Tag: 存儲

TrendForce發布了新的調查報告，分別針對2024年第二季度DRAM和NAND快閃記憶體的價格趨勢。兩者都會延續過去多個月的增長趨勢，不過DRAM合約價季漲幅將縮小至3~8%，而NAND快閃記憶體則會保持強勢，合約價將上漲約13~18%。 目前DRAM供應商庫存雖然已經降低，但是還沒有回到健康的水平，而且在虧損狀況逐漸改善的情況下，進一步提高了產能利用率。比較麻煩的是，今年市場整體需求展望不佳，加上去年第四季起供應商已大幅度漲價，導致客戶庫存回補動能逐漸走弱。 不同細分市場的情況也有所區別：PC DRAM方面，順應逐步轉向DDR5的趨勢，第二季度采購量上升，隨著原廠大幅轉進至先進位程生產DDR5，成本優化使原廠獲利明顯改善；Server DRAM方面，雖然買房庫存增加，但實際滲透率至今年第一季仍不如預期，意味著需求沒有完全兌現；Mobile DRAM方面，買方庫存處於健康水平，需求沒有明顯回溫跡象，拉漲趨勢緩和；Graphics DRAM方面，采購端備貨動能延續，加上原廠將產能轉向HBM產品，對GDDR產品的生產規劃相對保守，漲價有支撐；Consumer DRAM方面，除AI外需求偏弱，漲幅將收斂。 除了鎧俠和西部數據在今年第一季度提升產能利用率外，其他供應商大致維持低投產策略。雖然第二季度NAND快閃記憶體采購量出現小幅度下滑，但收到供應商庫存降低和減產效應影響，漲勢仍較為強勢。在eMMC、UFS、Enterprise SSD、Client SSD和NAND Flash Wafer這些細分市場里，以Enterprise SSD漲幅最高。受惠於北美和中國雲端服務行業需求上升，采購量增加，Enterprise SSD合約價按季度增長20~25%，漲幅遠高於其他產品。 ...

西部數據宣布，推出24TB WD Red Pro機械硬碟（部件號WD240KFGX），這是專門針對NAS（網絡附加存儲）應用環境而設計的。值得一提的是，其屬於CMR（垂直記錄）機械硬碟，標志著西部數據進一步擴大了該類產品的應用范圍。其實西部數據去年就推出了24TB的機械硬碟，不過面向的是超大規模、雲端和企業數據中心客戶。 24TB WD Red Pro機械硬碟適用於商業/企業級NAS系統，提供了高達250萬小時的MTBF，具有振動保護技術，旨在處理每年高達550TB的工作負載，西部數據還提供了五年保修，並強調了其可靠性和耐用性。該機械硬碟配備了振動補償系統，帶有RAID錯誤恢復控制功能，可減少多盤位RAID系統中的故障發生機率。 24TB WD Red Pro機械硬碟採用了最新的OptiNAND架構，特殊之處在於PCB上集成了iNAND嵌入式通用快閃記憶體驅動器（EFD），帶有512MB的緩存，再結合一系列的技術，以有效提升硬碟容量、性能和可靠性。其轉速為7200 RPM，最大數據傳輸速度達到了287 MB/s，比起22TB版本的265 MB/s會更快一些。 官網顯示，24TB WD Red Pro的定價為569.99美元，西部數據希望新產品可以與希捷今年早些時候發布的IronWolf Pro 24TB競爭。 ...

微星宣布，推出SPATIUM M580 FROZR，這是一款PCIe 5.0 SSD，配有一個大型的塔式散熱器，還帶有熱管。微星表示，憑借尖端技術和創新的散熱解決方案，新產品重新定義存儲解決方案的速度和可靠性標准，開創了存儲性能的新時代。 SPATIUM M580 FROZR採用了群聯電子的E26主控晶片，搭配的是232層的3D NAND快閃記憶體，大機率是美光的晶片。其提供了14.6 GB/s的連續讀取速度和12.7 GB/s的連續寫入速度，相比一般的PCIe 4.0 SSD有著翻倍的性能提升。得益於DRAM緩存和SLC緩存設計，使得SSD的性能進一步提升，全面滿足遊戲、內容創建和專業應用程式的使用需求。此外，新產品還配備了LPDC ECC和E2E數據保護功能，確保數據完整性和可靠性。 SPATIUM M580 FROZR最引人注意的當屬搭配的塔式散熱器，配有三根熱管和大量鋁制鰭片，最大限度地增加了與空氣的接觸面積，從而提升了散熱能力。微星宣稱，能讓SSD的工作溫度降低20多攝氏度，將性能發揮到極致，即便在繁重的工作負載下也能保持穩定的性能輸出。 用戶還可以在MSI Center中看到有關SSD狀態的全面信息，包括運行狀態、已使用容量和當前工作溫度。同時微星還與軟體廠商Actiphy合作，所有購買和安裝了微星SSD的用戶可以使用Actiphy提供的數據備份功能。 首批SPATIUM M580 FROZR有三種容量可選，分別是1TB、2TB和4TB，微星為其提供了五年保修。微星暫時沒有公布SPATIUM M580 FROZR的售價，以及具體的上市時間。 ...

本月初，JEDEC固態存儲協會正式發布了JES239 Graphics Double Data Rate 7，即GDDR7的標准。隨後在英偉達GTC 2024上，三星和SK海力士都展示了自己的GDDR7晶片，這是為接下來基於Blackwell架構的Geforce RTX 50系列顯卡所准備的，未來也會用於人工智慧、高性能計算和汽車等應用。 有網友發現，目前速率為28Gbps（頻率3500MHz）和32Gbps（頻率4000MHz）的GDDR7產品頁面已經在三星官網上線，對應的晶片型號分別為K4VAF325ZC-SC28和K4VAF325ZC-SC32，均為16Gb（2GB）的模塊。信息顯示，兩款晶片都已向客戶提供了樣品，意味著很快會進入批量生產階段。 與現有GDDR6使用的NRZ/PAM2或GDDT6X的PAM4信號編碼機制不同，GDDR7採用的是PAM3信號編碼機制。NRZ/PAM2每周期提供1位的數據傳輸，PAM4每周期提供2位的數據傳輸，而PAM3每兩個周期的數據傳輸為3位。 其實早在去年7月，三星就宣布完成了業界首款GDDR7晶片的開發工作，每個數據I/O接口的速率達到了32Gbps。三星承諾能效方面GDDR7相比GDDR6會有20%的提升，為此引入了幾項新的技術，比如具有高導熱性的環氧模塑化合物（EMC），讓GDDR7封裝的熱阻降低了70%，以確保有源組件不會過熱，在高速運轉時仍有穩定表現。 ...

上周美光在英偉達GTC 2024上，展示了單條256GB的DDR5-8800內存，屬於MCRDIMM模塊。這是針對英特爾下一代伺服器產品設計的，比如代號Granite Rapids的至強可擴展伺服器處理器。 據TomsHardware報導，這次美光展示的單條256GB的DDR5-8800內存屬於非標准高度的款式，當然美光也准備了為1U伺服器設計的標准高度款。高款內存採用了32Gb DDR5晶片，每一面有40塊晶片，兩面加起來共80塊；標准高度款同樣採用了32Gb DDR5晶片，不過是2層堆疊封裝，在空間較小的情況下，運行溫度會更高一些。兩款高度不同的內存的功耗一樣，大概為20W。這功耗水平並不高，作為對比，美光128GB的DDR5-8000運行在DDR5-4800時的功耗為10W。 MCRDIMM是由英特爾和SK海力士及瑞薩合作開發的，也就是Multiplexer Combined Ranks DIMMs（多路合並陣列雙列直插內存模組），初始的規格為DDR5-8000。據了解，AMD也准備了一個類似的產品，叫做HBDIMM，不過兩者存在一些差異。 根據去年英特爾的展示，Granite Rapids與DDR5-8800的MCRDIMM內存模塊搭配，在雙路系統里的內存帶寬將達到1.5 TB/s。Granite Rapids支持12通道內存子系統，每個通道支持兩個內存模塊，如果使用DDR5-8800的MCRDIMM內存模塊，意味著可以提供3TB（12個插槽）或6TB（24個插槽）的容量。 據了解，美光目前已經向廠商提供了單條256GB的DDR5-8800內存樣品。 ...

美光目前在高帶寬存儲器（HBM）市場處於相對劣勢，但隨著手握英偉達的供應協議，供應用於H200的HBM3E，憑借工藝上的優勢，情況看起來正在迅速發生變化。美光正磨拳擦掌，大有大規模搶奪HBM市場的態勢。 近日美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra在2024財年第二財季財報會議上表示，美光2024年的HBM產能已經售罄，2025年大部分產能的供應也已經分配完畢，預計HBM產品的出貨占比將在明年大幅度攀升。2024財年美光將從HBM產品上獲得數億美元的收益，從2024財年第三財季開始，HBM產品收入將增加並提高整體毛利率。 由於需要更多地製造HBM，極大影響了美光其他DRAM的產能，限制了普通內存產品的供應。Sanjay Mehrotra坦承，在同一製程節點生產同等容量下，HBM3E的晶圓消耗量是標准DDR5的三倍，隨著性能及封裝復雜程度的提高，未來HBM4的消耗量會更大。 這一定程度上與HBM的良品率更低有關，由於需要多層DRAM通過TSV堆疊，只要其中一層出現問題，就意味著整個堆棧報廢。現階段HBM的良品率也就在60%到70%之間，明顯低於普通的DRAM產品。 不只是美光，此前SK海力士和三星都已表示，在人工智慧（AI）和高性能計算（HPC）的巨大需求推動下下，2024年的HBM產能已經排滿。 ...

前天我們報導了三星展示新一代GDDR7顯存，而作為內存巨頭的SK海力士也隨後展出了自家的GDDR7顯存。SK海力士的GDDR7顯存容量涵蓋16-24Gb，傳輸速度可達40Gbps，比三星所展出的GDDR7顯存快8Gbps，並且可以提供160GB/s的顯存帶寬。 而根據以上信息，不難算出未來SK海力士GDDR7的顯存規格： 除了上述信息外，SK海力士並沒有披露更詳細的信息，像運行電壓、功耗、顯存熱阻等信息都未知，只是籠統地介紹了GDDR7的一些標准特性。不過這次展示出來的顯存傳輸速度比早些時候披露的35.4Gbps快上不少，甚至比三星最快的37Gbps GDDR7顯存還要快3Gpbs，這很有可能會打擊三星在新顯卡供應鏈上的地位。 除了GDDR7顯存以外，SK海力士還展出了服務於移動端的LPDDR5T內存和DDR5 MCR DIMM伺服器內存，後者單條容量可達64GB，傳輸速度8800Mbps，運行電壓為1.1V。 ...

快科技3月22日消息，三星SDI在韓國京畿道龍仁市的基興工廠於3月21日下午發生火災，消防人員迅速撲滅了大火。 火災原因初步認定為建築工地焊接引發，但具體損失仍在調查中。 此次火災可能對存儲晶片市場價格產生影響，有行業人士預計存儲晶片價格將進一步上漲。 存儲晶片價格已經出現過一定程度的漲幅，而三星正在推動存儲價格至少漲幅20%。 過去一年多來，NAND快閃記憶體的價格一直持平成本，但現在三星計劃與大客戶談判，將價格調整至合理水平。 當前，NAND的臨時交易價格一直在上漲，部分品類價格已經超過了2022年1月的水平，市場上仍然存在著減產帶來的不安情緒。 在供應鏈庫存有所改善但價格依然上漲的情況下，一季度下遊客戶為避免供貨短缺和成本風險，將繼續增加NAND快閃記憶體的采購訂單。 來源：快科技

在英偉達GTC 2024大會期間，SK海力士以「Memory, The Power of AI（存儲器，人工智慧的驅動力）」為主題，展示了包括12層HBM3E、CXL（Compute Express Link）和PCIe 5.0 SSD在內的眾多產品。其中與普通玩家最為密切的，要數基於「PCB01」的消費端產品，型號為Platinum P51的高性能PCIe 5.0 SSD。 SK海力士表示，「PCB01」已從全球主要客戶處完成了對該產品性能和穩定性的驗證，計劃於上半年內完成開發，並在今年內面向大型客戶和普通消費者推出。其代號「Alistar」的主控晶片為SK海力士自研，搭配的是238層3D TLC NAND快閃記憶體，連續讀取速度可達到14GB/s，連續寫入速度為12GB/s，是目前行業最高速度的產品之一。 PCB01專為AI PC端優化設計，相較於上一代產品，速度提升了2倍，可在1秒內實現加載需要用於人工智慧學習和推理的大型語言模型（LLM）。同時PCB01的功耗效率比起上一代產品提升了30%，可有效管理大規模AI計算的功耗需求。此外，SK海力士的技術團隊還應用了SLC緩存技術，使部分NAND快閃記憶體存儲單元能夠以高速的SLC模式運行，僅迅速讀取和使用必要數據，以提高讀寫速度。 不過根據SK海力士提供的資料，Platinum P51的讀寫速度分別為13.5GB/s和11.5GB/s，比起PCB01略慢一些。Platinum P51將提供500GB、1TB和2TB產品，SK海力士暫時沒有給出具體上市時間以及定價的信息。 ...

JEDEC在本月月初制定了GDDR7顯存的具體標准，在正在舉行的GTC 2024上NVIDIA只帶來了數據中心的產品，並沒有展示為遊戲而准備的Blackwell架構，但三星帶來了為新一代顯卡所准備的GDDR7顯存。 目前來看NVIDIA下一代RTX 50系顯卡極大機率會採用GDDR7顯存，而三星則會成為新顯存的重要供應商之一，hardwareluxx在GTC會場上拍到了三星所展示的GDDR7顯存。GDDR7顯存的頻率將從28~32Gbps起跳，未來計劃會有速度更快的37Gbps版本，但從目前泄露的RTX 50系顯卡信息來看，新顯卡可能無法充分發揮GDDR7的速度，因為顯卡的顯存頻率被設置在28Gbps。 三星現場所展示的GDDR7顯存速度是32Gbps，和目前最快的GDDR6X相比帶寬提升了33%，而GDDR7的額定電壓是1.1V，這點與GDDR6是一樣的，而GDDR6X則需要1.35V，這意味著更高的能耗比，此外三星表示新的顯存熱阻降低了70%，這能降低運行時所產生的熱量，散熱會比GDDR6X更容易。 雖然關於下一代GeForce顯卡的傳聞有許多，但發布時間還是不確定的，NVIDIA可能會在今年某個時間發布RTX 50系列顯卡，屆時我們才能看到新一代GDDR7顯存具體的表現。 ...

快科技3月20日消息，據媒體報導稱，華為正在積極研發一種前沿的“磁電”存儲技術，該技術有望徹底改變數據存儲行業的格局。 據悉，這種新型“磁電磁碟”（MED）技術不僅在速度上遠超現有的SSD等存儲設備，更在能效和容量上實現了前所未有的突破。 在能耗方面，新型“磁電”存儲每PB耗電僅為71W，相比傳統的磁性硬碟驅動器（HDD）節能高達90%，這無疑為數據中心和大型企業節省了大量的能源成本。 在性能方面，華為預計每機架的MED性能將達到驚人的8GB/，這一速度比檔案磁帶裝置的最高性能提升了2.5倍。這將極大地提升數據中心的數據遷移速度，使其在處理大規模數據時更加高效。 此外，新型“磁電”存儲技術還在容量上實現了突破。第一代MED設備預計每個“磁碟”可提供約24TB的容量，使得一個機架系統能夠積累超過10PB的數據。 而令人驚訝的是，在提供如此巨大容量的同時，該系統的功耗僅為2千瓦。該解決方案將於2025年推出。 來源：快科技

SK海力士今日宣布已開始量產最新款內存產品HBM3E，並將於3月下旬供貨給主要客戶，其中包括擁有基於Hopper架構的H200和基於BlackWell架構的B200 GPU的英偉達。 SK海力士是首家HBM3E供應商，於2023年8月份完成HBM3E存儲器的開發，上個月向英偉達發送了新款12層堆疊HBM3E樣品進行測試，如今宣布量產的HBM3E存儲器應該是8層堆疊的產品，容量為24GB。SK海力士表示，其最新的HBM3E產品在速度和熱量控制上是目前業界內最好的。最新款HBM3E每秒可處理1.18TB的數據，相當於在一秒內處理230多部全高清電影（每部 5GB）。同時，SK海力士的HBM3E產品在採用Advanced MR-MUF工藝後，與上一代產品相比，散熱性能也提高了10%，減少了積熱的可能性。 SK海力士HBM業務負責人Sungsoo Ryu表示，HBM3E的量產完善了公司AI存儲器產品陣容，並希望以HBM產品線的成功經驗，進一步提升客戶對公司的信心，穩固與前者的關系，夯實公司在AI存儲器供應領域的領先地位。 之前也有報導稱，為了應對競爭更加激烈的存儲器市場，SK海力士曾擬計劃於美國印第安納州建造晶圓廠，以及在韓國本土投資10億美元建造先進的HBM封裝設施，如今率先量產HBM3E產品，無疑使SK海力士在未來存儲器市場里占得一定先機。 ...

快科技3月19日消息，調研機構TrendForce給出的報告顯示，隨著SSD等存儲持續漲價，這也讓不少頭部廠商開始來擴大產能。 在NAND Flash漲價將持續至第二季的預期下，部分供應商為了減少虧損、降低成本，並寄望於今年重回獲利。今年三月起鎧俠、西部數據率先將產能利用率恢復至近九成，其餘業者均未明顯增加投產規模。 據悉，本次擴大投產主要集中112層及部分2D產品，有望在今年實現獲利，並進一步帶動2024年NAND Flash產業供應位元年增率達10.9%。 TrendForce預計，NAND Flash合約價漲幅自第二季起，將收斂至10~15%，至第三季會再降至0~5%。 在這之前，經歷一年多的供過於求之後，三星電子的 NAND 快閃記憶體售價一度持平成本，因此其計劃與大客戶進行談判，將價格拉回到合理水平上。 現在的情況是，NAND的臨時交易價格一直在上漲，部分品類價格已高於2022年1月水平，市場仍然彌漫著減產帶來的不安情緒。 來源：快科技

近年來高帶寬內存（HBM）的需求急劇上升，尤其是人工智慧（AI）熱潮的到來，讓這一趨勢愈加明顯，HBM產品的銷量節節攀升。雖然去年存儲半導體行情疲軟，但是HBM3這類高附加值產品需求激增，填補了存儲器廠商其他產品的損失。此前有報導稱，隨著英偉達和AMD等公司大量生產AI GPU，市場需求飆升了500%，而且價格創下了歷史新高。 TrendForce發布了新的調查報告，顯示由於HBM產品售價高、利潤高，讓存儲器廠家選擇擴大資本支出，預計至2024年底，整體DRAM產業規劃生產HBM TSV的產能約為250K/m，占總DRAM產能（約1,800K/m）約14%，供給位元年成長約260%。此外，2024年HBM產值占比將達到DRAM產業約20.1%，相比2023年8.4%大幅增長。 從HBM和DDR5的生產差異來看，在相同製程和容量的情況下，HBM晶片比起DDR5晶片的尺寸大了35%至45%，但是良品率卻低了20%至30%，生產周期也會多出1.5到2個月。由於HBM生產周期更長，加上投產和封裝部分，需要兩個季度以上才能完成生產。如果買家想保持充足的供應，需要更早地鎖定產能。據了解，大部分2024年的訂單都已遞交給供應商，除非有驗證無法通過的情況，否則這些訂單量均無法取消。 目前SK海力士和三星的HBM產能規劃都非常積極，三星HBM總產能至年底將達約130K（含TSV），而SK海力士約120K。雖然現在SK海力士占據了超過90%的HBM3市場，不過三星會在之後的幾個季度里放量，伴隨AMD的Instinct MI300系列到來。 ...

《存儲大戰：神經潛入者》是一款復古賽博朋克風格的神秘冒險遊戲，由Chorus Worldwide發行，MidBoss開發，將於5月16日在PlayStation 5、Xbox Series、Switch以及Steam和Epic Games Store上推出，售價為$14.99 / £12.79 / €14.79。此外，遊戲還將提供實體版，標准版售價為$44.99，收藏版售價為$99.99，將在PlayStation 5和Switch上通過Serenity Forge零售發售，現已接受預訂。 遊戲概述： 《存儲大戰：神經潛入者》是MidBoss旗下遊戲《2064: 存儲大戰》世界中的下一個神秘冒險故事。玩家將回到充滿活力的賽博朋克世界Neo-San Francisco，與熟悉而友好的角色相遇，包括基因改造的律師Jess Meas、臭名昭著的黑客TOMCAT以及前警察轉型為私家偵探的Lexi Rivers。 在遊戲中，玩家將扮演ES88，一名有著讀取記憶能力的心靈感應者，受僱於專門從事神經技術和超感官投影現象的強大組織MINERVA。玩家的任務是追蹤名為Golden Butterfly的自然天賦超能力者，通過Neurodiver搜索其隱藏的記憶，Golden Butterfly正在通過Neo-San Francisco的潛意識中造成混亂。遊戲中的Deep Dive機制使ES88能夠識別、操縱和解鎖信息，但過度使用可能會永久損壞目標的記憶。 《神經潛入者》將引入新角色、新地點和新機制，包括深入並改變其他角色記憶的能力，以及全新的藝術風格和多結局未解之謎。 主要特點包括： 扮演具有讀取記憶能力的新角色ES88。 探索、操縱甚至解鎖他人的記憶。 在Neo-San Francisco探訪新地點並結識新朋友。 見到熟悉的面孔，如Jess Meas、Lexi Rivers、TOMCAT等。 更新的動態豐富多彩的藝術風格。 由Scarlet Moon藝術家coda創作的復古風格FM音樂。 比以往更多的動漫元素！ 來源：遊俠網

今年二月底，美光宣布，帶來了英睿達品牌的存儲新品，其中包括了Crucial Pro系列T705 PCIe 5.0 SSD，最高順序讀取速度高達14500MB/s。近日，該產品正式上架京東自營店鋪，提供1TB、2TB和4TB容量以及馬甲款可選，售價1899元起。 T705 PCIe 5.0 SSD 1TB，售價1899元，京東地址：點此前往>>> T705 PCIe 5.0 SSD 2TB，售價3499元，京東地址：點此前往>>> T705 PCIe 5.0 SSD 4TB，售價4999元，京東地址：點此前往>>> T705 PCIe 5.0 SSD 1TB，馬甲款，售價1999元，京東地址：點此前往>>> T705 PCIe 5.0 SSD...

TrendForce表示，隨著存儲器供應商連續減產取得成效，存儲產品的價格正在反彈，半導體存儲器市場終於出現了復蘇的跡象。從市場動態和需求變化來看，NAND快閃記憶體作為兩大存儲器產品之一，正在經歷新一輪的變化。 三星在去年進行了多次減產，不過隨著市場回暖，已開始大幅度提高產能利用率，同時抬升價格，繼續主導市場。其位於西安的工廠的開工率已從去年下半年最低的20-30%提升至70%左右。作為三星唯一在韓國以外的存儲半導體生產基地，西安工廠的月產能達到了20萬片300mm晶圓，占據了三星NAND快閃記憶體40%的產量。三星還計劃2024年開始升級西安工廠的工藝，以便生產採用第8代V-NAND技術的產品，達到了236層。 鎧俠（Kioxia）似乎跟上了三星的節奏，正在評估自2022年起執行的減產策略，計劃提高產量，預計3月NAND晶圓廠的產能利用率恢復到90%左右，不過最終取決於市場需求。與此同時，鎧俠可能在4月底恢復與西部數據的合並談判，但是仍要面對來自於競爭對手的強烈反對。如果合並成功，新公司將掌握全球三分之一的NAND快閃記憶體市場，將對未來競爭格局產生深遠影響。 TrendForce預計，盡管是傳統的淡季，但由於訂單規模的持續擴大，2024年第一季度NAND快閃記憶體產業營收仍會有20%的同比增長，這也刺激了NAND快閃記憶體合同價格平均25%的漲幅。自2023年第三季度以來，NAND快閃記憶體晶片價格已連續數月上漲，在2024年市場需求前景保守的前提下，晶片價格走勢將取決於供應商的產能利用率。 不少廠商認為，2024年的需求會好於2023年，並已啟動戰略儲備。隨著供應鏈庫存水平的顯著改善和價格不斷上漲，客戶會繼續增加采購訂單，以避免供應短缺並降低成本上升的風險。 ...

近年來，人工智慧（AI）、高性能計算（HPC）和PC一直在推動高性能DRAM產品的研發，市場對HBM類DRAM的需求也在迅速增長。從去年下半年起，就不斷傳出有關下一代HBM4的消息，三星、SK海力士和美光三家主要存儲器製造商都加大了這方面的投入，以加快研發的進度。 據ZDNet報導，JEDEC固態存儲協會可能會放寬HBM4在高度方面的要求，也就是最高的720微米的限制。為了降低三星、SK海力士和美光的製造難度，傳聞JEDEC可能將12層及16層堆疊的HBM4高度放寬至775微米，這意味著存儲器製造商可以在現有的鍵合技術中實現16層堆疊，無需轉向新的混合鍵合技術。 目前無論是三星的TC NCF技術還是SK海力士的MR-RUF技術，都是使用凸塊實現層與層之間的連接。上個月三星宣布，已開發出業界首款HBM3E 12H DRAM，從過去的8層堆疊提高至12層堆疊，而且通過對TC NCF材料的優化，已經將間隙減低至7微米。不過要實現16層堆疊，厚度必然會繼續增加，現有的技術在原限定高度下很難實現這樣的操作。 混合鍵合技術不需要凸塊，通過板載晶片和晶圓直接鍵合，讓層與層之間更加緊密，以減少封裝厚度。不過混合鍵合技術尚未成熟，而且相比現有的鍵合技術過於昂貴，因此現階段存儲器製造商還不太願意採用。 隨著JEDEC同意放寬HBM4的高度限制要求，一方面為混合鍵合技術爭取到了更多的開發時間，另一方面也加快了HBM4的商業化進程。 ...

慧榮科技（Silicon Motion）宣布，推出新款UFS 4.0主控SM2756。這是慧榮科技新一代UFS系列晶片裡的旗艦型號，面向人工智慧（AI）智慧型手機、邊緣計算和車載應用等需要高效能運算的領域。此外，慧榮科技還帶來了第二代UFS 3.1主控SM2753。 SM2756是目前全球最先進的UFS 4.0主控解決方案之一，以6nm EUV技術為基礎，採用了雙通道設計，運用了MIPI M-PHY低功耗架構，使其在性能與功耗間取得完美的平衡，滿足了當今頂級人工智慧移動裝置24小時運算的需求。其連續讀取速度超過了4300 MB/s，連續寫入速度也達到了4000 MB/s，支持各種3D TLC NAND快閃記憶體和QLC NAND快閃記憶體，最高可支持2TB容量。 SM2753採用基於高速串行鏈路的MIPI M-PHY HS-Gear 4 x 2-Lane和SCSI架構模型（SAM），採用單通道設計，提供了2150 MB/s的連續讀取速度和1900 MB/s的連續寫入速度，滿足了主流與入門級智慧型手機、物聯網裝置、以及車載應用的存儲需求。 SM2756和SM2753均搭載了LDPC ECC引擎，支持低功耗解碼模式，並帶有SRAM資料錯誤偵測與修正功能，強化了可靠性、提升效能並減少了功耗。慧榮科技表示，SM2756預計2024年中量產，而SM2753目前已經進入量產階段。 2024年3月30日在深圳舉辦的CFMS|MemoryS 2024活動中，慧榮科技將展示這兩款UFS主控晶片。 ...

現在的DDR5內存基本上都是16GB起步的，雖然確實存在8GB單條的DDR5，但說真的16GB內存放現在只能說是勉強夠用，但隨著Intel和AMD啟用了對非二進位內存的支持，單根24GB和48GB的DDR5已經能在市場上買得到，還有最近還有一個新的選擇，就是單條12GB的內存。 美光旗下的Crucial已經在英國亞馬遜上市了單根12GB的DDR5 SO-DIMM筆記本內存，內存頻率是5600MT/s，向下兼容5200和4800MT/s，會根據平台所支持的頻率自適應。 說真的16GB*2的組合可能對大部分人來說容量有點過剩了，而8GB*2又不太夠用，現在12GB*2的出現正好填充這一市場空白，估計OEM廠商很快也會跟上。 Crucial該款DDR5-5600 12GB內存單條售價是44.99英鎊，12GB*2套裝售價則是87.99英鎊，根據頁面顯示，發貨時間是3月31日，目前Crucial的官網上暫時沒看到這款內存的信息，不過估計很快就會放出來。 ...

經過去年的多次減產及調價，過去一段時間里SSD的價格不知不覺中已經漲了不少，顯然NAND快閃記憶體晶片製造商已經從中獲益，至少財務上比起去年同期要好很多，而且接下來大機率會延續上漲趨勢。 據DigiTimes報導，對於近期SSD的漲勢，群聯電子（Phison）潘建成發出了警告，稱SSD進一步的上漲可能導致需求減少，NAND快閃記憶體晶片製造商應該努力增加產量來滿足市場的需求，而不是通過減產讓市場需求超過供應量。 經歷了新冠疫情推動的強勁需求及供應短缺後，市場對SSD出現了大幅度的下降，而且下降的速度超過了NAND快閃記憶體晶片製造商的預期，因此供應量遠遠超過了當時的實際需求，加上庫存水平長期處於高位，讓NAND快閃記憶體晶片製造商不得不大幅度調低定價。當時潘建成表示，NAND快閃記憶體價格進一步下調已經是不可能了，如果市場不盡快恢復，可能會有供應商出現破產。 隨著去年第四季度市場需求再次抬升，配合NAND快閃記憶體晶片製造商的減產策略，SSD的價格開始爬升，在較短時間內就有了不小的漲幅。群聯電子現在擔心的是，存儲設備作為構建PC的必須品，如果價格過高，在全球經濟不太景氣的大環境下，可能打斷PC市場的復蘇節奏，讓需求再次萎縮，最終將阻礙NAND快閃記憶體行業發展。 ...

JEDEC固態存儲協會在2019年正式發布了JESD209-5標准Low Power Double Data Rate 5即LPDDR5的標准，6400MT/s的速率相比最初的LPDDR4翻了一倍，大幅提高了新一代便攜電子設備的性能，同時還專門為汽車等業務設計了新的功能。 據ETnews報導，JEDEC預計在2024年第三季度最終確定下一代LPDDR6標準的規格，將為低功耗設備帶來更高、更快和更高效的性能。 LPDDR6將取代現有的LPDDR5，過去幾年裡，三星和美光還帶來了LPDDR5x，而SK海力士也提供了LPDDR5T，速率提升已至9.6 Gbps，這些低功耗DRAM也成為了智慧型手機和各種輕薄設備的理想選擇。去年末，JEDEC推出了CAMM2標准，提供了新的內存模塊設計，其中搭載LPDDR5(x)的LPCAMM2內存模塊為小型化設備帶來了更大容量的可升級選項，估計LPDDR6也會支持同樣的設計。 目前外界對LPDDR6的規格知之甚少，除了提高數據傳輸速率外，不知道還會有哪方面的改進。按照現在業界的發展趨勢，對人工智慧（AI）方面的優化是必不可少的。一旦標准確定，相信三星、SK海力士和美光等DRAM製造商就會馬上跟進，全面參與到LPDDR6新產品的開發和生產中。此前有報導稱，高通今年的第四代驍龍8平台將支持LPDDR6，以進一步提升定製Oryon內核的性能。 不過以業界過往的情況來看，不太可能今年底看到設備採用LPDDR6，預計要等到2025年底或2026年初。 ...

近日在美國加利福利亞州聖何塞舉行的SPIE先進光刻技術會議上，來自光刻生態系統不同部門的專家討論了Low-NA和High-NA EUV光刻技術的前景，觀點從高度樂觀到謹慎，特別是High-NA EUV方面，三星表達了擔憂。 三星負責存儲器生產的研究員Young Seog Kang表示，作為一名用戶，更關心的是總成本問題，目前Low-NA已經投入使用，晶片製造商可能更願意使用Low-NA EUV以雙重曝光或採用先進封裝技術作為補充，這可能是更經濟可行的替代方案，而不是直接使用High-NA EUV來完成。Young Seog Kang認為，邏輯晶片的布局更為復雜，新技術可能在更長時間內適用，而存儲器在擴展新技術時，性能和成本方面都存在潛在的挑戰。 相比於三星，英特爾對High-NA EUV的前景更為樂觀一些。按照英特爾的新計劃，將會在Intel 14A工藝引入High-NA EUV，英特爾掩模業務總經理Frank Abboud稱，過往在DUV發揮重要作用的相移掩模有望引入到EUV。ASML系統工程總監Jan van Schoot概述了幾種提高光刻解析度和擴展EUV光刻應用的方法，表示正在研發新的光源和其他改進k1的策略，現在已經有了一些新想法。 JSR（光刻膠供應商）的總裁Mark Slezak認為，EUV技術可以持續20年，DUV技術的持續時間也比預期要長得多。 ...

十銓科技（Team Group）宣布，旗下電競品牌T-FORCE以尖端的研發技術，推出T-FORCE XTREEM ARGB 幻鏡 DDR5台式機內存，帶來了千變萬化沉浸式極光魅力。十銓科技表示，新產品可以讓電競玩家暢享遊戲快感的同時，更以流動輕柔的燈效締造極光沉浸式氛圍，透過與眾不同的風格，滿足消費者對強悍性能與極致美學的追求。 T-FORCE XTREEM ARGB 幻鏡 DDR5台式機內存在外形設計和性能表現上都做了全面的升級，採用了2mm厚度的鍛造鋁合金黑色霧感散熱片，擁有玄武岩般的堅硬耐用及黑沙灘柔細質感，通過完美的金屬工藝展現出極致美學，同時搭載了兩件式導光柱，散發出柔和細致的極光流動魅力，並支持多種燈效控制軟體。 T-FORCE XTREEM ARGB 幻鏡 DDR5台式機內存擁有獨家IC分級驗證技術，採用了10層專業抗擾的優化PCB板，並強化了PMIC電源管理晶片的散熱設計，支持On-die ECC糾錯機制。首批提供了7600MHz（CL36）、8000MHz（CL38）及8200MHz的產品， 包括了32GB（16GB x2）和48GB（24GB x2）套裝，搭載的是SK海力士的顆粒，工作電壓為1.4V，支持Intel XMP 3.0技術，帶有終身質保，在非人為損壞下皆提供免費更換的服務。 十銓科技表示，新產品將於3月底率先在北美亞馬遜和新蛋平台開賣。 ...

作為全球最大的晶片製造商之一，過往半導體業務一直是三星搖錢樹。不過去年全球存儲晶片陷入了前所未有的低迷，讓三星損失慘重，連續數個季度里一直在與庫存及市場需求作斗爭，DRAM業務陷入了連續虧損。由於庫存負擔過重、需求低迷、價格下滑，最終三星不得不通過減產等手段，將管理重點放在了盈利能力上，但是進展一直不太順利。 據相關媒體報導，經過長時間的掙扎後，三星的DRAM和NAND快閃記憶體業務終於看到了曙光，今年1月份的月度財報里顯示已實現了盈利。如果這種趨勢能夠得以延續，三星的DRAM業務將迎來五個季度以來的首次季度盈餘。 近期TrendForce發布的2023年第四季度DRAM產業和NAND快閃記憶體調查報告顯示，三星都是排名第一的廠商，而且增長幅度也是最大的。其中DRAM業務季度增幅超過了50%，達到了79.5億美元，而NAND快閃記憶體業務環比增長44.8%，達到了42億美元。 不過也有業內人士認為，雖然現在市場的情緒是積極的，但還沒到鬆懈的時候。供應商積極減產推動了價格的上漲，供需環境得到了改善，但是市場需求仍然存在較大的不確定性，這可能是一個意想不到的變量，同時還要密切關注庫存水平。 ...

隨著DDR5內存的頻率越沖越高，不少高端產品的頻率都達到了8000MT/s，這也使得內存散熱問題變得不可忽視，這些高端內存基本都會配備散熱馬甲，但內存條的散熱片寬度是相當受限的，即使想加高散熱片也不能加得太高，做太高兼容性就會變得很差了，現在威剛就推出了新的內存散熱技術，能有效降低10%的溫度。 威剛旗下高端品牌XPG率先把PCB散熱塗層技術應用到超頻內存上，該塗層具備良好的導熱率，還有良好的穩定性和絕緣效果，內存的PCB使用這種塗層後，可以把DRAM晶片發出的熱量更好的傳遞到PCB上，並以熱輻射的方式把熱量發散出去，這等於增大了內存的散熱面積，以此來達到更好的散熱效果。 上圖是XPG LANCER NEON 8000MT/s有無散熱塗層的熱成像照片，沒有散熱塗層的DDR5內存負載時溫度是78.5℃，而加了塗層的內存在同負載下溫度只有70℃，降溫8.5℃，降幅達到10.8%，可見加了PCB散熱塗層的散熱效果改善相當明顯。 XPG會優先把心的PCB散熱塗層技術應用在8000MT/s以上的高頻DDR5內存上，包括將在今年第二季度上市的全新LANCER NEON RGB以及現在有的LANCER RGB系列內存上，預計會在今年的Computex 2024上首次公開展示這一新散熱技術。 　 ...

HBM產品被認為是人工智慧（AI）計算的支柱之一，近兩年行業發展迅速。在人工智慧（AI）和高性能計算（HPC）的影響下，推動著存儲器廠商的收入增長。作為英偉達高帶寬存儲器合作夥伴，SK海力士目前在HBM市場的處於領導地位，大量供應HBM3用於英偉達的各款人工智慧晶片。 據ZDNet報導，SK海力士上個月已經向英偉達發送了新款12層堆疊HBM3E樣品，以進行產品驗證測試。 HBM需要在基礎晶圓上通過矽通孔（TSV）連接多層DRAM，首批HBM3E產品均採用8層堆疊，容量為24GB，美光、SK海力士和三星分別在去年7月、8月和10月向英偉達發送了樣品。此前有消息稱，英偉達已經向SK海力士和美光分別支付了約合5.4億至7.7億美元的預付款，供應下一代HBM3E。 美光、SK海力士和三星都在推進12層堆疊HBM3E的開發，容量也將提升到36GB，其中需要解決一些器件特性和可靠性驗證問題。上個月三星宣布，已開發出業界首款12層堆疊HBM3E，提供了高達1280GB/s的帶寬，預計今年下半年開始大規模量產。不過目前看來SK海力士的進度也很快，傳聞還應用了新的工藝。 有業內人士稱，SK海力士提供的樣品屬於早期版本，主要是為了建立新產品的標准和特性，SK海力士稱其為「UTV（Universal Test Vehicle）」，預計這次產品驗證測試不會花太多的時間。隨著人工智慧晶片市場的快速增長，HBM產品的競爭也變得更加激烈。 ...

TrendForce發布了2023年第四季度NAND快閃記憶體市場的報告，顯示產業收入環比增長24.5%，營收約為114.9億美元。這主要得益於終端需求因年終促銷回暖，加上零部件市場因追價而擴大訂單動能，同時位元出貨也比去年同期旺盛，另外一個好消息是，企業方面對2024年需求表現的看法優於2023年，且啟動備貨策略帶動。 三星是2023年第四季度NAND快閃記憶體市場增長幅度最大的廠商，伺服器、筆記本電腦和智慧型手機需求都有大幅度上漲，即便未能完全滿足客戶訂單數量，位元出貨量仍然有環比35%的增長，平均銷售價格（ASP）也環比增長了12%，帶動營收環比增長44.8%，達到了42億美元；SK海力士群組（SK海力士+Solidigm）排在第二名，營收環比增長了33.1%，達到了24.8億美元；西部數據位列第三，位元出貨量環比減少了2%，平均銷售價格則上漲了10%，營收環比增長了7%，達到了16.7美元；鎧俠（Kioxia）收到了PC及智慧型手機客戶的備貨訂單，位元出貨量小幅成長，營收為14.4億美元，環比增長8%；美光維持在第五的位置，出於改善盈利明顯減少了供應量，位元出貨量與上個季度相比下降了超過10%，營收環比減少1.1%，跌至11.4億美元。 展望今年第一季度，在供應鏈庫存水位已大幅改善以及價格仍處於上漲的態勢下，客戶為避免供貨短缺及成本墊高的風險, 持續增加采購訂單。盡管往年第一季度都屬於傳統淡季，但訂單規模持續放大，刺激NAND快閃記憶體合約價平均上漲25%，預計產業收入環比增長20%。 ...

西部數據自2021年就開始著手收購鎧俠的工作，但最終以失敗告終，去年10月份西數宣布分拆為兩家獨立上市公司，分別專注於機械硬碟和NAND快閃記憶體業務，預計到2024下半年，分拆工作會取得重大進展。 現在西部數據公布公司分拆的最新消息，目前關鍵交易項目正在進行中，包括全球法人實體設立、客戶和供應商合同轉讓、政府備案的最後階段准備以及初步行政領導任命HDD和快閃記憶體公司都在分離後。公司的分拆將使每個特許經營權能夠更好地執行創新技術和產品開發，利用獨特的增長機會，擴大各自的市場領導地位，並通過獨特的資本結構更有效地運營。 在當前階段的分離過程中，該公司正在廣泛的項目中取得重大進展，這對於按計劃完成交易至關重要。目前，西部數據的分拆團隊正在18個運營所在國家建立法人實體，准備獨立的公司財務模型，完成SEC和IRS備案的最後准備工作，為全球客戶和供應商進行合同轉讓流程，並設計全公司范圍兩家公司的組織結構。 西部數據公司執行長David Goeckeler表示：「今天的公告凸顯了我們為完成一項極其復雜的交易所採取的重要步驟，該交易涉及十多個國家，涵蓋數據存儲技術品牌，服務對象包括消費者、專業內容創作者、世界領先的設備OEM廠商和最大的雲提供商。我對分離團隊迄今為止所做的出色工作感到滿意，這將確保我們的快閃記憶體和硬碟業務成功過渡到獨立的、市場領先的公司。雖然一旦分離完成，西部數據的兩家公司都將擁有戰略重點和資源，在各自的市場中尋求令人興奮的機會，但快閃記憶體業務憑借市場增長潛力和顛覆性新型內存技術的新興發展提供了令人興奮的可能性。我絕對期待衍生團隊的下一步發展。」 同時西部數據也宣布了分拆出去的快閃記憶體業務公司執行長將繼續由David Goeckeler擔任，而機械硬碟業務將繼續以西部數據的身份運營，執行長將由現全球運營執行副總裁Irving Tan擔任，兩家公司的其他執行領導人將在任命確定後稍後任命。隨著關鍵項目的進展，西部數據將繼續在整個分離過程中提供最新信息。 ...

快科技3月5日消息，蘋果更新了MacBook系列，新款Air沒有意外的依然堅守了8GB內存版本，這也是蘋果有意而為之，因為就是靠存儲賺錢。 蘋果深知這麼設計背後的利益，因為8GB內存升級16GB或24GB分別需要額外花費200美元和400美元的費用，這個利潤非常可觀。 很多蘋果電腦用戶對視頻剪輯的需求很大，這也就倒逼他們不得不升級內存。 蘋果全球產品營銷副總裁Bob Borchers之前接受媒體時表示，M3 MacBook Pro上的8GB內存，可能會和其它系統上的16GB內存是比較接近的，蘋果調用內存的方式會更有效一些。 其實翻看蘋果在內存賺錢上的套路，就不奇怪了，在Windows陣營標配16+512的時候它是8+256，在Windows陣營普及32+1T的時候它還是8+256，而且仍然堅持增加8G內存加價1500的傳統，256G硬碟升級到512G要加1500。 至於旗下的iPhone系列，就更是如此了，所以蘋果是懂如何通過存儲賺錢的，哪怕存儲白菜價，他們依然可以大賺。 來源：快科技

TrendForce發布了新的調查報告，顯示受惠於企業備貨市場回暖，以及三大原廠控制產能效益顯現，2023年第四季度DRAM產業的營收約為174.6億美元，環比增長了29.6%。2024年第一季度原廠目標仍是改善盈利，具有強烈的漲價意圖，使得2023年第四季度DRAM合約價也有近20%漲幅，不過出貨位元則面臨傳統淡季而略微衰退。 作為業界第一大廠，三星有著最大的拉升幅度，DRAM營收按季度增幅超過了50%，達到了79.5億美元，這主要得益於1a nm DDR5出貨提升，伺服器DRAM出貨位元按季度大幅度攀升超過60%；SK海力士得益於大容量伺服器DRAM、DDR5和HBM產品線，雖然出貨位元按季僅增加1~3%，但是平均銷售價格（ASP）按季增加17~19%，DRAM營收為55.6億美元，季度增長了20.2%；美光量價齊飛，出貨位元及平均銷售價格按季度增長4~6%，不過DDR5和HBM比重較低，使得增速較緩，DRAM營收按季度增長了8.9%，達到了33.5億美元。 南亞科技同樣也是量價齊漲，客戶端產品出貨回升，也帶來了價格的提升，季度營收增加了12.1%，達到2.74億美元；華邦因新廠投入運營，使得產能增加，一方面積極去庫存、擴大客戶群體，另一方面並未調整合約價格，使得出貨有更積極的表現，季度營收增加了19.5%，達到1.33億美元；力積電因現貨與合約幾個上漲而獲益，客戶端渠道備貨力道提升，加上之前出貨量偏低，不包含代工情況下，季度實現110%的增長，至3900萬美元。 ...

目前英偉達為人工智慧（AI）和高性能計算（HPC）應用銷售的晶片比業內其他企業都要多，這些高性能計算卡需要大量HBM類晶片，如果想保持這種狀態，就需要穩定的供應。為了更妥善且健全的供應鏈管理，同時為了保證下一代產品的供應，英偉達規劃加入更多的供應商，去年末三星、SK海力士和美光都參與到英偉達下一代AI GPU的資格測試中。 據DealSite報導，英偉達的資格測試似乎給HBM製造商帶來了困難，比起普通的內存產品，HBM類產品的良品率明顯較低，這一定程度上影響了供應。相比市場對於HBM類產品的巨大需求，目前存儲器製造商的產能有所不足，供應十分緊張，SK海力士和美光先後表示2024年HBM產能售罄。 HBM需要在基礎晶圓上通過矽通孔（TSV）連接多層DRAM，如果其中一層出問題就意味著整個HBM堆棧報廢。隨著堆疊層數的增加，良品率有可能會進一步降低。有消息人士稱，現階段HBM類產品的良品率約為65%，如果想要提高這一數字，產量就會下降。存儲器製造商之間的競爭就是在良品率和產量之間找到平衡，提供合適的解決方案。據了解，美光和SK海力士似乎在英偉達的資格測試中處於領先位置，其中前者已經通過了認證階段，開始為下一代H200產品生產HBM3E晶片。 目前SK海力士和三星都打算增加HBM類產品的產量，不過較低的良品率加上更高的需求，從長遠來看是個大問題。 ...

據The Elec報導，三星正在考慮在其下一代DRAM中使用應用模壓填充（MUF）技術。三星最近對3D堆棧（3DS）內存進行了大規模的MR MUF工藝測試，結果顯示與現有的TC NCF（熱壓非導電膜）相比，吞吐量有所提高，但物理特性卻有所下降。 傳聞三星晶片部分的一位高級主管在去年下令對MUF技術進行測試，得出的結論是MUF不適用於高帶寬內存，也就是HBM類產品，最為合適的對象是3DS RDIMM。一般情況下，3DS RDIMM採用了矽通孔（TSV）技術製造，主要用於伺服器產品。矽通孔技術意思就是在Wafer或者Die上穿出數千個小孔，實現矽片堆疊的垂直互連通道，而MUF則是上下連接，縮小相互之間間隙的材料，有助於緊密凝固和結合各種垂直堆疊的半導體。 MUF是一種環氧樹脂模塑化合物，在SK海力士成功將其應用於HBM2E生產後，受到了晶片行業的關注。SK海力士使用的這種化合物是與Namics合作生產的。三星計劃與SDI合作開發自己的MUF化合物，而且已經從日本訂購了MUF所需要的相關設備，看起來要推進到下一階段，以實現更先進的封裝工藝，並提高生產效率。 盡管如此，目前三星將繼續在HBM生產中使用TC NCF。競爭對手美光也打算這麼做， MUF材料被認為在避免晶圓翹曲方面更有優勢。 ...

Nextorage是索尼的子公司，以SSD為主營產品的品牌，去年推出了針對PC發燒友的NE5N系列PCIe 5.0 SSD，配帶有熱管的雙層散熱器，從而進一步提高SSD的散熱效果。 近日，Nextorage帶來了新款X系列PCIe 5.0 NVMe SSD，首批提供了1TB和2TB版本，繼續帶有配熱管的雙層散熱器。Nextorage表示，新產品憑借最新技術帶來的高速數據訪問和高可靠性，將創新用戶的存儲環境，非常適合需要大量處理的專業用例，例如4K/8K內容創作、數據科學分析、以及追求高端遊戲環境。 X系列PCIe 5.0 NVMe SSD採用了行業標準的M.2 2280規格，使用了群聯電子的E26主控，搭載了美光232層3D TLC NAND快閃記憶體，帶有4GB的DDR4緩存，順序讀取和順序寫入速度最高分別為12400 MB/s和11800 MB/s，另外隨機讀取和隨機寫入最大為1.4M IOPS，1/2TB的TBW為700/1400。 此外，Nextorage還為原有的NEM-PA系列和G系列提供了8TB容量的產品，型號為NEM-PA8TB和NE1N8TB。其中前者用於玩家為PlayStation 5遊戲主機升級存儲，帶有適配的散熱器，後者針對遊戲玩家，為裸條。要知道目前PlayStation 5用於擴展存儲空間的M.2插槽最大支持8TB，所以NEM-PA8TB是一款針對性很強的產品。 NEM-PA8TB和NE1N8TB都屬於PCIe 4.0 NVMe SSD，具有相同的部件，主控可能是群聯電子的E18，搭載了3D TLC NAND快閃記憶體，帶有2GB的DDR4緩存，順序讀取和順序寫入速度最高分別為7300 MB/s和6600 MB/s，另外隨機讀取和隨機寫入分別為900K和1M...

三星宣布，推出新一代microSD卡，包括順序讀取速度達800MB/s的256GB SD Express microSD卡和1TB UHS-1 microSD卡，目標是提供未來移動計算和設備上人工智慧（AI）應用所需的差異化內存解決方案。 三星內存品牌產品事業組副社長Hangu Sohn表示，通過兩款新的microSD卡，為用戶提供了有效的解決方案，以滿足移動計算和設備上人工智慧日益增長的需求。盡管尺寸很小，但這些存儲卡提供了類似SSD的強大性能和容量，可以幫助用戶從要求苛刻的現代和未來應用中獲得更多。 這是三星首次推出以SD Express接口為基礎的microSD卡，是與客戶成功協作創建的定製產品。其低功耗設計以及針對高性能和熱管理進行優化的固件技術，使得在相當小的尺寸下提供了相當於SSD的性能。相比於基於UHS-1接口的傳統microSD卡的讀取速度被限制在104MB/s，SD Express產品可以提高到985MB/s。這次三星提供的SD Express microSD卡提供了800MB/s的順序讀取速度，是SATA SSD（最高560MB/s）的1.4倍。此外，利用Dynamic Thermal Guard（DTG）技術讓SD Express microSD卡保持最佳問題，確保性能穩定及可靠性。 1TB UHS-1 microSD卡採用了三星第8代V-NAND技術的快閃記憶體晶片，實現了過去SSD才有的大容量封裝。新產品通過了業界最嚴苛的測試，即便在苛刻的使用環境中里也能保證可靠性，具有防水、極端溫度、防摔設計、磨損保護以及x射線和磁保護等功能。 256GB SD Express microSD卡會在今年晚些時候上市，1TB UHS-1 microSD卡則會在今年第三季度開賣。 ...

美光在2022年改變了消費市場的銷售策略，選擇將重點放在英睿達品牌上，結束了Ballistix/鉑勝品牌內存的生產和銷售。不過美光並沒有放棄自有品牌內存，2023年就推出了英睿達品牌的Pro系列內存，涵蓋了DDR4和DDR5產品，進一步拓展了產品線。 到了2024年，美光在英睿達Pro系列上帶來了超頻版（Crucial DDR5 Pro Memory：Overclocking Editio）產品，首款產品來自DDR5-6000 32GB（16GB x2）套裝。目前新產品已登陸電商平台，並開啟了預售，顯示預售價為899元，定金50元，聯系客服有驚喜，京東地址：點此前往>>> 該款產品在外觀上也延續了之前的設計，配備了黑色的鋁制散熱模塊，採用折紙工藝設計，有著時尚酷炫的造型，同時PCB為黑色，而且沒有RGB燈效，這與之前基本款的Classic系列是一樣的。這次提供的超頻版32GB套裝（16GB x2）有著更低的時序，為CL36-38-38-80，運行電壓為1.35V，同時支持Intel 3.0和AMD EXPO技術。 美光稱，超頻版比起同樣是DDR5-6000的標准版降低了25%的延遲，可以進一步提高1080P和1440P解析度下內存密集型遊戲的運行幀率，比如《賽博朋克2077》和《彩虹六號：圍攻》等。按照美光的說法，接下來超頻版還會有48GB套裝（24GB x2）可選。 ...

美光去年推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案，稱可以為智慧型手機提供業界最強性能，包括快速啟動、應用程式啟動和視頻下載，並在下半年開始批量生產。這是其首個基於232層3D TLC NAND快閃記憶體的移動解決方案，也是世界首個使用六平面NAND架構的UFS 4.0存儲產品。 今天美光宣布，開始送樣增強版UFS 4.0移動解決方案，不但具有突破性專有固件功能，並採用業界領先的緊湊型UFS封裝（9 x 13 mm），同樣基於232層3D TLC NAND快閃記憶體技術。尺寸更小巧的UFS 4.0為下一代折疊及超薄智慧型手機設計帶來了更多可能性，製造商可利用節省出來的空間放置更大容量的電池，加上能效提升了25%，讓用戶在運行AI、AR、遊戲和多媒體等耗電量高的應用時獲得更長的續航時間。 增強版UFS 4.0移動解決方案提供了三種容量可選，分別為256GB、512GB和1TB，提供了最高4300 MB/s的順序讀取速度和最高4000 MB/s的順序寫入速度。此外，美光還提供多項專有固件更新功能，包括高性能模式（HPM）、一鍵刷新（OBR）和分區UFS（ZUFS）。 美光表示，其卓越性能和端到端技術創新將助力旗艦智慧型手機實現更快的響應速度和更靈敏的操作。相比前一代產品，新的增強版UFS 4.0移動解決方案性能提升一倍，為數據密集型應用帶來了更出色的優化使用，用戶能更快地啟動常用的生產力、創意和新興AI應用。其中在生成式AI應用中的大語言模型加載速度可提高40%，為用戶與AI數字助手的對話提供更流暢的使用體驗。 ...

近年來，多家手機廠商嘗試推出24GB+1TB存儲組合的手機，除了旗艦機型之外，也不乏有一加 Ace 2 Pro這樣的中高端性價比機型。對於有重度存儲需求的用戶來說，大容量的存儲組合確實能夠帶來較好的使用體驗。不過，自去年年底，TrendForce的統計數據就預計2024第一季度年移動DRAM及NAND快閃記憶體（eMMC/UFS）均會出現漲價，且漲幅將達到18~23%。近日，這個信息再度得到了知情人士的確認。 知名數碼博主@數碼閒聊站發推表示，快閃記憶體物料正式漲價，大內存普及風暴結束，中高端新機很難再看到頂配的24GB+1TB存儲組合，16GB+512GB、16GB+1TB將再次成為主流的頂配規格。 其實，早在去年年底，TrendForce根據當時的統計數據就預計2024第一季度年移動DRAM及NAND快閃記憶體（eMMC/UFS）均會出現漲價，且漲幅將達到18~23%。不排除因寡占市場格局或是品牌客戶恐慌追價的情況，有可能會進一步拉升漲幅。而一加繼去年8月份推出了擁有24GB+1TB規格的一加 Ace 2 Pro，在今年1月份發布的疊代款——一加 Ace 3的最大存儲規格卻是回歸到主流的16GB+1TB，有可能也是受存儲晶片漲價影響。 過去的很長一段時間里，各大DRAM和NAND快閃記憶體晶片製造商都選擇了減產，人為限制產能輸出，從而遏制價格下跌，彌補虧損缺口。經過了多個月的努力，逐漸已有了成效，目前整個DRAM和NAND快閃記憶體晶片市場的價格都在上漲，結束了長時間供過於求的局面。 ...

去年10月，三星舉辦了「Samsung Memory Tech Day 2023」活動，展示了一系列引領超大規模人工智慧（AI）時代的創新技術和產品，並宣布推出名為「Shinebolt」的新一代HBM3E DRAM，面向下一代人工智慧應用，提高總擁有成本（TCO），並加快數據中心的人工智慧模型訓練和推理速度。 今天三星宣布已開發出業界首款HBM3E 12H DRAM，擁有12層堆疊。其提供了高達1280GB/s的帶寬，加上36GB容量，均比起之前的8層堆棧產品提高了50%，是迄今為止帶寬和容量最高的HBM產品。 HBM3E 12H DRAM採用了先進的熱壓非導電薄膜（TC NCF）技術，使得12層產品與8層產品有著相同的高度規格，滿足了當前HBM封裝的要求。這項技術預計會帶來更多優勢，特別是在更高的堆疊上，業界正在努力減輕晶片裸片變薄帶來的裸片翹曲。三星不斷降低其NCF材料的厚度，並實現了業界最小的晶片間隙（7µm），同時還消除了層間空隙。這些努力使其與HBM3 8H DRAM相比，垂直密度提高了20%以上。 三星的熱壓非導電薄膜技術還通過晶片間使用不同尺寸的凸塊改善HBM的熱性能，在晶片鍵合過程中，較小凸塊用於信號傳輸區域，而較大凸塊則放置在需要散熱的區域，這種方法有助於提高產品的良品率。 三星表示，在人工智慧應用中，採用HBM3E 12H DRAM預計比HBM3E 8H DRAM的訓練平均速度提高34%，同時推理服務用戶數量也可增加超過11.5倍。據了解，三星已經開始向客戶提高HBM3E 12H DRAM樣品，預計今年下半年開始大規模量產。 ...

常見的M.2 SSD多數為2280規格的，其實M.2還有22110、2260、2242、2230這些規格，相對來說確實比較少，近段時間隨著x86掌機越來越多，M.2 2230規格SSD也開始被廠家重視起來，XPG近日就推出了GAMMIX S55 2230 PCIe Gen 4x4 SSD，是專為Steam Deck和ROG Ally等掌機而設計的。 XPG GAMMIX S55提供512GB和1TB兩種容量，沒有2TB確實略顯遺憾，採用PCIe 4.0 x4接口，支持NVMe 1.4，連續讀取速度高達5000MB/s，連續寫入速度3700MB/s，隨機性能沒有給出，主控和快閃記憶體方案也沒提及，只提到用的是3D NAND。 很明顯GAMMIX S55用的是無緩存設計，支持HMB，可調用系統內存作為SSD的緩存使用，小巧的體檢使其非常適合掌機使用，此外也很適合輕薄本。這款SSD支持ADATA SSD工具箱，可紫外監控、分析和報告SSD的健康狀態和剩餘壽命，以及當前的工作溫度和存儲容量，並支持固件升級。 XPG GAMMIX S55享受五年質保，最大質保寫入量是250TB，目前尚不清楚具體的發售時間和價格，但XPG官網已經上線產品的介紹頁面，有興趣可以去看看。 ...