自從快閃記憶體進入3D時代，堆棧層數猶如摩天大樓一樣越來越高，從最初的24/32層一路堆到了現在的128層甚至176層。三星下一代的第八代V-NAND快閃記憶體有望超過200層，未來還可以做到1000層。
目前全球半導體晶片產能緊張，NAND快閃記憶體本身也是牛市周期，三星准備藉此機會擴大生產規模，現在韓國平澤市的存儲晶片工廠已經是全球最大的，三星計劃建設第二座平澤工廠。
在快閃記憶體技術上，三星的128層V-NAND快閃記憶體已經量產，2021年下半年則會量產第7代V-NAND快閃記憶體，堆棧層數提升到176層。
在「蓋樓」層數上，三星實際上已經落後於美光，後者在去年底就推出了176層3D快閃記憶體，並且量產了，三星現在要奮起直追了。
超越美光的希望就是再下一代的第8代V-NAND快閃記憶體，堆棧層數有望超過200層，不過三星沒公布具體情況，預計要到明年下半年才有可能量產。
至於未來的層數還能堆多高，早前有消息稱超過500層的話就會遇到難以克服的瓶頸，是當前3D堆棧的極限了，但三星的目標是希望超過1000層，這個就需要很多技術突破了。
來源：快科技
