Tag: 晶體管

電源轉換器是鮮為人知的系統，它讓電力變得如此神奇。它們讓我們能夠插入電腦、電燈和電視機，並在瞬間將它們打開。轉換器將牆上插座中的交流電(AC)轉化為我們電子產品所需的直流電(DC)。但在這個過程中，它們也會平均損失20%的能量。 功率轉換器的工作原理是使用功率晶體管，這些微小的半導體元件被設計成可以開關和承受高電壓。設計新穎的功率晶體管以提高轉換器的效率是EPFL工程師團隊的目標。全新晶體管設計基於納米級結構，在轉換過程中損失的熱量要少得多，使晶體管特別適合電動汽車和太陽能電池板等高功率應用。他們的研究成果剛剛發表在《自然電子學》上。 轉換器的散熱是由高電阻等因素造成的，這是電力電子器件的最大挑戰。"我們每天都能看到電能損耗的例子，比如當你的筆記本電腦的充電器發熱時，"論文的共同作者、EPFL的POWERlab負責人Elison Matioli說。在大功率應用中，這就更成為一個問題。"半導體元件的標稱電壓越高，電阻越大，"他補充道。例如，功率損耗會縮短電動汽車的行駛里程，並降低可再生能源系統的效率。 Matioli和他的博士生Luca Nela以及他們的團隊一起開發了一種晶體管，可以大幅降低電阻，並削減大功率系統的散熱量。更具體地說，它的電阻不到傳統晶體管的一半，而電壓卻能保持在1000V以上。 EPFL技術包含了兩項關鍵創新。第一個是在元件中建立幾個導電通道，以便分配電流--就像在高速公路上增加新的車道一樣，讓交通更加順暢，防止交通堵塞。"我們的多通道設計分割了電流的流動，減少了電阻和過熱，"Nela說。 第二項創新涉及使用氮化鎵製成的納米線，這是一種非常適合電力應用的半導體材料。納米線已經用於低功耗芯片，如智能手機和筆記本電腦中的芯片，而不是用於高電壓應用。POWERlab展示了直徑為15納米的納米線，其獨特的漏鬥狀結構使其能夠支持高電場，以及超過1000V的電壓而不被擊穿。 得益於這兩項創新的結合，多通道設計使更多的電子得以流動，漏鬥結構增強了納米線的電阻，晶體管可以在大功率系統中提供更高的轉換效率。"我們使用傾斜納米線打造的原型機的性能是目前最好的GaN功率器件的兩倍，"Matioli說。 雖然工程師們的技術還處於實驗階段，但大規模生產應該不會有什麼大的障礙。"增加更多的通道是一件相當瑣碎的事情，我們的納米線的直徑是英特爾製造的小型晶體管的兩倍。"Matioli說。該團隊已經為他們的發明申請了多項專利。 隨着電動汽車的廣泛應用，對能夠在高電壓下高效運行的芯片的需求將蓬勃發展，因為更高效的芯片可以直接轉化為更長的續航里程。一些主要的製造商已經表示有興趣與Matioli合作，進一步開發這項技術。 來源：cnBeta

目前量產的最先進工藝是台積電、三星的5nm，明年有望量產3nm工藝，再往後的2nm工藝需要全新的技術，製造難度更高，是大國爭搶的制高點之一。在先進工藝上，目前台積電、三星及Intel等幾家實力強大，日本公司主要是在光刻膠、硅片等材料有較大優勢，但日本也沒有放棄先進工藝上的努力。 據日本媒體報道，日本產業技術綜合研究所與台灣半導體研究中心（TSRI）等展開合作，開發了用於新一代半導體的新型晶體管結構。 相比其他技術，該技術將硅（Si）和鍺（Ge）等不同溝道材料從上下方堆疊、使「n型」和「p型」場效應晶體管靠近的名為「CFET」的結構。 報道稱，與此前的晶體管相比，CFET結構的晶體管性能高、面積小，有助於製造2nm以下線寬的新一代半導體。 據悉，這一研究成果發表於2020年12月在線上舉行的半導體相關國際會議「IEDM2020」。該項新技術有望在今後約3年里對民營企業進行轉讓，正式開始商用。 來源：cnBeta

一些晶圓代工廠仍在基於下一代全能柵極晶體管開發新工藝，包括更先進的高遷移率版本，但是將這些技術投入生產將是困難且昂貴的。英特爾、三星、台積電和其他公司正在為從今天的 FinFET 晶體管向 3nm 和 2nm 節點的新型全柵場效應晶體管（GAA FET）過渡奠定基礎，這種過渡將從明年或 2023 年開始。 ...

一些晶圓代工廠仍在基於下一代全能柵極晶體管開發新工藝，包括更先進的高遷移率版本，但是將這些技術投入生產將是困難且昂貴的。 Intel、三星、台積電和其他公司正在為從今天的FinFET晶體管向3nm和2nm節點的新型全柵場效應晶體管（GAA FET）過渡奠定基礎，這種過渡將從明年或2023年開始。 GAA FET將被用於3nm以下，擁有更好的性能，更低的功耗和更低的漏電壓。雖然GAA FET晶體管被認為是FinFET的演進，並且已經進行了多年研發，但任何新型晶體管或材料對於芯片行業來說都是巨大的工程。芯片製造商一直在盡可能長地推遲這一行動，但是為了繼續微縮晶體管，需要GAA FET。 需要指出的是，雖然同為納米片FET，但GAA架構有幾種類型。基本上，納米片FET的側面是FinFET，柵極包裹着它，能夠以較低的功率實現更高的性能。 圖1：平面晶體管與FinFET以及GAA FET，來源：Lam Research 「GAA技術對於晶體管的持續微縮至關重要。3nm GAA的關鍵特性是閾值電壓可以為0.3V。與3nm FinFET相比，這能夠以更低的待機功耗實現更好的開關效果，「 IBS首席執行官Handel Jones說。「 3nm GAA的產品設計成本與3nm FinFET不會有顯著差異。但GAA的IP認證將是3nm FinFET成本的1.5倍。」 轉向任何新的晶體管技術都具有挑戰性，納米片FET的推出時間表因晶圓廠而異。例如，三星正在量產基於FinFET的7nm和5nm工藝，並計劃在2022到2023年間推出3nm的納米片。同時，台積電將把FinFET擴展到3nm，同時將在2024/2025年遷移到2nm的納米片FET。Intel和其他公司也在研究納米片。 納米片FET包含多個組件，包括一個溝道，該溝道允許電子流過晶體管。首款納米片FET採用傳統的基於硅的溝道材料，但下一代版本將可能包含高遷移率溝道材料，使電子能夠在溝道中更快地移動，提高器件的性能。 高遷移率溝道並不是新事物，已經在晶體管中使用了多年。但是這些材料給納米片帶來了集成方面的挑戰，供應商正在採取不同的方法解決： 在IEDM（國際電子元件會議）上，Intel發表了一篇有關應變硅鍺（SiGe）溝道材料的納米片pMOS器件的論文。Intel使用所謂的「溝道優先「流程開發該器件。 IBM正在使用不同的後溝道工藝開發類似的SiGe納米片。 其他溝道材料正在研發中。 芯片微縮的挑戰 隨着工藝的發展，有能力製造先進節點芯片的公司數量在不斷減少。其中一個關鍵的原因是新節點的成本卻越來越高，台積電最先進的300mm晶圓廠耗資200億美元。 幾十年來，IC行業一直遵循摩爾定律，也就是每18至24個月將晶體管密度翻倍，以便在芯片上增加更多功能。但是，隨着新節點成本的增加，節奏已經放慢。最初是在20nm節點，當時平面晶體管的性能已經發揮到極致，需要用FinFET代替，隨着GAA FET的引入，摩爾定律可能會進一步放慢速度。 FinFET極大地幫助了22nm和16/14nm節點改善漏電流。「與平面晶體管相比，鰭片通過柵極在三側接觸，可以更好地控制鰭片中形成的溝道，」 Lam Research大學項目負責人Nerissa Draeger說。 在7nm以下，靜態功耗再次成為嚴重的問題，功耗和性能優勢也開始減少。過去，芯片製造商可以預期晶體管規格微縮為70%，在相同功率下性能提高40%，面積減少50%。現在，性能的提升在15- 20%的范圍，就需要更復雜的流程，新材料和不一樣的製造設備。 為了降低成本，芯片製造商已經開始部署比過去更加異構的新架構，並且他們對於在最新的工藝節點上製造的芯片變得越來越挑剔。並非所有芯片都需要FinFET，模擬、RF和其它器件只需要更成熟的工藝，並且仍然有很旺盛的需求。 但數字邏輯芯片仍在繼續演進，3nm及以下的晶體管結構仍在研發。最大的問題是，有多少公司將繼續為不斷縮小的晶體管研發提供資金，以及如何將這些先進節點芯片與更成熟的工藝集成到同一封裝或系統中，以及最終效果如何。 UMC業務發展副總裁Walter Ng表示：「這實際上是晶圓經濟。在尖端節點，晶圓成本是天文數字，因此，很少有客戶和應用能夠負擔得起昂貴的成本。即使對於負擔得起成本的客戶，他們的某些晶圓尺寸已經超過掩模版最大尺寸，這顯然會帶來產量挑戰。「 成熟節點和先進節點的需求都很大。D2S首席執行官Aki Fujimura表示：「芯片行業出現了分歧，超級計算需求（包括深度學習和其他應用）需要3nm，2nm等先進製程。與此同時，物聯網和其他量大、低成本的應用將繼續使用成熟工藝。」 為什麼使用納米片？ 最前沿的工藝有幾個障礙需要克服。當鰭片寬度達到5nm（也就是3nm節點）時，FinFET也就接近其物理極限。FinFET的接觸間距（CPP）達到了約45nm的極限，金屬節距為22nm。CPP是從一個晶體管的柵極觸點到相鄰晶體管柵極觸點間的距離。 一旦FinFET達到極限，芯片製造商將遷移到3nm / 2nm甚至更高的納米片FET。當然，FinFET仍然適用於16nm /...

一些晶圓代工廠仍在基於下一代全能柵極晶體管開發新工藝，包括更先進的高遷移率版本，但是將這些技術投入生產將是困難且昂貴的。英特爾、三星、台積電和其他公司正在為從今天的FinFET晶體管向3nm和2nm節點的新型全柵場效應晶體管（GAA FET）過渡奠定基礎，這種過渡將從明年或2023年開始。 ...

來自的消息，該校周鵬團隊針對具有重大需求的3-5納米節點晶體管技術，驗證了雙層溝道厚度分別為0.6 /1.2納米的圍柵多橋溝道晶體管（GAA，Gate All Around），實現了高驅動電流和低泄漏電流的融合統一，為高性能低功耗電子器件的發展提供了新的技術途徑。 據悉，相關成果已經在第66屆IEDM國際電子器件大會上在線發表。 報道提到，工藝製程提升到5nm節點以下後，傳統晶體管微縮提升性能難以為繼，需要做重大革新。於是GAA晶體管乘勢而起，它可實現更好的柵控能力和漏電控制。 此番周鵬團隊設計並制備出超薄圍柵雙橋溝道晶體管，驅動電流與普通MoS2晶體管相比提升超過400%，室溫下可達到理想的亞閾值擺幅（60mV/dec），漏電流降低了兩個數量級。 據悉，GAA晶體管也被譯作「環繞柵極晶體管」，取代的是華人教授胡正明團隊研製的FinFET（鰭式場效應晶體管）。按照目前掌握的資料，三星打算從2022年投產的第一代3nm就引入GAA晶體管，台積電略保守，3nm仍是FinFET，2nm開始啟用GAA。 另外，中芯國際梁孟松日前也披露，該公司的5nm和3nm的最關鍵、也是最艱巨的8大項技術也已經有序展開， 只待EUV光刻機的到來，就可以進入全面開發階段。 雙橋溝道晶體管示意圖及其性能圖作者：萬南來源：快科技

我看了很多對於《Hades》的評價，在遊戲玩法和系統之外，出現頻率最高的詞是美術、配樂、配音。 經過11年的發展，Supergiant開發的遊戲已經呈現出一些標志性的特徵，其中最重要的便是其獨特的視覺風格。 他們曾這樣形容自己：「正因這種視覺風格的重要性，所以不是任何一個藝術家都能輕松的在這里工作，他們不僅要保留我們過去作品的風格和感覺，而且還需要幫助我們創造出比以往更有活力、想象力和夢幻的世界。」 Supergiant10週年Jen Zee繪制的賀圖 從Supergiant開發的第一款《堡壘》到現在的《Hades》，能看到的海媒體體對這四款遊戲的褒獎無不是首先對藝術風格發出贊嘆。對大多數玩家而言，在不瞭解一款遊戲的內核前，美術的確是最重要的初映像。 之前我提到了Supergiant Games的藝術總監Jen Zee，正是她締造出了Supergiant所擁有的這一視覺寶藏。 Jen Zee在西雅圖長大，從小就非常喜歡玩遊戲，《合金裝備》、《惡魔城月下夜想曲》、《最終幻想戰略版》是她的最愛。而她也曾表示《罪惡裝備》的藝術家石渡太輔是自己最喜歡的遊戲開發者之一，似乎也能從作品中感受到一絲《罪惡裝備》的影響。 《罪惡裝備》 《Hades》 和大部分遊戲公司藝術總監的履歷不同，Jen Zee並非科班出身而是自學成才，她2007年畢業於華盛頓大學信息專業，而繪畫卻是她從小的愛好。 日常作品 因為一些原因，Zee於2010年加入了創立初期的Supergiant Games，在這里遇到了志同道合的同事們（資深遊戲玩家），並成為了其第一款遊戲《堡壘》的唯一2D美術師，負責了所有的原畫、UI等工作。 精美的手繪、豐富而鮮艷的色彩不僅沒有讓玩家視覺疲勞，反而每一幀都像幅畫，給了大家耳目一新的感覺。 《堡壘》原畫 沒有專業理論的束縛，Zee在藝術創作上天馬行空，無拘無束，極具辨識度的畫風也為Supergiant獨樹一幟的藝術世界奠定了基礎。 加入Supergiant前，Jen Zee曾在Gaia Interactive工作了三年，做過概念設計和Flash編程，參與旗下網頁遊戲《zOMG！》和《街頭霸王3：三度沖擊 在線版》，並為Fantasy Flight Games做過兼職。 zOMG！ 街頭霸王3：三度沖擊主視覺（非Jen Zee繪制） 在《堡壘》成功發行之後，Zee還兼職參與過《Gone Home》和《骷髏女孩》，都是大家比較熟悉的遊戲。 2014年《晶體管》發行，可以看出它和《堡壘》的一些共同點，採用等距視角的方式和霓虹般的色彩依然吸引人，此時團隊已經多了一名藝術家。 Zee很享受在藝術中創造出一個強大的、令人喜愛的主角的挑戰，在創作Supergiant Games世界的特色時也是如此。 《晶體管》原畫 Zee對自己所創作的《晶體管》女主角Red非常自豪：她很強大，很有吸引力，但不是傳統電子遊戲文化中普遍存在的那種女性性感角色。 我個人很喜歡創作女性角色，因為我發現有更多的方法可以讓一個女人對各種取向的男人和女人都有吸引力。 Zee在接受Nerdy But Flirty創始人Sarah The Rebel采訪時談到她在《晶體管》中的工作時表示。 《晶體管》原畫 雖然沒有明確這種方法，但這對所有媒介的藝術家來說都是一門學問：繪畫、寫作、電影製作等等。 "我發現很難克制對色彩的熱愛"，Zee告訴Nerdy-but-Flirty。"但我絕對相信柔和的色調也有其作用，並產生一種情緒，可以為一個更個性化，更嚴肅的故事服務。" 她的創作確實與眾不同，但很大程度可以看出，強烈的漫畫影響是非常明顯的，以及她豐富的繪畫技巧和戲劇性的打光給了作品一種引人入勝的電影感。 《晶體管》原畫 為了做出自己想要的那種賽博朋克感而又有獨特光芒的《晶體管》，Zee從很多地方找到了創作靈感：「包括以用鮮明的色彩描繪女性人物著稱的著名畫家John William Waterhouse的作品，他那種柔和的色調與活躍的氛圍帶給Zee巨大的靈感； 奧地利知名象徵主義畫家Gustav Klimt的作品也是如此，這位藝術家有趣的形狀設計和對戲劇性表現的天賦似乎自然而然地與賽博朋克美學合成了一體」。 ©John William Waterhouse ©Gustav Klimt 而在2017年發行的《Pyre》中，Jen...

今天Steam商城迎來新一周的特惠活動，Supergiant Games工作室製作發行的《堡壘》、《晶體管》、《Pyre》三部遊戲目前正享受超值優惠。 Steam商店頁面>> 《堡壘》原價48元，81%優惠，現價9元，支持中文，目前Steam評測為好評如潮。 《晶體管》原價68元，81%優惠，現價13元，支持中文，目前Steam評測特別好評。 《Pyre》原價68元，71%優惠，現價20元，支持中文，目前Steam評測特別好評。 另外，Supergiant Games工作室在Steam推出了《Supergiant合集包》，含《黑帝斯》、《堡壘》、《晶體管》、《Pyre》及四款遊戲及原聲帶，原價409元，現價159元。 來源：遊民星空

近日，Intel在其2020年架構日中更新了他們在六大技術支柱方面所取得的進展，揭秘了Willow Cove，Tiger Lake和Xe架構以及全新的晶體管技術。這為我們展現了一個不服輸，甚至還在挑戰新領域的Intel。 SuperFin技術重新定義晶體管 Intel本次發布的全新晶體管技術是這次架構日中的亮點之一。 一直以來，Intel在晶體管技術的發展中扮演着重要的角色。大約十年以前，晶體管結構開始從平面結構轉向FinFET。在這個轉變過程當中，Intel是第一個將FinFET實現商業化的企業——2011年，Intel將之用於22nm工藝的生產。兩年後，其他企業才跟進有關FinFET的生產。從16/14nm開始，FinFET成為了半導體器件的主流選擇。時至今日，FinFET仍舊是現代納米電子半導體器件製造的基礎，支持着7nm，甚至是未來5nm、3nm的發展。 但在先進工藝不斷向前發展的過程當中，FinFET技術也需要不斷地進行更新，才能滿足晶體管性能上的提升。因此，在Intel從14nm走向10nm的過程中，他再次重新定義了晶體管。 在本次架構日當中，Intel推出了10nm SuperFin技術。Intel稱，這是該公司有史以來最為強大的單節點內性能增強，帶來的性能提升可與全節點轉換相媲美。換言之，在SuperFin技術的加持下，Intel推出的10nm工藝效能可以等同於7nm。 從Intel公布的信息中看，10nm SuperFin技術還實現了Intel增強型FinFET晶體管與Super MIM（Metal-Insulator-Metal）電容器的結合。據其官方資料顯示，Super MIM在同等的占位面積內電容增加了5倍，從而減少了電壓下降，顯著提高了產品性能。 Intel稱，該技術由一類新型的「高K「（ Hi-K）電介質材料實現，該材料可以堆疊在厚度僅為幾埃厚的超薄層中，從而形成重復的「超晶格」結構。這是一項行業內領先的技術，領先於其他芯片製造商的現有能力。 為什麼說SuperFin技術重新定義了晶體管。這就要從單節點內性能提升幅度的角度看。從Intel提供的數據來看，如今加強版14nm在性能上相比第一代已經提升了超過20％，而這種提升幅度是經過了四次修訂才達到的。但有了SuperFin技術，Intel的10nm做到這種提升卻只花了一代。因而，可以說這是相當於一代製造工藝的飛躍。 從Intel的介紹中看，SuperFin技術無疑是推動其先進製程快速向前發展的利器。在筆者看來，這也是Intel對市場質疑其先進工藝落後的回擊（前不久Intel公布了其第二季度財報，當時Intel稱其7nm芯片考慮由其他企業代工，引起了市場質疑其先進工藝的水平）。 3D封裝技術的新進展 眾所周知，先進工藝的進步需要相關企業對此進行的投入越來越大，但在大規模投資下所誕生的製程微縮所帶來的單位成本降低的效益卻明顯下降，在這種環境下，先進封裝成為了各大廠商競逐的新領域。 近幾年，異構架構的出現推動了先進封裝的發展。在此期間，Intel發布了2.5D封裝 EMIB、3D封裝Foveros以及被視為是兩者結合的Co-EMIB。 在本次架構日當中，Intel介紹了繼Foveros後又一新的先進封裝技術。Intel稱其為「混合結合（Hybrid bonding）「技術。Intel的官方資料顯示，當今大多數封裝技術中使用的是傳統的「熱壓結合（thermocompression bonding）」技術，混合結合是這一技術的替代品。這項新技術能夠加速實現10微米及以下的凸點間距，提供更高的互連密度、帶寬和更低的功率。 據透露，使用「混合結合（Hybrid bonding）「技術的測試芯片已在2020年第二季度流片。 這些先進封裝到底能解決什麼樣的問題？從市場情況中看，異構已經成為了未來芯片發展的一種趨勢，越來越多的硬件將會集成到一塊芯片當中，未來這種趨勢還將發展成將更多的IP集成到一塊芯片當中。Intel將這種設計定義為「分解設計」。 如下圖所示，利用這種分解設計可以大幅縮短整個開發時間。眾所周知，採用新的工藝就意味着相關器件要重新進行驗證，但隨着終端領域所需要的功能越來越大，越來越多的器件都將加入其中，這就導致開發或者是驗證的時間越來越長。 而採用這種分解設計則可以化繁為簡，先把它做成幾個大的部分，比如可以分為CPU、GPU、IO等（這些硬件可以採用不同的工藝），再分別進行更新或驗證。舉例來說，CPU可能是一個已經驗證過的，在這種分解設計下，CPU就不再需要重新驗證。而GPU則是要用更新的，但由於它與CPU是分離的，所以僅需要對GPU進行重新驗證。這也就是說，不會因為CPU和GPU互相糾纏在一起，而出現新的Bug出現，這也就大大縮短了產品驗證的時間。 要達到這種設計效果，其中的互聯就變得尤為重要，而這就是先進封裝所能解決的問題。EMIB、Foveros或是Co-EMIB能夠保障這些硬件能夠分解，又能保證它們在低功耗下擁有足夠的數據傳輸帶寬。也正是利用這些技術，Intel才能夠將來自其他供應商的IP和處理節點混合並匹配到異構封裝中，從而加快產品上市時間。 用產品驗證技術的價值 紙上得來終覺淺，產品才是驗證技術的真正價值所在。 而Intel的技術價值將在Tiger Lake中得以體現。據透露，Tiger Lake將由Intel全新的Willow Cove架構提供動力，該架構也是基於新的「 SuperFin」晶體管打造而成。 Intel指出，Tiger Lake將在關鍵計算矢量方面提供智能性能和突破性進展。同時他也是Intel第一個採用全新 Xe-LP微架構的SoC架構，可以對CPU、AI加速器進行優化，使CPU性能得到超越一代的提升，並實現大規模的AI性能提升、圖形性能巨大飛躍，以及整個SoC 中一整套頂級IP，如全新集成的Thunderbolt 4。 Tiger Lake中所採用的Xe-LP是Intel面向PC和移動計算平台的最高效架構，擁有多達96個EU，並採用了包括異步計算在內的新架構設計，以提供更大的動態范圍和頻率提升。根據Intel提供的官方數據顯示，與Gen11相比，Xe-LP能夠在更低的功耗下，提供更高的性能。 當然，Xe-LP只是Intel發展路線圖中的一部分。除此之外，Intel還提供了Xe-HP的更新版本，據介紹， Xe-HP是業界首個多區塊（multi-tiled）、高度可擴展的高性能架構，可提供數據中心級、機架級媒體性能，GPU可擴展性和AI優化。它涵蓋了從一個區塊（tile）到兩個和四個區塊的動態范圍的計算，其功能類似於多核GPU。據悉，該款GPU有望在2021年發布。 同時，Intel還發布了另一款GPU架構：Xe-HPG。據介紹，它是專門針對遊戲而設計。據Intel官方消息顯示，Xe-HPG添加了基於GDDR6的新記憶體子系統以提高性價比，且將具有加速的光線跟蹤支持。因此，也有外媒猜測，這可能代表着Intel將首次圍繞着遊戲所需的GPU，與AMD和Nvidia展開競爭。據透露，Xe-HPG預計將於2021年開始發貨。 除了Tiger Lake之外，Intel還在本次發布會中提到了另外一款產品——Alder Lake。據介紹，該產品是Intel的下一代採用混合架構的客戶端產品。Alder...

Supergiant Games日前公布消息，將會於今年秋季推出roguelike地下城探索遊戲《哈迪斯》（Hades）的Switch版。 《哈迪斯》於2018年12月通過Epic遊戲商店首次以搶先體驗形式出現，隨後於2019年12月在Steam上推出。 《哈迪斯》是一款高自由度砍殺型地下城遊戲，融合了 Supergiant 眾多經典作品的傳統特色，其中包括戰鬥節奏較快的《Bastion》、遊戲環境豐富多彩，細節深入的《Transistor》以及隨着遊戲人物推進，故事情節跌宕起伏的《Pyre》。 殺出地獄 作為不朽的冥界王子，你將揮舞着來自奧林匹斯山充滿神力的各種武器，在險惡的旅途中掙脫死神的魔爪，變得愈發強大，每次逃離行動都將開啟更多精彩的故事。 釋放來自奧林匹斯山的怒火 奧林匹斯眾神將為你提供庇佑！在和宙斯、雅典娜、波塞冬和更多大神的奇遇中，獲得數十種強大恩賜，讓你的戰鬥力直線飆升。踏上逃離黑暗地獄的征程，各色遊戲人物陪你一路降妖伏魔。 結交神鬼妖怪各路朋友 一眾性格鮮明的傳奇人物都在期待你的登場！加深和他們的關系，並體驗數百個奇特冒險故事，逐漸了解這個宗系龐雜的神族中不為人知的各種駭人秘聞。 驚險刺激，百玩不厭 每次深入到變化多端的冥界，你都會獲得新的驚喜，冥界的終極守護者會對你「頗為記掛」。利用強大的夜之聖鏡，永久加強自己的能力，下次可以更輕松地逃離冥界苦海。 挑戰無限可能 永久升級意味着你不必成為神，就可以體驗激動人心的戰鬥和扣人心弦的故事。不過，如果你自認堪比神抵，那就可以加大挑戰難度，體驗更加驚險刺激的行動，看看身經百戰的你是否經得住這次的考驗。 經典的 SUPERGIANT 風格 Supergiant 各類遊戲內容豐富、大氣磅礴以及遊戲和故事敘述相結合的特有風格，在這款遊戲中表現得淋漓盡致：壯觀的手繪冥界環境和令人膽寒的原創配樂，營造冥界陰森恐怖的氛圍，讓人身臨其境。 《哈迪斯》NS預告片 視頻截圖 來源：3DMGAME

這些年，隨着半導體技術的日益復雜化，先進製造工藝的推進越來越充滿挑戰性，同時由於沒有統一的行業標準，不同廠商的「數字遊戲「讓這個問題更加復雜化，也讓大量普通用戶產生了誤解。 作為半導體行業的龍頭老大，Intel曾經一直站在先進製造工藝的最前沿，領導行業技術創新，但是近兩年，Intel似乎大大落伍了，14nm常年苦苦支撐，10nm一再推遲而且無法達到高性能，7nm最近又跳票了…… 三星、台積電則非常活躍，8nm、7nm、6nm、5nm……一刻不停。盡管很多行業專家和Intel都一再強調，不同工廠的工藝沒有直接可比性，「數字遊戲」更是誤導人，但在很多人心目中，Intel似乎真的落伍了。 真的嗎？當然不是。 Intel今天就拋出了一枚重磅炸彈，10nm工藝節點上加入了全新的「SuperFin「晶體管，實現了歷史上最大幅度的節點內性能提升，僅此一點就足以和完全的節點跨越相媲美。 簡單地說，SuperFin的加入，幾乎等效於讓10nm變成(真正的)7nm！ 歷史上，Intel一直在晶體管這一對半導體工藝的基石進行變革創新，比如90nm時代的應變硅(Strained Silicon)、45nm時代的高K金屬柵極(HKMG)、22nm時代的FinFET立體晶體管。 即便是飽受爭議的14nm工藝，Intel也在一直不斷改進，通過各種技術的加入，如今的加強版14nm在性能上相比第一代已經提升了超過20％，堪比完全的節點轉換。 在這一代的10nm工藝節點上，Intel同樣融入了諸多新技術，比如自對齊四重曝光(SAQP)、鈷局部互連、有源柵極上接觸(COAG)等等，但它們帶來的挑戰也讓新工藝的規模量產和高良品率很難在短時間內達到理想水平。 盡管如此，Intel也沒有追隨改名打法，而是繼續從底層技術改進工藝。 在最新的加強版10nm工藝上，Intel將增強型FinFET晶體、Super MIM(金屬-絕緣體-金屬)電容器相結合，打造了全新的SuperFin，能夠提供增強的外延源極/漏極、改進的柵極工藝，額外的柵極間距。 SuperFi在技術層面是相當復雜的，這里我們就長話短說，只講講它的主要技術特性，以及能帶來的好處，也就是如何實現更高的性能，簡單來說有五點： 1、增強源極和漏極上晶體結構的外延長度，從而增加應變並減小電阻，以允許更多電流通過通道。 2、改進柵極工藝，以實現更高的通道遷移率，從而使電荷載流子更快地移動。 3、提供額外的柵極間距選項，可為需要最高性能的芯片功能提供更高的驅動電流。 4、使用新型薄壁阻隔將過孔電阻降低了30％，從而提升了互連性能表現。 5、與行業標準相比，在同等的占位面積內電容增加了5倍，從而減少了電壓下降，顯著提高了產品性能。 該技術的實現得益於一類新型的高K電介質材料，它可以堆疊在厚度僅為幾埃米(也就是零點幾納米)的超薄層中，從而形成重復的「超晶格」結構。這也是Intel獨有的技術。 Intel聲稱，通過SuperFin晶體管技術等創新的加強，10nm工藝可以實現節點內超過15％的性能提升！ 當然，一如之前的各代工藝，Intel 10nm也不會到此為止，後續還會有更多大招加入，繼續提升性能——看起來還是10nm，但已經不再是簡單的10nm。 10nm SuperFin晶體管技術將在代號Tiger Lake的下一代移動酷睿處理器中首發，現已投產，OEM筆記本將在今年晚些時候的假日購物季上市。 作者：上方文Q來源：快科技

Intel這幾年雖然在製造工藝上步伐慢了很多，但是說起半導體前沿技術研究和儲備，Intel的實力仍是行業數一數二的。 在近日的國際超大規模集成電路會議上，Intel首席技術官、Intel實驗室總監Mike Mayberry就暢談了未來的晶體管結構研究，包括GAA環繞柵極、2D MBCFET多橋-通道場效應管納米片結構，乃至最終擺脫CMOS。 FinFET立體晶體管是Intel 22nm、台積電16nm、三星14nm工藝節點上引入的，仍在持續推進，而接下來最有希望的變革就是GAA環繞柵極結構，重新設計晶體管底層結構，而且可以做得很小(nanowire納米線)，也可以做得很寬(nanosheet納米片)。 這方面比較高調的當屬三星，早就宣布將在3nm工藝節點上應用GAA結構。台積電、Intel則沒有公布或確定具體計劃。 在會議問答階段，有記者問起Mike Mayberry，納米線、納米帶(nanoribbon)結構的晶體管何時能夠投入大規模量產，他表示雖然沒有明確的路線圖，但粗略估計未來5年內有戲。 根據早先公布的模糊路線圖，Intel未來將每兩年進行一次工藝節點重大升級，而每一代工藝都會有+、++兩次優化增強，2021年是7nm，首發用於高性能計算GPU Ponte Vecchio，2023年預計進入5nm並同時有7nm++，2025年轉入3nm並同時有5nm++。 按照Mike Mayberry給出的時間表，如果樂觀激進的話，Intel有望在3nm工藝上應用全新的納米結構晶體管，或者慢一點的話到時候還是5nm。 他還展望了更遙遠的未來，2030年前有望進入神經擬態(neuromorphic)的計算時代，而至於量子計算，可能要2030-2035年才能真正投入商用。 視頻會員活動匯總>>作者：上方文Q來源：快科技

一般來說，官方宣傳數據都是最理想的狀態，有時候還會摻雜一些水分，但是你見過實測比官方數字更漂亮的嗎？ 台積電已在本月開始5nm工藝的試產，第二季度內投入規模量產，蘋果A14、華為麒麟1020、AMD Zen 4等處理器都會使用它，而且消息稱初期產能已經被客戶完全包圓，尤其是蘋果占了最大頭。 台積電尚未公布5nm工藝的具體指標，只知道會大規模集成EUV極紫外光刻技術，不過在一篇論文中披露了一張晶體管結構側視圖。 WikiChips經過分析後估計，台積電5nm的柵極間距為48nm，金屬間距則是30nm，鰭片間距25-26nm，單元高度約為180nm，照此計算，台積電5nm的晶體管密度將是每平方毫米1.713億個。 相比於初代7nm的每平方毫米9120萬個，這一數字增加了足足88％，而台積電官方宣傳的數字是84％。 雖然這些年摩爾定律漸漸失效，雖然台積電的工藝經常面臨質疑，但不得不佩服台積電的推進速度，要知道16nm工藝量產也只是不到5年前的事情，那時候的晶體管密度才不過每平方毫米2888萬個，5nm已經是它的幾乎六倍！ 另外，台積電10nm工藝的晶體管密度為每平方毫米5251萬個，5nm是它的近3.3倍。 作者：上方文Q來源：快科技

<p《堡壘》和《晶體管》開發商Super Giant Games現已推出新的roguelike遊戲《哈迪斯（Hades）》的大型更新「長冬（The Long Winter）」，增加了新遊戲內容與優化。哈迪斯是古希臘神話中的冥界之王，同時還是掌管瘟疫的神。《哈迪斯》強調融合手繪的美術風格與快節奏的動作玩法，遊戲被設定在地下世界，玩家要藉由戰鬥來不斷前進，進而擊敗冥界之神黑帝斯。 <p更新預告： 【游俠網】《哈迪斯》「長冬」（The Long Winter）大型更新 <p大型更新「長冬」作為遊戲《哈迪斯》今年的第一個更新，將包括全新的武器、活動、故事以及諸多遊戲改進。詳情請見更新詳細介紹。 　　《哈迪斯》現已在Steam開啟搶先體驗版，並且遊戲處於促銷狀態，折扣20%，現價64元，遊戲支持中文，好評率98%。感興趣的讀者可點擊上方的Steam商店鏈接進行購買。 <p預告截圖： 來源：遊俠網

今年9月份，半導體企業Cerebras Systems發布的世界最大芯片「WSE「震撼行業，台積電16nm工藝製造的它擁有46225平方毫米麵積、1.2萬億個晶體管、40萬個AI核心、18GB SRAM緩存、9PB/s記憶體帶寬、100Pb/s互連帶寬，而功耗也高達15千瓦。 如此史無前例超大規模的芯片開發起來難，應用起來更難，尤其是如何餵飽它的計算能力，還得保證散熱。 在此之前，Cerabras已經宣布和美國能源部達成合作，如今終於拿出了與美國能源部下屬阿貢國家實驗室合作、基於WSE芯片打造的一套系統「CS-1」。 該系統只有15個標準機架高度，也就是大約66厘米，需要三套才能填滿一個機架，但性能方面十分恐怖，一套就相當於一個擁有1000顆GPU的集群，而後者需要占據15個機架空間，功耗也要500千瓦，同時相當於Google TPU v3系統的三倍還多，但功耗只有其1/5，體積則只有1/30。 一套CS-1系統的功耗為20千瓦，其中處理器本身15千瓦，另外4千瓦專門用於散熱子系統，包括風扇、水泵、導熱排等等，還有1千瓦損失在供電轉換效率上。 系統還配備多達12個100GbE十萬兆網口，並且可以擴展組成海量計算節點，而且測試過超大集群，能夠以單個異構系統的方式進行管理，並行處理數據。 那麼，這樣一套系統能幹什麼呢？它主要會用來和傳統大型超級計算機配合，後者處理完數據後，就會交給CS-1進行更深入的AI處理。 文章糾錯 作者：上方文Q來源：快科技

Intel今天宣布推出全球容量最大的FPGA Stratix 10 GX 10M，在70×74毫米的封裝面積內擁有多達1020萬個邏輯單元，是此前最大Stratix 10 GX 1SG280的大約3.7倍，但是功耗降低了40％。 它採用14nm工藝製造，集成了443億個晶體管，核心面積約1400平方毫米，也就是每平方毫米3100萬個晶體管，同時順利超越賽靈思8月底發布的Virtex UltraScale+ VU19P FPGA，後者是350億個晶體管。 Intel如今已經不再公布酷睿、至強處理器的晶體管密度，不過作為參考，AMD 64核心的7nm Zen第二代霄龍處理器有395.4億個晶體管，16核心的第三代銳龍則是98.9億個。 這款元件密度極高的FPGA基於現有的Intel Stratix 10 FPGA架構、Intel EMIB 2.5D(嵌入式多芯片互連橋接)封裝技術，融合了兩個高密度Stratix 10 GX FPGA，各有510萬個邏輯單元，也是第一次使用EMIB技術將兩個FPGA在邏輯和電氣上實現整合——Intel此前融合了AMD Vega圖形核心的Kaby Lake-G處理器就用了EMIB技術。 此外，這款FPGA還有25920個數據接口總線(EMIB)，是此前記錄的兩倍多，每個接口吞吐量2Gbps，內部總帶寬6.5TB/s，另有308Mb存儲、6912個DSP(18×19排列)、2304個用戶I/O針腳、48個收發器(0.84Tb/s帶寬)。 Intel指出，使用超大規模FPGA可以在盡可能少的FPGA設備中納入大型ASIC、ASSP、SoC設計，Stratix 10...

昨夜我們欣賞了AMD二代霄龍處理器的紅外線透視照，來自德國硬件媒體HardwareLuxx的大神級人物OC_Burner，但是翻閱資料發現，這並不是他第一次如此對待AMD處理器，此前就已經以同樣的方式觀察過三代銳龍，但好像沒有引起多少人注意，所以再來回顧一下。 這次的觀察對象是一顆6核心12線程的銳龍6 3600，將其散熱頂蓋、釺焊散熱材質去掉，放在紅外線下觀察，是這個樣子的： 左邊一顆較大的芯片就是12nm工藝的I/O Die，125平方毫米，集成20.9億個晶體管。 相比於二代霄龍里的14nm I/O Die，它的面積小了足足70％，晶體管數量更是少了75％，畢竟銳龍上只需要雙通道DDR4、24條CIe 4.0，霄龍上可是八通道DDR4、128條PCIe 4.0。 右上一顆較小的芯片則是7m工藝的CPU Die，和二代霄龍上的一樣都是8核心、74平方毫米、39億個晶體管。 它下邊的空白區域，可以明顯看到基板上預留了電路層，12核心的銳龍9 3900X、16核心的銳龍9 3950X，就在這里安放了第二顆CPU Die。 所以，銳龍5/7系列的總核心面積是199平方毫米，總晶體管數量59.9億個，銳龍9系列則是273平方毫米、98.9億個晶體管。 作為對比，64核心的二代霄龍是1008平方毫米、395.4億個晶體管。 銳龍里的I/O Die 銳龍里的CPU Die 另外，HardwareLuxx還製作了一系列基於三代銳龍CPU Die的藝術照，一起來慢慢欣賞： 作者：上方文Q來源：快科技

最多64核心128線程的AMD EPYC霄龍處理器大家都不陌生，這樣的「裸照「(去掉散熱頂蓋和釺焊散熱材質)也都見過很多次了： 但是這樣的你見過嗎？ 這是德國硬件媒體HardwareLuxx的大神級人物OC_Burner的作品，通過將一顆AMD霄龍置於紅外線下，得到了芯片內部層次的圖像。 中間部分最大的是I/O Die(IOD)，14nm工藝，兩側共八個小的則是CPU Die(CCD)，7nm工藝，每個8核心，總計64核心。 這是一個IOD的紅外照，左右兩側紅色的是分成八組的八通道DDR4記憶體控制器，總位寬576-bit，中間上下黃色的是PCIe 4.0控制器，總計128條，藍色部分則是GMI2總線控制器，用來連接Infinity Fabric。 二代霄龍的晶體管數量和核心面積也終於有了確切數字：每個CCD 39億個晶體管、74平方毫米，IOD 83.4億個晶體管、416平方毫米，總計395.4億個晶體管、1008平方毫米！ 就是用它拍出來的 作者：上方文Q來源：快科技

<p注意到《晶體管》這款作品，最開始的理由是本作獨特的繪畫風格，以及外觀相當有魅力女主角「Red」。紅發美女主角Red，使用的武器是一把外觀特殊，設計感有如電晶體的重劍，搭配上整個遊戲呈現的異色科幻感，格外有氣氛，而動聽的音樂歌曲也是讓本作氛圍表現更上層樓的重要功臣。在遊戲玩法上，乍看像是一般俯視動作操作的《晶體管》，在實際體驗後發現其實相當重視策略思考，能暫停時間、排程技能之後一口氣爆發施展的「執行計畫」系統，在戰鬥上扮演了非常重要的角色。 《晶體管》同時推出PC與PS4兩個平台，本篇就以PC版的試玩歷程和大家分享這款異色科幻風的有趣小品。 <p在《晶體管》這款作品中，我們扮演的是女主角「Red」。最早讓Randal注意到這部作品的正是這名女主角魅力十足的形像。為了不影響戰鬥而刻意撕短的華麗洋裝、一件顯然不合身的西裝外套、一頭吸引人的艷麗紅發，再以看似不熟練的動作懷抱的，造型特殊的電晶體大劍，光是一張女主角的圖像就感受到背後滿滿的故事。 <p女主角Red，原本是有着高知名度的當紅女歌星。 <p在一次表演中，一群來路不明的人突然出現，擲出電晶體重劍「晶體管」襲擊Red，這時一名男子代替Red承受了重劍的攻擊。 <p跌落窗外的Red，被一個聲音所呼喚…走進一看，聲音居然是從那把重劍「晶體管」發出的。而說話的人就是那個被大劍刺中的男人，仿佛他的靈魂化為電子情報進入了這把劍中一般。雖然Red保住了性命，卻被奪走了身為歌手的靈魂…聲音。 <p於是在晶體管中的聲音引導下，Red拔出重劍、穿上他的大衣，將洋裝裙擺撕開，在神秘組織的追擊下踏上逃亡旅途。 <p故事關鍵，和遊戲標題同名的這把重劍「晶體管」，是一切謎團的核心。在《晶體管》設定的架空世界中，人們的聲音可以儲存在雲端網路上。有一天，世界上最重要、最具影響力的聲音突然一個一個的因為不明理由消失，這時Red受到了神秘組織的襲擊。 <p遊戲的標題與這把重劍的名字「晶體管」，直譯正是「電晶體」。事實上雖然形狀上是把大劍，Red在使用晶體管戰鬥時極少是拿它來「揮砍」，而比較像是釋放出儲存在當中的各種資訊。 <p《晶體管》遊戲中大部分時候是采遠方俯角的視點進行，剛接觸時會感覺操作很類似《暗黑破壞神》一類的作品。事實上本作也的確可以當成《暗黑破壞神》那樣的感覺玩，只是節奏偏慢。 <p不過在戰鬥的特色系統「執行計畫（Execute Plan）」登場後，整個遊戲的性質就開始轉變了。在戰鬥中按下「Space」就能進入執行計畫的排程階段，這時整個戰鬥的時間會暫停下來，然後我們可以控制Red去決定她接下來的幾個動作。 <p能安插幾個動作，就看當下Red擁有的行動力進行分配。計畫排程完畢後，再按一次「Space」，Red就會如入無人之境的連續施展排程好的技能！ <p使用完執行計畫後，Red會有一段時間連普通攻擊都沒法進行，必須等待行動力回滿。這時唯一可以施展的是突進或迴避專用的技能「JAUNT」。 <p《晶體管》的戰鬥中施展技能基本上沒有什麼消耗，也沒有冷卻時間，限制這麼少乍看戰鬥會很簡單。一般不使用執行計畫時，我們確實可以無代價去連續施展各種裝備的技能…但是一段時間會發現，對付少量雜魚可以，一旦敵人數量多起來，不使用執行計畫是很難打贏的。 <p而Boss戰中更是如此，Boss的強大基本上讓Red很難平常的上去正面交鋒，打Boss的節奏會是使用執行計畫爆發輸出一輪、之後開始靠JAUNT遊走，躲避在場上的障礙物後方。 <p以前期最大的一場Boss戰，對抗神秘組織成員Sybil的戰鬥就能明顯感覺到《晶體管》這款作品戰鬥上要求的戰略思考成份。 <p基本的攻防架構是靠執行計畫輸出、遊走躲避，但是光這樣完全打不贏Sybil，因為場上的小兵會給Sybil各種支援效果。所以如果只是呆呆的一直攻擊Boss本身，會發現血怎麼打都打不完，馬上又恢復上來，必須留意到要先清掉小兵。 <p《晶體管》的戰鬥說起來，難度是不算低的，遊走迴避說起來簡單，但是熟練以前Red很容易就被攻擊到。不過在戰鬥中「陣亡」倒是沒什麼很重的懲罰，只是晶體管上的其中一個技能晶片會超出負荷暫時燒毀，然後Red又能恢復滿生命再戰。 <p這些技能晶片，在Red逃亡的過程中會一個一個取得，第一片正是為Red擋下一劍的男子。沒錯…這些技能都是有如一個個人靈魂情報一般的存在，這種​​設定讓Red的旅程感覺更為沈重啊。 <pRed同時可以裝備四個晶片作為主動技在戰鬥中使用，而擁有的額外晶片也可以安裝在使用中的技能上，提供額外增幅的效果。要用什麼技能戰鬥？要拿哪些晶片​​來特化戰力？就是《晶體管》戰鬥准備的重點了。 <p作為一款RPG，Red每次戰鬥後都會獲得經驗，並提升等級。隨着等級提高，也會解開更多戰鬥中的能力。 <p整個《晶體管》的世界都有着濃厚的科幻感，遊戲中各種操作介面的科技風味也非常重。 <p因為Red已經失去聲音，所以遊戲歷程中我們不太會聽到Red的聲音…反倒是人格進入晶體管的那名男子會一直給予Red提示指引。這個說話聲在前期的試玩中幾乎沒有停過，話真多啊… <p遊戲場景的風格走綠色調，在科幻感中融合了古典與其他元素，雖然是2D呈現但是光影表現非常棒，整體的氣氛非常特別而讓人印象深刻。 <p經過前期的試玩體驗，《Transitor》給人的感覺並不宏大，但是作為小品有着足夠的細膩與獨特性。戰鬥的概念中包含這麼重的策略感一開始讓我讓我有點意外，但在感覺一段時間確實覺得設計相當有趣。而本作在音樂上的表現也是相當到位的，從宣傳影片中的歌聲一直到遊戲的配樂，都很好的襯托出整部作品的獨特節奏和氛圍。對喜歡角色扮演、也喜歡策略思考的朋友，這會是一部值得嘗試的小品。 來源：遊民星空

<p科幻動作RPG遊戲《晶體管（Transistor）》現已登陸Epic Store，這款遊戲在Epic Store上的售價為19.99美元（人民幣134元）。而現在，Epic Store推出了這款遊戲的免費「喜加一」活動，如果你對這款遊戲有興趣的話，那就趕快去Epic Store免費領取它吧！ Epic Store《晶體管》免費領取頁面 <p《晶體管》以快節奏的動作遊戲體驗為目標，搭配以科幻並具有Cyperpunk的元素揉合其中，玩家將操作女主角，揮舞手中的巨大武器對付接踵而來的追兵。遊戲具有動作RPG的要素，屆時女主角在旅程中，可藉由經驗值累計升級能力，並在遊戲過程中一步步揭開事件真相，與女主角的身世之謎。玩家將再度沉浸在專屬Super Giant Games風格，具魔力且意涵深遠的故事之中。 [embed_video_youku url="https://player.youku.com/embed/XNzEzMDU0OTYw"> 來源：遊俠網

<pEpic商店今天推出了新一期的免費領遊戲福利，玩家可以免費領取動作RPG《晶體管》，本作在Steam商店售價68元，整體評價為特別好評，好評率高達94%。 <p領取地址>>>（需魔法上網） <p《晶體管》是由Supergiant Games於2014年推出的動作RPG，美術風格非常獨特，搭配以科幻並具有賽博朋克的元素揉合其中，玩家將操作女主角，揮舞手中的巨大武器對付接踵而來的追兵。Supergiant Games的新作為《哈迪斯》，目前正在Epic商店進行付費EA測試。 <pEpic商店下一款免費領取的遊戲為《粘粘世界（World of Goo）》，開放領取的時間為5月2日。 來源：遊民星空

<p第一個技能是超強AOE帶控制 <p第二個技能是減怪物防加把怪集中在一起（加了分裂可以疊加一次減防效果） <p第三個技能主要用來對付那個叫姑娘的怪 <p第四個技能是保命的隨便搭配 <p基本就是開TURN放兩次二技能把怪引到一起，然後扔幾個一技能，BOSS都和紙做的一樣 來源：遊民星空

<p在遊戲目錄的Content>Game>Weapons中，將weapons目錄下的Weapons.xml和PlayerWeapons.xml中的Cost="*"項的值改為0，即可實現無限制MEM。 <p武器的相關參數也可修改，建議修改前備份。 <p注意：備份的文件不可直接放在原文件夾下，有可能導致遊戲載入後出錯 <p就是單獨的一行，改Cost="*"不是 staminacost="*" <p文件內所有的Cost="*" 有多少就改多少 <pe.g: <pIcon="GUI>>Icons>>Powers>>power_slam01" <pNumProjectiles="1" <pProjectileAngleOffset="0" <pRootOwnerWhileFiring="true" <pRequiresTarget="false" <pCancelMovement="true" <pFullyAutomatic="false" <pStaminaCost="20" <pCost="0"// 改此項數值為0 <p修改完成後的效果 來源：遊民星空

<p遊戲流程不長，能發現的挑戰也都過了，我11級就通關了，磨嘰點總時間也應該不會超過8小時。 <p有二周目，可以繼承MEM（技能點）、技能、技能槽、LIMITERS（增加難度和獲得經驗），怪物也會加強很多很多。 <p遊戲里沒有金錢，沒有裝備。 <p線性流程，你只需要一條路殺到最終BOSS，路上的終端可以幫了解世界觀，改改天氣什麼的。 技能有三種模式： <p1是主動模式，裝備在4個大技能欄里就可以直接使用。 <p2是附件模式，裝備在大技能欄下面的小槽里，可以增強原技能。 <p3是被動模式，裝備在左右兩邊的四個槽里，有被動效果。 <p攻擊方式分為即時和PLAN， <p即時攻擊不會消耗能量槽，這遊戲很多戰鬥其實直接打就可以。 <p進入PLAN以後（鍵盤按空格，手把按RT），可以制定攻擊方式，攻擊會消耗最上面的能量槽，當能量槽未充滿之前無法再次使用，也無法使用直接攻擊類技能。 <pPLAN狀態下一些技能可以組合為連擊，傷害提升非常高。比如crash+crash+breach。 <p遊戲里有背擊效果，可以增加50%傷害。 <p死亡一次後會導致4個技能中隨機一個無法使用，需要再碰到兩個新的存檔點後才能再次裝備。就是說最多死4次就game over。如果受到必死攻擊，會自動觸發plan狀態（前提是你的plan槽得是滿的）。 <p和堡壘一樣，這作也可以自己增加難度和獎勵，limiters可以通過升級獲得。 <p←技能左上角的槓槓是消耗的MEM點數，最左邊能看到自己的MEM點數，MEM可以通過升級選擇增加。（好像升到一定等級也會增加，或者是經歷什麼劇情……總之這玩意得先加，要不裝備不上技能。） 為了方便敘述，↑第一行為A，第二行為B，我來說說一些我喜歡的技能組合： <p先說這個：B1（ping）傷害低，速度快，配合其它的也挺有意思，但它還是作為附件更好用，附件狀態大部分技能都是加快20%攻擊速度，降低plan狀態下該技能25%的能量消耗，百搭。 <pA1（crash）這個技能非常好，帶暈眩效果，在即時狀態下可以將敵人直接暈到死。但攻擊時會把敵人擊退，在空地的話兩下就會將對方打到攻擊范圍之外。 <p附加A2（breach）可以延長攻擊距離，且有穿透效果。 <p附加A5（bounce）可以彈射5次，彈射距離比本身攻擊距離長。 <pA2（breach）攻擊速度慢，距離長、且有穿透效果，建議作為附件或者被動技能。 <p被動效果：增加plan能量槽20%，越到後期越實用。 <pA3（spark）攻擊速度快，打到敵人後會炸裂成破片再爆炸。 <p附加B3（cull）以後非常有意思，即時狀態下攻擊敵人，第一下可以把敵人炸飛，之後的破片也可以再把敵人炸起來，這個狀態可以將對方控到死。 <pA4（jaunt）跑路技能，即便plan能量槽沒滿也可以直接使用，距離是固定的。 <p附加B2（get）可以在起始點製造一個奇點，把周圍怪的拉過來，拉動范圍非常大，拖怪好手。 <p被動效果：加快plan能量恢復速度，冷卻速度加125%，這個技能不一定要單拿出來跑路，放被動里效果也很不錯。 <pA5（bounce）可以彈射攻擊，傷害不錯。 <p附加A1（crash）和B1（ping）可以在即時狀態下將周圍敵人都直接控到死。 <p被動效果：能量盾，可以抵禦一定傷害，破裂後短時間內可以再生成。 <pA6（load）做個球兒出來，受到攻擊以後會引爆，傷害極高。（在有breach被動時可以load-load-攻擊-load） <p可以在plan下load-攻擊-load後，即時狀態下，A4（jaunt）附加B2（get）閃走，這樣奇點會把怪拉到球旁邊。 <p附加A2（breach）可以延長球的生成距離。可以在遠處做球，然後用其它遠程技能（如spark）引爆。 <p附加A3（spark）可以生成3個小球，傷害降低50%,但感覺還不如以前。 <p附加B2（get）可以形成一個奇點吸怪。plan下load-攻擊-load可以造成爆炸-吸怪-爆炸-吸怪的效果，非常好用。 <p附加B4（flood）可以自動爆炸。 <p附加B6（tap）可以回20%血。 <p打後期的那些會隱身的怪並不合適，很難用爆炸炸到它們。 <pA7渣，召個狗，plan下可以讓狗A怪，傷害低，也沒見拉仇恨，但沒准兒是我姿勢不對，總之這技能放哪我都不喜歡。 <p使用不受plan槽影響。 <pA8（mask）進入無敵的潛行狀態，該狀態下第一次攻擊能提升傷害。 <p我一直把它單放出來，配合B4（flood）被動的回血效果基本不會死掉。 <p使用不受plan槽影響。 <pB2（get）拉怪，可以把怪拉過來。 <pB3（pull）作為連擊的終結傷害非常高，可以將敵人打到天上。 <p附加B7（void）可以增加50%傷害，配合背擊一套下來除了BOSS以外見誰秒誰。 <pB4（flood）向前方釋放一個緩慢移動的球兒，傷害不錯。 <p被動效果：每秒恢復5%的HP，最高恢復到50%。 <pB5（purge）自導箭，速度緩慢，但一次plan只能用它攻擊同一個敵人一次，第二下沒有傷害？能降低怪物70%移動速度，可crash能直接暈怪到死，要你何用…… <pB6（tap）放得快，范圍大，傷害稍高，能吸血，只可惜在中期以後才能得到。 <pB7（void）降低目標范圍內的防禦力，75%吧？范圍大，但消耗plan槽太多，先放出來再進plan狀態還行。 <pB8（switch）就是把對方暫時變為自己的隊友，有些怪一下就可以，有些怪得2下才行，已經叛變的怪又被該技能擊中的話則會變回去…… 一些討厭的怪物： <p遊戲後期有個人形戴面具的怪，會隱身，會扔追蹤型炸彈，還能自己回血，這種怪最好不要用load，炸彈延遲爆炸一般很難炸到，可以用crash附加ping直接暈到死，或者plan連擊幹掉。 <p狗可以觀察好它的攻擊時機用jaunt逃走（附加get更好），或者直接plan跑掉，附加purge的技能可以讓它們減速，但安全的還是直接crash到死…… 來源：遊民星空

基本操作 <pWASD：控制移動 <p1234：技能 <pQ：拋起武器 <pE：互動 <pTAB：唱歌 <p空格：進入戰術模式 <p取消上一步：R <p※鼠標也可以移動（左鍵）或者釋放技能（右鍵） 第一章：市中心 <p <p <p主角Red痛苦的從地板上爬了起來，之前發生了什麼她已經全部忘記了，面前只有一把晶體大劍。 <p <p按E拔出大劍便可以開始我們的故事。 <p遇到敵人按空格使用戰術模式，平米上面的綠色長條顯示是總戰術值，移動，設置攻擊都要消耗這個。戰術過程發動全程無敵，使用完之後在3秒之內全部技能無法使用，所以設置路線方面切記要找個沒人地方躲起來。 <p全部設置完成按空格即可執行命令。 <pRED看着牆上有關自己的海報。 <p <p路上調查屍體能獲得新能力：瞬移，結晶炮等，其中結晶炮初期很好用，帶有AOE效果。在市中心出口會遭遇BOSS戰。 <pBOSS：Code Jerk <p這個BOSS後期會變成雜兵頻繁出現。BOSS初期只會在地板，用炮轟擊就行，50%血量之後對方會暴走，速度加快，這時候只能使用戰術系統放風箏打。 <pBOSS血量不多，一會就能打掉。 <p電腦終端附近可以設定新技能，每個技能都有三種效果：主動，被動，附加。 <p主動：裝在1-4位置直接使用。 <p被動：裝在技能欄側面的小格子里，對人物自身作用。 <p附加：放在技能格子下面的格子里，對當前技能增幅。 <p怎麼配合看你個人喜好了。 <p結束後Red駕駛摩托駛離了市中心。 第二章：歌劇院 <p這章比較短，基本是一路直線，敵人和第一章基本相同，中間隨機會打一次第一關的BOSS，得到新的能力。 <p這里要注意一下limited這個選項，在你殺死一定數量敵人之後變會開啟。 <p不同的敵人對應了不同的limit選項，開啟這些選項能增加經驗，但是相對敵人傷害和整個行動模式會有非常大的變化，你可以理解為這是一種動態的HARD模式。 <p <p畫面閃回，Red回憶起了自己唱歌的時候被人用大劍偷襲，在被打中瞬間卻有人擋在了他的面前，由於井下估下，Red昏了過去。 <p <pRED呼喚的「朋友」看來已經不記得他了，只是默默的站起來對她揮動起了武器 <p <pBOSS戰：Sybil <p這個BOSS要打3次才能徹底殺死。BOSS攻擊很簡單，突刺，而且能破壞周圍所有建築物。第一階段用正常邊跑邊打即可幹掉。 <p第二階段增加觸手怪，這種怪會給一定區域減速，相對血不多，先用戰術模式殺掉。 <p最後階段，BOSS變成3連次，長距離次，雜兵增加回血的雷達，這里場面會比較混亂，一定要安排好逃脫路線，BOSS突刺距離非常長，所以最好只攻擊2下就跑開。 <p戰勝BOSS後安慰下死者的靈魂，順便能得到召喚機械狗的能力。調查右邊的摩托艇即可離開歌劇院。 第三章：摩天樓 <p伴隨着Red的煩惱，她駕駛和氣墊船駛向了遠處高聳入雲的建築。 <p摩天樓部分可以找到類似「自己家」的地方，隨着劇情推移能增加不少小玩具，另外上面的門可以進行挑戰模式。 <p本關卡要注意兩種敵人：狗和投彈兵。 <p狗的傷害特別高，速度又很快，被貼上很難甩掉，不過拖版把狗弄出屏幕外，對方很高幾率會卡在原地不動。如果想正面強殺可以用擊暈控到死。 <p投彈兵的炸彈爆破范圍極大，對方血少但是走位非常風騷，需要使用戰術模式來擊殺，在出現這種兵種的地方，一般有組合恢復裝置和減速觸手，所以需要合理安排好戰術套路，防止做過多的無用功。 <p進入大樓後會遇到更多麻煩的戰鬥，請先搭配好順手的技能。 <p電梯戰是個難點，地形小，障礙多，對方是投彈兵，這里簡單打發可以用炸彈技能，炸2下就炮，必要時候可以清理下場地的障礙物。 <p逃亡戰不要理論JERK機器人，盡量引誘對方被尾巴插死，自己全力輸出障礙物。 <p樓頂戰敵人非常多，硬打很難取勝，盡量站在固定位置引誘尾巴扎你然後用沖刺技能多開，這樣過來打你的敵人，尤其是狗也能被一起插死。 <pBOSS戰：飛魚 <pBOSS連續攻擊頻率非常高，建築物被打3下就會碎掉，在BOSS散射的時候用戰術移動快速跑即可，中途注意收集機器人核心恢復能量。 第四章：摩天樓最高層 <p本關無BOSS戰而且比較短，玩家的目的是解開最高層通往研究所的大門。首先進入上關BOSS魚的體內，轟掉它的心髒才可以探索下個區域。 <p來到上層後需要解鎖2個開關：①在左邊信號塔上。②在右下角資料室里。 <p左邊的配置基本是狗+觸手，打法還是可以先弄死狗在慢慢收拾草。 <p右下角的路要注意大型的機器人，由於這里地形是「工」字，所以不要被堵在中間通道毆死。推薦使用炸彈+狗。 <p全部開啟完成回到大廳還有一場戰鬥，這里注意優先幹掉加血的和投彈兵，敵人還是Jerk，由於地形障礙物較多，很容易被卡主打死。 <p <p進入大門後，紅衣男子倒在地上的一幕映入Red眼簾。 <p <p調查桌子上的資料得知，這位男子也是被陷害的對象之一。 <p <p調查側面的管子便可以做上機器人離開這里。 第五章：搖籃 <p為了追查羅伊斯，Red帶着她的大劍來到了航空港，這里有去往羅伊斯實驗室的秘密通道 <p這里敵人不是很多，但是建築物比較煩，所以要先拆除部分建築物在對敵人攻擊，推薦多使用背刺。 <p作業中的敵人如果你安靜的饒開對方，它是不會攻擊你的，這點可以合理利用一下。 <p這里需要砸開白色的障礙物才可以出去，注意里面藏着一些雜兵，不要被偷襲。 <p摩托車門口會出現一個刺客，對方只有在攻擊時候才會現行，平時多注意迴避，對方投擲的炸彈可以打爆。 <p通過港口的秘密通道便可以來到羅伊斯的研究室--搖籃。 <p第一個場景不要觸碰任何敵人，安靜繞開即可，被發現必死，出口在地圖正下方如圖位置。 <p以後會大量出現刺客兵，對方炸彈一定不要中傷害高的非常離譜，推薦多用打暈技能背刺，最後用炸彈一類的技能記進行終結。敵人如果同時出現4個切近要耐心不要着急去殺怪。 <p傳送門部，只有第一個門需要進入2次，因為2次出現的位置不一樣，其他門一次即可。 <p持有大劍高歌一曲，變回出現隱藏道路。 <p進入秘密基地前，可以選擇兩條路，我建議選擇上面路線，比較短不用在繞傳送門，代價就是面對刺客X4。難易度請自己行估量。 <p秘密基地隨着紅光走即可，一般不會迷路。 <pBOSS戰：羅伊斯 <p對方不過是一個像藉助晶體管獲得力量的瘋子而已，所有人不過是他的測試對象 <pBOSS有1000HP要連續打4次，開戰前要先配置技能，上面是我的。 <p一般1號打4下追加2號基本可以秒殺對方。 <p對方攻擊也是戰術模式為主。實際在他放招的時候你按住鼠標也可以移動閃開一些。實在不行多利用下面的柱子繞圈圈。 <p擊敗羅伊斯後對着城市再次唱歌便可以消除全部晶體管，讓城市復原。 <p結局？Red再次回到了取得大劍的地方，這次她選擇了坐在地上，緊靠着大劍「靈魂」的持有者，隨後一劍結束了自己的生命。 來源：遊民星空