鎧俠演示七級單元3D NAND快閃記憶體,將低溫環境與新的矽工藝技術相結合

目前全球每天產生的數據量是非常龐大的,預計到2025年將達到175ZB。大量的數據唄存儲在大容量的伺服器和數據中心里,使用的是HDD和SSD,不過SSD在讀/寫速度、能耗和設備尺寸上都優於HDD,使得SSD正逐步取代HDD。SSD單位成本的擴展歸功於三維方向上將存儲單元堆疊更多的層數,同時一個存儲單元里存儲更多的比特數。

鎧俠演示七級單元3D NAND快閃記憶體,將低溫環境與新的矽工藝技術相結合

鎧俠(Kioxia)宣布,成功演示了世界首個七級單元的3D NAND快閃記憶體。目前大規模生產的3D NAND快閃記憶體最多是四級單元,也就是大家熟悉的QLC 3DNAND快閃記憶體,這意味著新款3D NAND快閃記憶體幾乎實現了容量上的翻倍。

早在兩年前,鎧俠就演示過低溫狀態下運行的六級單元HLC 3D NAND快閃記憶體。這一次鎧俠將低溫環境與新的矽工藝技術相結合,又向前邁進了一步。在七級單元的3D NAND快閃記憶體里,傳統上存儲單元電晶體通道使用的多晶矽被單晶矽所取代,在讀取操作中,最多可減少三分之二的NAND快閃記憶體讀取噪聲量,並產生更為清晰的讀取信號。

鎧俠演示七級單元3D NAND快閃記憶體,將低溫環境與新的矽工藝技術相結合

鎧俠表示,新的存儲架構將大大降低生產成本上,甚至提出了一種將七級單元3D NAND快閃記憶體與低溫冷卻相結合的解決方案,這比現在市場上採用風冷或被動散熱的SSD更為便宜。鎧俠還會繼續開發低溫存儲器技術,以實現最低的單位成本,並在未來通過矽技術實現連續的單位成本縮放。

七級單元的3D NAND快閃記憶體並不是盡頭,鎧俠過去就曾展望過八級單元的OLC 3D NAND快閃記憶體。

來源:超能網