7月27日，三星電子發布了第二季度財報，雖然營業利潤依然同比暴跌了95%，但營業利潤和淨利潤環比都出現了增長，特別是半導體業務虧損收窄，反應出之前的存儲晶片減產策略已經奏效。
因此，三星決定延長減產計劃。
值得注意的是，就在一天前，另一家SK海力士也宣布將會擴大對於NAND Flash的減產。
具體來說，三星二季度季營業收入為60萬億韓元，同比下滑22.28%；營業利潤為6685億韓元，同比暴跌95%；淨利潤1.72萬億韓元，同比下滑84.5%，但較第一季度增長9.6%。
這個業績數據與三星本月7日公布的業績快報（銷售額60萬億韓元、營業利潤6000億韓元）基本持平。
存儲晶片減產效果顯現，半導體業務虧損收窄
自2022年以來，全球半導體市場需求開始下滑，其中存儲晶片需求更是大跌。
隨後，鎧俠、美光、SK海力士存儲大廠紛紛減產，今年一季度由於存儲晶片需求依舊低迷，價格也是持續下跌，使得三星一季度營收同比下跌18%至63.74萬億韓元，營業利潤同比暴跌95%至6402億韓元，淨利潤同比大跌86.1%至1.57萬億韓元。
其中，作為三星電子最大的營收來源，三星半導體業務出現了高達4.58萬億韓元的虧損。這也迫使三星在一季度財報會議上宣布決定對存儲晶片實施減產。
從二季度的業績來看，受到存儲晶片減產影響，三星電子負責半導體業務的設備解決方案（DS）部門二季度營收14.73萬億韓元，相比去年同期的28.5萬億韓元大跌48%，營業利潤依然存在高達4.36萬億韓元的虧損（去年同期為盈利9.98萬億韓元），但是較一季度4.58萬億韓元的虧損額已有所收窄。
這也顯示出三星對於存儲晶片的減產確實起到了一定的效果。
不過，需要指出的是，三星電子在二季度的DRAM出貨量高於一季度的預期。
三星電子表示：“人工智慧應用的強勁需求導致高端DRAM出貨量高於指導值，主要AI應用所需的HBM和DDR5產品，從而使得DRAM業務的業績較上一季度有所改善。”
由於半導體市場需求疲軟，三星電子二季度的晶圓代工業務也表現不佳，該業務利潤出現了大幅下滑。台積電和聯電這兩大晶圓代工廠的二季度淨利潤都出現了同比兩位數百分比以上的下滑。
同時，台積電和聯電在二季度的財報會議上，均下調了對於全年的業績預期，並認為半導體庫存調整將會持續到今年四季度。
智慧型手機業務仍在下滑
目前消費電子市場依舊疲軟，根據市場調研機構Canalys最新數據顯示，二季度三星智慧型手機出貨量為5300萬部，同比下滑了14%。
三星電子二季度財報也顯示，負責三星智慧型手機和數字電器的設備體驗（DX）部門第二季度營收為40.21萬億韓元，同比下滑了10%；運營利潤為3.83萬億韓元，相比一季度的3.94萬億韓元下滑了約2.9%。
對此，三星電子表示，受加息、通脹等宏觀因素持續影響，智慧型手機市場需求環比減弱，“由於三星S23發布的影響減弱以及大眾市場復蘇的延遲，導致銷售額環比下降。”
對於下半年智慧型手機市場的展望，三星電子在財報中樂觀地認為，在需求增長的帶動下，智慧型手機市場將在下半年恢復同比增長，尤其是高端市場。
三星電子計劃在今年下半年發布的可折疊智慧型手機、平板電腦、可穿戴設備等產品上投入巨資，加大高端家電營銷力度，提高利潤率。
不過，三星電子同時強調，“如果全球經濟有進一步長期衰退的風險，增長預測可能會下調。”
其他業務方面
負責顯示面板業務的三星顯示（SDC）部門第二季度營收為6.48萬億韓元，同比下滑16%；運營利潤8400億韓元，同比下滑20.8%。
汽車電子部門（Harman）第二季度營收為3.5萬億韓元，同比增長17%；運營利潤2500億韓元，同比增長150%。
二季度資本支出達14.5萬億韓元
三星電子第二季度研發費用為7.2萬億韓元，刷新單季最高紀錄。三星還表示，第二季度斥資14.5萬億韓元擴建生產設施，這也是有史以來最多的一個季度。
三星電子聯合執行長兼半導體業務總裁慶桂賢（Kyung Kye-hyun）稱，三星美國德克薩斯州泰勒工廠的4nm晶圓廠將於2024年底開始量產，同時三星還計劃在韓國平澤建立更多生產基地。
三星宣布延長減產計劃
對於三星來說，其在4月宣布對存儲晶片減產之後，對於二季度業績已經帶來了一些積極的影響。為了加速存儲晶片市場的回暖，三星決定延長減產計劃。
三星電子存儲事業部執行副總裁Jaejune Kim在27日當天財報電話會議表示，將延長減產行動，並調整包括NAND Flash在內的特定產品產出。
他並未透露具體減產的影響范圍，但提到公司的存儲晶片庫存在5月觸頂後已經開始快速下降。
值得注意的是，在7月26日，SK海力士也宣布將會擴大對於NAND Flash的減產，減產幅度進一步下修5~10%。
三星電子表示，考慮到存儲晶片行業減產力度加大，預計存儲晶片市場將逐漸走向穩定，而客戶的庫存調整可能會逐漸結束。
同時，三星預期下半年需求將逐步復蘇，三星電子將專注於DDR5、LPDDR5x和HBM等高附加值產品，並增加對基礎設施、研發和封裝技術的投資。
來源：快科技
