快科技4月16日消息，三星計劃在本月晚些時候開始量產第九代V-NAND快閃記憶體，可用的堆疊層數達290層，相比現在的236層只增加不到23％。
這一代新快閃記憶體將採用新的堆疊架構，底部是CMOS層加邏輯電路，上邊是145層快閃記憶體陣列，再上邊又是145層快閃記憶體陣列。
這種方法雖然更復雜，但是良品率可以得到很好的保障，而且可以輕松進一步拓展。
按照三星的規劃，2025年下半年將量產第十代V-NAND，進一步堆疊到430層。
更遙遠的未來，三星可能會在2030年左右做到1000層。
中國長江存儲可能會在今年下半年量產300層，SK海力士計劃明年初量產321層，
來源：快科技
