之前傳聞顯示，RTX 40系列將採用台積電4nm製造工藝，而在正式發布的時候，官方標注為“4N”，和台積電說的“N4”正好反過來。這是什麼鬼？
我們的第一反應，是這屬於定製版的台積電4nm，結果只猜對了一半。
根據快科技了解，4N工藝確實是NVIDIA與台積電定製的，但並非4nm，而是5nm，所以完整說法應該是台積電4N 5nm工藝。
這也再次證明，台積電的4nm、5nm工藝並無本質區別，前者主要是提高了電晶體集成度。當然了，總要比RTX 30系列的三星N8 8nm強太多了。
按照黃仁勛的說法，憑借新的架構和工藝，RTX 40系列的能效是RTX 30系列的兩倍。
數據顯示，Ada Lovelace架構的大核心AD102集成了763億個電晶體，核心面積608.4平方毫米，密度為1.255億個/平方毫米，內置18176個CUDA核心、142個第三代光追核心、568個第四代張量核心。
相比之下，三星8nm Ampere GA102核心是283億個電晶體、628平方毫米，密度為4510萬個/平方毫米。
換言之，台積電4N的集成密度是三星N8的足足2.8倍！
(還是有廠商誤寫作4nm)
來源：快科技
