前沿領域。
在傳統的計算體系中，記憶體中的數據要轉移到處理晶片的數據計算單元中進行處理，對於帶寬、時延要求非常高。
記憶體內計算則是一種新的計算模式，也可以叫做「存算一體化」，在記憶體中同時執行數據存儲、數據計算處理，無需往復移動數據。
同時，記憶體網絡中的數據處理是以高度並行的方式執行，因此提高性能的同時，還能大大降低功耗。
對比其他存儲器，MRAM磁阻記憶體在運行速度、壽命、量產方面都有明顯優勢，功耗也遠低於傳統DRAM，關鍵是還具有非易失的特點，即斷電不會丟失數據。
不過一直以來，MRAM磁阻記憶體很難用於記憶體內計算，因為它在標準的記憶體內計算架構中無法發揮低功耗優勢。
三星研究團隊設計了一種名為「電阻總和」(resistance sum)的新型記憶體內計算架構，取代標準的「電流總和」(current-sum)架構，成功開發了一種能演示記憶體內計算架構的MRAM陣列晶片，命名為「用於記憶體內計算的磁阻記憶體交叉陣列」(crossbar array of magnetoresistive memory devices for in-memory computing)。
這一陣列成功解決了單個MRAM器件的小電阻問題，從而降低功耗，實現了基於MRAM的記憶體內計算。
按照三星的說法，在執行AI計算時，MRAM記憶體內計算可以做到98％的筆跡識別成功率、93％的人臉識別准確率。
來源：快科技
