快科技5月24日消息，據媒體報導，由於發熱嚴重，三星電子最新研發的高帶寬記憶體HBM晶片在英偉達的測試中未能達標，因此無法被用於英偉達的AI處理器。
據了解，受影響的產品涉及三星的HBM3晶片，這是目前人工智慧圖形處理單元中最常用的第四代HBM標准。
資料顯示，HBM3具有更高的帶寬和更低的延遲，由於HBM3晶片堆疊在一起，通過短距離、高密度的互連通道進行數據傳輸，帶寬可以達到數百GB/的級別。
HBM3為加快記憶體和處理器之間的數據移動打開了大門，降低了發送和接收信號所需的功率，並提高了需要高數據吞吐量的系統性能。
不過，實現這一切都不容易，製造這項技術和充分利用它都將面臨重大挑戰，最大挑戰就是發熱控制，HBM結構會積聚許多熱量，而DRAM與GPU封裝在一起會加劇這種情況的發生，這就對散熱冷卻提出了更多的挑戰，迫使製造者需要在時延與散熱之間做出抉擇，很顯然，無論哪一種選擇，都將從另一角度上推高總成本。
來源：快科技
