三星從《晶片法案》得到64億美元補貼,將興建晶圓廠、先進封裝設施和研發工廠

美國商務部宣布,已經與三星簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄(PMT),將根據《晶片法案》提供約64億美元的直接撥款,以加強美國半導體供應鏈的彈性,推進美國的技術領導地位,並增強美國在全球范圍內的競爭力。

三星從《晶片法案》得到64億美元補貼,將興建晶圓廠、先進封裝設施和研發工廠

美國商務部稱,三星是唯一一家在先進記憶體和先進邏輯技術方面都處於領先地位的半導體公司,預計未來幾年將在德克薩斯州泰勒市奧斯汀和地區投資超過400億美元,創造至少21500個就業機會。三星擬議的投資將分布在德克薩斯州中部兩個不同地點,擁有多個項目:

  • 德克薩斯州泰勒市 – 構建一個全面的先進位造生態系統,從前沿邏輯到先進封裝再到研發,打造尖端半導體製造中心,服務於各種終端市場。該生態系統將包括兩個領先的晶圓代工廠,專注於4nm和2nm工藝技術的大規模生產;一個致力於開發和研究當前生產節點之前的技術代的研發工廠;一個生產3D高帶寬存儲器和2.5D封裝的先進封裝設施。其中首座晶圓廠計劃在2026年投產,第二座晶圓廠則是2027年,研發工廠也會在同年啟用。

  • 德克薩斯州奧斯汀 – 擴建近30年來的設施,以支持為美國關鍵行業,生產領先的全耗盡絕緣體上矽(FD-SOI)工藝技術。此外,這項擬議的投資還包括與美國國防部合作的承諾。

三星表示,這些投資表明了其對美國的持續承諾,自1996年以來一直在當地製造晶片。通過繼續在美國開發未來技術,三星正在採取措施,努力加強美國的經濟和國家安全,並提高美國和全球半導體供應鏈的彈性。

《晶片法案》對三星的補貼規模僅次於英特爾(85億美元)和台積電(66億美元),不同的是,三星並沒有獲得《晶片法案》中的貸款和擔保部分,而英特爾和台積電分別得到了110億美元和55億美元的貸款。

來源:超能網