西部數據宣布，與鎧俠聯合開發的BiCS NAND快閃記憶體將進入第六代，堆疊層數達到162層，今年即投入量產。
目前的3D NAND快閃記憶體已經紛紛堆到176層，美光日前更是宣布全球首個達到232層。
但是西數指出，自家的162層快閃記憶體單元尺寸更小，只有68平方毫米，小於競品的69.6平方毫米或69.3平方毫米，因此存儲密度更高，可以提供和競品相同的單晶片容量。
西數表示，BiCS6 162層堆疊下，一塊晶圓就可以做到100TB容量，而目前只有大約70TB。
性能方面，西數宣稱自己擁有最好的電荷捕獲(Charge Trap)型單元，性能可達60MB/，比對手快了一半。
西數還預告了下下一代BiCS+快閃記憶體，堆疊超過200層，預計可帶來60％的傳輸速度提升、15％的編程帶寬提升、55％的晶圓容量提升，然後繼續一路堆疊，2032年左右將超過500層！
另外，西數在PPT上海列出了PLC快閃記憶體，但沒有任何細節消息。
來源：快科技
