三星昨天宣布推出業界首款第三代HBM2E記憶體，新的HBM2E記憶體由8顆16Gb的DRAM顆粒堆疊而成，單個封裝可以達到16GB的總容量，並且其擁有高達3.2Gbps的傳輸速率。
三星的這款HBM2E中可以堆疊8個1y nm製程的16Gb DRAM顆粒，內部連接使用的是TSV技術，不過8層這個數量並不是三星目前能夠做到的極限，在去年十月份的時候他們就已經宣布了12層3D-TSV封裝工藝，我們未來肯定可以看到更大容量的單顆HBM記憶體。
HBM2E是HBM2的升級版標準，由JEDEC在2018年標準化，官方標準中它的單顆堆疊帶寬為307GB/s。而三星這次推出的新HBM2E在帶寬上面有比較明顯的提升，在默認的3.2Gbps下，單顆HBM2E就可以提供高達410GB/s的帶寬，另外三星內部測試中新的HBM2E可以達到的最高傳輸速率為4.2Gbps，此時的帶寬高達538GB/s，比上代產品高出75％。
實際上三星在去年三月份就已經發布了這款產品，不過這次是宣布它即將要進入量產。新的HBM2E預計在今年上半年進入量產環節，他們也會繼續提供老的第二代產品。目前消費級顯卡普遍放棄了高成本的HBM記憶體，選擇了成本更低但帶寬也足夠用的GDDR6，不過在高性能計算市場中，HBM已經占據了很大的市場份額了，還有各種AI加速晶片也需要較高的記憶體帶寬，像NVIDIA的計算卡就普遍採用了HBM2作為顯存，新的HBM2E將會緩解記憶體方面的瓶頸，讓計算性能不再受限於記憶體。
來源：超能網
