美光目前在高帶寬存儲器（HBM）市場處於相對劣勢，但隨著手握英偉達的供應協議，供應用於H200的HBM3E，憑借工藝上的優勢，情況看起來正在迅速發生變化。美光正磨拳擦掌，大有大規模搶奪HBM市場的態勢。
近日美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra在2024財年第二財季財報會議上表示，美光2024年的HBM產能已經售罄，2025年大部分產能的供應也已經分配完畢，預計HBM產品的出貨占比將在明年大幅度攀升。2024財年美光將從HBM產品上獲得數億美元的收益，從2024財年第三財季開始，HBM產品收入將增加並提高整體毛利率。
由於需要更多地製造HBM，極大影響了美光其他DRAM的產能，限制了普通記憶體產品的供應。Sanjay Mehrotra坦承，在同一製程節點生產同等容量下，HBM3E的晶圓消耗量是標准DDR5的三倍，隨著性能及封裝復雜程度的提高，未來HBM4的消耗量會更大。
這一定程度上與HBM的良品率更低有關，由於需要多層DRAM通過TSV堆疊，只要其中一層出現問題，就意味著整個堆棧報廢。現階段HBM的良品率也就在60%到70%之間，明顯低於普通的DRAM產品。
不只是美光，此前SK海力士和三星都已表示，在人工智慧（AI）和高性能計算（HPC）的巨大需求推動下下，2024年的HBM產能已經排滿。
來源：超能網
