從7nm製程節點開始，三星在工藝研發和生產上就一直不順利，過去兩年里5nm和4nm工藝生產的晶片，無論效能還是良品率都存在較大問題。雖然三星在2021年高調地進行半導體擴張計劃，確認3nm製程節點將引入全新的GAAFET全環繞柵極電晶體，並計劃2022年上半年量產第一代3nm工藝，不過似乎遇到了更大的困難。
據DigiTimes報導，有報告詳細介紹了三星在3nm製程節點和GAA技術上的進展，顯示3nm工藝也是困難重重，良品率徘徊在10%到20%之間，遠不及預期。目前三星在4nm工藝生產上已相當掙扎，雖然取得了Snapdragon 8 Gen 1的訂單，但是良品率也僅在35%左右，這也解釋了為什麼即便要加價，高通也打算將Snapdragon 8 Gen 1 Plus的訂單轉移給台積電。如果三星在3nm工藝上的生產情況屬實，將難以爭取訂單，很可能會失去高通和英偉達這些大客戶。
有消息人士透露，三星會首先將3nm工藝用在自家晶片的生產上，很可能是Exynos系列新產品。此前三星移動業務總裁TM Roh在內部會議上表示，將開發針對Galaxy系列設備的定製SoC，不清楚是否與之有關。
台積電計劃在N3製程節點仍使用FinFET電晶體，要到N2製程節點才會引入GAA技術，預計後者會在2025年末進入大批量生產。暫時沒有台積電因轉向GAA技術而遇到困難的消息，一般來說，台積電在晶片生產質量上要比三星好一些。
來源：超能網
