作為其2019年Q1財報業績公布的一部分，SK海力士宣布，公司將提高其第一代10納米級製造工藝（即1X nm）的DRAM產量，並將今年下半年開始生產、銷售其製造的第二代10納米級製造技術（又名1Y nm）的記憶體。加速向10納米級技術的過渡將使該公司能夠增加DRAM位輸出，最終降低成本，並為下一代記憶體做准備。
使用SK海力士1Y nm生產技術製造的首批產品將是其8 Gb DDR4-3200記憶體芯片。海力士表示，與使用其1X nm製造技術的類似器件相比，新的生產工藝能夠將8 Gb DDR4器件的芯片尺寸縮小20％，並將其功耗降低15％。此外，SK海力士即將推出的8 Gb DDR4-3200芯片具有兩項重要改進：四相時鍾方案以及Sense放大器控制技術。四相時鍾提高了信號強度，可在高數據傳輸速率下保持穩定；同時，SAC降低了晶體管尺寸縮小時可能發生的數據錯誤的可能性。
雖然這些技術即使在現在對於DDR4也很重要，但據報道SK海力士將使用它的1Y nm工藝製造DDR5，LPDDR5和GDDR6 DRAM。因此，海力士必須盡快提升其第二代10納米級製造技術，為未來做好准備。
SK海力士過渡到10納米級DRAM製造技術的速度相當緩慢。美光和三星的第二代10納米級的2款產品已經開始出貨了，SK海力士的第二代10納米級製造技術似乎將在2019年下半年才用於商業產品。而海力士2019年Q1季度財報顯示其利潤同比暴跌65%，雖然它預言今年第二季度將略有回升，第三季度的服務器需求將大幅增長，再加上5G手機的布局入市，也許記憶體價格真的已經摸到寡頭們的底線了？
來源：超能網
