Tag: 4D NAND

SK海力士早就在6月份就宣布正式量產128層堆疊的4D NAND快閃記憶體，成為全球首家量產128層快閃記憶體的廠家，不過海力士的這個4D NAND本質上其實也是3D NAND，它是把NAND快閃記憶體Cell單元的PUC（Peri Under Cell）電路從之前的位置挪到了底部，所以叫了4D NAND快閃記憶體，本質上其實還是3D NAND，4D NAND快閃記憶體有很強的商業營銷味道。 現在SK海力士宣布在這個月正式向客戶交付128層4D NAND的工程樣品，全部都是TB級的高密度解決方案，包括手機所用的1TB UFS 3.1快閃記憶體，消費級的2TB SSD和企業級的16TB E1.L規格SSD，SK海力士的128層4D NAND的Die Size是1Tb，所以可以做到很大的容量，是業記憶體儲密度最高的TLC快閃記憶體。 現在1T存儲空間的手機需要使用兩顆512GB的UFS快閃記憶體，在SK海力士的1TB UFS 3.1快閃記憶體出貨後快閃記憶體用量就能減少一半，節約更多的手機主板空間，而這顆1TB的快閃記憶體封裝厚度僅1mm，是未來超薄5G手機的絕佳選擇，預計搭配這款快閃記憶體的手機有望在明年下半年量產，而搭載128層堆疊4D NAND的2TB消費級SSD和16TB的E1.L規格的企業級SSD也預計會在明年下半年量產。 <p ...

從去年開始SSD價格就在持續下跌，即使到了最近，根據報導稱NAND快閃記憶體晶片的價格還在持續下跌。不過廠商的量產及研發腳步並沒有停下來。在今天SK海力士正式宣布了其128層4D NAND快閃記憶體晶片正式開始量產，這也是全球首家開始量產128層NAND晶片的廠商。 圖片來自SK Hynix SK海力士的128層TLC NAND快閃記憶體提供了高達1Tb的容量，在1.2V的電壓下可實現1400Mbps的數據傳輸速率，可以實現高性能低功耗的移動解決方案及企業級SSD。而1Tb的容量可以在更少的晶片數量下實現相同的容量。 相比於96層TLC NAND快閃記憶體，採用CTF（Charge Trap Flash）及PUC（Peripheral Under Cells）技術以及各種優化使得SK海力士能將工藝步驟減少5%，並且每個晶圓的產量提升40%。 SK海力士稱這是首款批量生產的128層 1Tb TLC 4D NAND快閃記憶體晶片，而這也僅離SK海力士批量生產96層4D NAND快閃記憶體晶片8個月，足以見得其研發實力。新款的3D TLC快閃記憶體晶片提供目前最多的128層堆疊，而且容量提升到1Tb，SK海力士也是第一個將1Tb TLC NAND快閃記憶體商業化的廠商。TLC快閃記憶體晶片也占據了目前85%的市場份額，其性能及可靠性也更加優異。 到明年上半年，SK海力士承諾將基於新的1Tb 3D TLC快閃記憶體晶片推出UFS 3.1存儲產品，而到了2020年晚些失火，SK海力士還會推出採用自己控制器的2TB消費級SSD以及用於數據中心的16TB及32TB的伺服器SSD。 而SK海力士的腳步還沒有停下來，已經在開發176層的4D NAND快閃記憶體，繼續增強其產品競爭力。 由於NAND快閃記憶體價格的下跌及供需關系不確定導致了各家廠商都開始加速技術升級，提升其成本結構。更高層數的NAND快閃記憶體也會使SSD容量更大，消費者也能夠購買到更大容量的SSD。 ...

隨著64層堆棧3D NAND快閃記憶體的大規模量產，全球6大NAND快閃記憶體廠商今年都開始轉向96層堆棧的新一代3D NAND，幾家廠商的技術方案也不太一樣，SK Hynix給他們的新快閃記憶體起了個4D NAND快閃記憶體的名字，在今年的FMS國際快閃記憶體會議上正式宣告了業界首個基於CTF技術的4D NAND快閃記憶體，日前他們又宣布4D NAND快閃記憶體正式量產，目前主要是TLC類型，96層堆棧，512Gb核心容量，使用該技術可以減少30%的核心面積，讀取、寫入速度分別提升30%、25%。 根據SK Hynix之前公布的信息，所謂的4D NAND快閃記憶體其實也是3D NAND，它是把NAND快閃記憶體Cell單元的PUC（Peri Under Cell）電路從之前的位置挪到了底部，所以叫了4D NAND快閃記憶體，本質上其實還是3D NAND，4D NAND快閃記憶體有很強的商業營銷味道。 SK Hynix的4D NAND快閃記憶體首先會量產TLC類型的，核心容量分別是512Gbt、1Tb，都是96層堆棧，IO接口速度1.2Gbps，不過兩者的BGA封裝面積是不一樣的，1Tb版顯然更大一些。 至於QLC類型的，這個未來會是SK Hynix量產的重點，核心容量1Tb，但量產時間會在明年下半年，還需要一些時間。 韓聯社報導稱，SK Hynix公司4日宣布正式宣布96層堆棧的4D NAND快閃記憶體，TLC類型，核心容量512Gb，與現有的72層堆棧3D NAND快閃記憶體相比，4D NAND快閃記憶體的核心面積減少了30%，單片晶圓的生產輸出增加了50%，而且性能也更強——讀取速度提升30%，寫入速度提升25%。 根據官方所說，4D NAND快閃記憶體今年內會量產，而主要生產基地就是剛剛落成的M15工廠，總投資高達15萬億韓元，約合135億美元。 ...