美光宣布量產232層QLC NAND快閃記憶體:接口速度達2400MT/s 比上一代提高50%

快科技4月17日消息,美光公司近日宣布,已成功實現232層QLC NAND快閃記憶體的量產,並已向特定關鍵SSD客戶發貨。這款革命性的快閃記憶體產品不僅面向消費級客戶端,同時還將為企業級存儲客戶和OEM廠商提供強大支持,其中就包括Micron 2500 NVMe SSD。

美光強調,這款四層單元的NAND快閃記憶體新品代表了行業的一大突破,其層數和密度均達到前所未有的水平。這種新型快閃記憶體不僅能實現比傳統NAND快閃記憶體更高的存儲密度和設計靈活性,還能有效縮短訪問時間,為各類應用提供更為流暢的體驗。

美光宣布量產232層QLC NAND快閃記憶體:接口速度達2400MT/s 比上一代提高50%

美光的232層QLC NAND快閃記憶體憑借一系列卓越特性,為移動、客戶端、汽車、邊緣計算及數據中心等多樣化存儲需求提供了無與倫比的性能。這款快閃記憶體產品不僅擁有全球最高的位密度,相比上一代176層QLC NAND快閃記憶體,其密度提升了高達30%。

在結構上,這款新品也展現出了顯著優勢,其緊湊程度比競爭對手的最新產品高出28%。此外,美光的232層QLC NAND快閃記憶體還具備業界領先的I/O接口速度,高達2400 MT/,較上一代產品提升了50%。

在性能表現方面,這款新型快閃記憶體同樣令人矚目。其讀取性能相比上一代176層QLC NAND快閃記憶體提升了24%,而寫入性能更是提升了31%。這一系列的提升使得美光的232層QLC NAND快閃記憶體成為了市場上的佼佼者。

值得一提的是,知名存儲解決方案和定製企業級SSD設備製造商Pure Storage的總經理Bill Cerreta對美光的這款新品給予了高度評價。他表示,美光的232層QLC NAND快閃記憶體是Pure Storage大容量DirectFlash模塊的核心組成部分,其卓越性能將助力Pure Storage在2028年之前實現數據中心全面取代機械硬碟的宏偉目標。

美光宣布量產232層QLC NAND快閃記憶體:接口速度達2400MT/s 比上一代提高50%

來源:快科技