在今天台積電（TSMC）舉辦的2021年度在線技術研討會上，分享了其晶片製造能力和極紫外（EUV）光刻技術進展等細節。目前台積電擁有全球一半的EUV光刻機，並負責全球一半以上採用先進工藝製造的晶片製造。
據Wccftech報導，台積電介紹了採用先進工藝的產能將保持30%年復合增長率，包括了16nm、12nm、7nm和5nm工藝節點，其中5nm是現階段台積電客戶使用的最新技術。到今年年底，台積電的7nm工藝節點產能將比2018年提高四倍。而5nm工藝節點產能則計劃比去年多一倍，到2023年則多四倍。這些計劃針對的是7nm和5nm工藝節點及其改進型工藝，也就是包括4nm和6nm工藝，4nm會在今年第三季度開始風險量產。
台積電表示，7nm和6nm工藝的缺陷密度持平，但製造的時間會縮短，而5nm和4nm工藝的缺陷密度會比7nm和6nm工藝有所下降，4nm工藝的晶片尺寸將縮小4%。另外3nm工藝節點上，第一年的流片次數是5nm工藝的兩倍多。Wccftech表示，台積電會在2nm工藝節點上引入納米片電晶體，取代目前的FinFET結構，以更好地控制閾值電壓。2nm工藝仍在研發階段，如果一切順利，將會在2023年試產。
台積電位於台灣台南的Fab 18晶圓廠將負責3nm工藝晶片的生產，目前還負責製造5nm工藝的產品，並會進一步擴充產能。台積電計劃在新竹興建一座新的晶圓廠，將被命名為Fab 20，負責2nm工藝的生產。
來源：超能網
