Tag: LPDDR4X

一、前言：變形本註定和性能無緣？這款旗艦滿足所有 無論輕薄本還是遊戲本，筆記本市場的競爭都越來越激烈，因此許多廠商都開始跳出傳統產品形態的局限，用新穎的設計去開辟新的市場，360°翻轉變形本就是其中一支獨特的存在。 通過巧妙的鉸鏈設計，翻轉本能夠讓傳統筆記本的上下蓋實現各個角度的開合，再加上觸控屏的加持，筆記本甚至能夠化身平板，在各種不同的姿態下為用戶帶來最舒適的體驗。 翻轉固然方便，但同時也不要忘了性能。隨着11代酷睿處理器的出現，輕薄本的CPU單核及核顯性能都獲得了巨大的BUFF。從理論上來看，比肩標壓旗艦U以及入門級獨立顯卡都不再是夢。這也讓輕薄本在辦公之餘，有了更多休閒娛樂的可能。 說到這兒，就不得不提一下Intel Evo 平台嚴苛標準，它打造了六大創新領域和關鍵體驗指標(KEI)，而且每個組件都必須符合認證標準才能拿到Evo標簽，同時有25項真實應用場景的模擬測試，涵蓋Office辦公軟件等生產力工具、各類視頻會議平台、即時通訊工具、流媒體平台、網頁瀏覽工具等應用場景，。 可以說，只要看到筆記本上貼有Intel Evo的標簽，就可以直接判定，這是輕薄本中的佼佼者。 對於不關心太多硬件指標的普通用戶來說，Intel Evo筆記本可以帶來六個方面的突出品質，來進一步保障品質： 1、電池供電時始終如一的響應速度 2、1秒內從休眠狀態喚醒系統 3、在實際場景中，配備FHD全高清顯示屏的系統可實現9小時及更長的電池續航時間 4、快速充電，配備FHD全高清顯示屏的系統充電30分鍾即可獲得長達4小時的續航 5、支持Wi-Fi 6無線標準 6、配備Thunderbolt 4標準接口 縱觀最近推出的多款主打輕薄便攜的13寸旗艦翻轉本，雖然它們都搭載了11代酷睿，且標配Intel Evo嚴苛認證，保證能夠為用戶提供最佳的日常體驗，但是美中不足的是，它們在性能釋放上總是稍顯遺憾，雖然日常夠用，但一旦遇上遊戲等重度應用場景就心有餘而力不足。 所以我們今天要介紹的產品，它最大的亮點就是在13寸旗艦輕薄變形本中無出其右的性能釋放。惠普幽靈x360 13可觸控變形本，不僅具備輕薄精緻的外觀，360°轉軸設計、齊全的接口以及一塊好屏等眾多旗艦要素，更是搭載了高功耗滿血版11代酷睿，可謂終於在性能和便利的翻轉操作上皆達圓滿。 除了13寸旗艦翻轉本中數一數二的性能釋放外，正如前文所說，惠普幽靈x360的其他硬件配置也都是旗艦水準。 拿屏幕來說，僅僅是標準版，惠普幽靈x360搭載的屏幕就十分誘人。這塊1080P的LCD屏幕擁有100%的sRGB色域覆蓋，400nit的亮度，採用抗眩光設計。最重要的是功耗極低，僅有1W，因此使得它的續航表現相當優異。 而如果你選擇高配版，則可以升級為素質更高的4K OLED屏，不僅色域更廣、對比度更高、功耗更低，甚至還能支持HDR400顯示，讓觀影以及遊戲都能獲得更真實的畫面表現。 在內部配置上，除了性能滿血必不可少的LPDDR4X 4266MHz記憶體外，惠普幽靈x360還搭載了一塊Intel H10傲騰混合固態盤，自帶傲騰記憶體加速，其隨機4K讀取比一般固態快了不止一倍。 此外在接口方面，雖然機身較薄，但是惠普幽靈x360依然做到了2×雷電4接口+1×USB 3.1 Type-A的接口配置，此外還擁有3.5mm音頻接口和一個Micro-SD讀卡槽。擴展性上與其他輕薄旗艦保持了一致，甚至在個別特殊接口上略有領先。 接下來，就讓我們一起來體驗一下惠普幽靈x360這款性能出眾的13寸觸控變形本到底如何。 相關閱讀： 第四代惠普戰66銳龍版開啟預約：滿血銳龍5000 4299元起Intel傲騰有對手了 SK海力士在相變存儲芯片上獲得突破華碩靈耀X雙屏本體驗：獨創升降、滿血狂飆！革命性SSD突然被Intel終結 官方回應辦公效率翻3倍！華為MateBook X Pro新款評測：極致3K屏 文章內容導航作者：傲騰來源：快科技

Intel 10nm Ice Lake十代酷睿在規格上支持新一代LPDDR4X記憶體，頻率最高3733MHz，相比於LPDDR4性能更好、功耗更低，但至今沒什麼設備採納。 AMD這邊的7nm Renoir銳龍4000系列則最高支持到LPDDR4X-4266，不但性能更進一步，設備也已經在路上了，聯想之前就暗示過一款，還直言其他產品都是弟弟。 @_rogame 也在3DMark數據庫里找到了兩款有趣的設備，採用銳龍5 4500U，6核心6線程，2.4-4.0GHz，Vega 6 GPU，其他規格完全相同，只有記憶體一個是LPDDR4-3200，一個是LPDDR4X-4266。 3DMark Time Spy測試中，LPDDR4X-4266機型性能全面領先，總分高出16.9％，CPU分數高出18.9％，GPU分數高出16.7％。 與此同時，這樣的表現也超過了上代最高端的銳龍7 3700U(4核心8線程/2.3-4.0GHz/Vega 10)，以及Intel Ice Lake最高端的i7-1065G7(4核心8線程/1.3-3.9GHz/Iris Plus)。 要知道，銳龍5 4500U可只是一款中端產品…… 作者：上方文Q來源：快科技

10月24日，三星電子宣布，在業內率先開始量產12GB容量、基於UFS的LPDDR4X多芯片記憶體。 該記憶體是由24Gb LPDDR4X小芯片組成，1Ynm製程，總共4顆封裝在一起，突破了當前8GB總容量的封裝限制。 在空間寸土寸金的智能手機尤其是高端手機內部，12GB RAM僅需要一顆整合芯片就能做到後，將為其它元件如電池、CMOS等釋放更多空間。另外，這也為手機RAM容量進一步提高買下伏筆。 三星稱，其會進一步擴大10GB+ LPDDR記憶體芯片的出貨，以滿足市場需求。 作者：萬南來源：快科技

美光於8月15日宣布他們將開始使用1z納米工藝進行DRAM顆粒的生產，同日他們還宣布大容量的LPDDR4X記憶體顆粒已經開始量產了，並且提供將NAND和DRAM兩種顆粒封裝到一起的晶片。 DRAM製造行業的製程更新要比做計算晶片的慢一些，鎂光的1z納米工藝是他們在10納米節點的第三代工藝，在六月份美光第三季度的財報會議准備文件中，他們就已經將邁入1z納米工藝作為下一個財年的重要事項寫進去了。而同時他們實際進入1z納米工藝的時間也比內部時間表要早那麼一些。 對於DRAM來說，更新的工藝能夠做出單片容量更加大的記憶體顆粒來，也更加的省電。而首批採用1z納米工藝的產品將是美光新的16Gb容量的DDR4以及LPDDR4X記憶體顆粒，尤其是後者，對於目前移動端越來越大的記憶體大小和帶寬的需求，容量越大、速度越高並且更加省電的記憶體顆粒是移動廠商們的最愛，美光的大容量LPDDR4X顆粒還正好趕上了Intel的IceLake處理器開始正式出貨，而新的處理器加上了對於頻率為3733MHz的LPDDR4X記憶體支持，在中高端輕薄筆記本市場上面，美光的新顆粒也有很大的市場了。 而對於大容量的DDR4顆粒來說，它們的用途多在製造大容量記憶體條上面，目前單條32GB的產品還沒成為桌面端的主流，但是對於工作站和伺服器來說，這種單條大容量的記憶體條是剛需。 在提供8x16Gb也就是16GB大小、最高頻率可以達到4266MT/s的記憶體的同時，美光還提供了一種基於UFS的多晶片封裝方式——uMCP4，它可以將NAND和DRAM整合在一個封裝中，目前有64GB+3GB和256GB+8GB兩種配置，這種封裝可以減少存儲晶片們所占據的位置。 ...

DRAM記憶體芯片由漲轉跌，而且跌幅還會繼續擴大，所以今年智能手機的記憶體容量還會繼續增大，6GB入門、8GB主流、12GB才是高端了。在技術上，三星去年中就宣佈量產新一代LPDDR5記憶體，只是現在還沒有手機使用，三星自家的Galaxy S10系列還是LPDDR4X記憶體。今天三星宣佈推出業界容量最大的12GB LPDDR4X記憶體，使用的是第二代10nm級工藝1ynm，速率4266Mbps。 三星去年7月份宣佈量產8GB LPDDR4X記憶體，使用了第二代10nm級別工藝，這個10nm級工藝並不是10nm，而是1ynm工藝。在進入20nm工藝節點之後，DRAM工藝也面臨着越來越難的困境，所以製程工藝升級也不像之前那樣激進了，1xnm是第一代10nm級別工藝，三星之前有18nm工藝DRAM量產，而1ynm工藝則是第二代，大概是14-16nm工藝的樣子。 具體來說，這次推出的12GB LPDDR4X記憶體頻率4266Mbps，與去年的8GB LPDDR4X沒變化，不過容量提升了50%，內部有6顆16Gb容量的DRAM核心，總容量是目前容量最大的，應該就是Galaxy S10+手機12GB版的同款記憶體了。 在三星之後，SK Hynix及美光的12GB LPDDR4X記憶體也會跟進，今年的智能手機高配版上12GB記憶體容量只會越來越多。 來源：超能網

2018年的智慧型手機存儲容量越來越大，快閃記憶體基本上是64GB起了，128GB已經是主流，記憶體晶片普遍是6GB起，高端的上了8GB甚至10GB。想要記憶體容量再上一個台階，除了期待降價之外，還有賴於大容量LPDDR4記憶體的量產。美光公司今天宣布大規模量產12Gb核心容量的LPDDR4X記憶體，使用了1Y nm工藝（10nm級別的）生產，頻率可達4266Mbps，同時功耗降低了10%，明年的智慧型手機可以上12GB記憶體了。 美光表示其12Gb LPPDR4X顆粒是目前業界容量最高的，速度也是最快的——速度快倒是真的，不過美光的12Gb LPDDR4X記憶體並不是容量最大的了，三星早在4月份就宣布了16Gb核心容量的LPDDR4X記憶體了，頻率同樣是4266Mbps。 12Gb顆粒意味著單核心就有1.5GB容量，4核心就有6GB記憶體容量，8核心則是12GB記憶體了，明年差不多就會有12GB記憶體的高端智慧型手機了。 除了頻率高達4266Mbps之外，美光表示其LPDDR4X記憶體還有能耗上的優勢，功耗降低了10%。 美光的12Gb LPDDR4X記憶體使用了1Y nm工藝，官方表示是10nm級別的，這種說法經常會誤導一些媒體同行，以為是10nm工藝的，它其實是1X nm之後第二代10nm級工藝，1X nm大概是16-19nm，1Y應該是14-16nm工藝，之所以這麼模糊是因為20nm節點之後DRAM工藝也面臨各種困難，線寬指標沒有明確的數值了，所以用XYZ代替，在這之後還有1α及1β工藝。 ...