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根據媒體的報導，近日Intel高級副總裁Anne Kelleher在SPIE 2024光學與光子學會議上透露了Intel 14A製程的相關技術細節。 在不久前舉辦的IFS Direct Connect活動中，Intel分享了其“4年5節點”的工藝路線圖的最新進展，並公布了最後一個節點Intel 18A製程之後的計劃，新增了Intel 14A製程技術和數個專業節點的強化版本。 Intel計劃在Intel 14A才導入High-NA EUV曝光設備，在Intel 18A則僅是發展與學習階段。 近日Intel高級副總裁Anne Kelleher在SPIE 2024光學與光子學會議上透露，Intel 14A將會比Intel 18A製程技術的能耗效率提升15%，而強化版的的Intel 14A-E則會在Intel 14A基礎上帶來額外的5%能耗提升。 與Intel 18A製程技術相較，Intel 14A製程技術的電晶體密度將會提升20%。 按照Intel的計劃，Intel 14A製程技術最快會在2026年量產，而Intel 14A-E製程技術則是要到2027年。 不過，至今Intel都沒有宣布任何採用Intel 14A和Intel 14A-E製程技術的產品。 雖然，Intel在晶圓代工市場視台積電為競爭對手。 不過，目前來看，其生產的處理器有越來越多的小晶片交由台積電製造生產，其中還包括最為核心的運算晶片情況下，Intel仍持續會保持與台積電既競爭，又合作的關系。 報導指出，Intel在2023年6月的代工模式投資者網絡研討會上，介紹了內部晶圓代工業務模式的轉變，從2024年第一季開始將設計與製造業務分離，內部設計部門與製造業務部門之間將建立起客戶與供應商的關系，製造業務部門將單獨運營，且財報獨立。 Intel藉此獲得客戶的信賴，希望在2030年之前超越三星，成為晶圓代工領域的第二大廠商。 來源：快科技

近年來，良品率一直是三星晶圓代工業務所要面對的最大問題。特別是在3nm製程節點上，三星率先引入了全新的下一代GAA（Gate-All-Around）架構電晶體技術，與以往使用的FinFET電晶體技術有著較大的區別，也使得良品率問題進一步放大。 據Notebookcheck報導，三星目前3nm工藝的良品率在「50%附近」徘徊，在良品率方面依然有一些問題需要解決。不過這次的消息里，沒有具體說明到底是初代的3nm GAA / 3GAE，還是已經試產、且今年即將量產的第二代3GAP。三星去年曾表示，其3nm工藝量產後的良品率已達到60%以上，不過現在看來，似乎有點過於樂觀。 有行業分析師表示，三星GAA流程方法尚未穩定，這多少能解釋為什麼良品率一直都上不去。不過在4nm工藝上，三星的表現明顯更好，良品率已提升至75%，過去一系列的努力終於有了回報。對於谷歌來說也是個好消息，畢竟今年用於新款Pixel 9系列旗艦智慧型手機的Tensor G4將採用4LPP+工藝製造。 如果三星想要在未來與台積電（TSMC）甚至英特爾代工服務競爭，必須要提升良品率。三星對明年的Exynos 2500寄予厚望，被認為是其SoC設計的翻身之作，計劃採用3nm工藝製造，如果良品率問題得不到解決，很難想像如何與高通及聯發科的同類產品抗衡。 ...

此前三星公布了到2027年的製程技術路線圖，列出了2022年6月量產SF3E（3nm GAA，3GAE）以後的半導體工藝發展計劃，其中包括了SF3（3GAP）、SF3P（3GAP+）、SF4P、SF4X、SF2、SF3P、SF2P和SF1.4等。按照原計劃，今年三星將帶來第二代3nm工藝技術，也就是SF3，使用「第二代多橋-通道場效應電晶體（MBCFET）」，傳聞已經在試產。 據ZDNet報導，有消息人士稱已收到了三星的通知，原來的第二代3nm工藝技術將改為2nm，為此去年與三星簽訂的合同里所寫的3nm也變成了2nm。據稱，三星計劃在今年下半年開始為客戶生產「2nm」晶片，看起來除了名字改了，其他與原來的SF3並沒有分別，何況也不太可能在短時間內突然使用不用工藝技術為客戶生產原先採用SF3的晶片，畢竟這需要重新去做設計。 上個月有報導稱，三星已經從日本人工智慧（AI）初創公司Preferred Networks Inc.（PFN） 處收到2nm晶片訂單。結合這次的信息，有可能當時所稱的2nm晶片，其實採用的是原有的第二代3nm工藝技術。 傳聞三星正在推動「BSPDN（背面供電網絡）」技術的應用，計劃在明年量產的2nm工藝上引入，這是SF3所不具備的。如果三星確實將SF3改為SF2，那麼之前公布的製程技術路線圖也會改變，先前的SF2可能會有一個新的名稱。 ...

最後紀元工藝詞綴碎片是很多玩家想看的，最後紀元是最新的刷子類遊戲佳作，玩法獨特，美術精美，是非常好玩的新遊戲，下面就來看看最後紀元工藝詞綴碎片介紹。 《最後紀元》工藝詞綴碎片介紹 工藝詞綴碎片。 掉落的詞綴碎片和工藝物品可以通過背包中的按鈕【TransferCraftingItems】存儲到系統工藝頁面中。 （系統工藝頁面是同聯盟不同英雄間共享的，所以無需存到倉庫中） 點擊【viewMaterials】查看所有列表。 你在做裝的時候需要用到這些存儲到系統工藝頁的碎片。（加詞綴或者升級詞綴都會消耗） 來源：3DMGAME

最後紀元工藝界面是很多玩家想看的，最後紀元是最新的刷子類遊戲佳作，玩法獨特，美術精美，是非常好玩的新遊戲，下面就來看看最後紀元工藝界面介紹。 《最後紀元》工藝界面介紹 工藝界面 原有詞綴會有箭頭表示，升級當前詞綴的階級。 空位的+號圓圈表示可以新增詞綴。 在升級或添加詞綴的時候，會提示本次消耗的【潛能值】范圍，根據范圍隨機去roll。 一般來說，詞綴等級越高，消耗的【潛能值】范圍和數值越大。 來源：3DMGAME

，一方面繼續大力推進“四年五代製程節點”、發展Intel 14A，另一方面全身心服務行業客戶，立志成為全球第二大代工廠。 無論對於Intel還是對於整個半導體行業，這都是一個重要的轉折點。 Intel代工市場營銷副總裁Craig Org在接受快科技等媒體采訪時介紹說，以前是Intel代工服務(Intel Foundry Services)，現在是Intel代工(Intel y)，不僅僅是一個全新的品牌，也是全新的組織架構。 Intel代工將技術、製造、供應鏈和代工服務融為一體，是一個同時服務內部客戶和外部客戶的代工廠。 目前，Intel 7、Intel 4節點均已完成，Intel 3、Intel 20A、Intel 18A正在穩步推進，後兩者都將在今年做好投產准備。 之後，Intel代工將推出Intel 14A以及衍生版Intel 14A-E，還會一路推出Intel 18A、Intel 3的更多演化版本，通過不斷升級現有節點，滿足和適應不同客戶的需求。 不同的節點會有不同類型的演化版本：有的會針對特定應用進行功能拓展，比如Intel 3-E；有的會增加3D堆疊的矽通孔優化，比如Intel 3-T；有的會進行性能提升，比如Intel 18 A-P，較原始版本提升幅度約有10％；有的會多角度演化同時實現，比如Intel 3-PT。 另外，Intel 16是一個成熟製程，面向對性能要求不高、對成本更敏感的應用，它是Intel 22nm、14nm工藝的結合體。 再加上與聯電合作的12nm，Intel公布的一張工藝路線圖，就有多達14個節點！ Craig Org在訪談中強調了兩點，一是生態系統的廣泛支持。 Synopsys、Cadence、Siemens、Ansys等所有領先的EDA和IP公司，以及30多家行業企業，都堅定地站在對Intel代工的身旁。 對於Intel代工的客戶來說，這是至關重要，因為當他們想通過Intel的技術進行產品設計、生產時，可以使用與其他代工廠相同的軟體、IP，大大節省產品研發周期和陳本。 二是眼下進展非常順利。 盡管Intel代工成立的時間很短，未來發展旅程會很漫長，但起步不錯。 目前，Intel代工已經在每個節點上都贏得了客戶，Intel 16、Intel...

快科技2月22日美國聖何塞現場報導： Intel CEO帕特·基辛格倡導的IDM 2.0半導體製造與代工模式進入全新階段。 面向AI時代、更具韌性和可持續性的、全球第一個系統級代工服務——“Intel代工”(Intel Foundry)，今日正式宣布成立！ Intel是當今半導體行業為數不多的同時具備先進晶片設計、製造能力的企業，而為了適應新時代、新形勢、新需求的發展，Intel沒有固守以往的模式，也沒有簡單粗暴地拆分設計與製造，而是提出了全新的IDM 2.0模式。 從此，Intel公司將分為兩大部分，一是負責產品設計的Intel Product，二是負責代工製造的Intel Foundry。 二者是一家人，但又相對獨立，財務單獨核算，彼此互相激勵。 Intel代工將技術開發、製造和供應鏈，以及原來的Intel代工服務整合在一起，平等地向Intel內部和外部客戶提供服務。 一方面，Intel產品設計的晶片，可以使用Intel代工來製造，也可以尋求第三方外部代工，就看誰更好用，誰的性能、能效、成本更佳，這就要求Intel代工必須拿出最好的工藝。 另一方面，Intel代工可以製造Intel自己的產品，也可以為其他晶片設計企業代工，實現更靈活的運營和效益、競爭力的最大化，也要求Intel產品必須拿出最好的晶片。 Intel代工的目標，是在2030年成為全球規模第二的代工廠，僅次於台積電。 這個定位無疑是很理、現實的，但即便定位第二，Intel代工也必須竭盡全力推進位造工藝。 第一步，自然是實現“四年五代節點”的目標。 其中，Intel 7、Intel 4都已量產上市，後者就是剛推出的酷睿Ultra。 Intel 3已經做好了大規模量產的准備，今年上半年開始會陸續用於新一代至強Sierra Forest(首次純E核最多288個)、Granite Rapids(純P核)。 Intel 20A將開啟埃米時代，引入全新的RibbonFET電晶體、PowerVia背部供電。 它在今年內推出，用於新一代消費級酷睿處理器，包括高性能的Arrow Lake、低功耗的Lunar Lake。 Intel 18A正在按計劃推進，首發於下下代至強Clearwater Forest，現已完成流片，2025年登場。 基辛格現場首次展示了Clearwater Forest的樣片，可以看到繼續採用chiplet小晶片設計，並搭配EMID、Foveros Direct封裝技術。 其中兩組CPU模塊都採用Intel 18A，還有兩組IO模塊，而基板則是Intel 3工藝。 按照Intel的一貫說法，18A將讓Intel重新獲得製程工藝的領先性。 7、4、3、20A、18A五代工藝節點晶圓的合影 再往後，Intel的下一代重大工藝節點將是Intel 14A，等效於1.4nm，從路線圖上看大約會在2026年左右推出。 它的最大亮點，就是將在業界首次採用全新的高NA EUV光刻機，不久前剛從ASML接收到。 按照基辛格此前披露的說法，Intel將在德國建設的新晶圓廠極有可能就會引入14A。 與此同時，Intel還將打造不同工藝節點的多個演化版本，一方面滿足不同客戶的不同需求，另一方面深挖節點潛力，實現應用和利益的最大化，台積電和三星也都是這麼乾的。 按照規劃，Intel將每兩年推出一個新的工藝節點，並一路推出各個節點的演化版本。 其中，先進工藝包括14A節點的A14-E，18A節點的18A-P，3節點的3-T、3-E、3-PT。 成熟工藝包括16節點及其16-E，以及12nm、65nm節點。 P代表Performance，也就是提升性能的增強版。 T代表Through Silicon，也就是計入3D堆疊封裝TSV矽通孔技術的升級版。 E代表Extension，也就是功能拓展版本。 16、16-E的來源沒有明確，估計是14nm工藝演化而來，如此的話14nm生命力真是空前強大。 12nm則是來自Intel與聯電的合作產物，面向移動通訊、通信基礎設施、網絡等領域。 此前，Intel和高塔半導體(Tower...

快科技2月17日消息，ASML已經向Intel交付第一台高NA EUV極紫外光刻機，將用於2nm工藝以下晶片的製造，台積電、三星未來也會陸續接收，可直達1nm工藝左右。 那麼之後呢？消息稱，ASML正在研究下一代Hyper NA(超級NA)光刻機，繼續延續摩爾定律。 ASML第一代Low NA EUV光刻機只有0.33 NA(孔徑數值)，臨界尺寸(CD)為13.5nm，最小金屬間距為26nm，單次曝光下的內連接間距約為25-30nm，適合製造4/5nm工藝。 使用雙重曝光，可將內連接間距縮小到21-24nm，就能製造3nm工藝了，比如台積電N3B。 第二代EUV光刻機提高到了0.55 NA，臨界尺寸縮小到8nm，金屬間距最小約為16nm，可製造3-1nm，比如Intel就透露會在1.4nm節點上首次使用。 ASML CTO Martin van den Brink在接受采訪時確認，ASML正在調查開發Hyper NA技術，繼續推進各項光刻指標，其中NA數值將超過0.7，預計在2030年左右完成。 它表示，這種新型EUV光刻機適合製造邏輯處理器晶片，相比高NA雙重曝光成本更低，也可用來製造DRAM內存晶片。 ASML已披露的數據顯示，低NA光刻機的成本至少1.83億美元，高NA光刻機更是3.8億美元起步。 根據微電子研究中心(IMEC)的路線圖，2030年左右應該能推進到A7 0.7nm工藝，之後還有A5 0.5nm、A3 0.3nm、A2 0.2nm，但那得是2036年左右的事兒了。 來源：快科技

近日，全球光刻機大廠ASML首次在其荷蘭總部向媒體公開展示了最新一代的High NA EUV光刻機。 除了已經率先獲得全球首台High NA EUV光刻機的英特爾之外，台積電和三星訂購High NA EUV預計最快2026年陸續到位，屆時High NA EUV將成為全球三大晶圓製造廠實現2nm以下先進位程大規模量產的必備“武器”。 ASML發言人Monique Mols在媒體參觀總部時表示，一套High NA EUV光刻系統的大小等同於一台雙層巴士，重量更高達150噸，相當於兩架空中客車A320客機，全套系統需要250個貨箱來裝運，裝機時間預計需要250名工程人員、歷時6個月才能安裝完成，不僅價格高昂也相當耗時。 根據此前的爆料顯示，High NA EUV的售價高達3.5億歐元一台，約合人民幣27億元。 Monique Mols解釋稱：“我們不斷進行工程設計和開發，還有大量工作要做來校準它並確保它適合製造系統。” “我們和我們的客戶也有一個陡峭的學習曲線。”預計ASML今年還將發貨“一些”（High NA EUV系統），並且在定製和安裝方面仍有工作要做。 ASML CEO Peter Wennink表示，AI需要大量運算能力和數據儲存，如果沒有ASML將無法實現，這也是公司業務一大驅動力。ASML上季收到的EUV設備訂單也創下了歷史新高。 英特爾在2023年12月已率先拿下了全球首台High NA EUV光刻機，並已經開始在英特爾俄勒岡州晶圓廠安裝。 此前外界預計該設備將會被英特爾用於其最先進的Intel 18A製程量產，不過，日前英特爾CEO基辛格（Pat...

當地時間1月25日美國股市盤後，處理器大廠Intel公布了2023財年第四季（截至2023年12月30日為止）及2023財年全年的財報，雖然四季度業績整體優於分析師的預期，但是2024年第一季的業績指引卻大幅低於市場預期，導致Intel股價在盤後暴跌近11%。 不過，在IDM 2.0戰略的持續推進下，Intel在先進位程、晶圓代工及先進封裝方面的努力正在顯現，未來或將成為助推Intel“王者回歸”的關鍵動力。 2023財年第四季營收154.06億美元，同比增長10% 具體來說，Intel2023財年第四季營收154.06億美元，同比增長10%，打破了連續七個季度營收下滑的局面。 依照一般公認會計原則（GAAP）毛利率年增6.5個百分點至45.7%，淨利潤27億美元，上年同期淨虧損近7億美元。Non-GAAP毛利率為48.8%，淨利潤為23億美元，同比暴漲263%，每股稀釋利潤同比暴漲260%至0.54美元。 根據Yahoo Finance網站顯示，分析師預期Intel第四季營收為151.6億美元，Non-GAAP每股稀釋利潤為0.45美元。顯然，Intel的第四季的業績表現優於分析師的平均預期。 從Intel各業務部門的表現來看： 客戶端計算部門（CCG）2023年第四季營收為88.4億美元，同比增長33%，優於分析師平均預期的84.2億美元； 數據中心與人工智慧部門（DCAI）2023年第四季營收40億美元，同比下滑10%，低於分析師平均預期的40.8億美元； 網絡與邊緣部門（NEX）2023年第四季度營收15億美元，同比下滑24%；2023年全年營收58億美元，同比下滑31%。 子公司Mobileye 2023年第四季營收6.37億美元，同比增長13%；2023年全年營收21億美元，同比增長11%。 Intel晶圓代工服務（IFS）部門2023年第四季營收2.91億美元，同比大漲63%；2023年全年營收9.52億美元，同比大漲103%。 2023財年營收542億美元，同比下滑14% 從2023年全年業績來看，Intel2023財年整體營收為542億美元，同比下降了14%。GAAP毛利率問哦40%，淨利潤17億美元，大幅低於上年同期的80億美元。Non-GAAP毛利率為43.6%，淨利潤為44億美元，同比下滑36%，每股稀釋利潤同比下滑37%至1.05美元。 從Intel各業務部門的表現來看： 客戶端計算部門（CCG）2023年全年營收為293億美元，同比下滑減8%。 數據中心與人工智慧部門（DCAI）2023年全年營收155億美元，同比下滑20%。 網絡與邊緣部門（NEX）2023年全年營收58億美元，同比下滑31%。 子公司Mobileye 2023年全年營收21億美元，同比增長11%。 Intel晶圓代工服務（IFS）部門2023年全年營收9.52億美元，同比大漲103%。 IntelCEO帕特·基辛格表示：“我們第四季度業績穩健，連續第四季度超出預期。收入處於我們指導的上緣，由於我們持續不懈地關注提高運營槓杆率和費用管理，我們的每股收益（EPS）大幅上升，包括輕松實現我們2023財年30億美元的成本節約承諾。2023年無疑是我們做了我們說過要做的事情，而且做得更多的一年。我們打算讓2024年成為又一個這樣的年份。當我們展望未來12個月時，我們有信心在IDM 2.0的旅程中繼續取得長足進展。” 2024財年第一季業績指引低於預期，股價暴跌近11% Intel對於2024財年第一季度的業績指引是：銷售額預計達到122億至132億美元，每股盈利為13美分。遠低於分析師們平均預期的142.5億美元營收和34美分的美股盈利。 Intel還預計第一季度的毛利率為44.5%，略低於此前的估計45.5%。這一指標反映出Intel在IDM 2.0戰略之下，花費數百億美元建造工廠網絡，拖累了Intel的盈利能力。要知道，在2019年之前，Intel通常報告的毛利率遠高於60%。 由於第一季度的業績指引大幅低於市場預期，這也直接導致了Intel的股價在盤後暴跌10.88%。 對此，帕特·基辛格（Pat Gelsinger）解釋稱：“展望第一季度，我們的核心業務，包括客戶端、伺服器和邊緣產品，繼續表現良好，並正在接近季節性的低端。然而，包括Mobileye（MBLY）、PSG（Programmable Solutions Group）和業務退出等在內的謹慎逆風正在影響整體收入，導致第一季度指導值下降。重要的是，我們認為這是暫時的，我們預計2024財年每個季度的收入和每股收益都會連續和同比增長。隨著我們進入新的一年，圍繞新產品和新業務的勢頭和興奮感依然強勁，並將隨著新一年的進展而變得更加強勁。” 數據中心份額將持續上升，AI晶片營收將持續增長 對於數據中心與人工智慧部門四季度業績的下滑，Intel解釋稱，“在第四季度，我們的伺服器業務經歷了穩健的連續增長，與市場份額一致，我們認為市場份額與第三季度持平。”也就是說，Intel認為，伺服器業務的同比下滑，是整個市場需求下滑帶來的，並非受到了競爭對手的影響。 根據Intel的數據，自2023年初推出第四代至強以來，已售出250多萬台，約占第四代需求的三分之一是由人工智慧驅動的。 與行業領先的第四代Xeon相比，Intel推出的第五代至強能夠實現高達42%的人工智慧推理性能。第五代至強已經在阿里巴巴全面上市，正在與多家CSP進行公開和私人預覽，並有望在下個月與原始設備製造商（OEM）一起發貨。 “更重要的是，我們改進的執行力正在加強我們的產品組合，第4代和第5代Xeon表現良好；Sierra Forest和Granite Rapids即將到來；Clearwater Forest已經進入了晶圓廠。我們奪回數據中心市場份額的勢頭正在建立。”IntelCEO帕特·基辛格說道。 在人工智慧業務方面，Intel在今年四季度除了推出了支持人工智慧的第5代Xeon之外，還推出了面向AI PC的Core Ultra處理器，這款能夠支持100億參數大模型運行的產品也被Intel寄予厚望，希望憑借該處理器帶動PC市場的新一輪換機潮。 根據Intel的預計，2024年可交付約4000萬台人工智慧電腦。此外，Intel下一代AI PC平台——Lunar Lake 和 Arrow Lake也將於今年晚些時候推出，屆時將可帶來兩倍的人工智慧表現。到2025年，Intel將推出Panther Lake，將繼續把人工智慧性能再提高兩倍。 在目前的火爆的雲端AI加速晶片方面，Intel也在持續推動其Gaudi系列加速器的研發和市場開拓。 帕特·基辛格表示：“與最受歡迎的GPU相比，我們的Gaudi2 AI加速器繼續在性價比方面處於領先地位。在Databricks最近發布的一篇博客中，基於公共雲定價，Gaudi2顯然可以提供每美元最佳的訓練和推理性能。我們正在利用這一勢頭推出Gaudi?3，該產品將於今年推出，預計將以4倍的處理能力和2倍的網絡帶寬實現性能領先，從而實現更大的擴展性能。Gaudi3 現在已經進入實驗室，通電並表現出良好的健康和性能。Intel將Gaudi 和GPU系列合並為一個單一產品的Falcon...

三星在2022年6月量產了SF3E（3nm GAA），引入全新的GAA（Gate-All-Around）架構電晶體技術。今年三星計劃帶來名為SF3（3GAP）的第二代3nm工藝技術，將使用「第二代多橋-通道場效應電晶體（MBCFET）」，在原有的SF3E基礎上做進一步的優化，之後還會有性能增強型的SF3P（3GAP+），更適合製造高性能晶片。 據相關媒體報導，三星已開始採用第二代3nm工藝進行晶片的試產，還會測試晶片的性能和可靠性，目標是為了六個月內將良品率提升至60%以上，下半年能實現量產。對於三星和整個行業來說，這都是一件大事。憑借SF3，三星希望2024年有機會與台積電（TSMC）的先進工藝展開競爭。 有消息稱，三星計劃將SF3首先用於一款可穿戴設備所使用的晶片上，或許是Galaxy Watch 7所搭載的晶片。此外，三星還計劃在明年Galaxy S25系列智慧型手機所採用的Exynos 2500上，採用SF3製造。在三星看來，新的SF3可以使用不同寬度的MBCFET器件，從而提供了更大的設計靈活性。 目前三星還在改進其4nm工藝，除了投產的SF4P（4LPP+），還計劃推出用於高性能CPU和GPU的SF4X（4HPC），不過屆時台積電也會帶來名為N3P的增強型3nm工藝。 ...

近日，紫光展銳悄悄地推出了新款中端5G晶片平台：T765。其支持億級像素高清拍照、4K高清視頻錄制與播放，FHD+解析度下高刷屏達到120Hz，CPU/GPU性能提升，為消費者提供影音體驗升級的雙卡雙5G平台。 T765採用6nm EUV工藝製造，CPU部分為2+6二叢集八核心架構，包括2個[email protected]和六個[email protected]；GPU為Mali-G57 MC2，運行頻率為850MHz，支持刷新率為120Hz的FHD+螢幕，支持數據壓縮模塊DSC功能、HDR10+、支持VRR（動態刷新率）和智能解析度切換等；支持LPDDR4X-2133；支持UFS 3.1/2.2和eMMC 5.1快閃記憶體。 新平台搭載了最新Vivimagic 6.0影像引擎，4核ISP架構（ 2主+2輔），支持 108MP像素高清相機，64M+20M+13M高清三攝；全新自研多幀降噪MFNR和HDR拍照技術，超級夜景模式，暗光環境下拍照更加出色；支持4K 高清視頻錄制；支持FaceID智能解鎖、AI場景分類、手勢拍照、更精準的AI人像檢測及AI-Bokeh等功能。 T765覆蓋2G到5G網絡，實現多模全網通，支持5G雙載波聚合技術，高達130MHz通信帶寬，另外還支持SA和NSA雙模，雙卡雙VoNR和VoWiFi，帶有全場景覆蓋增強技術。此外，T765支持AI降噪與SmartPA智能功放，提供更清晰的通話質量及更高品質的播放效果，另外還有低功耗語音喚醒與控制技術，助力語音助手類應用。 ...

魔法工藝12月26日補丁一覽 – 召喚物啵啵的血量從 22/35/56 提升到 25/40/64 – 召喚物克總之手血量從15提升到19 – 修復了反彈+滾球 不會再懸崖場景中反彈的問題 – 修復在一定情況下在營地會同時顯示2個皮膚的問題 – 修復在一定情況下在營地會顯示錯誤的遺物描述的問題 – 修復遺物《打孔器》在高等級下讀檔會讓把法術擠出來的問題 – 玩家死亡時，無法再點擊ESC打開Menu了，避免UI混亂 – 修復詭雷在某些情況下可能掉入平地的問題 – 現在迷幻藥水在過圖時，效果會直接消失 – 修復法杖《女巫掃帚》在讀檔時，沒有飛行的問題 – 現在敵方單位以任何方式使用的高等級閃電疾行不會再出現落地爆炸效果了 – 調整了沖刺循環音效的播放方式 現在外星人捕獲沖刺後不會播放持續999秒的循環音效了 – 修復了滾球命中矮牆反彈時沒有反彈特效的問題 – 修正了穿雲箭+滾球時跑出矮牆邊界的地圖後輕功水上漂的問題，現在離開可行走范圍後也算作掉陷阱里 – 修復了連環或回響配合魔導書等法術產生的魔耗問題 來源：遊俠網

在IEDM 2023會議上，台積電（TSMC）介紹了萬億級電晶體晶片封裝的路線圖，將採用3D封裝完成。為了實現這一目標，台積電重申了正在開發的2nm級別的N2和N2P工藝，另外會在2030年之前，完成1.4nm級A14工藝和1nm級A10工藝的開發。 據TomsHardware報導，台積電預計隨著包括CoWoS、InFO和SoIC等封裝技術的進步，可以在2030年左右打造萬億級電晶體的晶片。此外，台積電也在致力構建多達2000億個電晶體的單晶片。 近年來，由於晶片製造廠商面臨技術和資金的挑戰，尖端半導體工藝技術的發展有所放緩。與其他同行一樣，台積電也面臨著相同的挑戰，但作為全球最大的晶圓代工廠，台積電非常有信心，隨著2nm、1.4nm和1nm製程節點的推出，能夠在未來五到六年內在性能、功耗和電晶體密度方面帶來進一步的提升。 目前英偉達的GH100是最復雜的單晶片設計之一，擁有800億個電晶體，不過台積電表示，很快便會有更為復雜的單晶片設計出現，電晶體數量將超過1000億個。要製造如此大的晶片，難度和成本都變得越來越高，因此更多的晶片設計公司傾向於採用多晶片設計，AMD的Instinct MI300X和英特爾的Ponte Vecchio就是很好的例子，由數十個小晶片組成。 按照台積電的說法，這一趨勢將會持續下去，幾年後我們會看到超過1萬億電晶體組成的多晶片解決方案。 ...

《魔法工藝》是一款既視感很強的地牢肉鴿遊戲，你能輕易從它身上發現些令人熟悉的設計痕跡——《Hades》的流程編排，《以撒的結合》的關卡製作，以及《Noita》的法術編輯。《魔法工藝》將這些屬於同領域佼佼者的成熟商業模板，盡可能地都化為己用，從元素融合與設計自洽的反復拉扯中，拓展出了不重疊的目標受眾。 簡言之，《魔法工藝》會比《Hades》的玩法內容更加花哨，又比《Noita》的上手門檻更低。這種處於精簡與繁雜之間的設計定位，是它的核心競爭力。 作為一款肉鴿作品，遊戲的玩法機制與BD構築，永遠是最引人入勝的細節。而《魔法工藝》也做到了取百家所長，將趣味性的內容盡可能拓寬延伸——法杖是玩家的主要武器，遊戲中隨時可以更替，每柄法杖還有著相當大的屬性區別，體現在冷卻、間隔、槽位、MP、恢復等欄位。 盡管《魔法工藝》並不像同類遊戲那樣，擁有刀槍棍棒甚至推出十八般兵器，但不同屬性的法杖，也為遊戲帶來了實質性的玩法區別——冷卻短的法杖適合堆疊大量增幅道具，用數值堆出單一法術製造大量傷害；間隔短的武器適合發射復數法術，用較短的法術切換以量取勝；若是兩者都短，玩家則要考慮魔力的續航，不然就會淪為恥辱的三秒男。 如果玩家不能理解冷卻與間隔的區別，則可能會遇到只裝備了一個法術，卻攻速奇慢便秘無比的戰鬥體驗。 與同類遊戲簡單的攻速欄位相比，《魔法工藝》通過射擊間隔、射擊冷卻以及藍量上限與法術槽位的相互制衡，呈現出了更細致的戰鬥環節，賦予了玩家更具可玩性的客制化功能，提供了不同主題的流派選擇。 這讓遊戲明明只有一把法杖作為武器選擇，玩家卻可以通過遊戲流程提供的道具，向腦海中想像的畫面不斷靠近——無論是連射大炮，還是拉栓重狙，抑或是定位迫擊炮，都可以由一柄法杖重現。 使用道具來改良法杖，是遊戲最具趣味性也最有參與感的環節，《魔法工藝》為玩家提供了諸如彈射、分裂、穿透、自瞄等不同欄位的輔助道具，將它們與法杖搭配，就會讓發射出來的法術變成一個嶄新的版本。如果你曾玩過《Noita》，這種法術編輯玩法會令你倍感親切。 舉個例子，魔法彈是遊戲中最朴實的法術——一個沒有任何屬性的圓球，觸碰便可造成傷害，沒有任何特殊效果，也沒有任何特殊特性，極為普通。但只要玩家裝備上分裂，魔法彈便可以在命中後迸裂成三個子體。 這時候問題來了——「迸裂的子體魔法彈是散開的，不是徒有花哨，完全打不到人？」 這時候，你便可以繼續加持自瞄道具，子體魔法彈便可以在迸裂後自動向敵人靠近，令一發魔法彈造成四次傷害。 如果你想繼續強化魔法彈，還可以通過雙重射擊來一次發射二發彈藥，再配合連結閃電，便可以在兩發子彈之間製造一幕電網，即使敵人從間隙中躲過魔法彈，也會被電網絞殺。 當然，魔法彈分裂出的子體同樣會連結電網，子子孫孫無窮無盡，這讓本來普普通通的魔法彈也能席捲整個螢幕，營造出神擋殺神的魔法彈火力網。 在同類遊戲中，BD搭配往往是改變角色的特性與模組，比如攻擊帶電，攻擊次數增加。而《魔法工藝》改變的卻是底層形態，它能讓玩家充分發揮想像力，製作出獨屬於自己的招式——這種參與感，是《魔法工藝》最核心的正向反饋。 比如，遊戲中我最喜歡的法術是閃電疾行，它可以令角色化身一道閃電，通過方向鍵來控制方向，在螢幕中自由穿梭。起初，這個法術由於難以控制，是我用來在機關房裡躲避機關的取巧技能，我會為它裝備許多個飛行速度與持續時間上升，作弊般快速取得關底道具，或是躲避無差別傷害。 但偶然一次，我發現遊戲中還有一個稀有道具——滑鼠，它可以讓法術的彈道跟隨玩家的滑鼠指針，令遊戲從俯視角射擊一躍變身FPS。可遊戲本來就有自瞄道具，這手動擋瞄準不是多此一舉？ 令人驚奇的是，將閃電疾行與滑鼠結合，本來難以控制的高速電球，便成了依靠滑鼠指針就能簡單操控的弧形閃電——指哪跟哪，這可比WASD好操控多了。 這讓玩家甚至可以放置滑鼠不動，令電球懸停在敵人身上就能不間斷地造成傷害，並且全程無敵。而自瞄道具卻不能形成相同的效果，因為自瞄只會令閃電疾行不停地圍繞敵人飛行，一旦有復數敵人，便會義無反顧地撞去。 果然，這種高速法術還是得開手動擋。 當然，遊戲中胡亂搭配也會有反效果，比如本來可以射穿一個螢幕的超長法術，在裝備了滑鼠後，彈道長度則也會一並跟隨滑鼠指針。 如若玩家習慣性地將指針落在了敵我之間的路徑中，法術的彈道則也會停留在指針處，並不會走完原本的射程，這也導致手動擋的應用面並沒有那麼寬泛。 如果你是個「吸血鬼Like」擁躉，習慣了那些自動戰鬥的肉鴿遊戲，《魔法工藝》還為你准備了自動魔杖與共鳴符文，令法杖可以自主參與戰鬥，讓單人流程瞬間變成多人冒險。 可以說，只要你夠胡，一次冒險就可以獲得同類遊戲好幾趟的復合體驗。 肉鴿遊戲的本質不就是腦內模擬與實踐試錯，《魔法工藝》允許玩家同時裝備復數魔杖的設計，令該類遊戲的精髓得以最大程度地發揮——「切槍」等操作自不在話下，正義的多打一更是手到擒來。 除了構建屬於自己的法術，屬於自己的魔杖，《魔法工藝》還有著召喚流，可以創造屬於自己的寶寶。 如果玩家為之配備各類輔助道具，同樣也可以獲得改變其底層邏輯的功能——自瞄可以令寶寶的攻擊自動追蹤，毒、冰等屬性也可以為寶寶附魔，再配合分裂、穿透等道具，就連寶寶的攻擊都能變成獨一無二的法術。 不過，大部分寶寶都有著召喚上限，想要打破這一規則，就需要一個獨特的召喚物——魔法書，它可以復制自己後槽的第一個法術。如果在魔法書後放一個召喚法術，讓玩家召喚出來的魔法書再召喚寶寶，便不會有數量的上限。 也許，開發者對魔法書的設計初衷，是提供一個足夠廉價的施法媒介，在使用MP總量並不充裕的法杖時，讓其代替自己來使用高位法術。而讓寶寶來召喚寶寶這種邪道玩法，就是誰也沒能想到的遊戲性拓展了。 《魔法工藝》擁有大量的法術與輔助道具，甚至是輔助性的法術，來讓普普通通的法術搖身一變，毀天滅地——或是更改其用途，讓它變得更加易用。 充當施法媒介的魔法書，改變彈道的滑鼠都是較為代表性的遊戲內容，除此之外，還有引導魔彈這樣特殊的存在——引導魔彈本身沒什麼傷害，但它可以在結束時釋放後槽的下一個法術。 這聽起來似乎沒什麼用，但仔細一想，遊戲中有著不少施法距離較近，因此難以使用的法術。比如引雷陣，它總會被施放在角色腳下，這讓玩家不得不冒著風險與敵人臉貼臉使用，若是配合引導魔彈，則可以將引雷陣發射出去，變成一個遠程法術，這就是它的妙用。 再進階的，則是配合反射、持續時間、飛行速度道具，讓玩家可以通過彈射牆面來控製法術的落點，進一步增加法術的命中率。遊戲內有著充足的，奇奇怪怪的輔助道具，足以讓玩家展開頭腦風暴。 相比於《Noita》，《魔法工藝》將近似編程的法術編輯系統大大精簡，為玩家帶來了更平易近人的法術改造玩法，但由於遊戲目前正處於搶先測試階段，遊戲內容的總體量其實並不算多，堪堪三關總是在玩家剛開始爽時便戛然而止。所以，目前的《魔法工藝》很難帶給玩家同等於前者的廣闊體驗，它顯得有些小家子氣，來來回回也就是那麼幾個道具輪番換著用。 換句話說，玩家總是會用著不同的法術，卻配合著相近的道具，最後難免玩成一個數值遊戲，局限在數值上的比大小。 盡管法術間能得出的結果各不相同，不同法術帶來的流派觀感也極為鮮明，但遊戲缺少對縱向深度的進一步探索，精簡後的法術編輯系統沒能提供足夠的後勁，這讓《魔法工藝》的後期流程不免也落入了俗套。 加之遊戲的關卡設計較為粗糙，敵人的構造也大多是移動個體加彈幕的基礎性設計，這讓遊戲的同質化觀感會隨著遊戲時間的增長，愈發嚴重——傷害測試器、打樁測試器，大部分沒有動作元素的肉鴿遊戲，結局大抵是如此。 這也造成了遊戲不夠耐玩的現狀。 但不能否認的是，《魔法工藝》玩起來確實很爽，只是對熱衷於動作元素的玩家，它缺少了足夠的博弈與挑戰，令遊戲的流程變得較為自閉。並且，礙於遊戲的特性，《魔法工藝》的後續更新大概也會圍繞著怎樣更爽來展開，你很難期待精緻的關卡，有趣的敵人，以及挑戰性的BOSS。 所以，《魔法工藝》更推薦給那些單純對法術編輯充滿熱忱的玩家——如果你很享受改造法術形態的客制化玩法，那麼這款遊戲的設計方向一定與你志同道合。 反之，如果你想得到《挺進地牢》《Hades》般的刺激戰鬥，那恐怕就要失望了。 來源：3DMGAME

快科技12月23日消息，據媒體報導稱，Intel的CEO接受采訪時表示，自家的18A製程（1.8nm）比領先台積電N2，在這塊他們2年內沒有對手。 報導稱，英特爾的未來取決於重新獲得半導體製造領域的技術領先地位，這位CEO相信這將在兩年內實現。 在Intel的CEO看來，其對20A和18A充滿信心，主要是因為它們採用了RibbonFET架構，即全柵極 (GAA) 電晶體和背面功率傳輸技術。 這些技術對於製造2nm晶片的公司來說至關重要，可以在降低功率泄漏的同時實現更高的邏輯密度和時鍾速度。 與此同時，台積電的N3P和其他即將推出的3nm節點將繼續使用成熟的FinFET架構，直到英特爾一年後的N2節點轉向GAA。 不過台積電並不買帳，公司總裁魏哲家之前聲稱，根據內部評估，台積電N3P 3nm工藝在性能方面就可以媲美Intel 18A，而且更早推出、更成熟、更省成本。 他還強調，台積電的2nm工藝比Intel 18A更加先進，2025年推出的時候將成為最先進的製程工藝。 值得一提的是，Intel的CEO之前還表示，英偉達的成功都是運氣。 來源：快科技

近日，台積電（TSMC）在IEEE國際電子元件會議（IEDM 2023）上透露，其1.4nm製程節點的研發工作已全面展開，進展順利，同時再次強調下一代的2nm製程節點會在2025年實現量產。 據TomsHardware報導，這是台積電首次對外披露其1.4nm製程節點的情況，其對應工藝的正式名稱為「A14」。至於A14工藝的具體規格和量產時間，暫時還不清楚。按照台積電的計劃，N2工藝計劃在2025年底量產，N2P工藝則是2026年底，有理由相信A14工藝的推出時間大概在2027年至2028年之間。 盡管台積電正在探索下一代堆疊式CFET架構電晶體技術，不過A14工藝不太可能採用，更可能依賴於第二代或第三代Gate-all-around FETs（GAAFET）電晶體技術，這一點應該與N2工藝相同。此外，也不清楚台積電是否會在A14工藝上啟用High-NA EUV光刻機，新設備的引入或許會為晶片設計人員和晶片製造商帶來一些新挑戰。像N2和A14這樣的前沿半導體工藝，需要系統級協同優化，才能真正發揮作用，最終將性能、功耗和功能提升到新的水平。 去年三星在「Samsung Foundry Forum 2022」上，公布了未來的技術路線圖，其中SF1.4（1.4nm級別）工藝預計會在2027年量產，納米片的數量從3個增加到4個，有望顯著改善性能和功耗的表現。從時間上來看，台積電的A14工藝應該與三星的SF1.4工藝差不多。 對於外界盛傳三星在2nm上采降價策略搶奪訂單，台積電董事長劉德音表示「客戶還是看技術的品質」，似乎對下一代工藝非常有信心。 ...

在IEDM 2023上，英特爾研究人員在大會上展示了結合背面供電和直接背面觸點（direct backside contacts）的3D堆疊CMOS電晶體，分享了近期背面供電研發突破的擴展路徑（如背面觸點），並率先在同一塊300毫米晶圓上，而非封裝中，成功實現了矽電晶體與氮化鎵（GaN）電晶體的大規模單片3D集成。 電晶體微縮和背面供電是滿足世界對更強大算力指數級增長需求的關鍵。一直以來，英特爾始終致力於滿足算力需求，表明其技術創新將繼續推動半導體行業發展，也仍然是摩爾定律的「基石」。英特爾組件研究團隊不斷拓展工程技術的邊界，包括電晶體堆疊，背面供電技術的提升（有助於電晶體的進一步微縮和性能提升），以及將不同材料製成的電晶體集成在同一晶圓上。 英特爾近期在製程技術路線圖上的諸多進展，包括PowerVia背面供電技術、用於先進封裝的玻璃基板和Foveros Direct，彰顯了英特爾正在通過技術創新不斷微縮電晶體。這些創新技術均源自英特爾組件研究團隊，預計將在2030年前投產。 在IEDM 2023上，英特爾組件研究團隊同樣展示了其在技術創新上的持續投入，以在實現性能提升的同時，在矽上集成更多電晶體。研究人員確定了所需的關鍵研發領域，旨在通過高效堆疊電晶體繼續實現微縮。結合背面供電和背面觸點，這些技術將意味著電晶體架構技術的重大進步。隨著背面供電技術的完善和新型2D通道材料的採用，英特爾正致力於繼續推進摩爾定律，在2030年前實現在單個封裝內集成一萬億個電晶體。 英特爾實現了業界領先的、突破性的3D堆疊CMOS電晶體，結合了背面供電和背面觸點技術，能夠以微縮至60納米的柵極間距垂直地堆疊互補場效應電晶體（CFET）。該技術可通過電晶體堆疊提升面積效率（area efficiency）和性能優勢，還結合了背面供電和直接背面觸點。該技術彰顯了英特爾在GAA（全環繞柵極）電晶體領域的領先地位，展示了英特爾在RibbonFET之外的創新能力，從而能夠領先競爭。 英特爾在四年內超越了五個節點，並確定了通過背面供電繼續縮小電晶體規模所需的關鍵研發領域，英特爾的PowerVia將於2024年生產准備就緒，率先實現背面供電。英特爾組件研究團隊在IEDM 2023上發表的研究明確了超越PowerVia，進一步拓展背面供電技術的路徑，及所需的關鍵工藝進展。此外，該研究還強調了對背面觸點和其它新型垂直互聯技術的採用，從而以較高的面積效率堆疊器件。 英特爾率先在同一塊300毫米晶圓上成功集成矽電晶體和氮化鎵電晶體，且性能良好，在IEDM 2022上，英特爾聚焦於性能提升，以及為實現300毫米矽基氮化鎵（GaN-on-silicon）晶圓開辟一條可行的路徑。今年，英特爾在矽和氮化鎵的工藝集成方面取得了進展，成功實現了一種高性能、大規模的集成電路供電解決方案，名為「DrGaN」。英特爾的研究人員率先在這一技術領域實現了良好的性能，有望讓供電解決方案滿足未來計算對功率密度和能效的需求。 英特爾推進2D電晶體領域的研發工作，以使其在未來繼續按照摩爾定律的節奏微縮下去，過渡金屬二硫屬化物（TMD, Transition metal dichalcogenide）2D通道材料讓電晶體物理柵極長度有機會微縮到10納米以下。在IEDM 2023上，英特爾將展示高遷移率（high-mobility）的過渡金屬二硫屬化物電晶體原型，用於NMOS（n型金屬氧化物半導體）和PMOS（p型金屬氧化物半導體）這兩大CMOS關鍵組件。此外，英特爾還將展示其率先實現的兩項技術：GAA 2D過渡金屬二硫屬化物PMOS電晶體和在300毫米晶圓上製造的2D電晶體。　 ...

魔法工藝存檔文件在C盤的Users電腦名稱AppDataLocalLowbolangMagicraft文件夾下，我們可以將從網上下載的存檔文件放在該目錄下，以達成遊玩別人存檔的效果。 魔法工藝存檔文件在哪裡 1、魔法工藝的存檔位置是C:Users電腦名稱AppDataLocalLowbolangMagicraft。 2、路徑中的「電腦名稱」可能會因為各人差異而不同，默認情況下是users或者admin。 3、找到該文件夾後，可以將從網絡上下載的存檔文件放到該文件下，這樣我們就可以遊玩別人的存檔了。 來源：遊俠網

魔法工藝超載散射是遊戲中的一種法術增強，滿足了該法術增強的釋放條件之後，我們可以一次性施展五個法術，但是前提是藍量要足夠。 魔法工藝超載散射是什麼 1、超載反射是遊戲中的一種法術增強，他的效果是可以同時施展五個法術。 2、但是這個強力的法術是需要施法條件的，必須要在該法術的右側有5個主動飛彈法術時才能主動施展。 3、還有一個比較硬性的條件，就是你的藍量得足夠，不然一個法術都發不出去。 來源：遊俠網

魔法工藝注魔硬幣可以通過擊敗第二關的「滕蔓」來獲得，不過滕蔓出現的機率很低，打好幾局都不一定能遇到一次，如果遇到了那我們其實就可以利用注魔硬幣玩金幣流了。 魔法工藝注魔硬幣怎麼獲得 1、第二關的時候如果遇到的了滕蔓，那麼擊敗他就可以獲得注魔硬幣。 2、不過問題是滕蔓出現的機率很低，很少有玩家能多次遇到。 3、那麼這麼難以獲得注魔硬幣強度怎麼樣呢，答案是非常的強力。 來源：遊俠網

12月5日，台灣科學技術委員會發布公告，公布了以具主導優勢與保護急迫性的技術為主的22項核心關鍵技術清單，涵蓋了防務、農業、半導體、太空、信息安全等5大領域。 其中在半導體方面，14nm以下製程的晶片製造技術及其關鍵氣體、化學品及設備技術；異質整合封裝技術-晶圓級封裝技術、矽光子整合封裝技術及其特殊必要材料與設備技術；晶片安全技術；都被列入了核心關鍵技術清單。 以下為22項核心關鍵技術清單內容： 1、軍用碳纖維復合材料技術 2、軍用碳/碳高溫耐燒蝕材料技術 3、軍用新型抗干擾敵我識別技術 4、軍用微波/紅外/多模尋標技術 5、軍用主動式相列（相控陣）偵測技術 6、動壓引擎技術 7、衛星操控技術 8、太空規格X-Band影像下載技術 9、太空規格影像壓縮電子單元（EU）技術 10、太空規格CMOS影像傳感器技術 11、太空規格光學酬載系統之設計、製造與整合技術 12、太空規格主動式相位陣列天線技術 13、太空規格被動反射面天線技術 14、太空規格雷達影像處理技術 15、農業品種育成及繁殖、養殖技術-液態菌種培養技術、水產單性繁殖技術 16、農業生物晶片技術-農業藥物殘留檢測技術、動植物病原檢測生物晶片技術 17、農業設施專家系統技術-作物溫室、養殖漁業水環境之設計、運營及維護管理專家系統技術 18、14nm及以下製程之晶片（IC）製造技術及其關鍵氣體、化學品及設備技術 19、異質整合封裝技術-晶圓級封裝技術、矽光子整合封裝技術及其特殊必要材料與設備技術 20、晶片安全技術 21、後量子密碼保護技術 22、網絡主動防禦技術 同時，未來受政府資助經費超過50%的關鍵技術涉密人員，赴中國大陸需申請許可。 根據台灣去年通過的“安全法”規定，竊取核心關鍵技術者，最重可判處12年有期徒刑，罰金可視不法所得利益加倍。 科學技術委員會表示，半導體領域方面，台灣半導體產業為全球市占率第一，高度連動相關產業鏈發展，對台灣經濟發展與產業競爭力具有高度影響性；其中項目包含14nm以下製程的晶片製造技術及其關鍵氣體、化學品及設備技術。 來源：快科技

又是一周推薦時， 先來看看本周有哪些新品吧！ 冬日免費轉盤活動 活動時間：11月25日12:00 - 11月29日12:00 活動規則： 1.活動期間內，開啟冬日免費轉盤，每個ID每天可免費轉盤【3】次，每日零點重置。 2.免費轉盤獲得的獎品會自動到達您的歐氣賞帳戶內/玩具櫃中。 活動獎品： ROBOT魂高達決戰（價格：59元/抽） 超神賞-ROBOT魂 RGMｰ79SP 吉姆狙擊型II ver. A.N.I.M.E. 再版 ROBOT魂吉姆狙擊型II ver.A.N.I.M.E.對動畫中的造型進行了細致的考證， 成品的高度來到了12.5厘米， 機體的關節部位也擁有著出色的可動性， 保證了在手持多種武器時也能擺出各種帥氣的姿勢。 武裝部分， 標志性的武器狙擊步槍自然是必不可少， 另外還擁有犢牛式機關槍， 光束軍刀和盾牌這些常見的武裝。 推進器噴射的特效零件也包含在其中， 可以重現機體的推進狀態。 超神赏-ROBOT魂 RGM-79G 吉姆指挥官型 土拨鼠小队式样 ver.A.N.I.M.E. 本机使用吉姆指挥型(殖民卫星规格)为母体， 改装了手臂、背包、盾牌， 是以收集量产机运用数据为目的的MS实验部队规格。 商品化实现了忠于设定稿的外形， 藉由胸部内藏的可动轴使胸幅可以变化。 脚部有配合可动滑动的小腿， 肩部、手肘、手掌都有宽广的可动范围， 可以呈现自然的姿势。 附送了配合游戏中设定的全新造形盾牌， 以及光束喷枪、犊牛式机关枪等各种武装。 独特造型的背包可以藉由装上挂架悬挂各种装备， 腰部也可以悬挂武器。 万代 SHF 假面骑士gotchard（价格：39元/抽） First赏&Last赏-【预订】万代 SHF 假面骑士gotchard 歌查德 蒸汽蝗虫 代理版 《假面骑士歌查德》中的「假面骑士歌查德 蒸汽蝗虫」登场S.H.Figuarts系列！ 令和假面骑士系列首次采用电镀工艺， 忠实地表现出闪亮的全身造型！ 胸部的火焰和歌查德驱动器也被精心再现， 让您可以享受以剧中比例还原各种动作场景。 附带歌查德充能枪。 细节部分经过精心考量， 压倒性的品质使可动性能与比例并存！ 厨力激战 手办篇（价格：199元/抽） 超神赏-【预订】GOLDEN HEAD 我家的猫是可爱女孩...

魔法工藝遊戲中是沒有所謂的套裝效果的，套裝只是玩家們自己研究出來的套路，我們不一定非要湊齊某個套裝，玩家們可以自行研究通關的套路，這也是本作的樂趣所在。 魔法工藝套裝解鎖方法 1、本作中沒有所謂的【套裝】。 2、玩家們所謂的【套裝】其實都是大家研究出來的通關套路。 3、我們沒有必要完全按照攻略或是別人開發的套路去通關。 來源：遊俠網

魔法工藝新手易成型的組合推薦 1、光之柱+臍帶： 有臍帶就可以玩，需要多去鍛造房積累出足夠多的臍帶和高級的光之柱。 臍帶盡量不要升級，數量取勝。 光之柱有+就可以，配合多重射擊可以做到三發吃滿(一次召喚4*2，上限24)。 此外必備雷電行走用於調整走位即可。 其他可選項：可以選擇毒讓臍帶可以掛毒。這個套路的秒傷很容易突破1k。 2、蓄力模式+隕石/黑洞/詭雷 撿到一個蓄力模式再等個高傷害的法術就能玩。 蓄力模式不需要升級，剛需升級過的分裂、多重射擊。可以多拿幾個復製法術復制一些傷害增幅，如果有降低魔法消耗的魔杖就更好了。 後續強化：最需要的是自動追蹤來提高命中率，此外可以添加節能模式+和冰霜強化。 這個套路比較吃法杖素質，因為黑洞和隕石這種法術的消耗偏高，蓄力模式6發如果沒有足夠的魔法量會無法吃滿，也正因為這個原因蓄力模式不推薦升級，因為2級蓄力模式雖然磨耗下降到80%，但是12發要求的總藍量過高。 3、蝴蝶閃電鏈： 前期拿到閃電鏈或者雷霆核心，就可以找蝴蝶了。 剛需分裂、多重施法、蝴蝶和多個閃電鏈。可以帶毒、火焰強化、雷霆核心來進一步提高輸出。 此外，奧術新星可以大幅度提高這個法術的傷害，但是容易死機。 上圖的這個容量的法杖是遊戲中期就能拿到的，或者前期boss掉的法杖插一個擴容石差不多也能達到接近的效果(傷害會低一些)。 來源：遊俠網

Rapidus是由索尼、豐田、NTT、三菱、NEC、鎧俠和軟銀等八家日本企業於2022年成立的合資企業，旨在實現本地化先進半導體工藝的設計和製造。Rapidus已在2022年底與IBM簽署了技術授權協議，計劃在2025年啟動生產線，試產2nm晶片，並在2027年開始實現批量生產。 Tenstorrent宣布，已經與Rapidus達成協議，雙方將展開合作，共同開發基於2nm工藝的人工智慧（AI）邊緣領域的半導體IP，為人工智慧帶來更大的創新。Tenstorrent希望通過與Rapidus之間的技術合作，加速尖端設備的開發，以滿足不斷發展的數字社會的需求。 Tenstorrent是一家位於加拿大多倫多的人工智慧晶片初創公司，最初為圖像識別和語音處理任務設計人工智慧晶片，今年又分享了基於RISC-V架構的Ascalaon晶片。曾在英特爾、AMD、蘋果和特斯拉任職的傳奇晶片架構師Jim Keller，目前在Tenstorrentr擔任總裁、CTO和董事會成員，今年還接任了CEO一職。 2023年9月1月，Rapidus在北海道千歲市的晶圓廠正式動工開建，這將是日本首家採用2nm及以上工藝的邏輯半導體工廠。目前Rapidus已經派遣研究人員到位於美國紐約的奧爾巴尼納米技術中心，與IBM開展2nm工藝技術的研究工作。 ...

《魔法工藝》中好玩強力的流派是非常多的，攻守兼備流就是其中一個，而想要玩這個流派的話首先可以去搞法術光之柱，它是必不可少的，作為唯一一個防禦性法術，光之柱的防禦性無需多言。 魔法工藝攻守兼備流怎麼玩 首先，光之柱！ 這玩意兒必不可少！ 作為唯一一個防禦性法術，光之柱的防禦性無需多言！ 我們只用看看他的效果！ 主打的就是一手安全感！ 那麼接下來讓我們加點料！ 來一個寄生蟲！ 這樣光之柱就可以最大化利用了，不僅能作為防禦手段，還可以用作進攻！ 你以為到這里就完了？nonono！ 現在我們需要第二根魔杖！ 然後給第二根魔杖裡面加入詭雷！ 最關鍵的來了，我們還需要一個共鳴符文！ 當我們在使用光之柱的時候詭雷就會自動發射！ 什麼叫密不透風，什麼叫猥瑣發育？ 什麼叫進可攻退可守！ 除了烈焰核心之外，什麼東西都可以往裡面加！ 什麼粘液晶石啊！ 減速炸彈！ 或者毒液晶石！ 純純的生化炸彈！ 當然了，除了炸彈裡面加料，光之柱裡面也可以加料！ 例如毒液寄生蟲！ 一群群帶毒的小綿羊向你飛奔，那感覺想想都覺得刺激！ 遺物方面我們選擇傷害類型的就行：穿雲箭，惡魔面具，火絨心，這些都可以！ 這才叫攻守兼備！ 來源：3DMGAME

《魔法工藝》中可以快速通關的套路是很多的，但要說比較適合新手的也不算多，而比較不錯的一個套路組合就是法術書+疾行，完全體組合就是法術書+疾行+追蹤+時長+增傷，簡單來說就是依靠疾行無敵的特質，讓法術書無敵。 魔法工藝新手什麼套路能快速通關 核心組合：法術書+疾行 完全體組合：法術書+疾行+追蹤+時長+增傷 這個組合套路就是，依靠疾行無敵的特質，讓法術書無敵，然後依靠時長增加2s，完美度過法術書的回藍期，期間幾乎0停頓全屏追蹤導航。這套組合容易湊齊，前期無敵，後期安逸！通關簡單，副魔戰搭配各類型召喚，防禦型技能即可。 大致效果就是這樣，法術書只要結束施法，馬上就會繼續釋放疾行，唯一的缺點就是，釋放法術書到法術書第一次沖刺，需要等一次cd，後續就躲起來苟著就完事了，堪稱最簡單高效的新手通關方式，我靠這個困難模式一次通！ 總結下來，增傷越多越好，回藍正常的就夠用！看到召喚物x2的遺物必拿，然後你要想視覺爽，還可以法術書套法術書套疾行，可以大威天龍的效果！就是啟動慢，法術書沒啟動就死了，建議是不用套，3個疾行書其實很厲害了。 來源：3DMGAME

《魔法工藝》中的好玩的玩法流派是非常多的，爆裂射線流就是其中比較特殊的一個，這個流派的核心法杖就是瓦解射線，選擇瓦解射線的原因很簡單，射速快，傷害高！可以更快速的觸發我們核心法術的效果！ 魔法工藝爆裂射線流應該怎麼玩 第一根法杖：瓦解射線！ 我們選擇瓦解射線的原因很簡單，射速快，傷害高！可以更快速的觸發我們核心法術的效果！ 那接下來就是我們的核心法術！ 強力牽引！ 看一下二星強力牽引的詞條，法術暴擊時，隨機牽引半徑9m內的四名敵人並造成等額傷害！ 什麼意思？ 簡單來說就是當你暴擊的時候，命中目標如果受到了100滴血的傷害，那9m范圍內的隨機4個怪物也會受到等額的傷害！ 而我們知道，瓦解射線這個技能是可以貫穿小怪的，他可以同時攻擊一條直線上多個敵人，並且同時觸發暴擊！ 這意味著什麼，意味著每一個小怪都會吃到強力牽引的效果！從而產生大面積的范圍牽引！ 假設受到傷害的小怪沒有互相被強力牽引隨機到，當我們一條線打中三個小怪的時候，就會牽引到12名小怪並造成等額傷害，加起來就是同時攻擊了15個小怪，其中自瞄了12個！ 即便是一星的，也可以牽引2名小怪，3個小怪就牽引了6個，加起來就是同時攻擊了9個小怪！ 並且受到的傷害都是暴擊傷害，因為只有暴擊的時候才能觸發這個被動！ 雖然只是機率情況，但你就告訴我強不強！ 拉扯的敵人多，就大范圍造成傷害，拉扯的敵人少，就可以快速秒殺范圍內敵人！ 那既然剛需的暴擊，我們就需要另一個法術了！ 精準射擊！ 精準射擊不僅可以提升暴擊率，還可以幫助我們修正散射角度，要知道不少好的法杖動輒散射角度100+，精準射擊就幫助我們完美完成了這個問題！ 到這里第一根法杖的魔法組就差不多了，如果有晶石什麼的也可以裝上，我個人推薦冰霜結晶，很好用。 然後呢，第二根法杖： 守護杖靈！ 效果也簡單，就是讓另一根法杖輔助戰鬥，他有下替，共鳴符文。 有守護杖靈我們優先用守護杖靈，沒有的話就用共鳴符文。 接下來是： 隕石，隕石的傷害非常高，因為第一根魔杖即便暴擊也未必能夠清場，而隕石的作用就是輔助第一根法杖做清場的效果！但是因為隕石其實非常的耗藍，所以我們需要加一個節能模式！ 然後我們可以再加一個分裂，讓隕石的范圍最大化，輻射到更多的小怪！ 好了，到這里兩根法杖的法術就介紹的差不多了，下面是法杖的和遺物的選擇。 爆裂射線的法杖前期沒什麼要求，第二章boss可能會爆大法師聖劍，見到了要拿，因為大法師聖劍是增加暴擊率的，完美貼合我們的強力牽引！ 隕石的魔杖見到三色權杖一定要拿，三色權杖帶來的debuff加上分裂隕石的大范圍傷害效果非常好！ 遺物方面剛需穿雲箭，騎士頭盔，暴怒之刃。 因為瓦解射線沒辦法穿牆，所以我們我們需要穿雲箭，騎士頭盔也很簡單，就怕隕石誤傷，所以減一下無差別傷害，至於暴怒之刃。 他的屬性就是提升暴擊傷害的，而我們追求的就是暴擊，所以非常契合！ 並且這三個遺物裡面優先升級的就是暴怒之刃！ 除此之外如果我們拿到了三色權杖，那就還需要一個金剛靴，免疫毒液傷害，這樣可以去掉三色權杖施加給我們的debuff，還可以拿惡魔面具，但是不強求，除非我們臉黑一直出不了精準射擊，暴擊率拉不上去。 進攻類型的遺物基本只拿暴怒之刃，其餘的都拿防禦類型，魂骨鎧甲，魂骨護肩，守護精靈，生命吊墜，泰坦護肩，渴血魔眼，騎士胸甲，這些都可以！ 法術方面我們優先升級瓦解射線，其次才是強力牽引！ 畢竟強力牽引牽引的也是瓦解射線打出來的暴擊傷害，瓦解射線打的傷害越高，強力牽引製造的傷害也就越高！ 那接下來讓我們看看實戰圖！ 通關法術組內法術一覽： 只有強力牽引二星！一個史詩級法術都沒有！ 這麼強力的法術組你不去試試還等什麼！ 來源：3DMGAME

《魔法工藝》中的強力法術是非常多的，多重射擊就是其中一個，效果是魔法消耗變為百分之一百五，但是法術會變為雙重射擊，簡單來說第二發半價，屬於是相當強的增益法術，在法術全部命中的前提下還是很不錯的。 魔法工藝法術多重射擊怎麼樣 多重射擊屬於是相當強的增益法術，在法術全部命中的前提下，基礎對輸出法術傷害的增益就可達1.3倍至2倍之間不等（視乎你輸出法術的藍耗會否打空藍條），高於傷害強化。 升級後增加藍耗不變，法術分別會變為3重射擊和5重射擊，對於傷害的提高巨大，所以比較推薦升級。 但由於它會增加藍耗，所以最好搭配尋蹤/自動導航使用，增加法術命中率。 來源：3DMGAME

《魔法工藝》中的強力法術是非常多的，尋蹤就是其中一個，效果是增加法術飛行速度和法術持續時間，另外法術會追蹤你的滑鼠位置，它和自動導航、引線並列輸出法術三大救星，能讓許多不太行的法術變得很行。 魔法工藝法術尋蹤怎麼樣 尋蹤屬於是神技，與自動導航、引線並列輸出法術三大救星，能讓許多本來表現並不算很好的法術或者比較難用的法術產生質變。 由於還增加法術持續時間和飛行速度，比起自動導航更適合各種持續傷害型的法術，比如黑洞、落雷、冥蛇。 但雖然是神技，實際上沒什麼升級必要，基礎的就夠用。 來源：3DMGAME

《魔法工藝》中的BOSS遺物魂骨護肩是遊戲里非常好用的強力裝備，但是很多玩家都不太清楚這個護肩到底應該怎麼用，其實根據這個護肩的效果你只需要不停殺怪就可以了，把你的護甲無限疊上去。 魔法工藝遺物魂骨護肩怎麼用比較好 只要99血上限就能換，第一層拿到就沒再掉過血，虧我還多拿了幾個血上限保命，另外這個疊護甲是沒有上限的，主要是護盾無上限，滿血就拿不到回血了，而且拿到這個連血上限房間都可以不用再去。 來源：3DMGAME

《魔法工藝》中的大部分玩法流派都是需要一定操作或者技巧的，很多新手玩家沒有玩起來就會覺得非常難受，而比較適合新手的操作簡單的流派就是滾石流，只要合個二星滾石閉眼過，沒有任何壓力。 魔法工藝新手什麼流派簡單 萌新最推薦的還是滾石，操作簡單，合個二星滾石閉眼過，沒有任何壓力，滾石還能吸收子彈，攻防一體，就是玩一兩把之後很無聊。 來源：3DMGAME

《魔法工藝》中的強力玩法流派是非常多的，適合新手的也有很多，雷射書流就是其中一個，而雷射書流的特點就是倆書召喚加雷射加上回魔效果比較好的法杖就能做到快速擊殺各種敵人。 魔法工藝雷射書流有什麼特點 雷射書流是遊戲里比較適合新手的強力流派，而且這個流派還很好玩，倆書召喚加雷射配合一把回魔高的法杖直接全自動通關。 來源：3DMGAME

《魔法工藝》中的好玩的玩法流派是非常多的，肉搏彩虹就是其中比較特殊的一個，這個流派的核心法術就是彩虹，彩虹是七發齊射，每一發的傷害都不高，只有7，但是！但是請注意，我們是法坦，所以我們是要上去貼臉的！ 魔法工藝肉搏彩虹流怎麼玩 核心技能彩虹！ 彩虹是七發齊射，每一發的傷害都不高，只有7，但是！但是請注意，我們是法坦，所以我們是要上去貼臉的！ 彩虹的每一發傷害都是可以疊加的，就是如果是貼臉的情況下，七發全部命中一個敵人，那就是28的傷害！ 想打出這種傷害，那必須上去貼臉！ 除此之外，輔助技能只有兩個，一個是分裂 另一個是粘液晶石 分裂可以讓末端的彩虹打出多重濺射傷害，提高范圍。 粘液晶石可以緩速敵人，給咱們拉開更多的拉扯空間！ 合成優先級，彩虹是絕對要優先合出的，其次不需要合成分裂和粘液晶石，記住，粘液晶石和分裂一星就可以了，我們只是要他的效果而已！ 多出來的技能全部換成傷害提升，這個非常關鍵，近戰法坦什麼都不需要，我們只需要傷害，別的東西我們可以從遺物上彌補！ 那麼接下來法杖的選擇，這套組合技不是很吃法杖效果，如果有長者之手和精準射擊最好。 長者之手可以減散射角度10°，可以讓我們的彩虹更密集一些，這樣更容易集火到目標！ 精準射擊可以在減散射角度的同時增加暴擊幾率從而提升傷害 初始法杖： 長者之手減散射後： 有了精準射擊的加成後： 接下來就是遺物方面了，這套組合技，所有防禦類的遺物都可以拿，優先拿泰坦護肩！這個是最關鍵的！越多越好，其次淘金者軟甲，騎士頭盔，樹精肩甲，樹精長袍，渴血魔眼等等都可以拿！進攻類型的我們可以拿淘金者鎬，惡魔面具，火絨心也是不錯的選擇！畢竟貼臉打的情況下可以完美打出火絨心的效果！ 來源：3DMGAME

《魔法工藝》中的強力法術是非常多的，彩虹法術就是其中一個，不過這個法術需要正確使用才能發揮出效果，首先因為彩虹是七發齊射，每一發的傷害都不高，只有7，不過一次只有四發，一起打中也只有28點，但是搭配分裂就不一樣了。 魔法工藝彩虹法術怎麼用比較好 彩虹是七發齊射，每一發的傷害都不高，只有7，彩虹的每一發傷害都是可以疊加的，就是如果是貼臉的情況下，七發全部命中一個敵人，那就是28的傷害，想打出這種傷害，那必須上去貼臉，不過可以搭配輔助技能分裂和粘液晶石。 來源：3DMGAME

《魔法工藝》中的強力法術是非常多的，彩虹法術就是其中一個，不過這個法術需要搭配輔助法術才能變得更厲害，而比較推薦的輔助技能就是分裂和粘液晶石，分裂可以讓末端的彩虹打出多重濺射傷害。 魔法工藝彩虹法術需要搭配什麼輔助技能 彩虹比較推薦搭配的輔助技能就是分裂和粘液晶石，分裂可以讓末端的彩虹打出多重濺射傷害，提高范圍。粘液晶石可以緩速敵人，給咱們拉開更多的拉扯空間。 合成優先級，彩虹是絕對要優先合出的，其次不需要合成分裂和粘液晶石，記住，粘液晶石和分裂一星就可以了，我們只是要他的效果而已！ 來源：3DMGAME

《魔法工藝》中的公轉是遊戲里用起來很不錯的強力遺物，而公轉這個東西還是有很多特殊用途的，那就是配合閃電疾行可以原地轉圈，搭配移動充能後置槽的法杖觸發頻率極高，加上閃電疾行時自己是無敵的。 魔法工藝公轉有什麼特殊用途 公轉的另一個用途是配合閃電疾行原地轉圈，搭配移動充能後置槽的法杖觸發頻率極高，加上閃電疾行時自己是無敵的，非常安逸且快樂（唯一天敵第二關刺球，會截停閃電疾行）。 此處公轉建議無星版本，公轉半徑小更容易控制結束時的落點。 來源：3DMGAME