近期，由於人工智慧（AI）需求激增，市場需要性能更強大的解決方案，英偉達已經決定將下一代Blackwell架構GB100 GPU的發布時間從2024年第四季度提前到2024年第二季度末。同時英偉達已經與SK海力士達成協議，選擇在新一代B100計算卡上採用後者面向人工智慧的超高性能DRAM新產品HBM3E。
據BusinessKorea消息稱，同樣作為存儲大廠的三星也加快了第五代HBM3e「Shinebolt」的開發與銷售進度，預計將緊隨SK海力士之後。經初步測試，「Shinebolt」的最大數據傳輸速度將比上一代有所提升，預計將達到1.228TB/s，比SK海力士的HBM3e（最大數據傳輸速度為1.15TB/s）更快，同時「Shinebolt」還採用了最新的12層垂直堆疊方案，能夠在單個HBM3e封裝上實現高達36GB的容量，而原型版本使用的8層堆疊方案僅實現了24GB的容量。三星電子的HBM開發和生產速度目前仍落後於SK海力士，美光也已經向客戶提供了性能相當的HBM3 Gen2的測試樣品，不過三星電子正在制定戰略，以奪回先進存儲晶片生產的領先地位。
HBM（High Bandwidth Memory）屬於垂直連接多個DRAM，與DRAM相比顯著提升數據處理速度的高附加值、高性能產品。HBM DRAM產品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的順序開發，其中 HBM3E是HBM3的擴展（Extended）版本。HBM被認為是人工智慧時代的新一代DRAM。
來源：超能網
