中國技術再次實現突破 全球最先進的3D NAND存儲晶片被發現

快科技10月25日消息,知名半導體行業觀察機構TechInsights稱,在一款消費電子產品中發現了世界上最先進的3D NAND存儲晶片,它來自中國頂級的3D NAND製造商長江存儲。

據悉,TechInsights在2023年7月推出的致態SSD中發現了由長江存儲製造的232層QLC 3D NAND晶片,這種新的QLC晶片具有19.8 Gb/mm2的商用NAND產品中最高的比特密度。

本次的發現,超越了同樣在開發232層QLC 3D NAND晶片的美光和英特爾(Solidigm)。

中國技術再次實現突破 全球最先進的3D NAND存儲晶片被發現 長江存儲232L QLC晶片

中國技術再次實現突破 全球最先進的3D NAND存儲晶片被發現 致態Ti600 1TB固態硬碟

TechInsights表示,盡管受到制裁後困難重重——包括該公司受限於向蘋果供應基於中國生產的iPhone零部件,以及被列入美國的實體名單, 但長江存儲仍在靜靜地開發最先進的技術。

近期存儲市場的低迷,以及許多記憶體製造商專注於節省成本的舉措,可能為長江存儲提供了機遇,使其具有領先的更高比特密度的3D Xtacking NAND。

值得注意的是,三星目前的戰略是專注於V9 3D NAND的TLC和QLC,因此沒有在236層(V8) 3D NAND上開發QLC。

但是,三星在上周舉行的“記憶體技術日”上,首次公開了面向移動市場的QLC產品——採用176層(V7)技術的512GB UFS 3.1產品。

SK海力士的主要業務是TLC,而不是QLC產品。

越來越多的證據表明,中國正在努力克服貿易限制、建立本土半導體供應鏈的勢頭比預期的要成功。

此前,TechInsights是首批拆解華為Mate 60 Pro的機構,在拆解完之後,TechInsights副主席Dan Hutcheson給出了如下評價:

“這確實是一個令人驚嘆的質量水平,是我們始料未及的,它肯定是世界一流的。因此,我們要祝賀中國,能夠製造出這樣的產品。這意味中國擁有非常強大的能力,而且還在繼續發展技術。”

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來源:快科技