去年10月，佳能公布了採用納米壓印技術（NIL）的光刻設備FPA-1200NZ2C，稱為小型半導體製造商生產先進晶片開辟了一條新的途徑。近日，佳能負責新型光刻機開發的高管武石洋明接受了媒體的采訪，表示FPA-1200NZ2C會在2024年至2025年間出貨。
傳統光刻技術是利用光學圖像投影的原理，將集成電路的微觀結構轉移到矽晶圓上，而納米壓印不同於傳統的復雜解決方案，而是類似於印刷技術，直接通過模板進行大量復制，壓印形成圖案。佳能開發納米壓印技術已經超過15年，嘗試通過一種新的方法，以降低成本、提高能源效率。
據佳能的介紹，納米壓印光刻設備的功耗比ASML的EUV光刻設備降低了90%，同時設備的投資也能降低至EUV光刻設備40%的水平。使用新款納米壓印光刻設備可以用來製造5nm晶片，未來可以推進到2nm製程節點。佳能表示，納米壓印光刻設備並不是用來取代現有的EUV和DUV工具，而是共存。除了能製造邏輯晶片，還能用於製造3D NAND快閃記憶體晶片。
由於目前半導體市場對於光刻設備的需求很高，佳能可能利用更便宜的設備和生產成本作為賣點，切入到半導體設備市場。不過納米壓印技術與EUV及DUV都不兼容，想加入到半導體製造商現有的製造流程會有些復雜。
來源：超能網
