英特爾今年三月份舉辦了主題為「英特爾發力：以工程技術創未來」的全球直播活動中，CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）分享了「IDM 2.0」願景，創建了英特爾代工服務（IFS），這是英特爾IDM模式的重大革新。為了加速實現IDM 2.0戰略，英特爾將大幅度擴大產能，投資約200億美元在美國亞利桑那州的Octillo園區新建兩座晶圓廠。
經過了半年的籌備工作，近日英特爾舉行了新晶圓廠建造的奠基儀式，帕特-基爾辛格與當地主要政府官員也將出席這次活動，這是美國亞利桑那州歷史上最大規模的私營部門投資。預計兩間新晶圓廠最晚會在2024年建成並投入使用，英特爾將其命名為「Fab 52」和「Fab 62」，與Octillo園區現有的四間晶圓廠的位置非常接近。
在儀式上，帕特-基爾辛格表示該項目投資超過了200億美元，使得英特爾有能力創建下一代EUV生產線，為製造先進晶片技術提供更多動力，以支持英特爾重新獲得「工藝和封裝技術方面的領導地位」。同時兩間晶圓廠將為亞利桑那州創造數千個新工作崗位，並為北美地區提供超過15000個間接工作崗位。
據了解，兩間新晶圓廠未來將使用Intel 20A工藝技術，會利用RibbonFET和PowerVia兩項技術。RibbonFET是對Gate All Around電晶體的實現，將成為英特爾自2011年推出FinFET以來的首個全新電晶體架構，可實現與多鰭結構相同的驅動電流，但占用的空間更小。PowerVia是英特爾獨有的、業界首個背面電能傳輸網絡，通過消除晶圓正面供電布線需求來優化信號傳輸。在Intel 20A工藝技術上，英特爾還會與高通進行合作。
來源：超能網
