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快科技8月19日消息，隨著AI市場的爆發，不僅CPU、GPU算力被帶動了，HBM內存也成為香餑餑，還有2.5D、3D封裝技術，但是它們的產能之前很受限制，除了成本高，焊接工藝復雜也是問題。 晶片焊接目前主要採用高溫焊，焊料主要是SAC（Sn-Ag-Cu）錫、銀、銅材質，熔點超過250℃，這個溫度的焊接技術對大部分晶片來說沒問題，但HBM內存使用了TSV矽通孔技術，這樣的高溫焊接就有可能導致變形。 為此MK Electronics公司開發了專門適合HBM內存的低溫焊技術，焊球由鉍(Bi)、錫(Sn)和銀(Ag)製成，熔化溫度低於150℃，比之前降低了100多度。 低溫焊不僅提高了生產效率，還提高了HBM等晶片的良率，因為高熱導致的產品缺陷及質量也控制住了，產能也可以保障。 三星、SK海力士等公司正在擴大HBM內存的生產，這種低溫焊技術很快也會得到大面積使用。 來源：快科技

快科技4月19日訊，2015年，AMD和SK海力士合作，全球首發了HBM（High Bandwidth Memory）顯存，即高帶寬存儲，而且創新從2D進入2.5D堆疊。 相較當時的GDDR5顯存，HBM的總線位寬提升了30倍，最終位寬提升3.5倍，電壓從1.5V降低到1.3V。 如今，HBM已經發展出HBM2、HBM2e以及HBM3，並更廣泛地應用在遊戲顯卡、專業顯卡、數據中心加速卡、AI推理顯卡等諸多領域。 來自TrendForce集邦咨詢18日發布的報告顯示，2022年三大原廠HBM市占率分別為SK海力士（SK hynix）50%、三星（Samsung）約40%、美光（Micron）約10%。 換言之，兩家韓企合計達到了90%，幾乎可以說壟斷了這一市場。 而且，SK海力士目前是唯一能量產HBM3顯存的廠商，三星、美光則要等到今年底或者明年初。因為韓企在HBM顯存方面的全面優勢，報告預計美光明年的份額會下滑到9%。 快科技了解到，單單NVIDIA一張A100加速卡，就需要配備80GB HBM顯存，未來的AI專用伺服器，單一計算集群的HBM顯存規模至少會提升到512GB甚至1TB。 來源：快科技

作為當前最火的AI應用，ChatGPT已經成為各大科技巨頭必爭之地，陸續都會推出類似的產品，而這也帶火了硬體行業，受益最大的是GPU顯卡，但HBM記憶體吃到了流量，正在發愁記憶體跌價的韓國廠商天降驚喜，找到賺錢的地方了。 在AI算力中，除了GPU性能，記憶體也非常重要，NVIDIA的高端加速卡也上了HBM2/2e之類的記憶體，其帶寬及延遲性能遠高於GDDR記憶體，A100加速顯卡上最高配備了80GB HBM2記憶體。 隨著ChatGPT受寵，三星、SK海力士兩家記憶體廠商接到了越來越多的HBM訂單，NVIDIA已經要求SK海力士生產最新的HBM3記憶體，業內人士指出相比當前最好的DDR記憶體，HBM3的價格已經漲了5倍。 目前HBM記憶體市場上SK海力士公司占據最大的優勢，該公司早在2013年就跟AMD合作開發了HBM記憶體，整體市場份額在60-70%之間。 三星近年來也加大了HBM記憶體的投入，還跟AMD合作首發了HBM-PIM技術，將HBM記憶體與AI處理器集成在一起，大幅提高性能。 來源：快科技

在顯存技術上，大家都認可HBM顯存是當前最好的，性能遠超常規的GDDR顯存，但是成本太高，導致好技術無法普及，而三星則是把GDDR6顯存打磨出花了，推出了全新的GDDR6W顯存，1.4TB/的帶寬已經逼近HBM2E的水平了。 這個GDDR6W顯存並不是JEDEC的新新標準，而是三星在GDDR6基礎上使用扇出晶圓級封裝 (FOWLP) 技術開發出來的新品，面積相同的情況下顯存容量及帶寬翻倍。 在之前的封裝中，GDDR6晶片需要安裝在PCB基板上，而使用FOWLP封裝技術，記憶體晶片可以直接安裝在矽晶圓上，不涉及PCB，因此可以減少封裝厚度，還可以改善散熱。 用上FOWLP技術之後，GDDR6W顯存的核心容量從16Gb翻倍到32Gb，IO位寬從x32翻倍到x64，也就是容量及性能都翻倍了。 FOWLP封裝技術面積不變，而且放棄PCB基板之後厚度也從之前的1.1mm減少到了現在的0.7mm，薄了36%，同時維持GDDR6相同的熱特性。 GDDR6W顯存在帶寬及容量翻倍之後，已經可以直逼HBM2E顯存了，前者是512bit位寬、22Gbps速度，帶寬1.4TB/，而HBM2E是等效4096bit位寬，頻率3.2Gbps，帶寬1.6TB/。 根據三星所說，今年Q2季度三星就完成了GDDR6W顯存的JEDEC標準化工作，看樣子有可能成為新的標準，除了顯卡之外還可以擴展到筆記本電腦等小型設備，或者AI、HPC高性能計算等場合。 來源：快科技

Intel Sapphire Rapids第四代可擴展至強雖然一再跳票，但技術上還是相當值得期待的，除了首次支持DDR5記憶體、PCIe 5.0總線，還會首次加入HBM2e高帶寬記憶體，為特定應用加速。 當然，這個HBM2e記憶體是可選的，不是所有型號都具備。 現在，我們第一次看到了它的實際表現，來自一顆至強鉑金8472C的樣品。 至強鉑金8472C 52核心104線程，二級緩存104MB，三級緩存97.5MB，單核、全核加速頻率分別為3.8GHz、3.0GHz，熱設計功耗PL1 350W、PL2 420W，峰值功耗764W，Tjmax溫度最高84℃。 集成的HBM2e具體容量不詳，大機率是64GB，官方曾披露會是四顆8-Hi堆疊。 作為對比的是旗艦至強鉑金8490H，滿血的60核心120線程，二級緩存120MB，三級緩存112.5MB，單核加速3.5GHz，全核加速2.9GHz，功耗指標同上，最高溫度96℃。 測試都是雙路，CPU-Z單核跑分8472C領先約6.8％，畢竟頻率略勝一籌，多核則落後2.4％，並沒有什麼區別。 V-Ray測試中體現了HBM2e加成的威力，8472C 95014分，領先8490H 71830分多達32.3％！ 由此也可以看出，HBM2e僅適用於對帶寬極為敏感的特定應用。 來源：快科技

AMD在季度財務會議期間透露，基於第二代CDNA架構的新一代Instinct加速卡已經開始出貨了。 AMD去年11月發布了，而今隨著遊戲卡機構從RDNA2挺進RDNA3，新的CDNA2架構也在路上，對應產品就是Instinct MI200，代號為「Aldebaran」(畢宿五)。 CDNA2的設計和RDNA3有一點相通，那就是都會採用MCM多芯封裝方式，內部同時集成兩個Die，核心規模輕松翻番，預計共有16384個流處理器核心，MI100則只有7680個。 顯存方面，MI100配備了32GB HBM2，帶寬高達1.23TB/，MI200則會猛增到128GB，創下全新紀錄，而且升級為新一代的HBM2e，帶寬能突破2TB/。 AMD MI200將搭配下一代霄龍處理器，構建全球首個百億億次超算Frontier，預計今年底推出，，比如澳大利亞的Setonix。 MI100核心與集成封裝的四顆HBM2顯存 來源：快科技

Intel今天披露了的不少細節，它將和Ponte Vecchio GPU一起，組建美國能源部的百億億次超級計算機「Aurora」，原計劃今年交付，但看樣子得延期到明年了。 Intel表示，Sapphire Rapids正在與合作夥伴進行早期驗證測試，計劃明年第一季度量產、第二季度全面上市，上半年的某個時間點正式發布。 Sapphire Rapids將會支持DDR5記憶體、PCIe 5.0總線、CXL 1.1互連協議，內建AMX(高級矩陣擴展)指令集用於深度學習推理與訓練。 部分型號還會集成HBM2e高帶寬記憶體，但不是所有型號都有，而且首發陣容沒有，會在後期提供。 為什麼集成HBM？因為DDR記憶體的帶寬已經嚴重不足，八通道DDR4-3200也只能提供204.8GB/的峰值帶寬，遠遠無法滿足CPU 1000GB/左右的吞吐需求，即便是DDR5也不夠。 HBM2e單顆容量最大16GB，典型峰值帶寬460GB/，Sapphire Rapids會集成最多四顆也就是64GB，帶寬可達1840GB/，可輕松餵飽CPU。 當然，HBM記憶體的功耗都不小，估計Intel會適當限制頻率和帶寬，只需要1TB/左右就夠了。 神奇的是，Sapphire Rapids加入HBM2e記憶體之後，即便不要DDR5記憶體，也能正常運行，這對於需要高吞吐帶寬、不在乎記憶體容量的應用來說是一大福音。 Sapphire Rapids還會支持下一代傲騰持久記憶體，隨機訪問帶寬提升多達2.6倍。 早先有消息稱，Sapphire Rapids最多集成60個核心，內部分成四組，每組15個，類似AMD的小晶片設計，但只會開啟56個，後來還有說法稱，最多會做到80個核心。 之前曝光的樣品上沒有HBM2e 來源：快科技

現在的DDR記憶體及GDDR顯存性能雖然已經很不錯，但AMD 2015年在Fury系列顯卡上首次量產的HBM記憶體技術則是一次突破，TB級帶寬、功耗、面積等方面無一不是跨越式提升。 HBM已經成為高性能計算中的頂層標準，只有那些不計成本的產品才會用上HBM顯存，標準也發展到了HBM2e，2019年公布的，IO傳輸速率為3.6Gbps，搭配1024-bit位寬的話可以提供超過460GB/的超高帶寬。 然而問題也來了，那就是HBM3標準一直跳票，從五年前的2016年SK海力士、美光、三星等公司就討論過HBM3標準，可惜一直沒有定下標準，原定的2020年早就不可能了，這可能是最難產的記憶體標準了。 理論上HBM3的性能要比HBM2再翻一倍，可能是太難實現了，現在來看2022年甚至2023-2024年才有希望問世。 在HBM3量產之前，SK海力士最近公布了一個過渡性的標準，預計IO頻率提升到5.2Gbps以上，帶寬則提升到665GB/，比HBM2e提升大約44%。 SK海力士的初版HBM3還沒有問世時間。 來源：快科技

在爆料Up主Moore』s Law Is Dead的最新視頻中，他探聽到了Intel神秘新項目，隸屬於Sapphire Rapids（藍寶石激流）家族的一款龐然大物。 根據Intel的路線圖，Sapphire Rapids對應第四代至強可擴展處理器，預計今年底登場，會首次帶來對DDR5記憶體、PCIe 5.0的支持等。 神秘新U已經做到了56核CPU，且還在醞釀最高72核的設計。 由於芯片規模巨大，Intel甚至還要塞入獨顯性能級別的Xe GPU，搭配HBM2E顯存等。 Intel之所以在至強服務器處理器的CPU核心數上如此激進，或許與AMD EPYC的競爭有關。Zen3 Milan（第三代EPYC霄龍處理器）定於3月15日23點發布，不過還是64核128線程，但宣稱相比競品的性能可超出最多達68％。 傳言Zen4 Genoa(第四代EPYC霄龍處理器)要進一步提高到96核的規模，Intel怎麼能「坐以待斃」。 作者：萬南來源：快科技

，Intel首款採用10nm工藝的至強服務器平台「Ice Lake-SP「，發布時間從原定的今年第四季度推遲到了明年第一季度。 它和已發布的Cooper Lake都隸屬於第三代可擴展至強，分別面向單路/雙路、四路/八路市場，最多38核心76線程、八通道DDR4-3200記憶體、64條PCIe 4.0，熱設計功耗最高270W。 ，官方此前已確認它將在2021年晚些時候推出， 今天，外媒AdoredTV獨家拿到了Sapphire Rapids的詳細參數。 有意思的是，曝光後很快被Intel查了水錶，以「不准確」為由要求撤掉，但不解釋具體哪里不准確，AdoredTV因此拒絕撤稿。 Sapphire Rapids將採用最新的10nm+++工藝，也就是剛發的Tiger Lake 11代移動版酷睿那一套，融入SuperFin晶體管技術。 CPU架構升級為Golden Cove，也就是和Alder Lake 12代桌面酷睿同款，繼續提升IPC性能，並恢復支持Bfload16機器學習指令，強化AI人工智能。——Cooper Lake已支持該指令，但是接下來的Ice Lake又不支持。 核心數最多56個(112線程)，但是很有可能還隱藏了4個核心，也就是總共應該有60核心120線程。 為什麼這麼做？很簡單，10nm+++工藝面對如此多核心，良品率暫時還上不去。 有趣的是，Sapphire Rapids將採用MCM多芯片封裝設計，內部同時整合最多4個小芯片，每一部分最多14核心(外加一個可能隱藏的)，組成總計56核心，但不清楚是否會有AMD霄龍那樣的獨立的I/O Die。 同時封裝集成HBM2e高帶寬記憶體，配合4個小芯片最多4個堆棧，每個最大容量16GB，合計最多64GB，帶寬高達1TB/。 Sapphire Rapids將會首次支持PCIe 5.0總線，高端型號最多80條通道，其他型號最多64條，同時支持CXL高速互連總線協議。 另一個首發支持的是DDR5記憶體，頻率最高4800MHz，繼續八通道，但最大支持容量暫時不詳，同時繼續支持傲騰持久記憶體。 DDR5記憶體、HBM2e記憶體可以並行使用，支持緩存、混合多種模式。 熱設計功耗最高達到驚人的400W，部分型號300W。 相比之下，AMD霄龍的熱設計功耗最高為280W，Intel二三代可擴展至強普通型號最高250W，雙芯封裝的56核心則同樣是400W，不過現在是14nm。 Sapphire Rapids將在2021年底推出，對手將是AMD再下一代霄龍「熱那亞「(Genoa)，Zen 4架構，同樣支持PCIe 5.0、DDR5，並採用台積電5nm工藝製造。 而下一代霄龍「米蘭」有望在今年晚些時候或明年初推出，7nm工藝，Zen 3架構，桌面銳龍5000系列的同門大師兄。 - THE END...

HBM DRAM擁有超高的數據帶寬，是計算密集型晶片的不二之選。我們也看到這種類型的DRAM在各種計算卡、AI加速器等領域中有著越來越廣泛的應用，這也推動著它繼續升級疊代。去年三星和SK海力士都宣布自己開發出了HBM2記憶體的小幅升級版本，即HBM2E記憶體，今天SK海力士終於正式宣布他們開始量產HBM2E記憶體了。 SK海力士的HBM2E記憶體具有3.6Gbps的等效頻率，配合上1024-bit的位寬，它能夠實現超過460GB/s（3.6Gbps x 1024-bit / 8 = 460.8GB/s）的傳輸帶寬。三星目前的HBM2E默認跑在3.2Gbps的等效頻率下，所以SK海力士的HBM2E在默認情況下能夠提供更高的帶寬，不過三星的HBM2E還可以跑更高的頻率。如果像是NVIDIA A100加速卡那樣使用六個堆疊的話，那麼這組HBM2E記憶體能夠提供高達2.7TB/s的帶寬。SK海力士的HBM2E每組堆疊可達到16GB的容量，每顆DRAM晶片的容量較HBM2時代翻倍，為16Gb（2GB）。 對於市場來說，現在有第二家能夠提供HBM2E記憶體的廠商了，有競爭才有降價，HBM記憶體本來就很貴了，現在也只有專業領域能用的起它。此前只有三星一家能夠提供HBM2E記憶體，而HBM2時代是有兩家。美光也已經計劃進入HBM2的市場，稱將在年內發售他們的HBM2記憶體。未來在專業領域中，HBM會起到越來越大的作用，它的高帶寬特性在熱門的AI加速器、深度學習等領域中是不可或缺的。 ...

SK海力士今天宣布，已經開始大規模批量生產新一代HBM2E DRAM記憶體/顯存芯片， SK海力士的HBM2E具備大容量、高速度、低功耗的特點，利用TSV硅穿孔技術垂直堆疊八顆16Gb(2GB)芯片，從而做到單顆容量16GB，是上代HBM2的兩倍，理論上更是可以做到十二顆堆疊、單顆單顆容量24GB。 HBM2每個堆棧的數據率高達3.6Gbps(可理解為等效頻率3.6GHz)，搭配1024-bit I/O，帶寬可以輕松做到460GB/，電壓則維持HBM2 1.2V的水平。 如果使用四顆組合，總容量就是64GB，總位寬為4096-bit，總帶寬則超過1.8TB/。 這樣的規格是GDDR6望塵莫及的。 SK海力士表示，HBM2E可廣泛應用於工業4.0、高端GPU顯卡、高性能超級計算機、機器學習、AI人工智能等各種尖端領域。 在歷史上，SK海力士也是第一個搞定了HBM，並由AMD顯卡首發，最初搭載於R9 390X。 三星也在積極准備HBM2E，美光則模糊地表示會在年底之前推出新一代HBM。   優惠商品信息>>作者：上方文Q來源：快科技

相比GDDR顯存，HBM技術的顯存在帶寬、性能及能效上遙遙領先，前不久JEDEC又推出了HBM2e規范，三星搶先推出容量可達96GB的HBM2e顯存。 根據規范，HBM2存儲標準JESD235C將針腳帶寬提高到3.2Gbps，之前的兩版HBMe分別是2Gbps、2.4Gbps速率，相比之下HBM2e速率提升25%到60%。 此外，HBM2e的單Die最大2GB、單堆棧12 Die（無標準高度限制），也就是24GB容量，匹配1024bit位寬，單堆棧理論最大帶寬410GB/s。 對於支持四堆棧（4096bit）的圖形芯片來說，總帶寬高達1.64TB/s，容量可達96GB。 功耗方面，HBM2e的電壓和上一版一致，為1.2V，比第一代的1.35V有所下降。 HBM2e標準最早是三星及SK海力士提出的，現在成了國際標準，這兩家也是最早推出產品的，而美光身為第三大記憶體芯片廠商，一直沒有推出HBM顯存，以致於業界都在懷疑美光是不是放棄了HBM顯存。 在日前的財報會議上，美光否認放棄HBM競爭，表示他們不會退出HBM市場，今年底之前會推出相關的HBM顯存。 美光沒具體明確是哪種HBM顯存，不過年底推產品的話，HBM2e應該是最合理的，這時候再推此前的HBM或者HBM2就有些不夠看了。 HBM顯存從2015年的AMD Fury系列顯卡上首發，5年了都沒普及，主要原因還是成本太高，這就跟廠商的產量太少有關，如今三大廠商都投入資源量產HBM顯存，希望盡早看到HBM顯存廉價化。 作者：憲瑞來源：快科技

最近，JEDEC固態存儲協會正式公布了HBM技術第三版存儲標準HBM2E，針腳帶寬、總容量繼續大幅提升。對於一些大企業，集成這些技術可以說不費吹灰之力，但不是誰都有這個實力。 Rambus今天就宣布了一套完整的HBM2E控制器＋PHY物理層方案，可以幫助企業輕松用上HBM2E。 單個堆棧HBM2E系統架構圖(俯視和側視) HBM2E標準支持每個堆棧最多12-Hi，針腳數據率最高3.2Gbps，使用1024-bit位寬的時候最大容量可以做到24GB，總帶寬則是409.6GB/s。 如果是支持四堆棧的系統，位寬就是4096-bit，總容量將高達96GB，總帶寬則是1.64TB/s。 目前，SK海力士、三星都已經完成了HBM2E產品開發，並投入生產，預計NVIDIA、AMD的下一代高端計算卡都會使用。 Rambus的方案完整支持上述標準，其控制器內核兼容DFI 3.1標準，並支持通過AXI、OCP和其他各種專用界面連接邏輯芯片。 HBM2E記憶體界面子系統示例圖 廠商購買了該方案的授權之後，就可以獲得將HBM2E記憶體與其邏輯芯片集成的所有資源，包括控制器的源代碼。 如果企業技術實力有限，也可以由Rambus的工程師提供付費支持，但具體授權費用、支持費用均未公開。 GPU與HBM 作者：上方文Q來源：快科技

2015年代號為Fiji的AMD Fury X顯卡發布，代表着HBM顯存第一次進入大眾視野，將傳統傳統的2D顯存引向立體空間。通過堆疊，單個DIE可以做到8GB容量，位寬也高達1024bit。相比之下傳統的DDR顯存單Die只有1GB容量，位寬只有32bit。 因此HBM顯存可以很輕易的做到32GB容量、4096bit帶寬，同時不需要太高的頻率就能達到傳統的GDDR5顯存所無法企及的恐怖帶寬。 2017年，隨着Zen構架的銳龍處理器問世，AMD也讓我們見識到了MCM（Multichip Module）技術。採用模塊化設計的銳龍處理器單個CCD含有8個核心，將2個CCD封裝在一起就能變成4核，32核的撕裂者2990WX擁有4個CCD。 MCM技術的出現使得多核擴展變得更加簡單高效，同時也避免了大核心帶來的良率問題，因此在成本上要遠遠優於競品。 而2019年的Zen 2構架則將MCM技術再一次升級為Chiplet。通過將CPU Die與I/O Die進行分離，CPU Die可以做的更小，擴展更多核心的時候也相應的變得更加容易，同時也進一步降低的了多核處理器的製造成本。按照AMD的說法，在某些情況下，Chiplet設計可以將處理器製造成本降低一半以上。 在今天早上的AMD財務分析大會上，AMD CEO 蘇姿豐又向大家展示了一種名為X3D的封裝技術，它是在原有的Chiplet技術上加入了HBM的2.5D堆疊封裝。雖然AMD沒有明說，但是意圖非常明顯，未來的高性能處理器極有可能會引入HBM記憶體，從而將記憶體帶寬提升10倍以上。 如果順利的話，我們在Zen 4構架上就能看到這種設計，新一代AMD處理器的性能相當令人期待！ 作者：流雲來源：快科技

AMD CEO蘇姿豐博士曾承諾「Big Navi「顯卡年內推出，這一次，韓方充當了泄露情報的急先軍。 本月，AMD在韓國RRA注冊的顯卡產品D30201、D32310曝光，據說對應的就是「Big Navi」。 沒想到，有SK海力士員工泄露了D32310/15的部分參數，GPU包括80組CU、5120個流處理器，320個TMU（紋理單元）、96個ROP光柵單元，二級緩存12MB。 顯存方面，24GB HBM2E，4096bit，帶寬高達2TB/s（針腳帶寬4Gbps）。 簡單對比下，相較於7nm Navi 10核心的RX 5700 XT，「Big Navi「流處理器、紋理單元數量翻番，ROP單元增加50%、L2增加兩倍，顯存容量增加兩倍，帶寬增加3.5倍。 由於頻率數據未知，還不能簡單說「Big Navi」性能是RX 5700 XT的兩倍，況且還要考慮功耗（據說得益於第二代7nm和RDNA2架構，Big Navi功耗在300W以內）。不過，AMD如此堆料，甩掉RTX 2080 Ti難度不大。 作者：萬南來源：快科技

三星昨天宣布推出業界首款第三代HBM2E記憶體，新的HBM2E記憶體由8顆16Gb的DRAM顆粒堆疊而成，單個封裝可以達到16GB的總容量，並且其擁有高達3.2Gbps的傳輸速率。 三星的這款HBM2E中可以堆疊8個1y nm製程的16Gb DRAM顆粒，內部連接使用的是TSV技術，不過8層這個數量並不是三星目前能夠做到的極限，在去年十月份的時候他們就已經宣布了12層3D-TSV封裝工藝，我們未來肯定可以看到更大容量的單顆HBM記憶體。 HBM2E是HBM2的升級版標準，由JEDEC在2018年標準化，官方標準中它的單顆堆疊帶寬為307GB/s。而三星這次推出的新HBM2E在帶寬上面有比較明顯的提升，在默認的3.2Gbps下，單顆HBM2E就可以提供高達410GB/s的帶寬，另外三星內部測試中新的HBM2E可以達到的最高傳輸速率為4.2Gbps，此時的帶寬高達538GB/s，比上代產品高出75％。 實際上三星在去年三月份就已經發布了這款產品，不過這次是宣布它即將要進入量產。新的HBM2E預計在今年上半年進入量產環節，他們也會繼續提供老的第二代產品。目前消費級顯卡普遍放棄了高成本的HBM記憶體，選擇了成本更低但帶寬也足夠用的GDDR6，不過在高性能計算市場中，HBM已經占據了很大的市場份額了，還有各種AI加速晶片也需要較高的記憶體帶寬，像NVIDIA的計算卡就普遍採用了HBM2作為顯存，新的HBM2E將會緩解記憶體方面的瓶頸，讓計算性能不再受限於記憶體。 ...

日前AMD CEO蘇姿豐訪問了GPU研發中心，也就是原來的ATI總部，除了揭曉Radeon吉祥物Roise之外，蘇姿豐還提到她會聽取一些重要事情的匯報，官方這已經是在暗示新一代Radeon顯卡了。 根據AMD官方公布的最新版路線圖，Radeon GPU目前已經有7nm Navi的RX 5700系列三款顯卡了，使用的的是第一代RDNA架構，明年則會推出7nm+增強版工藝的RDNA2架構顯卡。 相比現在的RDNA1代架構，RDNA2架構一個重要變化就是首次加入了硬件光追單元，可以支持硬件級的光追加速了，這樣一來光追的性能會大幅提升，現在的解決方案還是軟件層面上的加速，效率不夠高。 毫無疑問，RDNA2架構的性能還會更高，畢竟AMD現在依然沒有能應對4000+以上市場的高端顯卡，特別是Radeon VII顯卡退役之後。 對於新一代Radeon高端顯卡，最新消息稱AMD除了會支持光追之外，還有可能再次升級顯卡的顯存，從GDDR6升級到最新的HBM2E，這是HBM2顯存的最新版，帶寬提升了提升了大約50％，同時容量也翻了一番。 根據SK海力士的介紹，HBM2E每個針腳傳輸速率為3.6Gbps，搭配1024-bit位寬的話可以提供超過460GB/s的超高帶寬，無可比擬。 如果用於顯卡，那麼2組HBM2E顯存就可以實現920GB/s的帶寬，容量32GB，如果是像Radeon VII那樣堆棧4組HBM2E，那麼帶寬可以達到1.8TB/s，容量高達64GB。 從RX Vega到Radeon VII，AMD最高端的顯卡一直都在用HBM技術顯存，明年的RDNA2旗艦顯卡用上HBM2E倒也不是不可能，不過前兩代Vega家族顯卡表現並不太好，主要原因是性能不夠強，能效也不如友商，所以HBM2顯存的優勢沒顯示出來。 AMD今年的RDNA架構能效就提升看50%以上，明年底 RDNA2架構能效還會更高，如果解決了性能及能效的問題，那麼上HBM2E顯存就是如虎添翼了，特別是在支持光追加速之後。 根據爆料，AMD的RDNA2架構Radeon旗艦應該會在2020年下半年問世，屆時NVIDIA應該也會有7nm安培顯卡上市了，高端顯卡市場有好戲了。 作者：憲瑞來源：快科技

SK海力士公司今天宣布，它已開發出具有業界最高帶寬的HBM2E DRAM產品。與之前的HBM2相比，新款HBM2E大約提升50％的帶寬和100％的容量。SK海力士尚未公布更多的HBM2E記憶體信息。 SK海力士的HBM2E記憶體，其每個針腳傳輸速率為3.6Gbps，搭配1024-bit位寬，支持提供超過460GB/s的超高帶寬，無可比擬。同時，通過利用TSV（矽通孔）技術，最多可垂直堆疊8個16千兆位晶片，形成16GB數據容量的單個密集封裝。 SK海力士的HBM2E是第四個工業時代的最佳記憶體解決方案，支持需要最高記憶體性能的高端GPU，超級計算機，機器學習和人工智慧系統等各種尖端領域。與採用模塊封裝形式並安裝在系統板上的傳統DRAM產品不同，HBM晶片可以與GPU和邏輯晶片等處理器緊密互連，間距僅為幾微米，可實現更快的數據傳輸。 AMD目前最強的Radeon VII顯卡用的就是16GB HBM2顯存，擁有1TB/s帶寬的帶寬，可以給一些專業應用提供了便利，特別是高解析度的4K、8K創作、渲染等工作；而NVIDIA CEO黃仁勛在采訪中表示HBM2顯存太貴，相比之下他還是更喜歡GDDR6顯存。在NVIDIA的顯卡中，面向專業市場的Tesla V100等高價顯卡也使用了32GB HBM2顯存，消費級的有Titan V顯卡，使用了12GB HBM2顯存，不過現在的圖靈GPU使用的就是GDDR6顯存了。目前，SK海力士尚未透露HBM2E記憶體可以量產出貨。 三星電子在三月份也發布了自家的HBM2E記憶體，將傳輸速率從2.4Gbps提升到3.2Gbps，提升幅度達到33%。同時每晶片的容量提升了兩倍，達到16GB。同樣，尚未可知工作電壓和量產時間。 ...