三星在去年的「Samsung Foundry Forum 2021」論壇活動上，確認在3nm製程節點引入了全新的GAAFET全環繞柵極電晶體工藝，分為早期的3GAE以及3GAP。近日，三星表示有望在本季度開始使用3GAE製造工藝進行大批量生產，在一份聲明中寫道：
「這是世界上首次大規模生產3nm GAA工藝來提高技術領先的地位。」
據三星介紹，MBCFET多橋-通道場效應電晶體工藝是其第一個使用的GAAFET工藝，作為一種全新的形式，不但保留了GAAFET工藝的優點，而且兼容之前的FinFET工藝技術。使用其3GAE技術生產的256Mb GAAFET SRAM晶片時，可實現30%的性能提升、50%的功耗降低以及電晶體密度提高80%（包括邏輯和SRAM電晶體的混合）。
三星表示，除了功耗、性能和面積（PPA）上的改進，隨著製程技術成熟，3nm工藝的良品率將會接近4nm工藝。不過鑒於過往這些年三星在5nm和4nm晶片製造上遇到的問題，這次3nm工藝的性能和功耗實際情況如何還有待觀察。暫時還不清楚誰將成為三星3nm工藝的首家客戶，畢竟過渡到全新的電晶體工藝是存在一定風險的，而且晶片設計人員需要開發全新的IP，價格並不便宜。
競爭對手之一的英特爾在Intel 7/4/3製程節點仍依賴FinFET，最早會在2024年才轉向新型電晶體（稱為RibbonFET）。另一個競爭對手台積電在N4和N3製程節點仍使用FinFET，要到N2製程節點才引入GAA工藝，大概會在2024年投入生產。
來源：超能網
