去年三星在「Samsung Foundry Forum 2022」上，公布了未來的技術路線圖，其中SF1.4（1.4nm級別）工藝預計會在2027年量產，同時還會加速2.5D/3D異構集成封裝技術的開發，為代工服務提供整體系統解決方案。
據DigiTimes報導，近日三星代工副總裁Jeong Gi-Tae在接受媒體采訪時透露，正在開發中的SF1.4工藝技術會將納米片的數量從3個增加到4個，有望顯著改善性能和功耗的表現。
增加每個電晶體的納米片數量可以增強驅動電流，提高性能。更多的納米片允許更多的電流流過電晶體，增強其開關能力和操作速度。此外，更多的納米片可以更好地控制電流，這有助於減少泄漏電流，從而降低功耗。此外，改進的電流控制也意味著電晶體產生更少的熱量，從而提高了功率效率。
三星在去年6月量產了SF3E（3nm GAA），引入全新的GAA（Gate-All-Around）架構電晶體技術。明年計劃帶來名為SF3（3GAP）的第二代3nm工藝技術，將使用「第二代多橋-通道場效應電晶體（MBCFET）」，在原有的SF3E基礎上做進一步的優化，之後還會有性能增強型的SF3P（3GAP+），更適合製造高性能晶片。到了2025年，三星將會開始大規模量產SF2（2nm）工藝。
台積電計劃在2025年量產N2（2nm）工藝，而英特爾則爭取在2024年量產Intel 20A工藝，這兩款工藝都將引入GAA架構電晶體設計。
來源：超能網
