三星在舉辦的「Samsung Foundry Forum 2021」論壇活動上，三星代工業務總裁兼負責人Siyoung Choi博士介紹了其半導體工藝的研發和量產情況，公布了新版的技術路線圖。這表明三星將繼續開發先進半導體製造技術，與台積電（TSMC）和英特爾競爭晶圓代工市場。
為了在半導體工藝上趕上台積電，三星在3nm製程節點引入了全新的GAAFET全環繞柵極電晶體工藝，分為早期的3GAE以及3GAP。雖然在今年上半年已成功流片，但由於技術難度較高，第一代3nm工藝已推遲到2022年上半年量產，第二代3nm工藝將會在2023年量產。MBCFET多橋-通道場效應電晶體工藝是GAAFET工藝的全新形式，不但保留了GAAFET工藝的優點，而且兼容之前的FinFET工藝技術，新版技術路線圖中的2nm製程節點（MBCFET）將於2025投入生產。
三星表示，與原來的5nm工藝相比，首個採用採用MBCFET工藝的3nm GAA製程節點的晶片面積減少了35%，性能提高30%或功耗降低50%。除了功耗、性能和面積（PPA）上的改進，隨著製程技術成熟，3nm工藝的良品率將會接近4nm工藝。競爭對手之一的英特爾在Intel 7/4/3製程節點仍依賴FinFET，最早會在2024年才轉向新型電晶體（稱為RibbonFET）。另一個競爭對手台積電在N4和N3製程節點仍使用FinFET，要到N2製程節點才引入GAA工藝，大概會在2024年投入生產。
除此以外，三星還介紹了用於CIS、DDI、MCU的17LPV工藝，即Low Power Value的17nm工藝。這是28nm工藝的演進版，在28nm工藝基礎上加入了14nm工藝使用的FinFET工藝技術，以相對低成本享受到新的技術優勢。與原來的28nm工藝相比，晶片面積可減少43%，性能提高39%或功耗降低49%。
來源：超能網
