三星在2022年6月量產了SF3E（3nm GAA），引入全新的GAA（Gate-All-Around）架構電晶體技術。今年三星計劃帶來名為SF3（3GAP）的第二代3nm工藝技術，將使用「第二代多橋-通道場效應電晶體（MBCFET）」，在原有的SF3E基礎上做進一步的優化，之後還會有性能增強型的SF3P（3GAP+），更適合製造高性能晶片。
據相關媒體報導，三星已開始採用第二代3nm工藝進行晶片的試產，還會測試晶片的性能和可靠性，目標是為了六個月內將良品率提升至60%以上，下半年能實現量產。對於三星和整個行業來說，這都是一件大事。憑借SF3，三星希望2024年有機會與台積電（TSMC）的先進工藝展開競爭。
有消息稱，三星計劃將SF3首先用於一款可穿戴設備所使用的晶片上，或許是Galaxy Watch 7所搭載的晶片。此外，三星還計劃在明年Galaxy S25系列智慧型手機所採用的Exynos 2500上，採用SF3製造。在三星看來，新的SF3可以使用不同寬度的MBCFET器件，從而提供了更大的設計靈活性。
目前三星還在改進其4nm工藝，除了投產的SF4P（4LPP+），還計劃推出用於高性能CPU和GPU的SF4X（4HPC），不過屆時台積電也會帶來名為N3P的增強型3nm工藝。
來源：超能網
