在3D快閃記憶體方面，三星之前一直是領先的，不過美光去年率先量產了176層堆棧的快閃記憶體，要想追趕回來，三星最快今年底能量產224層堆棧的快閃記憶體，性能還會提升30%。
三星的3D快閃記憶體V-NAND目前發展到了第七代，最高176層，原本計劃在去年底量產，但因為NAND快閃記憶體價格下滑等因素，三星選擇推遲量產，今年Q1季度才會正式量產，導致技術上稍微落後於美光等公司。
不過三星在下一代快閃記憶體上有望追回來，最快今年底明年初推出第八代V-NAND快閃記憶體，堆棧層數首次超過200層，之前傳聞是228層，現在的說法是224層，相當於在128層基礎上再堆棧96層。
消息稱，三星的224層快閃記憶體性能也很不錯，數據速度提升了30%，同時生產效率也提高了30%。
此外，三星的224層快閃記憶體技術難度也很高，之前三星是唯一一家使用單堆棧技術實現128層快閃記憶體的公司，這次的224層則使用了雙堆棧技術，技術挑戰十分嚴峻。
來源：快科技
