目前全球每天產生的數據量是非常龐大的，通過HDD和SSD存儲在大容量的伺服器和數據中心里，不過SSD在讀/寫速度、能耗和設備尺寸上都優於HDD，使得SSD正逐步取代HDD。SSD單位成本的擴展，其中一個原因歸功於在存儲單元上堆疊更多的層數。
據Xtech Nikkei報導，鎧俠首席技術官Hidefumi Miyajima在東京城市大學舉行的第71屆應用物理學會春季會議上表示，計劃到2031年開始批量生產超過1000層的3D NAND快閃記憶體晶片。
增加3D NAND器件中有源層的數量是目前提高快閃記憶體記錄密度的最佳方法，因此所有3D NAND快閃記憶體製造商每1.5至2年就通過新的製程工藝節點來實現這一目標。不過每個新的製程工藝節點都會有一些挑戰，由於3D NAND快閃記憶體需要在存儲單元上堆疊更多層數，那麼也要在橫向和縱向上縮小存儲單元，其中會採用新的材料，對於廠商研發上會有一定的難度。
目前鎧俠最好的是去年推出的第8代BiCS 3D NAND快閃記憶體，為218層。為此鎧俠和西部數據還開發了CBA（CMOS directly Bonded to Array）技術，將每個CMOS晶圓和單元陣列晶圓都是在其最優狀態下單獨製造的，然後粘合在一起，以提供增強的位密度和快速的NAND I/O接口速度。通過創新的橫向收縮技術，將位密度提高了50%以上，NAND I/O接口速度超過了3.2Gb/s，比上一代產品提高了60%。
鎧俠應該會沿用目前的工藝技術路線，開發1000層的3D NAND快閃記憶體晶片。
來源：超能網
