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鎧俠推出QLC UFS 3.1快閃記憶體,已向客戶提供512GB樣品

鎧俠(Kioxia)宣布推出新版UFS 3.1快閃記憶體,將採用QLC技術。鎧俠表示,目前尖端智慧型手機等設備有著高密度存儲的應用需求,而QLC技術能夠在單個封裝中實現最高的密度。 鎧俠的UFS概念驗證(PoC)設備是一款存儲容量為512GB的原型,利用了鎧俠自家的存儲密度為1Tbit(單顆Die容量為128GB)的BiCS FLASH 3D快閃記憶體和QLC技術,已經向OEM客戶提供樣品。鎧俠相信這款原型產品,可以滿足由更高解析度圖像、5G網絡、4K視頻等驅動的移動應用日益增長的性能和密度要求。鎧俠暫時沒有透露這款QLC UFS 3.1快閃記憶體的性能指標,首批應用的產品很可能是智慧型手機。 去年鎧俠曾表示,現階段嵌入式快閃記憶體仍迫切需要提高性能和密度。在以GB為容量的存儲設備里,UFS越來越成為首選解決方案。在以e-MMC和UFS為主導的快閃記憶體存儲市場里,2021年近70%的需求來自UFS,並且繼續在增長。 近兩年全球市場對半導體需求猛增,鎧俠也希望能把握機會,謀求進一步發展。目前鎧俠的多數股權是由私募股權公司貝恩資本牽頭的投資者集團持有,一直有進行首次公開募股(IPO)的打算。隨著行業前景向好,鎧俠加大了技術開發和產能擴充的投入,同時估值也不斷抬高。鎧俠的估值從最初的160億美元,幾乎翻倍至目前的300億美元。 ...
鎧俠發布新版UFS 3.1快閃記憶體,擁有更強的性能和更薄的封裝

鎧俠發布新版UFS 3.1快閃記憶體,擁有更強的性能和更薄的封裝

Kioxia(鎧俠)宣布,將推出新版UFS 3.1嵌入式快閃記憶體設備,容量分別為256GB和512GB。鎧俠的快閃記憶體產品高級總監Scott Beekman表示,鎧俠最新的UFS設備通過Host Performance Booster等功能進一步突破了性能界限,成為智慧型手機和其他移動設備所需的薄型封裝解決方案。 鎧俠表示新產品將採用第五代 BiCS FLASH 3D(112 層)快閃記憶體,封裝高度分別為0.8mm(僅限於256GB容量)和1.0mm,並支持HPB 2.0技術。與此前的產品相比,隨機讀取性能提高約30%,隨機寫入性能提高約40%,面向包括高端智慧型手機在內的移動設備。 在鎧俠看來,現階段嵌入式快閃記憶體仍迫切需要提高性能和密度。在以GB為容量的存儲設備里,UFS越來越成為首選解決方案。以e-MMC和UFS為主導的快閃記憶體存儲市場里,2021年近70%的需求來自UFS,並且繼續在增長。此前鎧俠就表示,看好快閃記憶體業務的前景,會建立新的研究中心,以增強其研發能力。 和格羅方德半導體股份有限公司(GlobalFoundries)一樣,鎧俠也有首次公開募股(IPO)的打算。隨著新冠病毒擴散而爆發的半導體需求,讓這兩間公司在過去一年多的時間里,有了很大的發展空間,都加大了技術開發和產能擴充的投入,同時估值也不斷抬高。鎧俠的估值從最初的160億美元,幾乎翻倍至目前的300億美元。 此前市場傳出英特爾有意以300億美元收購GlobalFoundries,鎧俠也有類似的傳聞,不過收購方是美光或西數。在未來幾年,半導體行業有著不錯的發展前景,現在的估值可能遠沒到上限,所以看起來並不想被輕易收購。 ...

西數發布新一代UFS 3.1快閃記憶體:最大512GB、寫入1.55GB/s

西數日前發布了新一代UFS 3.1快閃記憶體——iNAND MC EU551系列,主要針對最新的5G手機,最大容量512GB,寫入速度可達1550MB/。 IDC預計2021年5G手機將占全球出貨量的40%,2025年進一步提升到69%的比例,隨著網絡速度的提升,5G手機對存儲容量、性能的要求也會提高,特別是VR/AR、遊戲及8K視頻等應用的普及。 西數推出的iNAND MC EU551是他們的第二代UFS 3.1快閃記憶體,採用了最新的快閃記憶體,專為5G旗艦手機、平板設計,支持UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lanee,支持rite Booster 和 Host Performance Booster 2.0,寫入速度可達1550MB/,性能與桌面NVMe硬碟有得一拼了。 容量方面,iNAND MC EU551系列有128、256及512GB三種,預計今年7月份開始上市,下半年的5G旗艦有望搭載,不過售價沒公布。 來源:快科技
鎧俠宣布已經開始出樣嵌入式UFS 3.1快閃記憶體

鎧俠宣布已經開始出樣嵌入式UFS 3.1快閃記憶體

在本月初JEDEC公布UFS 3.1規范之後,快閃記憶體廠商紛紛跟進,上個星期西部數據宣布推出UFS 3.1快閃記憶體,而與西部數據有一定合作的鎧俠在今天宣布他們已經開始出樣UFS 3.1快閃記憶體。 鎧俠的UFS 3.1將會有四種容量版本,起步為128GB,最大為1TB,它們都將會使用鎧俠的BiCS快閃記憶體,不過沒有透露具體是哪一代。 UFS 3.1主要在UFS 3.0的基礎上加入了三個特性:寫入加速、深度睡眠和性能限制通知。鎧俠這一新推出的系列自然是支持上述的三大新特徵,並且還支持了UFS 3.1規范中為可選項的Host Performance Booster功能,它可以提升隨機讀取性能。 根據官方給出的腳注,本月出樣的UFS 3.1存儲晶片為256GB容量的,其他幾種容量的產品將會在3月份之後逐步推出。鎧俠對UFS標準的支持一直是走在前面的,在2013年他們是第一家宣布推出UFS產品的公司,而在去年又是第一家宣布推出UFS 3.0產品的,雖然比西部數據慢了一步,但還是走在前沿。 鎧俠的嵌入式記憶體產品總監Scott Beekman表示他們的最新產品將會讓移動設備完整享受到5G帶來的益處,幫助實現更快的下載速度,並且可以減少延遲,最終提升用戶體驗。 ...

西部數據推出UFS 3.1快閃記憶體:最高寫入800MB/s

為了迎接5G時代的到來,西部數據宣布推出最新的iNAND MC EU521快閃記憶體,符合JEDEC最新規范的UFS 3.1快閃記憶體,在第六代SmartSLC緩存技術的加持下,順序寫入速度最高可以達到800MB/s,具有128GB以及256GB兩種規格,封裝尺寸11.5x13x1.0mm。更為詳細的技術規格可以點擊這里查看。 至於應用層面,西數表示iNAND MC EU521可以用在智慧型手機、平板的設備內,為遊戲、AR/VR、機器學習、人工智慧等場景加速。 相較於UFS 3.0,UFS 3.1新增以下三大特性: Write Booster:就是SSD上常見的SLC Cache,可以顯著提升寫入速度; DeepSleep:深度睡眠這個很好理解,就是可以讓UFS設備進入一個低功耗狀態,降低設備功耗; Performance Throttling Notification:性能限制通知,由於高溫到時存儲設備性能受限時,UFS設備可以告知系統。 實際落地產品上,目前將於2月25日發布的iQOO 3手機已經宣布會使用UFS 3.1快閃記憶體,至於使用的是誰家的UFS 3.1快閃記憶體,則還有待進一步確認。 ...

iQOO新手機本月發布,首發UFS 3.1快閃記憶體?

iQOO手機官方今日發布動態表示,「UFS 3.1用起來真快,二月見哦!」言下之意應該是iQOO已經打造出了一款使用UFS 3.1快閃記憶體的智慧型手機產品,並且新產品將會在本月晚些時候發布。本月已經確定將發布的機型有三星S20系列、小米10系列,三星S20的快閃記憶體規格尚有待確定,但是小米10系列機型已經宣布會使用「新一代UFS 3.0」,因此,iQOO有可能是首發UFS 3.1快閃記憶體的手機廠商了。 根據此前的消息,UFS 3.1(JESD220E)標準在UFS 3.0(JESD220D)基礎上新增了以下三個功能: Write Booster:就是SSD上常見的SLC Cache,可以顯著提升寫入速度; DeepSleep:深度睡眠這個很好理解,就是可以讓UFS設備進入一個低功耗狀態,降低設備功耗; Performance Throttling Notification:性能限制通知,由於高溫到時存儲設備性能受限時,UFS設備可以告知系統。 總結起來就是寫入速度更快、功耗更低以及更加智能。 另外還有一個可選的JESD220-3協議,是Host Performance Booster(HPB)功能,讓UFS的主控可以把映射表緩存在設備的DRAM記憶體中,大容量的UFS設備需要很大的容量放映射表,把映射表放到記憶體里面可以顯著提升尋址性能,這功能在無緩存的SSD上相當常見,不失為一個節約成本的解決方法。 ...

UFS 3.1規范公布,更快的寫入和更低的功耗

JEDEC固態技術協會是微電子產業的領導標準機構,他是現在許多行業標準的定製者,現在高端手機上所用的UFS快閃記憶體標準是由他們所定製的,近日他們推出了UFS 3.1標準,新的標準將繼續使用UFS 3.0的物理層/傳輸層MIPI M-PHY v4.1/UniPro v1.8,帶寬規范依然是HS-Gear4(G4),單通道雙向11.6Gpps,雙通道雙向帶寬23.2Gbps,變化主要是增加了幾個現在SSD上常見的功能。 UFS 3.1(JESD220E)標準在UFS 3.0(JESD220D)基礎上新增了三個功能: Write Booster:就是SSD上常見的SLC Cache,可以顯著提升寫入速度;DeepSleep:深度睡眠這個很好理解,就是可以讓UFS設備進入一個低功耗狀態,降低設備功耗;Performance Throttling Notification:性能限制通知,由於高溫到時存儲設備性能受限時,UFS設備可以告知系統。 另外還有一個可選的JESD220-3協議,是Host Performance Booster(HPB)功能,讓UFS的主控可以把映射表緩存在設備的DRAM記憶體中,大容量的UFS設備需要很大的容量放映射表,把映射表放到記憶體里面可以顯著提升尋址性能,這功能在無緩存的SSD上相當常見,不失為一個節約成本的解決方法。 JESD220E和JESD220-3兩個協議均可從JEDEC網站下載查看。 新的UFS 3.1規范已經公布了,等快閃記憶體廠商拿出方案後那個手機廠會成為第一個吃螃蟹的呢? ...