Tag: DDR6

當下，DDR5記憶體還遠未到要主流普及的程度。不過，DRAM記憶體晶片的頭部廠商們已經著手DDR6研製了。 日前在韓國水原舉辦的一場研討會上，三星測試與系統封裝副總裁Younggwan Ko表示，為適配半導體存儲產品的性能的增長，封裝技術必須不斷進步。 會上，他明確，在DDR6記憶體晶片的開發中，三星將使用MSAP，也就是改良型半加成工藝(Modified semi-additive process)。 資料顯示，MSAP起初應用於IC載板高精密線路製作，技法是首先在附有超薄底銅的基板上貼合干膜使用正片進行圖形轉移，再通過圖形電鍍加成形成線路，最後去除干膜和底銅完成高精密布線，以實現提升PCB的高頻高速性能。 和當前三星使用的隆起法相比，MSAP在空白部分也要鍍層。 Ko指出，DDR6的存儲容量和處理速度將大幅增加，需要更多的堆疊層數，對封裝技術來說既是機遇也是挑戰。 另外，Ko也坦言，友商已經先於自己在DDR5顆粒上使用MSAP技術了。 事實上，雖然出貨上仍舊是DRAM龍頭老大，但三星在技術開發上的確出現落後，拋開上文的MSAP，1a DRAM晶片量產進度也不及SK海力士和美光。 值得一提的是，根據早先爆料，DDR6記憶體的頻率預計在12~17GHz，問世起碼還要5年時間。 PS圖 來源：快科技

2021年11月份，隨著Intel的12代酷睿處理器發布上市，DDR5記憶體也閃亮登場，未來幾年里就要接替DDR4了，不過三星也在准備下一代的DDR6記憶體了，頻率有望再次翻倍，預計2029年問世。 DDR6記憶體現在肯定沒什麼規范之說，可以確定的是性能還會再次提升，我們知道DDR4記憶體主流是2400-3200MHz，DDR5是4800-6400MHz，而DDR6記憶體的上限至少是12.8GHz，比目前翻倍。 不過DDR5記憶體已經規劃到了8400MHz，DDR6記憶體的17GHz也是有希望的。 頻率提升使得DDR6記憶體的帶寬水漲船高，DDR4-3200單通道是25.6GB/，DDR5-6400帶寬可達51.2GB/，DDR6輕松突破100GB/，首次沖上三位數，PC上的雙通道就能有200GB/帶寬，這個速度比得上現在很多片上記憶體系統的，蘋果的M1 Pro/Max記憶體帶寬就是200GB/到400GB/。 按照三星的計劃，DDR6記憶體要到2029年才能問世，還有七八年時間，現在先等著DDR5成為主流再說吧。 來源：快科技

目前DDR5才隨Intel的12代酷睿Alder Lake剛上市沒多久，但三星已經在表示他們已經在開發下一代的DDR6記憶體了，在一年一代的技術日活動上，三星透露了DDR6、GDDR6+、GDDR7和HBM3等下一代記憶體技術的信息。 Computerbase已經從三星那里獲得了新一代記憶體的各種信息，目前DDR5還處於生命周期的初期，頻率普遍不是很高，不過隨著時間的推移頻率是會慢慢上去的，三星認為在不久的將來DDR5的頻率就會提升到JEDEC標準的6400Mbps，而超頻條的頻率可達到8400Mbps，其實現在就已經有廠商把DDR5記憶體的頻率提升到7000Mbps了。 而下一代的DDR6已經在早期開發階段，未來用於取代DDR5，當然預計至少在2025到2026年後才會推出，DDR4記憶體至少用了6年，而DDR5到DDR6估計也會差不多的時間。 三星認為未來的DDR6記憶體的JEDEC標準會達到12800Mbps，而超頻條的頻率可能會到17000Mbps，甚至可能會突破20000Mbps，目前DDR6的標準各家目前還在一同討論中，預計在2024年完成。每個模組DDR6記憶體的通道數和現在的DDR5相比再次翻倍，變成16bit*4，bank數量增加到最多64個。 顯存方面，三星透露了速度更快的GDDR6+計劃，用於取代現有的GDDR6，三星計劃在本月採用1znm開始試產GDDR6+，它的頻率能到24Gbps，並會成為下一代GPU的配置，如果真能達到此頻率的話擁有320/352/384bit顯存位寬的顯卡顯存帶寬就能超過1TB/s，而256bit的GPU的帶寬也能到768GB/s。 至於新一代的GDDR7顯存，預計可提供高達32Gbps的傳輸速度，並且會支持實時錯誤保護技術，但三星並沒有對其進行詳細說明。而HBM3記憶體，三星計劃會在2022年第二季度開始投產，並表示速度會是800GB/s，將會用在未來的HPC和數據中心GPU/CPU系統中。 ...

DDR5記憶體已經來了，DDR6還會遠嗎？GDDR6/GDDR6X顯存普及了，GDDR7還會遠嗎？ Tech Day 2021技術大會上，三星就展望了下一代記憶體、顯存，頻率簡直逆天。 DDR5記憶體起步頻率是4800MHz，預計未來主流會在6400MHz，再高就屬於稀缺的旗艦型產品，或者玩家超頻。 雖然，但也就是個噱頭，估計在8.5GHz左右就差不多了。 DDR5 DDR6的標準規范還沒有真正啟動，但記憶體巨頭們早已開始布局，SK海力士此前就預計DDR6會在5-6年內發展起來，預期頻率起步12GHz。 三星確認，已經開始早期階段的DDR6研發工作，預計初始頻率將達12.8GHz，對比DDR5提高了幾乎1.7倍，而且預計能超頻到17GHz！ DDR5記憶體雖然將內部的一個64-bit通道拆分成了兩個32-bit，當然並不是真正的雙通道，還是必須兩條組合。 DDR6則會進一步拆分為四個內部通道，Bank數量也會增加到64個。 顯存方面，三星確認正在開發GDDR6+，等效頻率最高24GHz。 GDDR7也在路線圖上了，預計頻率會提高到32GHz，並支持實時錯誤保護功能，但是三星暫無更多細節分享。 此外，三星還計劃在2022年第二季度量產下一代HBM3高帶寬記憶體。 ，單顆容量16/24GB，帶寬高達819GB/，還支持ECC。 來源：快科技

隨着去年Q4季度DRAM芯片價格開始下跌，DDR4記憶體的價格已經有了松動，很多人還期待着8GB記憶體降回200多元的價格呢。現在的DDR4記憶體已經有了繼任者——DDR5，標準及芯片生產都完成了，不過尚無平台支持，最快今年底才會有DDR5記憶體上市，更多地還是2020年上市。DDR5記憶體的頻率能達到6400Mbps，帶寬比現有水平翻倍，但SK Hynix日前透露說已經開始預研DDR6記憶體，頻率還會進一步翻倍，預計可達12Gbps，帶寬再次翻倍。 DDR5是新一代記憶體標準，相關規范去年已經公佈了，三星、美光之前也宣佈了旗下的16Gb DDR5記憶體了，三星去年甚至宣佈了移動版的LPDDR5-6400記憶體了。SK Hynix去年宣佈了16Gb DDR5號稱是首個完全滿足JEDEC標準的DDR5記憶體芯片，使用的也是1Ynm工藝，頻率達到了DDR5-5200，帶寬比DDR4-3200記憶體高了大約60%，是目前已宣佈的DDR5記憶體中頻率最高的，距離標準上限DDR5-6400MHz也沒多遠了。 至於DDR5的量產時間，SK Hynix明確表示他們會在2020年量產DDR5記憶體，也就是至少還有一年多時間。在SK Hynix之前，美光也宣佈過DDR5記憶體量產計畫，他們預計會在2019年底開始量產DDR5記憶體。總之，不論哪家記憶體芯片公司，量產DDR5記憶體的時間都不會很早，2020年才是起步時間。 但在技術研發方面，DDR5記憶體的工作是已經完成了，下一步就是DDR6記憶體了，韓國先驅導報援引SK Hynix公司記憶體研發人員Kim Dong-kyun的消息稱，他們已經開始預研DDR6記憶體了，預計需要5-6年時間才能完成。 目前業界還沒有統一的DDR6規范，SK Hynix方面提出了DDR6記憶體的兩個方向，一個是繼續目前不斷提升頻率/帶寬的技術路線，另一個則是跟系統技術結合起來，比如跟CPU結合，目前都沒有定論呢。 繼續提高頻率的話，DDR6記憶體的頻率將達到12Gbps，比目前的DDR5記憶體標準上限DDR5-6400再翻一倍，帶寬也會翻倍，意味着單條記憶體帶寬能達到100GB/s。 不過現在說的這些依然只是DDR6記憶體技術的潛在選擇，5年後記憶體市場變化會很大，DDR6標準依然是起步階段，提升頻率只是其中一個方向，未來3D堆棧的記憶體技術必然會對DDR記憶體發起挑戰。 來源：超能網

<p可能不少PC用戶連DDR4記憶體都還沒配置上吧？ <p據媒體消息，第二大DRAM芯片廠商SK海力士已着手第六代DDR記憶體即DDR6的研發，預期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000。 <p接受采訪時，SK海力士研發Fellow Kim Dong-kyun前瞻，DDR6將在5~6年內發展起來。 <pKim Dong-kyun透露，「後DDR5」產品已經有幾套技術概唸成型，其中一套延續現有的數據傳輸規范，另一套則是將DRAM和CPU等片上系統的處理技術結合。 <p資料顯示，去年11月，SK海力士宣佈基於1Ynm工藝、開發出單顆容量16Gb(2GB)的DDR5 DRAM記憶體顆粒，工作頻率高達5200MHz，電壓僅1.1V，2020年起量產。 <p談及DDR5時，Kim Dong-kyun表示，他們繼承了多相位同步技術，從而實現低電壓下驅動高頻。 <pSK海力士當時還預估，將不晚於2022年搞定DDR5-6400記憶體顆粒，其實，這也等於為所謂的DDR6鋪平道路。來源：快科技來源：遊民星空