西數今年將量產第六代162層BiCS Flash,2024年將推進到200層以上

此前美光公布了其NAND快閃記憶體計劃,表示將推出業界首款232層的3D TLC NAND快閃記憶體,並准備在在2022年年末開始生產該款快閃記憶體晶片,將用在包括固態硬碟在內的各種產品上。近日,另一間存儲大廠西部數據也公布了自己的NAND快閃記憶體計劃。

西數今年將量產第六代162層BiCS Flash,2024年將推進到200層以上

據TechPowerup報導,西部數據正在與鎧俠(Kioxia)合作,雙方合作開發的第六代162層BiCS Flash將會在今年量產。目前其他廠商已經推進到176層,不過西部數據的162層BiCS Flash可以提供相同的容量。西部數據表示,其快閃記憶體晶片的尺寸比競爭對手更小,這是一個優勢,意味著每片晶圓能夠製造更多的晶片。

據西部數據的介紹,第六代BiCS Flash可以實現單片晶圓提供100TB容量,相比2020年時候的70TB有所增加。西部數據與鎧俠計劃在2024年將稱之為BiCS+的堆疊層數提高到200層以上,到2032年將出現500層堆疊的NAND快閃記憶體。第一款採用BiCS+快閃記憶體將用於數據中心產品,將比目前的第六代162層BiCS Flash的傳輸速度提高60%,每片晶圓的容量也將提高55%。

西數今年將量產第六代162層BiCS Flash,2024年將推進到200層以上

事實上,西部數據和鎧俠在去年年初,就已宣布合作開發了第六代162層BiCS Flash。按照當時鎧俠的說法,與第五代技術相比,第六代技術的橫向單元陣列密度提高了10%,結合162層堆疊式垂直存儲器,與112層堆疊技術相比,可將晶片尺寸縮小40%。通過採用陣列CMOS電路布局和四路同時操作,與上一代產品相比,性能提高了近2.4倍,讀取延遲上提高了10%。I/O性能也提高了66%。

來源:超能網