存儲

群聯電子（Phison）宣布，推出企業級SSD品牌PASCARI，並帶來定位高端的X200系列PCIe 5.0 SSD。群聯電子稱這是一項重要的戰略布局，是為了應對生成式AI的快速發張，以及迎接企業對高效能存儲解決方案的殷切需求。 執行長潘健成表示：「由於企業級SSD市場的特性以及客戶需求，群聯在經過縝密的思考以及與無數客戶的討論後，決定推出專為企業級SSD儲存市場打造的PASCARI品牌，讓群聯擴大滿足日漸成長的生成式AI、數據中心、雲端應用等伺服器需求。PASCARI品牌的推出象徵著群聯在創新研發的另一里程碑。我們不僅致力於開發頂尖產品,更透過IMAGIN+客制化設計服務，全力協助全球客戶打造所需的高效能NAND儲存架構與功能，以確保加速客戶的業務成長和協助提升客戶系統的附加價值。」 PASCARI品牌是群聯電子針對企業級和數據中心應用量身打造的SSD產品線，未來將通過各種銷售驅動更加廣泛地推向企業級SSD存儲市場，完整的產品線包括有： 旗艦能效X系列 - 具備U.2與E3.S PCIe雙埠（Dual-Port）接口，最高容量達30.72TB，集極致性能與節能於一身。 AI系列 - 全球首款將NAND Flash儲存當作DRAM內存的AI訓練解決方案aiDAPTIV+，可擴充GPU內存，使單一工作站與伺服器實現大型語言模型訓練。 數據中心D系列 - M.2 2280/22110與E1.S產品系列，適合追求穩定性能與極高可靠度的數據密集型（Data-intensive）環境應用。 SATA S系列 - 高容量2.5英寸SATA產品，最高可達15.36TB，並支持主機斷電保護電容技術。 開機用B系列 - 平衡了容量、性能、能耗以及成本等各項效益的U.2和E1.S SSD，適用於數據中心環境。 X200系列PCIe 5.0 SSD採用了群聯電子獨家的CoXProcessor CPU架構，專為數據極速傳輸要求的高性能運算、人工智慧、超大規模數據中心等伺服器應用場景所設計。其支持雙埠界面，提供了U.2與E3.S兩種外形尺寸，有1DWPD和3DWPD 兩種寫入耐久性版本，容量1.6TB至30.72TB可選，最大順序讀取/寫入速度為14.8GB/s和8.7GB/s，隨機讀取/寫入分別為3000K IOPS和900K IOPS，另外還具備多項增強安全與數據保護功能。...

過去兩年多里，業界從DDR4內存向DDR5內存過渡，後者占據著越來越大的市場份額。此外，DDR3內存的市場需求量也進一步減少，更多地被DDR4和DDR5內存所取代。特別是過去一年多存儲器市場經歷低迷，供應商普遍減少了DDR3內存的生產，並藉此機會降低了庫存水平。 據相關媒體報導，三星和SK海力士打算2024年下半年停產DDR3內存，以更好地應對HBM3和HBM3E日益增長的市場需求。隨著三星和SK海力士停產DDR3內存，很可能帶動DDR3內存的價格上漲，預計漲幅最高可達20%。 考慮到如今生產DDR3內存利潤率，以及現階段人工智慧（AI）晶片市場的火熱程度，將產能更多地分配到DDR5和HBM產品也就不足為奇了。HBM產品早已供不應求，最近傳聞三星和SK海力士至2025年的HBM產能已經售罄，甚至還要擴充產能以進一步滿足需求。更重要的是，HBM產品的利潤率比起老舊的DDR3內存要高得多，有報告稱HBM產品的價格大概比傳統DRAM高出數倍（約為DDR5的五倍），而且還在不斷上漲，預計明年HBM2E、HBM3和HBM3E的價格普遍上漲5%至10%。 雖然存儲器三巨頭之一的美光並沒有像三星和SK海力士那樣停產DDR3內存，但是同樣大幅度減少了供應量，原因自然也是一樣的。此外，像南亞科技這樣規模相對較小的製造商也已經將主力產能轉向DDR4和DDR5內存，僅接受部分客戶的DDR3內存訂單，未來幾個月DDR3內存價格持續上漲似乎已是不可避免。 ...

博帝（Patriot）宣布，與微星展開合作，推出新款Viper Xtreme 5 RGB DDR5 MPOWER系列內存。這是一款專為遊戲玩家、超頻愛好者和高端用戶設計的高速DDR5內存套件，以滿足遊戲、內容創建工作站和其他高強度應用程式對內存子系統的性能要求。 Viper Xtreme 5 RGB DDR5 MPOWER系列的整體尺寸為0.6 cm (L) x 13.5 cm (W) x 4.4 cm (H)，重量為49g。其外形設計中融入了全銀色的美學，散熱馬甲由鋁材質鍛造而成，與微星的Z790 MPOWER主板完美互補，結合精緻的工藝和RGB燈效，從而讓產品散發出富有表現力的視覺效果。另外博帝還使用了專業的導熱矽膠貼讓散熱片與內存顆粒緊密結合，進一步提高了散熱效率。 與許多同類產品一樣，Viper Xtreme 5...

東芝宣布，已成功實現了容量超過30TB的存儲容量，為硬碟提供了下一代大容量記錄技術，分別是HAMR（熱輔助磁記錄）和MAMR（微波輔助磁記錄），代表了新興記錄格式引入到商業產品的一個重要里程碑。 HAMR是推動下一代大容量數據記錄技術發展的兩項技術之一，通過近場光局部加熱磁碟來提高磁記錄能力。 東芝在10片磁碟上實現了32TB的容量，並採用了SMR（疊瓦式磁記錄）技術，並計劃在2025年開始出貨採用HAMR技術的測試樣品。另一項技術是MAMR，利用微波來增強磁記錄能力。東芝是首個正面其有效性的廠商，並在2021年開始批量生產第一代驅動器。通過11片磁碟堆疊和SMR技術，改進了信號處理，從而實現了31TB的容量。 東芝表示，這些新成就是通過多年來與合作夥伴Resonac及TDK的密切合作才能實現的，致力於開發HAMR和MAMR技術，以提升硬碟的容量，滿足雲端和數據中心不斷增長的存儲需求。其實東芝早在2022年初的投資者關系活動中就已表示，到2023財年（2023年4月至2024年3月）的時候，將硬碟容量提高到30TB甚至更高。 東芝將會在2024年5月16日舉行的IDEMA研討會上，發表詳細演示的技術講座。 ...

此前有報導稱，美光、SK海力士和三星先後在去年7月底、8月中旬、以及10月初向英偉達提供了8層垂直堆疊的HBM3E（24GB）樣品。其中美光和SK海力士的HBM3E在今年初已通過英偉達的驗證，並獲得了訂單。 據DigiTimes報導，三星HBM3E尚未通過英偉達的測試，仍需要進一步驗證。 據了解，三星至今未能通過英偉達驗證主要卡在台積電（TSMC）的審批環節。作為英偉達數據中心GPU的製造和封裝廠，台積電也是英偉達驗證環節的重要參與者，傳聞採用的是基於SK海力士HBM3E產品設定的檢測標准，而三星的HBM3E產品在製造工藝上有些許差異，比如SK海力士採用了MR-RUF技術，三星則是TC-NCF技術，這多少會對一些參數有所影響。 三星在上個月發布的2024年第一季度財報中表示，8層垂直堆疊的HBM3E已經在4月量產，並計劃在第二季度內量產12層垂直堆疊的HBM3E，比原計劃里的下半年提前了。按照三星的說法，這是為了更好地應對生成式AI日益增長的需求，所以選擇加快了新款HBM產品的項目進度。 有業內人士透露，如果將檢測標准做相應的調整，三星的HBM3E通過英偉達的驗證環節將不成問題。 ...

為應對用於人工智慧（AI）的半導體需求的大幅度增長，此前SK海力士已決定擴充人工智慧基礎設施的核心產品，即HBM3E等新一代DRAM的生產能力。與此同時，SK海力士還與台積電（TSMC）簽署了諒解備忘錄（MOU），雙方就下一代HBM產品生產和加強整合HBM與邏輯層的先進封裝技術密切合作，開發第六代HBM產品，也就是HBM4。 雖然距離HBM4投產還有兩年的時間，不過SK海力士已經在加速推進第七代HBM產品的開發工作。據etnews報導，SK海力士HBM先進技術團隊負責人Kim Kwi-wook在近日舉行的「IMW 2024」活動上分享了下一代HBM的發展方向，表示當前HBM技術已達到新的水平，同時代際更迭周期也在加快，從HBM3E開始，由以往的兩年變成了一年。 行業對於高帶寬存儲器的高需求迫使SK海力士將HBM項目提速，預計首批12層堆疊的HBM4最快會在明年下半年到來，到2026年還會有16層堆疊的產品，不但會利用MR-MUF技術，同時還會往更為定製化的方向發展，而HBM4E最早會在2026年出現。這是SK海力士首次提及HBM4E，確認了新標準的存在，傳聞帶寬將是上一代產品的1.4倍。 ...

希捷在2021年發布了FireCuda 530系列SSD，屬於PCIe 4.0規格的產品，提供了500GB、1TB、2TB和4TB，共四種存儲容量。近期希捷似乎要進行更新，帶來新款FireCuda 530R系列SSD，而且已經在亞馬遜平台上架，並顯示計劃在5月28日發售。雖然希捷官方尚未證實這款產品，但電商平台上已曝光了部分規格參數，性能上應該與FireCuda 530系列SSD相近。 FireCuda 530R系列SSD應該會沿用群聯電子的PS5018-E18主控晶片，支持PCIe 4.0 x4通道，符合NVMe 1.4協議，提供1TB、2TB和4TB，共三種存儲容量，最高連續讀取速度為7400MB/s，略微高於FireCuda 530系列SSD的7300MB/s。耐用度方面，4TB版本為5050TBW，稍微低於舊款的5100TBW。希捷稱，在新款SSD上還會針對遊戲、內容創作等常見應用場景進行優化，Microsoft DirectStorage也包括其中。 由於眾多特性與FireCuda 530系列SSD相仿，加上希捷提到「採用了最先進的組件用於M.2 2280規格產品」，推測FireCuda 530R系列SSD可能更換了更新、密度更高的快閃記憶體晶片。之前FireCuda 530系列SSD上，希捷採用了美光176層3D TLC NAND快閃記憶體，不知道這次會是哪款NAND快閃記憶體晶片。 希捷會提供三年Rescue數據恢復服務計劃和五年有限保修，同時該產品還捆綁了檢測修復工具SeaTools和磁碟工具DiscWizard，讓用戶可以隨時可以監測固態硬碟的性能和健康狀況。 ...

近年來，人工智慧（AI）、高性能計算（HPC）和PC一直在推動高性能DRAM產品的研發，市場對HBM類DRAM的需求也在迅速增長，各大廠商也加大了這方面的投入。雖然三星是全球最大的存儲器製造商，但在HBM產品的開發和銷售上卻落後於SK海力士，最近正加大投入，以追趕競爭對手。 據The Elec報導，三星另外組建了團隊專門負責HBM4項目，從3月起將以往的HBM4工作組轉變為常設的辦公室。與此同時，現階段HBM3E的開發和量產工作則由原來的DRAM設計團隊負責。三星之所以在HBM開發上選擇採用「雙規制」策略，是為了加快HBM產品的開發進度，以便趕超競爭對手，搶奪高附加值DRAM市場。 負責HBM4開發的新團隊由三星DRAM開發副總裁Hwang Sang-joon負責，並直接向三星存儲晶片業務總裁Lee Jung-base匯報工作，內部也通過調整主要人員等手段來加強新建開發團隊的實力。上個月三星還發表了一篇采訪文章，介紹了目前HBM產品的開發情況，並再次重申了HBM4正在開發當中，將於2025年首次亮相。 據三星介紹，隨著硬體的多功能性變得更加重要，HBM4在設計上也會針對不用的服務應用進行優化，計劃通過統一核心晶片、多樣化封裝和基礎晶片（比如8/12/16層堆疊）來應對。為了解決功耗牆的問題，首個創新將從使用邏輯工藝的基礎晶片開始，隨後是第二個創新，從當前2.5D HBM逐步發展到3D HBM，最後預計會出現第三次創新，比如HBM-PIM，也就是具備計算功能的內存半導體技術，這點之前三星已經有過介紹。 之前還有傳言稱，三星打算在下一代HBM4引入針對高溫熱特性優化的非導電粘合膜（NCF）組裝技術和混合鍵合（HCB）技術。 ...

美商海盜船（Corsair）在去年帶來了MP700 PRO PCIe 5.0 SSD，最大順序讀取/寫入速度分別為12400/11800 MB/s，提供了無散熱裸條、風冷散熱和分體式水冷散熱三個版本。現在美商海盜船推出了新款MP700 PRO SE PCIe 5.0 SSD，有著更強的性能。 MP700 PRO SE SSD為M.2 2280規格，採用了PCIe 5.0 x4接口，支持NVMe 2.0標准，搭載了3D TLC NAND快閃記憶體，提供了2TB和4TB容量可選，最大順序讀取速度為14000MB/s，最大順序寫入速度為12000MB/s，支持AES 256位加密。雖然MP700 PRO SE SSD需要配合散熱模塊才能達到最佳性能，但大多數主板已集成M.2散熱功能，足夠滿足其散熱需求。美商海盜船也提供了風冷散熱和分體式水冷散熱版本的MP700...

過去兩年裡，隨著各種手持遊戲設備和迷你PC的興起，以往大多用於OEM廠商的M.2 2230/2242規格的SSD受到了玩家的關注，有了更高的市場需求。不少存儲製造商也順應了市場的潮流趨勢，推出了對應的產品。 近日，Sabrent發布了新款Rocket Nano PCIe 4.0 SSD，針對聯想Legion Go掌機和NUC迷你PC等設備使用。相比於M.2 2230規格的SSD，M.2 2242規格的SSD有著更大的空間，單面可以封裝更多的NAND快閃記憶體晶片，容易製造出容量更大的產品，這也是為什麼現在各種小型設備更傾向於選擇M.2 2242規格SSD的原因。 Rocket Nano PCIe 4.0 SSD選擇的是無DRAM的低功耗存儲設計方案，單面晶片設計，有著更好的安裝兼容性，搭載了群聯電子PS5027-E27T主控晶片和鎧俠的162層TLC 3DNAND快閃記憶體，結合PCIe 4.0 x4接口，最高可提供5GB/s的數據傳輸速度，首發容量為1TB。相比於西部數據WD_BLACK SN770M NVMe SSD，Rocket Nano PCIe 4.0 SSD的性能已經很接近了，前者是目前性能最強的M.2...

今天SK海力士宣布，已開發出新一代移動端NAND快閃記憶體解決方案「ZUFS（Zoned UFS）4.0」。 SK海力士表示，繼HBM在內的超高性能DRAM後，也在NAND快閃記憶體解決方案領域引領面向AI的存儲器市場。ZUFS 4.0為新一代移動端NAND快閃記憶體解決方案產品，其產品實現業界最高性能並專為端側AI手機進行優化，與前一代產品相比，長期使用所導致的性能下降的情況會有大幅改善，從而延長了產品的使用壽命。 ZUFS按數據的各自特性來區分管理智慧型手機應用程式生成的數據。與現有UFS不分區域而混合存儲的方式不同，ZUFS可以對不同用途和使用頻率的數據進行分區（Zone）存儲，提高手機作業系統的運行速度和存儲設備的數據管理效率。SK海力士稱，與現有UFS相比，ZUFS在長期使用環境下手機應用程式的運行時間會有45%的改善，且存儲讀寫性能下降方面帶來了4倍以的改善效果，產品的使用壽命也相應地得到了約40%的提升。 目前SK海力士已向客戶提供初期試用品，還與客戶協作開發出符合JEDEC標準的4.0產品，並計劃今年第三季度開始量產，搭載於全球手機製造商的端側AI手機。 ...

西部數據旗下品牌SanDisk（閃迪）宣布，推出T40備份小魔方桌面固態硬碟，提供了4TB和8TB容量可選，得到了2024紅點設計獎。目前新產品已登陸電商平台，並開始銷售了，另外提供了白條3期免息分期，曬單返200元E卡，廠家提供了三年質保。 T40備份小魔方桌面固態硬碟 4TB，價格為2699元，京東地址：點此前往>>>T40備份小魔方桌面固態硬碟 8TB，價格為5099元，京東地址：點此前往>>> T40備份小魔方桌面固態硬碟整體尺寸為99.2 x 99.2 x 40.2 mm，重量為268g，造型有點類似於漢堡盒。雖然整體並不大，但該款產品的應用場景並非外帶使用，反而以居家與工作環境固定擺放為主，面向個人、內容創作和專業工作者，取代傳統搭載3.5英寸機械硬碟的同類產品，成為台式機和筆記本電腦的存儲搭檔。由於沒有便攜要求，所以SanDisk也沒有強調防震防水的特性，倒是加入了Kensington安全鎖孔，另外採用的是單獨的供電設計。 由於提供的是4TB和8TB的大容量，T40備份小魔方桌面固態硬碟在定價方面並不低。其配備了USB 3.2 Gen2接口，速率為10Gbps，標示的最高存取速度可達1000MB/s。設備出廠前經過了exFAT格式化，使用USB Type-C連接後，開箱即可在Windows 10+或macOS 11+輕松備份，同時產品也提供了Acronis True Image for Western Digital資料備份軟體。 ...

美光宣布，旗下專注於消費類存儲產品的英睿達（Crucial）品牌推出LPCAMM2內存。作為一款顛覆性外形設計的筆記本電腦內存，搭載了LPDDR5X顆粒，為專業人士和內容創作者提升移動設備性能。前一段時間聯想推出了新一代ThinkPad P1 Gen 7移動工作站，已採用了美光的新產品，成為了AI PC和處理復雜工作負載的理想高性能內存解決方案。 英睿達LPCAMM2內存的運行電壓為1.05V，數據傳輸速率達到了7500 MT/s，是普通DDR5 SO-DIMM的1.3倍。相比於DDR5SO-DIMM，LPCAMM2的運行功耗降低了58%，待機功耗降低了80%，並節省了64%的空間。盡管LPDDR5X在延遲方面不如DDR5，但可以利用更高的數據傳輸速率抵消。與焊接式LPDDR5X內存子系統相比，這種模塊化的外形設計不會增加LPDDR5X內存的延遲。 JEDEC在去年12月宣布，Dell的CAMM正式成為了JEDEC標准規范，被命名為「CAMM2」，未來將取代SO-DIMM內存模塊。CAMM2有兩種設計，除了常規的DDR5，還能用於LPDDR5(X)，同時可以通過單個模塊提供更高的帶寬和雙通道（共128-bit總線位寬）支持。與焊接式內存子系統不同，新設計是可以升級的，允許用戶在需要時更換內存模塊並增加容量。 目前容量為64GB的英睿達LPCAMM2 LPDDR5X-7500內存已經可以訂購了，售價為329.99美元（約合人民幣2384.08元）。 ...

日本山葉發動機近日發布了一則新聞稿，宣布與包括英特爾在內的14家公司和組織一起成立「半導體組裝測試自動化和標准化研究協會」（簡稱「SATAS」），旨在通過開發、聯合驗證和標准化組裝測試流程自動化所需要的技術，促進傳統半導體製造業的轉型，實現更高效、可持續和靈活的供應鏈，降低可能存在的風險。 在新聞稿披露的名單中，除了英特爾和山葉發動機外，歐姆龍、Resonac控股（原昭和電工）、信越聚合物等企業也赫然在列。據相關媒體介紹，該協會由英特爾日本法人的社長鈴木國正擔任代表理事，計劃在未來數年內於日本建立驗證生產線，開發相應的自動化設備，推進後端工藝相關技術的標准化，藉助系統統一管理或控制多個製造設備、測試設備和輸送設備，預計相關投資金額將達數百億日元。 媒體還分析稱，英特爾之所以推動建立該協會，一是因為半導體的前端工藝發展已經放緩，後端工藝開始成為競爭重點，這部分的生產活動為勞動密集型活動，需要更多人工作業，而日本本身人工成本高昂，若想增強競爭力，則必須實現自動化；二是通過合作來降低供應鏈可能存在的風險。預計當地政府將最多提供數百億日元的資助，並在今後繼續公開招募參與企業，包括非日本本土的後端工藝製造工廠。 ...

TrendForce針對2024年第二季度DRAM和NAND快閃記憶體的價格趨勢，發布了新的調查報告，表示兩者不但會延續過去多個月的增長趨勢，而且漲幅擴大。其中DRAM合約價季漲幅將達到13~18%，而NAND快閃記憶體的合約價季漲幅將擴大至15~20%。 由於除人工智慧（AI）以外的終端需求不振，特別是筆記本電腦和智慧型手機需求上還沒有復蘇跡象，結合連續數個季度漲價及庫存因素影響，兩個月前TrendForce給出的DRAM合約價季漲幅為3~8%、NAND快閃記憶體為13~18%的預測數字。不過隨著上個月台灣發生地震，出於特殊因素考慮，以PC OEM廠商為首的買房接受了DRAM和NAND快閃記憶體的合約價格上漲，一定程度上反映了供需兩端對市場接下來走勢的考量。 TrendForce表示，隨著人工智慧對HBM產品的需求越來越高，加上比傳統DRAM高出數倍的價格（約為DDR5的五倍），存儲器供應商逐步將產能更多地分配給HBM，進一步排擠了傳統DRAM的產能。即便如此，HBM產品的供應可能從第三季度起會出現短缺。 隨著節能成為AI推理伺服器優先考慮的方向，加上北美客戶擴大存儲產品的訂單，帶動企業級QLC SSD的需求攀升，不過暫時僅Solidigm和三星有經過驗證的該類產品。不少雲端服務商都打算擴大企業級QLC SSD的采購，作為新的存儲解決方案，一定程度上加速了部分供應商的去庫存操作，也讓部分供應商出現了惜售心態。受制於消費產品市場需求前景不明，存儲器供應商普遍對產能支出趨於保守。 ...

隨著3D NAND的堆疊層數越來越多，廠家門也在著手研究新的生產技術以改進效率，SK海力士就在評估東京電子最新的低溫蝕刻設備，該設備可以在-70℃的低溫下運行，用來生成400層以上堆疊的新型3D NAND。低溫蝕刻設備的鑽孔速度是傳統工具的三倍，對多層數的3D NAND非常有用。 根據thelec的消息，SK海力士正在把測試晶圓發送到東京電子的實驗室，而不直接進口設備，很明顯是在評估新設備的能力。當前的蝕刻工藝是在0℃到30℃的溫度范圍內工作的，而東京電子的蝕刻設備在-70℃低溫下運行，這形成了鮮明的對比，根據他們的論文數據，新的蝕刻機可以在33分鍾內進行10微米深的高深度比蝕刻，比現有工具快三倍以上，這一成果是一項重大的技術進步，而且大大提升了3D NAND的生產效率。 SK海力士現在的321層3D NAND據說採用了三重堆棧結構，採用東京電子的新設備後可能以單堆棧或雙堆棧的方式構建400層的3D NAND，生產效率明顯提高，當然這能否成功還得看設備的可靠性以及性能一致性。 此外SK海力士考慮應用低溫蝕刻設備的另一個原因是減少碳排放，現有的蝕刻工藝中，使用的是具有較高全球變暖潛能值(GWP)的碳氟化合氣體，如四氟化碳和八氟丙烷，其GWP分別為6030和9540，但東京電子新一代蝕刻設備使用的是GWP小與1的氟化氫氣體，這將大幅減少溫室氣體的排放。 同時三星也在驗證這一新技術，與SK海力士不同的是，三星是直接引進東京電子的新設備進行測試。 ...

近年來高帶寬內存（HBM）的需求急劇上升，尤其是人工智慧（AI）熱潮的到來，讓這一趨勢愈加明顯，HBM產品的銷量節節攀升，價格也是水漲船高。即便各個各個存儲器供應商不斷提升HBM的產能，仍然難以滿足市場的需求，傳聞SK海力士和美光至2025年底之前的HBM產能已經售罄。 市場研究分析機構TrendForce發布了新的調查報告，稱得益於比傳統DRAM高出數倍的價格（約為DDR5的五倍），加上人工智慧晶片的疊代需求，推動了2023年至2025年HBM產能的提升。2023年和2024年HBM分別占DRAM產能的2%和5%，到了2025年將提高至10%以上。產值方面，2024年占DRAM總產值超過20%，2025年可能提高至30以上。 各個存儲器供應商今年第二季度開始，已經針對2025年的HBM產品進行議價，不過受制於DRAM產能，為避免產能排擠效應，初步漲價5~10%，覆蓋了HBM2E、HBM3和HBM3E。提前議價的原因有三點分，分別為：一、買方對人工智慧需求充滿信心，願意接受漲價；二、HBM3E良品率僅為40~60%，還有待提升，買方希望穩定貨源；三、不同供應商因供應能力問題，導致平均銷售單價出現差異，從而影響獲利。 現階段HBM產品大規模轉向HBM3E，且會有更多12層堆疊晶片出現，帶動了HBM容量提升，預計2024年的HBM需求位元年成長率接近200%，到2025年有可能再翻倍。 ...

近日，賓夕法尼亞大學的研究人員開發了一種全新耐高溫存儲設備，這種設備可以在600℃的高溫下保持穩定性，讓存儲其上的數據不會丟失。這種存儲設備改變了目前矽基快閃記憶體200℃下就會失效的問題，後續可能會被運用於製作大規模AI系統的內存。 據開發人員之一的Deep Jariwala介紹，該耐高溫存儲設備主要使用氮化鋁鈧（AIScN）材料進行製造，這種材料擁有更穩定更強大的化學鍵，能在高溫下保持穩定，十分耐用。存儲設備本身由「金屬-絕緣體-金屬」結構組成，通過一層45nm厚的氮化鋁鈧（AIScN）將金屬鎳電極和金屬鉑電極結合在一起。Jariwala還說，氮化鋁鈧（AIScN）層的厚度是製成這種內高溫存儲設備的關鍵，「如果它（AIScN）太薄，那增強的活性會驅使擴散並導致材料退化。如果太厚，則我們尋找的鐵電開關性能就會喪失，因為開關電壓隨厚度尺度變化，並且在實際工作環境中存在這一方面的限制」。 Jariwala稱，這種耐高溫存儲設備可以解決目前晶片架構設計中一個關鍵缺陷，即中央處理器和內存分離而導致的效率低下，因為運算數據必須在兩者之間傳輸，這個缺陷對需要處理大量數據的AI應用程式影響尤為明顯。新存儲設備允許內存和處理器更加緊密地集成在一起，降低數據傳遞時間，從而提升計算速度、復雜性和效率，研發團隊稱之為「內存增強計算」。未來大規模AI系統建設時可使用這種存儲器作為內存，可有效提高運行穩定性和計算效率。 ...

Rambus宣布，推出新款DDR5 RDIMM伺服器內存專用PMIC電源管理晶片。Rambus表示，憑借這一新的伺服器PMIC系列產品，為內存模塊製造商提供了完整的DDR5 RDIMM內存接口晶片組，支持廣泛的數據中心用例。 圖：DDR5 RDIMM上的Rambus伺服器PMIC Rambus營運長Sean Fan表示，生成式AI等高級數據中心工作負載需要最高帶寬和容量的伺服器RDIMM，以滿足不斷增長的數據管道不斷增長的內存需求。隨著新一代伺服器PMIC系列的加入，Rambus利用新的晶片技術擴展了旗下的產品組合，為客戶提供了支持多代DDR5伺服器平台的綜合內存接口晶片組。 PMIC是DDR5內存架構中的關鍵組件，可實現更多內存通道、更高容量的模塊和更大的帶寬。這次伺服器PMIC系列共有三款晶片，分別為PMIC5000（符合JEDEC高電流規范）、PMIC5010（符合JEDEC低電流規范）和PMIC5020（符合JEDEC極端電流規范）。 主要特性包括： 提供業界領先的DDR5伺服器 PMIC，為AI和其他高級工作負載所需的最高性能和容量內存模塊提供。 全新PMIC系列支持多代基於DDR5的高性能伺服器。 為DDR5伺服器內存模塊提供完整的內存接口晶片組，包括RCD、PMIC、SPD集線器和溫度傳感器IC。 Rambus表示，PMIC5000、PMIC5010和PMIC5020三款伺服器PMIC系列晶片已經上市。 ...

近日，三星公布了截至2024年3月31日的第一季度財報。顯示其存儲器業務通過滿足高附加值產品的市場需求終於實現了盈利，帶動了整個DS部門的營收和利潤增長，讓半導體業務自2022年以來的首次恢復盈利。 三星在財報中表示，其專注於HBM、DDR5、伺服器SSD和UFS 4.0等高附加值產品，伴隨產品的平均售價（ASP）提升，從而實現了業務的增長。在接下來的第二季度里，伺服器和存儲方面對人工智慧（AI）的需求將保持穩定，主要受到生成式AI的驅動，而對DDR5及高密度SSD的需求仍然強勁，同時中國的移動設備製造商對DRAM和NAND快閃記憶體的需求也很高。 三星已經在本月量產了HBM3E 8H DRAM，以及第9代V-NAND技術的產品，並計劃在第二季度內量產HBM3E 12H DRAM和基於1β (b) nm（第五代10nm級別）32Gb DDR5打造的128GB DRAM產品，比原計劃里的下半年提前了。按照三星的說法，這是為了更好地應對生成式AI日益增長的需求，所以選擇加快了HBM和1β (b) nm 32Gb DDR5的項目進度。 近期企業級QLC SSD的需求攀升，而目前市場上可以提供經驗證的企業級QLC產品的廠家只有Solidigm和三星。為此三星已確認，第三季度會量產QLC版本的第9代V-NAND產品，以盡可能地滿足企業用戶的使用需求。 不少人還關心三星的晶圓代工業務，但三星稱，由於市場需求疲軟和持續的庫存調整，復蘇的速度相對比較遲緩。不過三星表示，目前晶圓廠的運營效率已經有所提升，新一代2/3nm製程工藝的開發也較為順利，另外4nm製程工藝的良品率已日趨穩定。 三星計劃下半年量產第二代3nm製程工藝，也就是SF3，使用「第二代多橋-通道場效應電晶體（MBCFET）」，之前已在試產。 ...

今天SK海力士宣布，為應對用於人工智慧（AI）的半導體需求的大幅度增長，決定擴充人工智慧基礎設施的核心產品，即HBM等新一代DRAM的生產能力。SK海力士認為，提高以HBM為主的DRAM產能是其面臨的首要問題。 隨著人工智慧時代的到來，半導體業界認為DRAM市場進入了中長期增長時代。SK海力士預計HBM的年均增長率將達到60%以上，以面向伺服器的高容量DDR5模塊為主的普通DRAM產品需求也將持續增加。在此趨勢下，要想確保HBM產品的產量達到與普通DRAM相同的水平，則至少需要相對於普通DRAM至少兩倍以上的生產能力。 SK海力士的董事會已經通過決議，將建設在韓國忠清北道清州市的M15X定為新的DRAM生產基地，並決定投資約5.3萬億韓元（約合人民幣279.84億元）建設廠房。SK海力士打算加快新工廠的建設工程速度，將於本月末開工，計劃於2025年11月竣工並開始量產。在這段時間里，SK海力士將依次進行設備投資，計劃超過20萬億韓元（約合人民幣1056億元）進一步擴充產能。 此前SK海力士決定在位於韓國京畿道中部的龍仁市建設新的半導體生產園區，其中包括四座獨立的晶圓廠，目前正在做開工前的准備工作。該園區首座晶圓廠計劃在2027年完工，在此之前，清州M15X廠將承擔生產新一代DRAM產品的任務。 ...

據TrendForce報導，隨著節能成為AI推理伺服器優先考慮的方向，加上北美客戶擴大存儲產品的訂單，帶動企業級QLC SSD的需求攀升。目前市場上僅Solidigm和三星有經過驗證的企業級QLC產品，而更積極做推廣的Solidigm受益最多。TrendForce預計2024年企業級QLC SSD出貨位元相比2023年增長四倍，達到了30EB。 企業級QLC SSD在AI應用搭載提升可能有兩個原因，一個是讀取速度，另一個是TCO優勢。由於AI推理伺服器在工作負載中主要以讀取為主，寫入次數不如AI訓練伺服器頻繁，如果與HDD相比，企業級QLC SSD讀取速度優勢十分明顯。同時現階段企業級QLC SSD的最大容量已經達到了64TB，而伺服器所使用的HDD主流容量在22/24TB，無論單個產品還是單位存儲所需要的用電都更少，而且同樣存儲容量下占用的物理空間也更少，可大幅度降低TCO成本。 隨著AI伺服器總電力消耗的增加，節能指標變得越來越重要，讓企業級QLC SSD成為了AI大客戶尋求的最佳解決方案。 Solidigm計劃下半年擴大144層QLC NAND快閃記憶體的生產，而三星則以176層QLC NAND快閃記憶體為主。由於企業級QLC SSD供應商較少，產能吃緊，使得相關產品的價格持續上漲，預計漲勢會持續至今年第三季度，季度漲幅5~10%。 ...

去年10月，三星舉辦了「Samsung Memory Tech Day 2023」活動，宣布推出代號為「Shinebolt」的新一代HBM3E DRAM。到了今年2月，三星宣布已開發出業界首款HBM3E 12H DRAM，擁有12層堆疊，容量為36GB，是迄今為止帶寬和容量最高的HBM產品。隨後三星開始向客戶提供了樣品，計劃下半年開始大規模量產。 據Viva100報導，三星已經與AMD簽訂價值30億美元的新協議，將供應HBM3E 12H DRAM，預計會用在Instinct MI350系列上，。據稱，三星還同意購買AMD的GPU以換取HBM產品的交易，但是具體的產品和數量暫時還不清楚。 傳聞AMD計劃在今年下半年推出Instinct MI350系列，屬於Instinct MI300系列的升級版本。其採用了台積電（TSMC）的4nm工藝製造，以提供更強的性能並降低功耗。由於採用了12層堆疊的HBM3E，提高帶寬的同時還加大了容量。 三星的HBM3E 12H DRAM提供了高達1280GB/s的帶寬，加上36GB容量，均比起之前的8層堆棧產品提高了50%。由於採用了先進的熱壓非導電薄膜（TC NCF）技術，使得12層產品與8層產品有著相同的高度規格，滿足了當前HBM封裝的要求。該技術還通過晶片間使用不同尺寸的凸塊改善HBM的熱性能，在晶片鍵合過程中，較小凸塊用於信號傳輸區域，而較大凸塊則放置在需要散熱的區域，將有助於提高產品的良品率。 按照三星的說法，在人工智慧應用中，採用HBM3E 12H DRAM預計比HBM3E 8H DRAM的訓練平均速度提高34%，同時推理服務用戶數量也將增加超過11.5倍。 有業內人士稱，該筆交易與三星晶圓代工的談判是分開的。此前有傳言稱，AMD下一代CPU/GPU將引入三星的工藝。 ...

近日，SK海力士宣布與台積電（TSMC）簽署了諒解備忘錄（MOU），雙方就下一代HBM產品生產和加強整合HBM與邏輯層的先進封裝技術密切合作。SK海力士計劃與台積電合作開發第六代HBM產品，也就是HBM4，預計在2026年投產。 據The Elec報導，SK海力士打算選擇台積電的7nm工藝，用於生產HBM4所需要的基礎裸片（Base Die），這是雙方針對搭載於HBM封裝內最底層的基礎裸片優化工作的一部分。HBM是將多個DRAM裸片（Core Die）堆疊在基礎裸片上，並通過矽通孔（TSV）技術進行垂直連接而成。基礎裸片也連接至GPU，起著對HBM進行控制的作用。 SK海力士包括HBM3E（第五代HBM產品）在內的HBM產品，都是基於自身製程工藝製造了基礎裸片，但HBM4選擇台積電的先進邏輯工藝，以便增加更多的功能。雙方還計劃將SK海力士的HBM產品和台積電的CoWoS技術融合，做進一步的協力優化工作，以應相關客戶對HBM產品的要求。 此外，SK海力士還計劃生產在性能和功效等方面更廣的滿足客戶需求的定製化（Customized）HBM產品。根據SK海力士的安排，2026年將實現HBM4的批量生產。 ...

今年3月，JEDEC固態技術協會正式發布了JES239 Graphics Double Data Rate 7即GDDR7的標准，可提供兩倍於GDDR6的帶寬，達到了192 GB/s，以滿足未來圖形、遊戲、計算、網絡和人工智慧（AI）應用對高內存帶寬不斷增長的需求。其實早在去年7月，三星就已完成了業界首款GDDR7晶片的開發工作，每個數據I/O接口的速率達到了32Gbps。 近日Rambus宣布，推出GDDR7控制器IP，這是面向AI 2.0的內存解決方案，具有行業領先的接口和安全數字IP產品組合，而且已經上市了。Rambus稱，新款GDDR7控制器IP將在下一波AI推理浪潮中提供伺服器和客戶端所需的突破性內存吞吐量，提供了功能齊全、帶寬效率高的解決方案。 Rambus GDDR7控制器主要特點包括： 支持所有GDDR7鏈路功能，包括PAM3和NRZ信令。 支持各種GDDR7設備尺寸和速率。 針對各種流量場景的高效率和低延遲進行了優化。 靈活的AXI接口支持。 支持低功耗（自刷新、休眠自刷新、動態調頻等）。 可靠性、可用性和可維護性 （RAS） 功能，比如端到端數據路徑奇偶校驗、存儲寄存器的奇偶校驗保護等。 全面的內存測試支持。 提供對第三方PHY的集成支持。 使用最新的GDDR7 VIP和內存供應商內存型號進行驗證。 與現有GDDR6使用的NRZ/PAM2或GDDT6X的PAM4信號編碼機制不同，GDDR7採用的是PAM3信號編碼機制。NRZ/PAM2每周期提供1位的數據傳輸，PAM4每周期提供2位的數據傳輸，而PAM3每兩個周期的數據傳輸為3位。 Rambus表示，新款GDDR7控制器IP適用於尖端AI加速器、圖形和高性能計算（HPC）應用，支持40 Gbps操作，為GDDR7存儲設備提供160 GB/s的吞吐量，比業界最高的吞吐量GDDR6控制器提高了67%，完全滿足新一代 GDDR內存的部署。 ...

鎧俠在今天宣布出樣最新一代UFS 4.0快閃記憶體晶片，新產品提供256GB、512GB和1TB容量規格，可用於包括高端智慧型手機在內的下一代移動端應用產品。 根據鎧俠官方的介紹，新快閃記憶體晶片提升了5G網絡的利用率，從而加快了設備的下載速度，同時使延遲大幅降低，讓用戶的使用體驗得到明顯增強。而更小的封裝尺寸有助於節省電路板空間，提升電路板的利用率，讓電路設計更加靈活從容。 新快閃記憶體晶片採用了鎧俠的BiCS Flash 3D快閃記憶體和主控晶片，集成了MIPI M-PHY 5.0和UniPro 2.0，支持每通道23.2 Gbps或者每個設備46.4 Gbps的理論接口速度，並向後兼容UFS 3.1。與上一代UFS 4.0產品相比，新快閃記憶體晶片的順序寫入速度提升15%，隨機寫入速度提升了50%，隨機讀取速度提升30%，順序讀取速度不變，依舊維持在4640MB/s。另外，新產品採用JEDEC標準的9mm×13mm封裝，比上一代11mm x 13mm的封裝小18%，其中256GB和512GB的快閃記憶體封裝厚度為0.8mm，1TB的封裝厚度為0.9mm。 UFS 4.0標准於2022年年底發布，是為了需要高性能和低功耗的移動設備而開發的一種高性能接口標准。對比上一代，UFS 4.0利用M-PHY 5.0版規范和UniPro 2.0版規范，將UFS接口帶寬加倍，支持高達4.2GB/s的讀寫流量；同時為了更高要求的存 I/O模式，引入多循環隊列定義；並且容許高級RMPB接口增加帶寬，同時保護數據的安全。 鎧俠官方還表示，256GB和512GB容量的產品於本月開始出樣發貨，而1TB的產品則需要等到6月後才能發貨，樣品規格可能會與最終量產版本有不同。 ...

三星今天宣布正式開始量產第九代V-NAND快閃記憶體，首批開始量產的是容量為1Tb的TLC快閃記憶體，新一代快閃記憶體的量產會進一步增強三星在快閃記憶體市場的競爭力，鞏固其領導地位。 三星電子內存業務部快閃記憶體產品與技術負責人SungHoi Hur表示：「我們非常高興推出業界首款第九代V-NAND產品，它將為未來應用帶來顯著飛躍。為了滿足不斷演進的NAND快閃記憶體解決方案需求，我們在下一代產品的單元架構和操作方案上進行了突破。通過最新的V-NAND，三星將持續引領高性能、高密度固態硬碟市場潮流，以滿足即將到來的人工智慧時代的需求。」 與上一代V-NAND相比，第九代V-NAND的單位面積存儲密度提高了約50%，這得益於行業內最小的細胞尺寸和最薄的模具層。為了提升產品質量和可靠性，三星採用了新的創新技術，諸如避免單元干擾和延長單元壽命，同時取消備用通道孔則大幅減少了存儲單元的平面面積。 此外，三星在新一代快閃記憶體上應用了通道孔刻蝕技術，該技術通過堆疊模具層來創建電子通路，並在雙棧結構中實現行業最高單元層數的同時鑽孔，從而最大化製造效率。隨著單元層數增加，穿透更高層數單元的能力變得至關重要，這要求更為精密的刻蝕技術。 第九代V-NAND採用了新一代Toggle 5.1快閃記憶體接口，讓數據傳速速度提升33%，高達3.2Gbps。新的接口可為最新的PCIe 5.0 SSD提供足夠的性能帶寬保障。與上一代產品相比，第九代V-NAND在低功耗設計方面也有改進，其功耗降低了10%，可使SSD變得更為節能。 三星已於本月啟動1Tb TLC第九代V-NAND的大規模生產，隨後將於今年下半年推出QLC的型號。 ...

據TechNews報導，繼西部數據發函通知客戶上調NAND快閃記憶體和HDD產品的價格後，希捷也於近日通知其合作夥伴，表示將對新訂單和額外需求進行漲價，並且此輪漲價將會持續至未來幾個季度。 希捷在通知信件中表示，目前旗下多個業務類別需求均出現持續性增長，而希捷本身仍舊受減產的影響，導致交貨周期延長。同時產品的生產成本也受全球通脹的影響，因此只能夠作出漲價的決定。另外，希捷也希望客戶能及時告知其在短期或長期內的產品需求，以減少對交貨周期影響。 有業內人士表示，本季度出現的大容量HDD供不應求的情況，有可能會持續一整年；今年第二季度的HDD價格將會持續上漲，漲幅有可能達到5%到10%。 其實此次漲價與AI產業的蓬勃發展密不可分，AI產業的發展導致大容量HDD需求量大漲，但HDD的生產周期長，無法短時間消化突然增加的訂單量，加上去年年底存儲製造商實施了旨在基於數量定價的減產策略，兩個因素共同導致了如今大容量HDD供不應求的局面。至於NAND快閃記憶體的情況就更明顯了，除了鎧俠和西部數據能提高產能利用率外，其他廠商都在維持低投產策略，價格將保持強勢上漲的趨勢，漲幅比HDD產品更大。 ...

在進入人工智慧（AI）時代後，兩大存儲器生產廠商三星和SK海力士的競爭不斷升級。雙方都在努力通過加快新產品的開發和批量生產，以搶奪市場先機，爭奪下一代人工智慧半導體市場的主導權。隨著英特爾的加入，全球半導體戰線正在擴大。 據Business Korea報導，近期三星和SK海力士都公布了下一代半導體計劃，問題的關鍵是：誰能首先將新產品推向市場？要知道SK海力士因為在HBM3上搶得先手，去年幾乎壟斷了英偉達HBM3訂單，在存儲器市場低迷時期以最快的速度扭轉了頹勢。 今年1月，SK海力士開始量產第五代HBM產品，也就是8層堆疊的HBM3E，使其在競爭中處於優勢位置。三星則計劃今年上半年，帶來8層堆疊的HBM3E。不過三星在12層堆疊的HBM3E上扳回一城，於今年2月率先宣布開發成功，暫時處於領先位置，並計劃今年晚些時候量產，並開始向英偉達供貨。反觀SK海力士，目前其12層堆疊的HBM3E剛剛向英偉達交付樣品，比起三星稍微落後了一些。 至於第六代HBM產品，即HBM4，三星和SK海力士的競爭就更激烈了。三星的HBM4計劃明年亮相，2026年開始進入批量生產，將提供8/12/16層堆疊的產品。SK海力士同樣計劃在2026年實現HBM4的批量生產，為此還與台積電（TSMC）展開合作，利用全球第一晶圓代工廠的先進技術。當然，三星也有自己的優勢，是唯一擁有完整生產、代工、封裝流程的半導體企業，具備為客戶提供可定製化HBM解決方案的能力。 三星和SK海力士的競爭還擴展到了DRAM領域，前者近期推出了速率為10.7 Gbps的LPDDR5X，超過了SK海力士去年速率為9.6 Gbps的LPDDR5T。三星還計劃今年底量產第六代10nm級別的DRAM，明年生產第七代10nm級別的DRAM。SK海力士則計劃在今年第三季度量產第六代10nm級別的DRAM，比三星要更早一些。去年SK海力士憑借更先進的工藝，以及更早取得英特爾新平台的驗證，通過新款DDR5內存獲得不少收益。 此外，隨著人工智慧應用的擴大，在存儲器上加入計算功能也是未來的發展方向之一，此前三星和SK海力士都已展示過相關的產品。 ...

JEDEC固態技術協會在2020年，首次公布了DDR5SDRAM標准，提升重點在於提高內存密度以及頻率上。其最高速率達到了6400 Mbps，單條LRDIMM最大容量為2TB，最大UDIMM容量為128GB。 近日，JEDEC固態技術協會宣布推出最新的JESD79-5C DDR5 SDRAM標准，旨在提高可靠性和安全性，並進一步增強了性能，適用於高性能伺服器到人工智慧（AI）和機器學習（ML）等新興技術在內的各種應用領域。官方稱，目前新標準的資料已經可以從官網上下載。 在JESD79-5C DDR5 SDRAM標准里，JEDEC固態技術協會引入了一種創新的解決方案來提高DRAM數據完整性，稱為PRAC，將根據字行粒度精確計算DRAM 激活次數。當啟用了PRAC的DRAM檢測到激活次數過多時，會提醒系統暫停流量並指定時間採取緩解措施。通過DRAM和系統之間的密切協調，為解決數據完整性挑戰提供了基本准確和可預測的方法。 JESD79-5C DDR5 SDRAM標準的主要功能特性，包括： 將標准時序參數定義從6800 Mbps擴展到8800 Mbps 將DRAM內核時序和Tx / Rx AC時序擴展至8800 Mbps，之前版本最高僅支持6400 Mbps時序參數和最高7200 Mbps內核時序的部分片段 引入自刷新退出時鍾同步（Self-Refresh Exit Clock Sync），以優化I/O訓練 納入雙晶片封裝（DDP）時序 棄用部分陣列自刷新（PASR），以解決安全問題 JEDEC董事會主席MianQuddus表示，很高興JC-42委員會為推進DDR5SDRAM標准所做的努力，JESD79-5C突破性的新功能旨在支持行業對各種應用中安全性、可靠性和性能的不斷發展的需求。 ...

SK海力士宣布，已經與台積電（TSMC）簽署了諒解備忘錄（MOU），雙方就下一代HBM產品生產和加強整合HBM與邏輯層的先進封裝技術密切合作。SK海力士計劃與台積電合作開發第六代HBM產品，也就是HBM4，預計在2026年投產。 SK海力士表示：「公司作為AI應用的存儲器領域的領先者，與全球頂級邏輯代工企業台積電攜手合作，將會繼續引領HBM技術創新。通過以構建IC設計廠、晶圓代工廠、存儲器廠三方技術合作的方式，公司將實現存儲器產品性能的新突破。」 據了解，SK海力士和台積電首先致力於針對搭載於HBM封裝內最底層的基礎裸片（Base Die）進行性能改善。HBM是將多個DRAM裸片（Core Die）堆疊在基礎裸片上，並通過矽通孔（TSV）技術進行垂直連接而成。基礎裸片也連接至GPU，起著對HBM進行控制的作用。 SK海力士包括HBM3E（第五代HBM產品）在內的HBM產品，都是基於公司自身製程工藝製造了基礎裸片，但HBM4開始會採用台積電的先進邏輯（Logic）工藝，以便增加更多的功能。SK海力士和台積電將協力優化SK海力士的HBM產品和台積電的CoWoS技術融合，以應相關客戶對HBM產品的要求。 此外，SK海力士還計劃生產在性能和功效等方面更廣的滿足客戶需求的定製化（Customized）HBM產品。 ...

近年來，人工智慧（AI）、高性能計算（HPC）和PC一直在推動高性能DRAM產品的研發，市場對HBM類DRAM的需求也在迅速增長，各大廠商也加大了這方面的投入。目前HBM市場主要由三星、SK海力士和美光三家存儲器製造商占有，根據統計機構的數據，SK海力士占據了50%的市場份額，三星以40%緊隨其後，剩下的10%屬於美光。 今天三星發表了一篇采訪文章，受訪對象是三星電子產品規劃辦公室高級副總裁Kim Kyung-ryun和三星電子HBM的DRAM開發辦公室高級副總裁Jae-Yoon Yoon，其中介紹了三星在HBM的開發情況。 三星再次重申了HBM4正在開發當中，將於2025年首次亮相。不過三星並沒有公布其HBM4的代號，之前的HBM3和HBM3E的代號分別是「Icebolt」和「Shinebolt」。目前三星提供的最頂級HBM產品是今年2月推出的12層堆疊HBM3E，擁有36GB容量，數據傳輸速率達到了9.8 Gbps，提供了高達1280GB/s的帶寬，比起之前的8層堆棧產品均提高了50%，是迄今為止帶寬和容量最高的HBM產品。 據三星介紹，隨著硬體的多功能性變得更加重要，HBM4在設計上也會針對不用的服務應用進行優化，計劃通過統一核心晶片、多樣化封裝和基礎晶片（比如8/12/16層堆疊）來應對。為了解決功耗牆的問題，首個創新將從使用邏輯工藝的基礎晶片開始，隨後是第二個創新，從當前2.5D HBM逐步發展到3D HBM，最後預計會出現第三次創新，比如HBM-PIM，也就是具備計算功能的內存半導體技術，這點之前三星已經有過介紹。 之前還有傳言稱，下一代HBM4在設計會有重大的變化，內存堆棧將採用2048位接口，三星還會引入針對高溫熱特性優化的非導電粘合膜（NCF）組裝技術和混合鍵合（HCB）技術。 ...

自2021年開始，西部數據和鎧俠（Kioxia）就NAND快閃記憶體生產業務合並斷斷續續地進行談判，以打造全球最大的NAND快閃記憶體製造商。不過在雙方即將敲定最終計劃之際，遭到了鎧俠重要的間接股東SK海力士的強烈反對，讓西部數據選擇中止談判。隨後西部數據宣布未來將分拆為兩家獨立上市公司，分別專注於機械硬碟和NAND快閃記憶體業務，預計在2024年下半年開始執行。 據DigiTimes報導，由於過去一年多存儲器市場低迷，嚴重影響了鎧俠的業務發展和營收表現，預計2023財年（2023年4月至2024年3月）將再次陷入虧損，這將是其連續第二年出現虧損。鎧俠糟糕的財務狀況將違反其向銀行財團借款時的條款，為了穩固財政，提出以首次公開募股（IPO）的方式公開增資，最快於2024年10月在東京證交所上市。 其實早在2020年，鎧俠就有意在當年秋天進行IPO，不過因新冠病毒擴散、市場不確定性以及中美貿易爭端等原因，最後無限期推遲了。到了2021年，雖然市場傳出美光和西部數據都有意收購鎧俠，但其管理層仍更傾向於在當年夏天尋求上市，而不是與海外潛在買家進行交易。隨著與西部數據談判的深入，打算改為在美國和日本兩地上市，沒想到最後又遇到了挫折，上市計劃再次擱淺。 目前鎧俠的多數股權是由私募股權公司貝恩資本牽頭的投資者集團持有，傳聞已經向交易銀行傳達了力爭IPO的想法。 ...

十銓科技（Team Group）宣布，推出MP44Q M.2 PCIe 4.0 NVMe SSD。十銓科技表示，致力於為消費者提供多元化最佳存儲解決方案，這次帶來的新產品以領先的技術結合大容量需求趨勢，全面滿足用戶日常系統與文件存儲的需求。 MP44Q SSD為M.2 2280規格，採用了PCIe 4.0 x4接口，支持SLC緩存技術，以低功耗等優勢，滿足所有文書處理機應用存儲，大幅提升工作效率。其搭載了十銓科技獨家的超薄石墨烯散熱標簽貼，小於1mm的導熱材質緊密貼合SSD，加上安裝在主板時與M.2插槽原生散熱片結合，有效解決高效能所帶來的發熱，延長了SSD的使用壽命。 MP44Q SSD提供了最高4TB的容量，搭載了3D QLC NAND快閃記憶體，最大順序讀取速度為7400MB/s，最大順序寫入速度為6500MB/s，MTBF時長為160萬小時。此外，還支S.M.A.R.T.智能監測軟體，通過進行快速簡易的相關設定與檢測，讓用戶隨時掌握SSD的健康狀況。 十銓科技還致力於綠色環保事業，為永續生活盡一份心力，在MP44Q M.2 PCIe 4.0 NVMe SSD的包裝上採用了可回收材質，並通過了RoHS、REACH等環境保護認證。十銓科技為產品提供了五年質保，讓消費者不必擔心產品質量，安心使用。 據了解，MP44Q M.2 PCIe 4.0 NVMe SSD將於5月初在全球范圍內上市，暫時還不清楚產品的具體定價。...

三星宣布，已開發出其首款速率達10.7Gbps的LPDDR5X DRAM。三星表示，新款LPDDR5X是未來端側人工智慧（AI）的理想解決方案，預計將在PC、加速器、伺服器和汽車領域中得到更廣泛的應用，將鞏固其在低功耗DRAM市場的技術卓越地位。 三星電子內存業務內存產品規劃執行副總裁YongCheol Bae表示：「隨著對低功耗、高性能內存需求的增加，LPDDR DRAM的應用領域有望從主要的移動領域擴展到PC、加速器、伺服器和汽車等其他領域，傳統上說，它們需要更高性能和可靠性，三星將通過與客戶的密切合作，不斷創新，為即將到來的設備端人工智慧時代提供更優的產品。」 速率10.7Gbps的LPDDR5X採用了12nm級別的工藝技術，實現了三星現有LPDDR中最小的晶片尺寸。相比於上一代產品，這次的新款LPDDR5X在性能上提高了25%以上，容量也提升了30%以上，同時還將移動DRAM的單封裝容量擴展到了32GB，成為端側人工智慧時代里高性能、大容量和低功耗內存的理想解決方案。 三星還採用了專門的節能技術，可根據工作負載頻率調整和優化供電模式，以及擴展低功耗模式頻段從而延長低能耗工作時長。這些改進使得速率10.7Gbps的LPDDR5X在能效上有了進一步的提升，相比上一代產品提高了25%，延長了移動設備的電池續航時間，並降低了處理伺服器處理數據的能耗，最大限度地降低了總體擁有成本（TCO）。 在與設備供應商完成驗證後，三星計劃在今年下半年開始量產速率10.7Gbps的LPDDR5X。 ...

美光宣布，已開始量產232層QLC NAND快閃記憶體，並已經在選定的關鍵SSD中發貨。除了消費客戶端產品外，還會向企業存儲客戶及OEM廠商提供對應的產品，比如Micron 2500 NVMe SSD。 美光表示，這次四層單元的NAND快閃記憶體新品是一項突破性的成就，提供了前所未有的層數和密度，可實現比以往NAND快閃記憶體更高的存儲密度和設計靈活性，並縮短了訪問時間。美光232層QLC NAND快閃記憶體通過利用以下重要功能，為移動、客戶端、汽車、邊緣和數據中心存儲的用例提供無與倫比的性能，包括： 全球位密度最高的OEM量產型NAND快閃記憶體，密度比起自家上一代176層QLC NAND快閃記憶體提高了30%。 業界領先的位密度，領先於競爭對手的最新產品，結構更為緊湊，相比提升了28%。 業界領先的NAND快閃記憶體I/O接口速度，達到了2400 MT/s，比上一代提高了50%。 讀取性能比上一代176層QLC NAND快閃記憶體提高了24%。 寫入性能比上一代176層QLC NAND快閃記憶體提高了31%。 存儲解決方案和定製企業級SSD設備製造商Pure Storage的總經理Bill Cerreta表示，美光的232層QLC NAND快閃記憶體是其大容量DirectFlash模塊的關鍵，在美光的推動下，讓Pure Storage在2028年之前完成取代數據中心所有機械硬碟的目標上又向前邁進了一步。 ...

科賦（KLEVV）宣布，推出全新CRAS C925 SSD。這是一款PCIe 4.0 M.2 NVMe SSD產品，以滿足用戶對筆記本電腦、迷你主機和PlayStation 5遊戲主機等設備的存儲升級需求。 CRAS C925 SSD為M.2 2280規格，採用了PCIe 4.0 x4接口，支持SLC快取與HMB技術，提升了產品的耐用度和性能穩定性，以滿足高強度的存儲應用需求。隨附的高效鋁制散熱片，有著很好的降溫效果，有效提升了散熱效率。此外，SSD還支持LDPC ECC糾錯技術、AES 256位加密、S.M.A.R.T技術、以及進階溫控調頻機制，為產品帶來了更好的使用穩定性和安全性，延長了使用壽命。 CRAS C925 SSD提供了500GB、1TB和2TB三種容量，搭載了3D NAND快閃記憶體，為超薄單面設計，有著輕巧的尺寸，帶來了更好的安裝兼容性。其最大順序讀取速度為7400MB/s；500GB、1TB和2TB的最大順序寫入速度分別為6200MB/s、6300MB/s和6500MB/s；500GB、1TB和2TB的隨機讀取分別為670KIOPS、670KIOPS和700K IOPS；500GB、1TB和2TB的隨機寫入為980K IOPS、980K IOPS和1000K IOPS；耐久度方面，500GB、1TB和2TB分別對應600/1200/2400 TBW。 所有購買CRAS C925...

西部數據旗下品牌SanDisk（閃迪）在美國拉斯維加斯舉行的NAB 2024上，宣布展出一系列為傳媒娛樂業（M&E）工作流打造的創新技術和存儲解決方案，屬於兼具高性能與大容量的創新產品。 SanDisk表示，新一代SD和microSD Express存儲卡產品組合，將以更高的性能表現減少訪問和保存數據所需的時間，滿足今後應用場景對更快存儲解決方案的需求，這些產品包括： SanDisk SD Express存儲卡（128GB/256GB）- 與目前西部數據高性能的SD UHS-I存儲卡相比，傳輸速度提高了約4.4倍，專為數據密集型工作流程、高性能相機或其他兼容設備打造，可向下兼容當前設備，並為未來做好准備。 SanDisk microSD Express存儲卡（128GB/256GB）-與目前西部數據高性能的microSD UHS-I存儲卡相比，傳輸速度提高了約4.4倍，為處理高強度工作的專業人士提供了前所未有的速度、容量和性能，同樣向下兼容當前設備。 SanDisk Extreme PROSDXC UHS-I存儲卡（2TB）-憑借超大容量，讓用戶僅在一張卡上就能捕捉更多高解析度照片和4K UHD視頻。 SanDisk Extreme PRO microSDXC UHS-I存儲卡（2TB）- 西部數據首款、全球最快的2TB容量UHS-I microSD存儲卡。 SanDisk Extreme PRO SDUC UHS-I存儲卡（4TB）- 以相同尺寸的SD外形提供超大容量。其支持SDUC規范，突破了SDXC規范里2TB的上限，未來最高可達128TB的容量。 新一代SanDisk的SD和microSD Express存儲卡將於今年夏天在其授權零售商、電子零售商和官方商店上架，不過最受大家期待的SanDisk Extreme PRO SDUC...

去年10月，美光推出了使用最新1β（1-beta）工藝節點生產的LPDDR5X內存，容量高達16GB，速率也達到了9.6 Gbps，相比前代產品的峰值帶寬提高了12%。 現在美光宣布，帶來適用於智慧型手機的LPDDR5X新版解決方案，在保持9.6 Gbps的速率同時，將功耗進一步降低了4%，再次突破了原有的界限。美光還表示，新的LPDDR5X解決方案也能用於標准低功耗壓縮附加內存模塊（LPCAMM2）。 美光表示，在新的LPDDR5X解決方案里，利用了增強型動態電壓和頻率擴展內核（eDVFSC）和第二代high-k金屬柵極（HKMG）技術來提升節電效率，從而顯著改善了功耗表現，並能靈活地提供工作負載定製的功耗和性能，這樣的改進為移動生態系統提供了在邊緣釋放生成式人工智慧（AI）所需的性能。 根據消費者調查報告，顯示智慧型手機的續航能力是選購時最關心的功能，超過了其他關鍵指標，前三位分別是電池續航時間（61%）、拍照質量（48%）和5G網絡連接（24%）。美光認為隨著人工智慧用例和應用引入到旗艦智慧型手機，對於計算相關硬體的能效要求會更加高，市場研究顯示到2027年，全球預計會有超過10億台AI智慧型手機出貨，並滲透到中端設備上。 目前美光已經向移動生態系統提供樣品，包括為人工智慧密集型應用提供持續的高帶寬功能，並進一步提高電源效率。 ...