西部數據在二月二十八日的Storage Field Day活動中透漏了其正在開發低延遲閃存（Low-Latency Flash，LLF）的消息。這種技術將填補現在的NAND閃存與記憶體之間的空白。
西部數據的存儲產品解決方案副總裁在這次宣講會中說講解說這種閃存芯片不同於現有的NAND閃存，為了實現低延遲，他們定製了這種芯片的Die。但是由於性能提高，所以LLF閃存的價格將比現有NAND閃存價格高三倍，但是要比記憶體價格低十倍。所以採用這種芯片的產品價格會更高，應該是面向高端市場的。
而西數在此次講解中透露的情況來看LLF閃存在延遲表現上依舊比DRAM差很多，所以無法作為非易失性記憶體芯片（non-volatile memory，NVM）。而諸如這種閃存芯片的更具體的內部結構、容量、具體測試數據等，西數並沒有透漏很多。而在此之前與西數聯合的東芝半導體公佈了高性能閃存XL-Flash閃存，同樣擁有低延遲特性，所以不知道西數此次講解的這款LLF閃存是否與東芝有關系。
在高性能閃存市場上，三星的Z-NAND閃存和英特爾的3D-Xpoint系列都已經有產品推出。但是根據其講解，西數准備在適當的時侯再推出這款產品。
來源：超能網
