本周美光宣布，採用全球最先進1β(1-beta)製造工藝的DRAM記憶體晶片已經送樣給部分手機製造商、晶片平台合作夥伴進行驗證，並做好了量產准備。
1β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)。
一個值得關注的點是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然採用的是DUV（深紫外光刻）。
這意味著相較於三星、SK海力士，美光需要更復雜的設計方案。畢竟，DRAM的先進性很大程度上取決於每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導體的能力，各公司目前通過不斷縮小電路面積來進行競爭。
同時，美光的產品最終在成本上或許也會更具比較優勢。
據悉，美光已經在LPDDR5X移動記憶體上率先應用1β工藝，還使用了第二代HKMG(高K金屬柵極)工藝，最高速率8.5Gbps(等效於8500MHz)。
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來源：快科技
